CN102888585A - 增透膜制备工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种增透膜制备工艺方法，包括有清洁真空室内所有相关器具并放入光学镜片和加入膜料的准备工作步骤；对所述真空室进行抽真空的抽真空步骤；真空度达到要求后预热膜料的预热步骤和将所述膜料气化沉积到所述光学镜片表面的镀膜步骤。所述镀膜步骤包括有在所述光学镜片上首先镀一层氧化铝膜的初镀步骤、再在所述氧化铝膜上镀一层氧化锆膜的中镀步骤和最后在所述氧化锆膜上镀一层氟化镁膜的末镀步骤。与现有技术相比，本发明有效解决了目前常规镀膜方法所镀的增透膜的适应性不高的问题。

Description

增透膜制备工艺方法
技术领域
本发明涉及光学镀膜加工技术领域，尤其是一种增透膜的制备方法。
背景技术
目前通用的真空镀膜工艺方法包括有清洁真空室内所有相关部件后放入光学镜片和加入膜料的准备工作步骤；对所述真空室进行抽真空的抽真空步骤；真空度达到要求后的预热真空室和预热膜料的预热步骤和将所述膜料气化沉积到所述光学镜片表面的镀膜步骤。由于普通光学镜片的透光性不高造成成像不够清晰，为了解决这个问题，现在广泛使用的方法一般是在光学镜片的表面上通过真空镀膜机镀单层氟化镁膜，但这种单层氟化镁膜仅对某一特定波长的光波具有较高的透过率，对其它波长的光波的透过率却较低，因此，这种光学薄膜的适用性不高，应用范围较窄。
发明内容
本发明的目的是提供一种透过率在很宽的波长范围内均较高的增透膜制备工艺方法。
为了解决上述问题，本发明采用的技术方案是：这种增透膜制备工艺方法，包括有清洁真空室内所有相关器具并放入光学镜片和加入膜料的准备工作步骤；对所述真空室进行抽真空的抽真空步骤；真空度达到要求后预热膜料的预热步骤和将所述膜料气化沉积到所述光学镜片表面的镀膜步骤。所述镀膜步骤有如下分步骤：初镀：先将光栅左狭缝调至0.35毫米，光栅右狭缝调至0.8毫米，在300摄氏度的烘烤温度下恒定15--20分钟后，进行初镀，初镀的工艺条件：膜料为氧化铝，烘烤温度为300摄氏度，真空度为3x10-3帕，控制波长为530纳米，束流为140毫安，测厚仪控制为一个极大值。
中镀：中镀的工艺条件：膜料为氧化锆，烘烤温度为300摄氏度，真空度为7.5x10-3帕并且充氧，控制波长为530纳米，束流为100毫安，测厚仪控制为一个极大值和一个极小值。末镀：末镀的工艺条件：膜料为氟化镁，烘烤温度为300摄氏度，真空度为2.5x10-3帕，控制波长为530纳米，束流为30毫安，测厚仪控制为一个极小值。
由于采用了上述方案，本发明与现有技术相比具有如下有益效果：
1、本发明制备的光学薄膜的透过率较高，适用范围较宽。
2、本发明具有方法简单、容易实施的特点。
具体实施方式
本增透膜制备工艺方法具体如下：
1、准备工作步骤：用吸尘器清洁真空室、钟罩、挡板、器皿及夹具等，用脱脂布蘸无水乙醇和乙醚混合剂擦拭光学镜片，在2、3、4号坩埚内分别加入氧化铝、氧化锆、氟化镁膜料，最后放入擦拭干净的光学镜片，更换比较片并关紧真空室门。
2、抽真空步骤：启动真空泵，开设抽真空，当真空度低于3帕时，关低阀，开预阀并开高阀。
3、预热步骤：先开扫描，将电子枪灯丝电流调到0.5安，预热5分钟后，再将扫描X电流调到0.5安，Y电流调到0安，将电子束斑置于坩埚的中心，然后开高压，开电子枪束流，调节束流的大小来预热膜料。
4、镀膜步骤：镀膜步骤包括有如下分步骤： 
A、初镀：先将光栅左狭缝调至0.35毫米，光栅右狭缝调至0.8毫米，在300摄氏度的烘烤温度下恒定15--20分钟后，进行初镀，初镀的工艺条件：膜料为氧化铝，烘烤温度为300摄氏度，真空度为3x10-3帕，控制波长为530纳米，束流为140毫安，测厚仪控制为一个极大值；
B、中镀：中镀的工艺条件：膜料为氧化锆，烘烤温度为300摄氏度，真空度为7.5x10-3帕并且充氧，控制波长为530纳米，束流为100毫安，测厚仪控制为一个极大值和一个极小值；
C、末镀：末镀的工艺条件：膜料为氟化镁，烘烤温度为300摄氏度，真空度为2.5x10-3帕，控制波长为530纳米，束流为30毫安，测厚仪控制为一个极小值。
镀制完闭后，静置一段时间，待完全冷却后，打开真空室门取出镀好的光学镜片，其镀膜层的颜色应为淡绿色。

Claims (1)

1.一种增透膜制备工艺方法，包括有清洁真空室内所有相关器具并放入光学镜片和加入膜料的准备工作步骤；对所述真空室进行抽真空的抽真空步骤；真空度达到要求后预热膜料的预热步骤和将所述膜料气化沉积到所述光学镜片表面的镀膜步骤；其特征在于：所述镀膜步骤有如下分步骤：
A、初镀：先将光栅左狭缝调至0.35毫米，光栅右狭缝调至0.8毫米，在300摄氏度的烘烤温度下恒定15--20分钟后，进行初镀，初镀的工艺条件：膜料为氧化铝，烘烤温度为300摄氏度，真空度为3x10-3帕，控制波长为530纳米，束流为140毫安，测厚仪控制为一个极大值；
B、中镀：中镀的工艺条件：膜料为氧化锆，烘烤温度为300摄氏度，真空度为7.5x10-3帕并且充氧，控制波长为530纳米，束流为100毫安，测厚仪控制为一个极大值和一个极小值；
C、末镀：末镀的工艺条件：膜料为氟化镁，烘烤温度为300摄氏度，真空度为2.5x10-3帕，控制波长为530纳米，束流为30毫安，测厚仪控制为一个极小值。
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