CN102904570A - 气室单元以及原子振荡器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种气室单元以及原子振荡器，其能够提高频率精度。本发明的气室单元（2）具有：气室（21），其封入有气体状的碱金属原子；加热器（22），其对气室（21）进行加热；加热器（23），其以隔着气室（21）与加热器（22）对置的方式而设置，并对气室（21）进行加热，加热器（22）具备通过通电而发热的发热电阻器（222），加热器（23）具备在与流通于发热电阻器（222）中的电流的方向相同的方向上流通有电流，并通过通电而发热的发热电阻器（232），在发热电阻器（222）和发热电阻器（232）之间，使随着向发热电阻器（222）的通电而产生的磁场、和随着向发热电阻器（232）的通电而产生的磁场相互抵消或缓和。
Description
技术领域
本发明涉及一种气室单元以及原子振荡器。
背景技术
根据铷、铯等的碱金属的原子的能量跃迁而进行振荡的原子振荡器，在一般情况下，被大致划分为利用了通过光以及微波而产生的双共振现象的原子振荡器（例如，参照专利文献1）、和利用了通过波长不同的两种光而产生的量子干涉效应（CPT：Coherent Population Trapping）的原子振荡器（例如，参照专利文献2）。
在任意一种原子振荡器中，在一般情况下，将碱金属与缓冲气体一起封入在气室内，而为了并将该碱金属保持为气体状，需要将气室加热至预定温度。
例如，在专利文献3所记载的原子振荡器中，在封入有气体状的金属原子的气室的外表面上，设置有由ITO（Indium Tin Oxides：氧化铟锡）构成的膜状的发热体，并通过通电而使该发热体发热。由此，对气室进行加热，从而能够将气室内的金属原子保持为气体状。
在这种原子振荡器中，在通常情况下，调节向发热体被供给的电流，以使气室内的温度成为固定。因此，随着例如外部空气温度的变化，流通于发热体中的电流将发生变化。
当如前文所述这样，流通于发热体的电流发生变化时，由发热体产生的磁场也将发生变化。
当由发热体产生的磁场发生变化时，相当于气室中的金属原子的基态能级间的能量差的频率将发生变动。因此，在现有的原子振荡器中，存在输出频率发生偏差的问题。
专利文献1：日本特开平10-284772号公报
专利文献2：美国专利第6806784号说明书
专利文献3：美国专利申请公开第2006/0022761号说明书
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够提高频率精度的气室单元以及原子振荡器。
本发明是为了解决上述课题中的至少一部分而被完成的发明，并能够作为以下的方式或应用例而实现。
应用例1
本发明的气室单元的特征在于，具备：气室，其封入有气体状的碱金属原子；第一发热电阻器，其通过通电而发热，并对所述气室进行加热；第二发热电阻器，其通过通电而发热，并对所述气室进行加热，所述第一发热电阻器和所述第二发热电阻器隔着所述气室而对置，流通于所述第一发热电阻器中的电流和流通于所述第二发热电阻器中的电流包括相互向同一方向流通的电流成分，从而使随着向所述第一发热电阻器的通电而在所述气室内产生的磁场、和随着向所述第二发热电阻器的通电而在所述气室内产生的磁场，在所述气室内相互削弱磁场的强度。
根据这种结构的气室单元，即使向第一发热电阻器以及第二发热电阻器的通电量发生变化，也能够抑制或防止气室内的磁场的变动。因此，能够抑制气室内的磁场的变动，且将气室内的温度维持为所需的温度。其结果为，本发明的气室单元能够使频率精度得到提高。
应用例2
在本发明的气室单元中，优选为，在俯视观察时，所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器分别延伸至所述气室中封入有所述碱金属原子的区域的外侧。
由此，能够抑制气室的封入有碱金属原子的区域内的整个区域的磁场的变动。其结果为，能够简单且可靠地提高频率精度。
应用例3
在本发明的气室单元中，优选为，在俯视观察时，所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器分别呈矩形，且在与短边平行的方向上流通有电流。
由此，能够更加可靠地抑制气室的封入有碱金属原子的区域内的整个区域的磁场的变动。
应用例4
在本发明的气室单元中，优选为，在所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器上，分别沿着一对长边而设置有一对电极。
由此，能够使电流在与第一发热电阻器以及第二发热电阻器的短边平行的方向上均匀地流通。因此，能够实现第一发热电阻器以及第二发热电阻器的发热分布以及磁场分布的均匀化，进而实现气室内的温度以及磁场的均匀化。其结果为，能够使气室单元的频率精度变得优异。
应用例5
在本发明的气室单元中，优选为，在所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器上，分别沿着一对短边而设置有一对磁屏蔽用的导体。
由此，能够更加可靠地抑制气室的封入有碱金属原子的区域内的整个区域的磁场的变动。
应用例6
在本发明的气室单元中，优选为，其特征在于，具备：第一加热器，其具有所述第一发热电阻器、和在一个面上设置有所述第一发热电阻器的第一基板；第二加热器，其具有所述第二发热电阻器、和在一个面上设置有所述第二发热电阻器的第二基板。
由此，能够使第一发热电阻器以及第二发热电阻器的设置变得容易。
应用例7
本发明的原子振荡器的特征在于，具备：本发明的气室单元；光出射部，其出射对应用例1所述的所述碱金属原子进行激发的激发光；光检测部，其对透过了应用例1所述的所述气室的所述激发光的强度进行检测。
由此，能够提供具有优异的频率精度的原子振荡器。
附图说明
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的原子振荡器的概要结构的框图。
图2为用于对图1所示的原子振荡器所具备的气室内的碱金属的能量状态进行说明的图。
图3为对于图1所示的原子振荡器所具备的光出射部以及光检测部，而表示来自光出射部的两种光的频率差与光检测部的检测强度之间的关系的曲线图。
图4为表示图1所示的原子振荡器所具备的气室单元的概要结构的立体图。
图5为表示图4所示的气室单元的剖视图。
图6为表示图4所示的气室单元的俯视图。
图7为对图4所示的气室单元的作用进行说明的图（剖视图）。
图8（a）为对在两个加热器中流通有相互同向的电流时的、两个加热器之间的磁通密度进行说明的曲线图，图8（b）为对在两个加热器中流通有相互反向的电流时的、两个加热器之间的磁通密度进行说明的曲线图。
图9为表示加热器的长边和短边之比、与两个加热器之间的磁通密度之间的关系的曲线图。
图10为表示本发明的第二实施方式所涉及的气室单元的概要结构的立体图。
图11为表示图10所示的气室单元的俯视图。
图12为对图10所示的气室单元的作用进行说明的图（剖视图）。
图13为表示本发明的第三实施方式所涉及的气室单元的概要结构的立体图。
图14为表示本发明的第四实施方式所涉及的气室单元的概要结构的立体图。
图15为表示本发明的第五实施方式所涉及的气室单元的俯视图。
图16为表示本发明的第六实施方式所涉及的气室单元的俯视图。
具体实施方式
以下，根据附图所示的实施方式对本发明的气室单元以及原子振荡器进行详细说明。
第一实施方式
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的原子振荡器的概要结构的框图，图2为用于对图1所示的原子振荡器所具备的气室内的碱金属的能量状态进行说明的图，图3为对于图1所示的原子振荡器所具备的光出射部以及光检测部，而表示来自光出射部的两种光的频率差与光检测部的检测强度之间的关系的曲线图，图4为表示图1所示的原子振荡器所具备的气室单元的概要结构的立体图，图5为表示图4所示的气室单元的剖视图，图6为表示图4所示的气室单元的俯视图，图7为对图4所示的气室单元的作用进行说明的图（剖视图），图8（a）为对在两个加热器中流通有相互同向的电流时的、两个加热器之间的磁通密度进行说明的曲线图，图8（b）为对在两个加热器中流通有相互反向的电流时的、两个加热器之间的磁通密度进行说明的曲线图，图9为表示加热器的长边和短边之比、与两个加热器之间的磁通密度之间的关系的曲线图。另外，在下文中，为了便于说明，将图4、图5、图7中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。此外，在图4～7中，为了便于说明，图示了X轴、Y轴以及Z轴以作为相互正交的三个轴，并将与X轴平行的方向称为“X轴方向”，将与Y轴平行的方向称为“Y轴方向”，将与Z轴平行的方向（上下方向）称为“Z轴方向”。
原子振荡器
首先，根据图1～图3，对本实施方式所涉及的原子振荡器的整体结构进行简单说明。
另外，虽然在下文中，以将本发明应用于利用了量子干涉效应的原子振荡器中的情况为一个示例而进行说明，但本发明并不限定于此，也可以应用于利用了双共振效应的原子振荡器中。
图1所示的原子振荡器1具有：气室单元2、光出射部3、光检测部4、和控制部5。
此外，气室单元2具有：气室21，其封入有气体状的碱金属；加热器22、23，其对气室21进行加热；温度传感器24、25，其对气室21的温度进行检测；线圈26，其使作用于气室21的磁场产生。
在气室21的内部封入有气体状的铷、铯、钠等的碱金属。
如图2所示，碱金属具有三能级系统的能级，并且能够得到能级不同的两个基态（基态1、2）、和激发态这三个状态。此处，基态1为，低于基态2的能量状态。
当向这种气体状的碱金属照射频率不同的两种共振光1、2时，根据共振光1的频率ω1和共振光2的频率ω2之差（ω1－ω2），共振光1、2在碱金属中的光吸收率（光透过率）将发生变化。
而且，当共振光1的频率ω1和共振光2的频率ω2之差（ω1－ω2）与相当于基态1和基态2的能量差的频率相一致时，从基态1、2向激发态的激发分别停止。此时，共振光1、2均不被碱金属吸收而透过。将这种现象称为CPT现象或者电磁诱导透明化现象（EIT：Electromagnetically InducedTransparency）。
光出射部3为，出射对气室21中的碱金属原子进行激发的激发光的构件。
更加具体而言，光出射部3为，出射如前文所述的频率不同的两种光（共振光1以及共振光2）的构件。
共振光1的频率ω1为，能够将气室21中的碱金属从前文所述的基态1向激发态激发的频率。
此外，共振光2的频率ω2为，能够将气室21中的碱金属从前文所述的基态2向激发态激发的频率。
此外，上述激发光（共振光1、2）优选为具有相干性。
这种光出射部3能够由例如半导体激光器等的激光光源构成。
光检测部4为，对透过了气室21的共振光1、2的强度进行检测的构件。
例如，如果在前文所述的光出射部3中，将共振光1的频率ω1固定，而使共振光2的频率ω2发生变化，则在共振光1的频率ω1和共振光2的频率ω2之差（ω1－ω2）与相当于基态1和基态2之间的能量差的频率ω0相一致时，如图3所示，光检测部4的检测强度将急剧上升。将这种急剧的信号作为EIT信号而检测出。该EIT信号具有根据碱金属的种类而确定的固有值。因此，通过使用这种EIT信号，从而能够构成振荡器。
这种光检测部4能够由例如光检测器构成，所述光检测器输出与接受到的光的强度对应的检测信号。
控制器5具有对加热器22、23以及光出射部3进行控制的功能。
这种控制部5具有：频率控制电路51，其对光出射部3的共振光1、2的频率进行控制；温度控制电路52，其对气室21中的碱金属的温度进行控制；磁场控制电路53，其对施加于气室21的磁场进行控制。
频率控制电路51根据前文所述的光检测部4的检测结果，而对从光出射部3出射的共振光1、2的频率进行控制。更加具体而言，频率控制电路51对从光出射部3出射的共振光1、2的频率进行控制，以使由前文所述的光检测部4检测出的（ω1－ω2）成为前文所述的碱金属固有的频率ω0。
此外，温度控制电路52根据温度传感器24、25的检测结果，而对向加热器22、23的通电进行控制。
此外，磁场控制电路53对向线圈26的通电进行控制，以使线圈26所产生的磁场成为固定。
气室单元
接下来，对气室单元2进行详细叙述。
如图4所示，气室单元2具有：气室21、和以对气室21进行夹持的方式而设置的一对加热器22、23。
气室
如图5所示，气室21具有：一对板状部211、212，和被设置在该一对板状部之间的隔离物213。
板状部211、212分别具有针对于来自前文所述的光出射部3的激发光的透过性。在本实施方式中，板状部212为，向气室21内入射的激发光透过的构件，板状部211为，从气室21内出射的激发光透过的构件。
在本实施方式中，板状部211、212分别呈板状。此外，板状部211、212在俯视观察时呈四边形。另外，板状部211、212的形状并不限定于前文所述的形状，例如在俯视观察时也可以呈圆形。
构成这种板状部211、212的材料只要具有前文所述这种针对激发光的透过性，则不被特别限定，例如可列举出玻璃材料、水晶等。
此外，隔离物213为，在前文所述的一对板状部211、212之间形成空间S的构件。在该空间S内密封有如前文所述的碱金属。
在本实施方式中，隔离物213呈框状或筒状，在俯视观察时外周以及内周分别呈四边形。另外，隔离物213的形状并不限定于前文所述的形状，例如在俯视观察时外周以及内周可以分别呈圆形。
此外，隔离物213相对于各个板状部211、221而被气密接合。由此，能够将一对板状部211、212之间的空间S形成为气密空间。隔离物213与各个板状部211、212之间的接合方法是根据隔离物213和各个板状部211、212的构成材料而被确定的，并未被特别限定，例如可以使用利用粘合剂的接合方法、直接接合法、阳极接合法等。
构成这种隔离物213的材料并未被特别限定，既可以为金属材料、树脂材料等，也可以为与板状部211、212相同的玻璃材料、水晶等。
加热器
加热器22、23分别具有对前文所述的气室21（更加具体而言，对气室21中的碱金属）进行加热的功能。由此，能够将气室21中的碱金属的蒸汽压力维持在预定的压力值以上，从而将所需量的碱金属保持为气体状。
在本实施方式中，加热器22、23以隔着气室21的方式而设置，且被配置为，隔着气室21而对称（在图5所示的剖面中隔着气室21而上下对称）。另外，加热器22、23也可以被配置为，隔着气室21而非对称。
这种加热器（第一加热器）22具有：基板（第一基板）221；发热电阻器（第一发热电阻器）222，其被设置在基板221的一个面（在图5中为上侧的面）上；一对电极223、224，其被设置在发热电阻器222上。
同样地，加热器（第二加热器）23具有：基板（第二基板）231；发热电阻器（第二发热电阻器）232，其被设置在基板231的一个面（在图5中为下侧的面）上；一对电极233、234，其被设置在发热电阻器232上。
这种加热器22的发热电阻器222以及加热器23的发热电阻器232中，电流相互向同向流通，从而在发热电阻器222和发热电阻器232之间，随着向发热电阻器222的通电而在气室21内产生的磁场、和随着向发热电阻器232的通电而在气室21内产生的磁场，在气室21内相互抵消或削弱磁场的强度。另外，流通于发热电阻器222中的电流的方向、和流通于发热电阻器232中的电流的方向可以略微不同。此时，由于可以认为，在分别流通于发热电阻器222、发热电阻器232中的电流中，含有相互向同向流通的电流成分，因此能够通过该相互向同向流通的电流成分而使在气室21内产生的磁场相互抵消或削弱。
由此，即使向发热电阻器222以及发热电阻器232的通电量发生变化，也能够抑制或者防止气室21内的磁场的变动。因此，能够抑制气室21内的磁场的变动，且将气室21内的温度维持在所需的温度。其结果为，能够提高气室单元2的频率精度。
另外，对于加热器（第一加热器）22而言，也可以将发热电阻器（第一发热电阻器）222设置在基板221的另一个面（在图5中为下侧的面）上。此时，可以采用如下方式，即，将电极223、224形成在基板221的一个面（在图5中为上侧的面）上，并将用于对电极223、224和发热电阻器222之间进行连接的通孔形成在基板221上。或者，也可以采用如下方式，即，将电极223、224形成在基板221的上表面和侧面上，并通过基板221的侧面而对发热电阻器222和电极223、224进行连接。
或者，可以采用如下方式，即，基板221的X轴方向上的宽度略大于气室21的X轴方向上的宽度，并将电极223、224形成在基板221的下侧面的、伸出于气室21的外侧的部分上。由于通过这种结构，能够使发热电阻器222直接地与气室21接触，因此能够有效地对气室21进行加热。对于加热器（第二加热器）23，由于与加热器22相同因此省略说明。
以下，对加热器22的各个部分进行详细说明。另外，对于加热器23的结构，由于与加热器22的结构相同，因此省略其说明。
基板221对发热电阻器222进行支承。由此，发热电阻器222的设置变得容易。
在本实施方式中，基板221在俯视观察时呈四边形（更加具体而言呈矩形）。另外，基板221的俯视观察时的形状并不限定于矩形，既可以为正方形、菱形、梯形等的其他的四边形，也可以为三角形、五角形等的其他的多角形，还可以为圆形、椭圆形、异型形状等。
基板221具有绝缘性。由此，防止了发热电阻器222的各个部分彼此的短路，从而能够通过通电而使发热电阻器222发热。
此外，基板221具有针对于对气室21中的碱金属原子进行激发的激发光的透过性。由此，能够将加热器22设置在激发光的光路上。因此，能够通过加热器22而更加高效地对气室21的激发光的出射部进行加热。另外，在本实施方式中，如图4所示，激发光经由加热器23而被入射到气室21内，并从气室21内经由加热器22而被出射。
作为这种基板221的构成材料，只要为具有如前文所述的绝缘性以及光透过性，且能够承受发热电阻器222、223的发热的材料，则不未被特别限定，例如可以使用玻璃材料、水晶等。
此外，基板221的厚度并未被特别限定，例如为0.01～10mm左右。
在这种基板221的与气室21相反的一侧，设置有发热电阻器222。
发热电阻器222为，通过通电而发热的构件。此外，在本实施方式中，发热电阻器222具有针对于对气室21中的碱金属原子进行激发的激发光的透过性。由此，能够通过加热器22而更加高效地对气室21的激发光的出射部进行加热。
此外，发热电阻器222呈薄膜状。由此，能够通过成膜而容易且高精度地形成发热电阻器222。
在本实施方式中，发热电阻器222在基板221的上表面的整个区域内均匀地形成。因此，发热电阻器222在俯视观察时呈矩形。
此外，如图6所示，在俯视观察时，发热电阻器222包括气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S），并延伸至该区域的外侧。由此，能够抑制空间S内整个区域的磁场的变动。其结果为，能够容易且可靠地提高频率精度。
作为这种发热电阻器222的构成材料，只要为如前文所述那样通过发电而发热且具有针对激发光的透光性的材料，则并未被特别限定，例如，优选使用ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）、IZO（Indium Zinc Oxide：氧化铟锌）、In3O3、SnO2、掺Sb的SnO2、掺Al的ZnO等氧化物等的透明电极材料。
这种透明电极材料具有理想的透光性，且能够通过通电而高效地发热。
此外，当由透明电极材料构成发热电阻器222时，能够将加热器22设置在激发光的光路上。因此，能够更加高效地通过加热器22而对气室21的激发光的出射部进行加热。
发热电阻器222的厚度并未被特别限定，例如可以为0.1μm以上1mm以下的程度。
此外，发热电阻器222的形成并未被特别限定，例如可以使用等离子CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）、热CVD这种化学蒸镀法（CVD）、真空蒸镀等的干式电镀法、溶胶、凝胶法等而形成。
在这种发热电阻器222的与基板221相反的表面上设置有电极223、224。
电极223沿着呈矩形的基板221的一个（图5中为左侧）长边而设置，另一方面，电极224沿着基板221的另一个（图5中为右侧）长边而设置。
电极223、224以在X轴方向上隔开间隔的方式而设置。在本实施方式中，一对电极223、224之间的距离在Y轴方向上的整个区域内呈均匀状态。
此外，电极223、224分别呈沿着Y轴方向延伸的带状。而且，电极223、224分别横跨发热电阻器222的Y轴方向上的整个区域而设置。
通过向这种沿着发热电阻器222的一对长边而设置的一对电极223、224施加电压，从而能够使电流在与发热电阻器222的短边平行的方向上均匀地流通。即，能够在Y轴方向上的整个区域内以均等的电位对发热电阻器222进行供电。因此，能够实现发热电阻器222的发热分布以及磁场分布的均匀化，进而实现气室21内的温度以及磁场的均匀化。其结果为，能够使气室单元2的频率精度变得优异。
尤其是，当使电流在与呈矩形的俯视观察形状的发热电阻器222的短边平行的方向上流通时，与使电流在与发热电阻器222的长边平行的方向上流通的情况相比，能够防止随着对发热电阻器222的通电而产生的磁场向气室21的中心侧进入的情况。因此，能够更加可靠地抑制气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S）内的整个区域的磁场的变动。
作为这种电极223、224的构成材料，并未被特别限定，优选使用导电性优异的材料，例如可以列举出铝、铝合金、银、银合金、金、金合金、铬、铬合金等的金属材料。
此外，电极223、224的厚度并未被特别限定，例如为0.1μm以上1mm以下的程度。
此外，作为电极223、224的形成方法，可以列举出阴极真空喷镀法、真空蒸镀法等的物理成膜法、CVD等的化学蒸镀法、喷墨法等的各种涂布法等。
这种电极223、224与温度控制电路52电连接，从而电压被施加于电极223和电极224之间。
当向这种电极223和电极224之间施加电压时，发热电阻器222将被通电。同样地，当向电极233和电极234之间施加电压时，发热电阻器232将被通电。
此时，通过该通电而流通于发热电阻器222中的电流的方向、与流通于发热电阻器232中的电流的方向相互成为同向。具体而言，在发热电阻器222中，从电极223朝向电极224而于图5的箭头a1所示的方向上流通有电流，而在发热电阻器232中，从电极233朝向电极234而于图5的箭头a2所示的方向上流通有电流。因此，在发热电阻器222和发热电阻器232之间的区域内，由发热电阻器222所产生的磁场的方向b1、与由发热电阻器232所产生的磁场的方向b2相互成为反向。由此，如图8（a）所示，能够在气室21内，使由发热电阻器222所产生的磁场和由发热电阻器232所产生的磁场相互抵消或削弱。
另外，在图5中，以将电极223、233设定为阴极，将电极224、234设定为阳极的情况作为一个示例而进行了图示，箭头a1、a2的方向（对于箭头b1、b2的方向而言也相同）可以为图示的方向的反方向。此外，图8中的加热器在Y轴方向上的长度以及磁通密度的绝对值为一个示例，本发明并不限定于此。
与此相对，假设流通于发热电阻器222中的电流的方向和流通于发热电阻器232中的电流的方向相互为反向时，在发热电阻器222和发热电阻器232之间的区域内，由发热电阻器222所产生的磁场的方向、和由发热电阻器232所产生的磁场的方向相互为同向。其结果为，如图8（b）所示，在气室21内，由发热电阻器222所产生的磁场和由发热电阻器232所产生的磁场相互增强。
此外，当将发热电阻器222、232在X轴方向上的长度分别设定为A，将发热电阻器222、232在Y轴方向上的长度分别设定为B时，如图9所示，B/A越大，则在稍微偏离气室21的中心的位置处的磁通密度越减小。
此处，图9以将发热电阻器222与发热电阻器232之间的距离（图7所示的C）固定为4mm、将A固定为4mm的情况为例而进行了图示。此外，在图9中，“稍微偏离气室21的中心的位置”是指，从气室21的中心向＋X轴方向、＋Y轴方向以及＋Z轴方向分别偏离1mm的位置。此外，“发热电阻器222、232在X轴方向上的长度A”是指，发热电阻器222、232中的、实质性作为发热体而发挥功能的部分在X轴方向上的长度。此外，“发热电阻器222、232在Y轴方向上的长度B”是指，发热电阻器222、232中的、实质性作为发热体而发挥功能的部分在Y轴方向上的长度。此外，“发热电阻器222中的、实质性作为发热体而发挥功能的部分”是指，在俯视观察时，发热电阻器222的区域中的、被夹持在一对电极223、224之间的区域，同样地，“发热电阻器232中的、实质性作为发热体而发挥功能的部分”是指，在俯视观察时，发热电阻器232的区域中的、被夹持在一对电极233、234之间的区域。
此外，从图9可知，B/A优选为1以上5以下，更优选为1以上3以下，更进一步优选为1.5以上2.5以下。由此，能够防止加热器22、23的大型化，且在气室21内有效地使由两个发热电阻器222、232所产生的磁场相抵消或削弱。
与此相对，当B/A小于所述下限值时，存在气室21内的偏离中心的位置处的磁场增大，而对频率精度造成负面影响的情况，另一方面，当B/A超过所述上限值时，加热器22、23将表现出大型化的趋势。此外，即使令B/A大于所述上限值，气室21内的偏离中心的位置处的磁场也不会继续减小。
温度传感器
此外，气室单元2具有温度传感器24、25。如前文所述的加热器22、23的发热量是根据该温度传感器24、25的检测结果而被控制的。由此，能够将气室21内的碱金属原子维持在所需的温度。
温度传感器24为，对加热器22或气室21的板状部211的温度进行检测的构件。此外，温度传感器25为，对加热器23或气室21的板状部212的温度进行检测的构件。
这种温度传感器24、25的设置位置并未被特别限定，虽然未图示，但是例如，对于温度传感器24而言，可设置在加热器22上或气室21的外表面的板状部211的附近，而对于温度传感器25而言，可设置在加热器23上或气室21的外表面的板状部212的附近。
作为温度传感器24、25，各自并未被特别限定，可以使用热敏电阻、热电偶等的公知的各种温度传感器。
这种温度传感器24、25经由未图示的配线，而与前文所述的温度控制电路52电连接。
而且，温度控制电路52根据温度传感器24的检测结果，而对向前文所述的加热器22的通电量进行控制。此外，温度控制电路52根据温度传感器25的检测结果，来对向前文所述的加热器23的通电量进行控制。
通过以此种方式使用两个温度传感器24、25，来对向加热器22、23的通电量进行控制，从而能够实施更高精度的温度控制。此外，能够防止气室21内的温度的偏差（激发光的入射侧和出射侧的温度差）。
此外，优选为，温度控制电路52对向加热器22、23的通电量进行控制，以使向加热器22的通电量与向加热器23的通电量之差成为固定。由此，即使在加热器22的发热电阻器222和加热器23的发热电阻器232之间，向发热电阻器222、232的通电量分别发生变化，也能够使通过发热电阻器222、232的通电而产生的磁场平衡性良好地相互抵消或削弱。
线圈
此外，气室单元2具有线圈26（参照图1）。
这种线圈26通过通电而产生磁场。由此，通过对气室21中的碱金属施加磁场，从而能够扩展碱金属的发生简并的不同能级之间的间隙，进而提高分解能。其结果为，能够提高原子振荡器1的振荡频率的精度。
该线圈26的设置位置并未被特别限定，虽然未图示，但是例如既可以沿着气室21的外周卷绕设置以构成螺线型，也可以使一对线圈关于气室21而对置以构成亥姆霍兹型。
该线圈26经由未图示的配线，而与前文所述的磁场控制电路53电连接。由此，能够对线圈26实施通电。
作为这种线圈26的构成材料，并未被特别限定，例如可以列举出银、铜、钯、铂、金、或者以上材料的合金等，并且，可以对这些材料中的一种或两种以上进行组合而使用。
根据如以上进行了说明的本实施方式的气室单元2，由于在发热电阻器222和发热电阻器232之间，使随着发热电阻器222、232的通电而产生的磁场相互地抵消或缓和，因此即使向加热器22、23的通电量发生变动，也能够抑制或防止气室21内的磁场的变化。因此，能够抑制气室21内的磁场的变化，且将气室21内的温度维持在所需的温度。其结果为，气室单元2能够提高频率精度。
此外，根据具备这种气室单元2的原子振荡器1，从而具有优异的频率精度。
第二实施方式
接下来，对本发明的第二实施方式进行说明。
图10为表示本发明的第二实施方式所涉及的气室单元的概要结构的立体图，图11为表示图10所示的气室单元的俯视图，图12为对图10所示的气室单元的作用进行说明的图（剖视图）。
本实施方式所涉及的气室单元除了加热器在Y轴方向上的长度不同之外，与前文所述的第一实施方式所涉及的气室单元相同。
另外，在以下的说明中，关于第二实施方式的气室单元，以与第一实施方式的不同点为中心而进行说明，对于同样的内容则省略其说明。此外，在图10～12中，对于与前文所述的实施方式相同的结构，标记相同的符号。
图10所示的气室单元2A具有以夹持气室21的方式而设置的一对加热器22A、23A。
加热器（第一加热器）22A具有：基板221A；发热电阻器（第一发热电阻器）222A，其被设置在基板221A的一个面上；一对电极223A、224A，其被设置在发热电阻器222A上。
同样地，加热器（第二加热器）23A具有：基板231A；发热电阻器（第二发热电阻器）232A，其被设置在基板231A的一个面上；一对电极233A、234A，其被设置在发热电阻器232A上。
以下，对加热器22A的各个部分进行说明。另外，对于加热器23A的结构，由于与加热器22A的结构相同，因此省略其说明。
在本实施方式中，基板221A以及发热电阻器222A在俯视观察时分别呈四边形（更加具体而言为正方形）。
此外，如图11所示，在俯视观察时，发热电阻器222A包括气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S），并且发热电阻器222A延伸至该区域（空间S）的外侧。由此，能够抑制空间S内的整个区域的磁场的变动。其结果为，能够容易且可靠地提高频率精度。
在本实施方式中，在俯视观察时，发热电阻器222A在X轴方向上的宽度与气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S）相一致。由此，能够实现气室单元2A的小型化。
在这种加热器22A中，通过向电极223A和电极224A之间施加电压，从而发热电阻器222A被通电。同样地，在加热器23A中，当向电极233A和电极234A之间施加电压时，发热电阻器232A将被通电。
此时，通过该通电而流通于发热电阻器222A中的电流的方向、与流通于发热电阻器232A中的电流的方向相互成为同向。具体而言，在发热电阻器222A中，从电极223A朝向电极224A而于图12的箭头a1所示的方向上流通有电流，而在发热电阻器232A中，从电极233A朝向电极234A而于图12的箭头a2所示的方向上流通有电流。因此，在发热电阻器222A和发热电阻器232A之间的区域内，由发热电阻器222A所产生的磁场的方向b1、和由发热电阻器232A所产生的磁场的方向b2相互成为反向。由此，能够在气室21内，使由发热电阻器222A所产生的磁场和由发热电阻器232A所产生的磁场相互抵消或缓和。
另外，虽然在本实施方式中，采用了基板221A（基板231A）介于发热电阻器222A（发热电阻器232A）和气室21之间的结构，但并不限定于此，也可以采用发热电阻器222A（发热电阻器232A）直接被安装于气室21的表面上的结构。
根据如以上进行了说明的第二实施方式所涉及的气室单元2A，也能够提高频率精度。
第三实施方式
接下来，对本发明的第三实施方式进行说明。
图13为表示本发明的第三实施方式所涉及的气室单元的概要结构的立体图。
本发明所涉及的气室单元除了加热器的结构不同之外，与前文所述的第一实施方式所涉及的气室单元相同。
另外，在以下的说明中，关于第三实施方式的气室单元，以与第一实施方式的不同点为中心而进行说明，对于相同的内容则省略其说明。此外，在图13中，对于与前文所述的实施方式相同的结构，标记相同的符号。
图13所示的气室单元2B具有以夹持气室21的方式而设置的一对加热器22B、23B。
以下，对加热器22B进行说明。另外，对于加热器23B的结构，由于与加热器22B的结构相同，因此省略其说明。
加热器（第一加热器）22B具有：基板（第一基板）221；发热电阻器（第一发热电阻器）222，其被设置在基板221的一个面上；一对电极223、224以及一对磁屏蔽用电极225、226，其被设置在发热电阻器222上。
即，加热器22B为，在前文所述的第一实施方式的加热器22中，将一对磁屏蔽用电极225、226设置在发热电阻器222上的构件。
一对磁屏蔽用电极225、226沿着发热电阻器222上的一对短边而设置。由此，能够更加可靠地抑制气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S）内的整个区域的磁场的变动。
此外，在本实施方式中，磁屏蔽用电极225经由绝缘层227而被设置在发热电阻器222上。同样地，磁屏蔽用电极226经由绝缘层228而被设置在发热电阻器222上。通过设置这种绝缘层227、228，从而能够在不阻碍由于向一对电极223、224之间的通电而产生的发热电阻器222的发热的条件下，由各个磁屏蔽用电极225、226对磁性进行屏蔽。
作为绝缘层227、228的构成材料，只要为具有绝缘性且能够成膜的材料，则并不被特别限定，例如可以列举出树脂材料、陶瓷材料等。
此外，磁屏蔽用电极225、226分别呈沿着X轴方向延伸的带状。
作为这种磁屏蔽用电极225、226的构成材料，并未被特别限定，例如可以列举出铁、钴、镍等的强磁性体材料。
根据如以上进行了说明的第三实施方式所涉及的气室单元2B，也能够提高频率精度。
第四实施方式
接下来，对本发明的第四实施方式进行说明。
图14为表示本发明的第四实施方式所涉及的气室单元的概要结构的立体图。
本实施方式所涉及的气室单元除了加热器的结构不同之外，与前文所述的第一实施方式所涉及的气室单元相同。
另外，在以下的说明中，关于第四实施方式的气室单元，以与第一实施方式的不同点为中心而进行说明，对于相同的内容则省略其说明。此外，在图14中，对于与前文所述的实施方式相同的结构，标记相同的符号。
图14所示的气室单元2C具有以夹持气室21的方式而设置的一对加热器22C、23C。
以下，对加热器22C进行说明。另外，对于加热器23C的结构，由于与加热器22C的结构相同，因此省略其说明。
加热器（第一加热器）22C具有：基板（第一基板）221；发热电阻器（第一发热电阻器）222，其被设置在基板221的一个面上；一对电极223、224以及一对磁屏蔽用的导体225C、226C，其被设置在发热电阻器222上。
即，加热器22C为，在前文所述的第一实施方式的加热器22中，将一对磁屏蔽用的导体225C、226C设置在发热电阻器222上的构件。
一对磁屏蔽用的导体225C、226C沿着发热电阻器222上的一对短边而设置。由此，能够更加可靠地抑制气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S）内的整个区域的磁场的变动。
此外，磁屏蔽用的导体225C与电极224一体地形成，同样地，磁屏蔽用的导体226C与电极223一体地形成。由此，磁屏蔽用的导体225C作为与电极224同极的电极而发挥功能，并且磁屏蔽用的导体226C作为与电极223同极的电极而发挥功能。因此，能够通过向一对电极223、224之间的通电以及向一对磁屏蔽用的导体225C、226C之间的通电，而使发热电阻器222发热，且由各个磁屏蔽用的导体225C、226C对磁性进行屏蔽。
根据如以上进行了说明的第四实施方式所涉及的气室单元2C，也能够提高频率精度。
第五实施方式
接下来，对本发明的第五实施方式进行说明。
图15为表示本发明的第五实施方式所涉及的气室单元的俯视图。
本实施方式所涉及的气室单元除了气室以及加热器的结构不同之外，与前文所述的第一实施方式所涉及的气室单元相同。此外，本实施方式所涉及的气室单元除了气室的结构之外，与前文所述的第二实施方式所涉及的气室单元相同。
另外，在以下的说明中，关于第五实施方式的气室单元，以与第一实施方式的不同点为中心而进行说明，对于同样的内容则省略其说明。此外，在图15中，对于与前文所述的实施方式相同的结构，标记相同的符号。
图15所示的气室单元2D具有气室21D。
气室21D的封入有碱金属原子的区域（空间S），在俯视观察发热电阻器222A时，呈在与发热电阻器222A的电流所流通的方向平行的方向上延伸的长条形状。在本实施方式中，空间S在俯视观察发热电阻器222A时，呈椭圆形形状，所述椭圆形形状具有在与发热电阻器222A的电流所流通的方向平行的方向上延伸的长轴。由此，能够更加可靠地抑制气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S）内的整个区域的磁场的变动。
根据如以上进行了说明的第五实施方式所涉及的气室单元2D，也能够提高频率精度。
第六实施方式
接下来，对本发明的第六实施方式进行说明。
图16为表示本发明的第六实施方式所涉及的气室单元的俯视图。
本实施方式所涉及的气室单元除了加热器的结构不同之外，与前文所述的第一实施方式所涉及的气室单元相同。
另外，在以下的说明中，关于第六实施方式的气室单元，以与第一实施方式的不同点为中心而进行说明，对于同样的内容则省略其说明。此外，在图16中，对于与前文所述的实施方式相同的结构，标记相同的符号。
图16所示的气室单元2E具有对气室21进行加热的加热器（第一加热器）22E。另外，虽然未图示，但在气室单元2E中，与加热器22E相同结构的加热器（第二加热器）隔着气室21而与加热器22E对置设置。
加热器22E具有：基板221E；发热电阻器（第一发热电阻器）222E，其被设置在基板221E的一个面上；一对电极223、224，其被设置在发热电阻器222E上。
在本实施方式中，基板221E以及发热电阻器222E在俯视观察时分别呈四边形（更加具体而言为正方形）。
此外，如图16所示，在俯视观察时，发热电阻器222E包括气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S），并延伸至该区域（空间S）的外侧。在本实施方式中，发热电阻器222E在俯视观察时呈大于气室21的封入有碱金属原子的区域（空间S）的形状。由此，能够抑制空间S内的整个区域的磁场的变动。其结果为，能够容易且可靠地提高频率精度。
根据如以上进行了说明的第六实施方式所涉及的气室单元2E，也能够提高频率精度。
以上，虽然根据图示的实施方式，而对本发明的气室单元以及原子振荡器进行了说明，但本发明并不限定于此。
此外，在本发明的气室单元以及原子振荡器中，各个部分的结构能够置换为发挥同样的功能的任意的结构，此外，也能够附加任意的结构。
此外，本发明的气室单元以及原子振荡器也可以采用如下方式，即，将前文所述的各个实施方式的任意结构彼此组合在一起。
例如，虽然在前文所述的实施方式中，对气室单元所具备的两个加热器（第一加热器、第二加热器）相互为相同的结构的情况进行了说明，但也可以为一方的加热器与另一方的加热器不同的结构。
此外，气室单元所具备的加热器的数量也可以为三个以上。
此外，虽然在前文所述的实施方式中，对设置了两个温度传感器的情况进行了说明，但是温度传感器的数量既可以为一个，也可以为三个以上。
符号说明
1…原子振荡器；
2、2A、2B、2C、2D、2E…气室单元；
3…光出射部；
4…光检测部；
5…控制部；
21、21D…气室；
22、22A、22B、22C、22E…加热器；
23、23A、23B、23C…加热器；
24、25…温度传感器；
26…线圈；
51…频率控制电路；
52…温度控制电路；
53…磁场控制电路；
211、212…板状部；
213…隔离物；
221、221A、221E…基板；
222、222A、222E…发热电阻器；
223、223A、224、224A…电极；
225、226…磁屏蔽用电极；
225C、226C…磁屏蔽用的导体；
227、228…绝缘层；
231、231A…基板；
232、232A…发热电阻器；
233、233A、234、234A…电极；
a1、a2、b1、b2…箭头；
S…空间；
ω0、ω1、ω2…频率。
Claims (7)
1.一种气室单元，其特征在于，具备：
气室，其封入有气体状的碱金属原子；
第一发热电阻器，其通过通电而发热，并对所述气室进行加热；
第二发热电阻器，其通过通电而发热，并对所述气室进行加热，
所述第一发热电阻器和所述第二发热电阻器隔着所述气室而对置，
流通于所述第一发热电阻器中的电流和流通于所述第二发热电阻器中的电流含有相互向同一方向流通的电流成分，从而使随着向所述第一发热电阻器的通电而在所述气室内产生的磁场、和随着向所述第二发热电阻器的通电而在所述气室内产生的磁场，在所述气室内相互削弱磁场的强度。
2.如权利要求1所述的气室单元，其中，
在俯视观察时，所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器分别延伸至所述气室中封入有所述碱金属原子的区域的外侧。
3.如权利要求1所述的气室单元，其中，
在俯视观察时，所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器分别呈矩形，并且电流在与短边平行的方向上流通。
4.如权利要求3所述的气室单元，其中，
在所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器上，分别沿着一对长边而设置有一对电极。
5.如权利要求4所述的气室单元，其中，
在所述第一发热电阻器以及所述第二发热电阻器上，分别沿着一对短边而设置有一对磁屏蔽用的导体。
6.如权利要求1所述的气室单元，其特征在于，具备：
第一加热器，其具有所述第一发热电阻器、及在一个面上设置有所述第一发热电阻器的第一基板；
第二加热器，其具有所述第二发热电阻器、及在一个面上设置有所述第二发热电阻器的第二基板。
7.一种原子振荡器，其特征在于，具备：
权利要求1至6中的任意一项所述的气室单元；
光出射部，其出射对权利要求1所述的所述碱金属原子进行激发的激发光；
光检测部，其对透过了权利要求1所述的所述气室的所述激发光的强度进行检测。
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Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| CN104467837A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 江汉大学 | 应用于航天器的时间校准方法和装置 |
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Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (13)
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|---|---|---|---|---|
| JP3037035B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2000-04-24 | アンリツ株式会社 | 原子発振器用共振器 |
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| JPH10116681A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘導加熱調理器 |
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| US6806784B2 (en) | 2001-07-09 | 2004-10-19 | The National Institute Of Standards And Technology | Miniature frequency standard based on all-optical excitation and a micro-machined containment vessel |
| JP3932425B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2007-06-20 | 有限会社ケイツーテクノ | 電磁波中の磁界の発生が少ない発熱体及びその製造方法 |
| US20060022761A1 (en) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Abeles Joseph H | Chip-scale atomic clock (CSAC) and method for making same |
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| JP5375279B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2013-12-25 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器 |
| JP5256999B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-08-07 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器の物理部 |
| US8319156B2 (en) * | 2009-12-22 | 2012-11-27 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | System for heating a vapor cell |
| JP5655647B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2015-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | ガスセルユニット、原子発振器および電子装置 |
| JP2012191138A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Seiko Epson Corp | ガスセルユニット、原子発振器および電子装置 |
-
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104518794A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 精工爱普生株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
| CN104518794B (zh) * | 2013-09-30 | 2018-12-11 | 精工爱普生株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
| CN104716958A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 精工爱普生株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
| CN104716958B (zh) * | 2013-12-13 | 2019-06-25 | 精工爱普生株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
| CN104850001A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-08-19 | 精工爱普生株式会社 | 原子室及制造方法、量子干涉装置、振荡器、设备和移动体 |
| CN104850001B (zh) * | 2014-02-14 | 2018-11-27 | 精工爱普生株式会社 | 原子室及制造方法、量子干涉装置、振荡器、设备和移动体 |
| CN105207674A (zh) * | 2014-06-23 | 2015-12-30 | 精工爱普生株式会社 | 气室 |
| CN105301527A (zh) * | 2014-07-24 | 2016-02-03 | 精工爱普生株式会社 | 气室以及磁测定装置 |
| CN104467837A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 江汉大学 | 应用于航天器的时间校准方法和装置 |
| CN104467837B (zh) * | 2014-10-31 | 2017-09-19 | 江汉大学 | 应用于航天器的时间校准方法和装置 |
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