CN1028819C - 在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备 - Google Patents

在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1028819C
CN1028819C CN91110637A CN91110637A CN1028819C CN 1028819 C CN1028819 C CN 1028819C CN 91110637 A CN91110637 A CN 91110637A CN 91110637 A CN91110637 A CN 91110637A CN 1028819 C CN1028819 C CN 1028819C
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
equipment
liquid
source material
front surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN91110637A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1061492A (zh
Inventor
M·D·罗森布拉姆
J·I·汉诺卡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RWE Shawtt Sun Co.
Original Assignee
Mobil Solar Energy Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mobil Solar Energy Corp filed Critical Mobil Solar Energy Corp
Publication of CN1061492A publication Critical patent/CN1061492A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1028819C publication Critical patent/CN1028819C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

硅太阳能电池是通过让基片经受扩散以形成P-N结的过程制造的,其中含有选定掺杂剂的液态掺杂剂源物质是喷涂在该基片的一侧,而后将基片在含氧环境中焙烧,所用的条件是计算出来的,以让该掺杂剂能扩散进入基片,从而在每一基片上形成浅薄的P-N结。

Description

本发明与光伏电池的制造有关,更确切地说,它是关于通过扩散产生光电池结的改进方法,这种方法具有节约成本而又不会丧失可靠性或转换效率的优点。
众所周知,要达到生产大批合乎规格的具有较高效率并以较低成本的硅太阳能电池的目的,是不能指望通过单个技术领域取得惊人突破的形式出现的。相反,技术熟练的人们懂得,提供经济上和技术上合格的光伏太阳能电池的目标,可以通过许多看来似乎比较普通但在技术上创新的进展的综合效果来达到。因此,在光伏电池技术特定领域中看来似乎工艺学方面进展较小,但从节约成本而又能生产出具有较高效率的太阳能电池的观点看,实际上可能是非常有意义的。
目前以及本发明之前的许多年间,大量的努力被花费在创造一些制造太阳能电池的方法方面,以达到如下目标:(1)比较高的能量转换效率和功率输出;(2)高的生产率,以及(3)低的成本。另外,大量的关心还在于提供工作可靠并在工作环境中不容易退化的太阳能电池。
一种努力方向是制造成本较低的硅光电池,其中包括通过形状可控晶体生长工艺生长的多晶硅片的生产和使用。其它一些努力包括使用浇注(Cast)多晶片、枝晶网(Web)硅片,或者其它更接近单晶材料的基片,例如通过重分Czochralski生长的刚玉形成的基片。总之,不管基片的来源如何,为了将硅片转变成现行的光伏太阳能电池,需要完成一定的步骤。特别是在贴近基片的一个表面上,必须形成光生伏特的结。在形状可控晶体生长基片的情况下,该基片一般具有P型电导率,最好通过掺硼使其具有约在2~3Ω-cm范围内的电导率。因此,必须将n型掺杂剂(例如磷)掺入基片的一侧,以便形成光生伏特的半导体结。
通过扩散的方法在半导体基片上形成结,这是众所周知的。扩散工艺可以采取多种形式。在一般情况下,扩散可由源材料(例如磷化氢)以蒸汽的形式出现。另一种工艺是可以利用所形成的含有掺杂剂源的固体层,并且将固体层加热以使该掺杂剂从该固体层扩散入基片。还有其它一些工艺是利用被称之为“自旋”材料,用它作为涂层施加在基片上,随后将该涂层焙烧,以使扩散过程发生。
作为“制造太阳能电池的方法”已于1984.6.5授于Arup    R.Chaudhuri的美国专利4,451,969,作为“使用氮化硅涂层制造太阳能电池的方法”已于1988,6.14授于Ronald    C.Gonsiorawski等人的美国专利4,751,191,以及作为“太阳能电池的制造”已于1979,5.8授于Ronald    C.Gonsiorawski的美国专利4,152,824,这些专利公开了制造半导体太阳能电池的多种方法。其中的p-n结是通过由固体或气体源的扩散形成的。有关扩散工艺形成p-n结的进一步信息已由上述同族专利中提到的参考文献提供。有关使用气体或液体掺杂剂源的附加信息,可由K.S.Tarneja等人发表在“Electrochemical    SOC.”杂专Vol.131,NO.10,PP.2438-2441,1984,10的文章”用来由枝晶网硅生产高效太阳能电池的液体掺杂剂的研究”来提供。
在美国专利4,451,969和4,751,191中描述的扩散结制造方法中,该结是通过让硅片在扩散炉内处于含有氧、氮和磷源(例如磷化氢PH3)的不断流动的气体气氛中,在约900℃的温度下持续约30分钟形成的。在扩散炉内发生许多反应,但是重要的反应是形成了由化学式(P2O5x(SiO2y表示的磷硅酸盐玻璃。该玻璃是通过在缓冲的氢氟酸(HF)溶液中浸蚀晶带持续约两分钟,而由该晶带提取的。如在上述视为同一已有技术中描述的那些气体扩散工艺(它作为制造太阳能电池的各公司所使用的扩散工艺的代表)中,呈现出的缺点是较高的成本和危险的毒性环境。而且,扩散并不局限于基片的仅仅一个表面,因而后续的使扩散绝缘的步骤便成为必要,例如如同由Ronald H.Micheels等人在1989.6.30提交的美国专利申请号375037“具有经过p-n结的沟槽的太阳能电池”中所公开描述的那样。
因此,按照希望降低制造成本而又改进工作可靠性的观点,许多努力都用在简化及提供更加可靠和成本更低的结的形成操作上面。
本发明的主要目的,是提供一种通过在硅片上扩散而形成p-n结的新方法和设备。
本发明的另一个主要目的,是提供一种通过在硅片上扩散以形成光生伏特结,从而生产硅光伏电池的新的改进的方法。
本发明还有另一个主要目的,是提供一种用来将结扩散在晶带状基片上的方法和设备,以使该扩散基本上能被局限在基片的两相反主要表面之一上,从而避免了对结进行绝缘步骤的需要。
本发明进一步的目的,是提供一种在基片上形 成p-n结用的新方法和设备,基本上包括:(1)把以液态或半液态形式出现的掺杂剂源材料加到基片的一个表面上;(2)对该基片及源材料进行加热,以使该掺杂剂能从源材料中释放出来并扩散到该基片中,从而形成浅薄而且均匀的p-n结。
本发明另一个更为具体的目的,是提供一种使用p-型硅基片,通过将n+-型渗杂物在液体载体中施加于基片上,随后将此液体载体进行焙烧,以使该渗杂剂扩散到基片中,从而形成浅的p-n结来制造太阳能电池的方法。
本发明另一个更为具体的目的,是提供一种使用形状可控晶体生长型多晶片形成太阳能电池的方法,其中的含有预杂剂定掺杂剂的液态掺杂剂源材料是以薄而均匀的涂层喷涂在基片的一侧,随后将此基片和液态源材料进行焙烧,以使该掺杂剂被扩散到基片中,从而形成p-n结。
本发明还有另一个具体目的,它是提供一种新设备,用来将液态掺杂剂源材料加到基片上,以此为通过扩散形成p-n结作准备。
本发明另一个具体目的,是提供一种制造太阳能电池的方法,包括通过扩散掺杂过程,在予制的基片上形成阻挡层结,其中的掺杂剂源材料是通过喷涂设备施加到该基片的一侧,而且在施加此掺杂剂源材料的过程中,该基片是支承在能吸收液体的运输机械的传送网或传送带上,以防止掺杂剂源材料涂敷在该基片背面。
上述目的以及随后描述或明显提出的其它一些目的是通过下述方法及设备可以达到的,其总的特征表示如下:(1)平面的晶带型硅片,被喷涂上薄而均匀的含有选定掺杂剂源材料的涂层;(2)然后让带涂层的基片通过烘干阶段,其中的液态源材料被烘干;以及(3)随后让该基片在扩散炉内于含氧的环境下经受焙烧,对所处的环境条件进行计算,使源材料中的掺杂剂能够扩散到基片中,以便形成浅薄的p-n结。液体喷涂设备被用来涂敷如喷射薄雾一样的源材料。在本发明的最佳实施例中,位于能吸收液体的运输机械上的基片被运送通过喷涂设备,此喷涂设备包括一个超声喷雾头,通过适于让该喷雾头在横过该基片于运输机械上运动路程的方向上作往复运动的装置,安装在运输机械上,从而使此液体源材料能以往复喷雾的图案进行涂敷;随着让喷雾头以往复运动的速度及运输机械以线性运动的速度的设定,使由该喷雾头喷射出来的液体的每一条线,能够重叠上前一液体喷涂线,从而在基片上形成连续的涂层。随后将此涂层焙烧,以使扩散过程发生。通过适当地选择源材料和操作条件,有可能在p型硅材料上得到比较均匀的浅薄结,其中该结的深度约为0.5微米。
本发明的其它一些优点和性能将结合附图和本发明的内容一起在下面予以详细的描述。
图1A-1E表示根据本发明制做太阳能电池p-n结所包括的一些步骤;
图2为侧视示意图,表示根据本发明形成扩散结和太阳能电池的设备和方法;
图3为实现本发明所用的喷雾头前视图的经放大的横截面示意图;
图4为放大了的示意图,表示超声喷雾头是如何安装和在基片上方作往复运动的。
在这些附图中,为了叙述及表示方便起见,基片以及若干涂层和掺杂区域的厚度和深度,以及机械部分并未按照它们的真实相对位置及比例给以准确地表示。
本发明的目标在于提供高性能结形成技术和相关的装置,适合于降低生产较高效率的工作可靠的硅光伏电池的成本。
在本发明之前已经知道,在半导体器件中掺杂剂的扩散,可以根据不同途径通过将液态的源材料施加在基片上来达到,例如通过自旋和喷涂工艺。然而对于制造太阳能电池来说,将扩散源喷涂到硅基片上的基本原则要受到许多重要考虑因素的支配,包括需要有浅薄及均匀的结,而且还需要避免在太阳能电池的背面上形成结。
本发明特别适合但也不一定只适于光电池加工的方法,其中的P型形状可控晶体生长硅片被加工以形成浅薄的p-n结。此p-n结的形成包括掺入如磷这样的掺杂物,以便在该硅片的一面产生n+区域。
尽管将液态掺杂剂的扩散源喷涂在半导体基片上的想法是众所周知的,然而至今并不了解,如何利用这种方法在预制的一系列硅片的每一片上产生浅薄而且均匀的光生伏特结,并且做到利用大量生产的方法以降低生产成本和获得具有较高效率的太阳能电池。具体说来,成本下降以及避免在太阳能电池的背面形成结等等,有关扩散形成结问题是这 种领域所想望解决的。在太阳能电池的背面产生结是不希望的,因为这在整个制造过程中需要有使结绝缘的步骤。上述美国专利申请No.375,037中公开了一种原理,是在基片的前表面扩散伴随有后表面被扩散的情况下,使用激光来完成结绝缘。
本发明要求:(1)将液态或半液态的掺杂剂源以薄而均匀的涂层施加在一系列基片上,以及(2)对该涂层进行热处理,以在该基片上形成均匀而且浅薄的p-n结。在实现本发明的最佳方式中,液态掺杂剂的施加是由机械操纵的超声装置完成的,其设计需保证该掺杂剂液体,以均匀的形式施加,从而确保能形成具有均匀深度和掺杂剂消耗低的优质的p-n结。
申请人优先采用一般类似于Harvey    L.Berger描述的那种不加压的喷雾过程,该过程于1988.7.21发表在Machine    Design上的“不使用空气的超声喷嘴雾化”的文章中。然而,在上述出版物中描述的喷雾技术与根据本发明加工太阳能电池无关。
现在参见图1A-1E,根据本发明的最佳实施例,以平直的晶带形式出现的硅片或者基片2,被进行加工以形成光伏太阳能光电池。每个基片2都有宽阔的配置在其相反两侧的前表面4和后表面6。每个基片2都是P型的硅材料,最好是由形状可控晶体生长法生长的掺有杂质硼,以使其电导率在2~3欧姆一厘米范围内的基片。
每个基片2安放在能吸收液体的带或者织物8上面,此带或织物8本身的作用如同运输机,或者可以被支承在其上,或者构成分开的运输机传送带的一部分,如图中以虚线10所示。能吸收液体的带8最好由纸或织物制成,或者是衬垫塑料的纸或织物带,例如涂有聚乙烯层的纸带,而且为节约及控制质量起见,也可不使用分开的运输机传送带10。多块基片2按顺序依次放置在液体吸收带8上,带8的宽度大于基片2的相应宽度,如图1B中所示。最好是使吸收带8的宽度足够地大,以便容纳若干个(例如1~5个)基片边靠边地予以安置。然而,为了简便阐述起见,本发明的叙述是假定在吸收带8上面安置着单排基片,按顺序安置在吸收带8上面的许多基片,在喷雾头机构的下方通过,其作用是将液体掺杂剂源的薄涂敷层12(见图1c)施加在基片2的上表面4。此液体掺杂剂源材料是以均匀而非常薄的层施加上去的,然后进行干燥。
随后将该基片移送到(例如经由另一个运输传送带14,图1D)一个或多个附加处理阶段(使其经受有机物烧去)以及焙烧阶段,使由基片的上表面向下延伸约0.5微米的距离以形成一个n+区16,以便形成p-n结18。焙烧会使基片的上表面上能形成剩余的硅酸盐玻璃质层20。通过传统的HF酸洗,可以除去该质层20,从而留下带有比较干净的上表面4(图1E)的基片。而且在背面或者下表面6上并没有值得注意的n+区在其上面形成。
在上述工艺过程中,液体涂层12的施加以便基本上复盖住基片的整个上表面4。所设计的操作的喷雾头机构的使用使得少量的掺杂剂源材料能被直接喷到带8上,但无论如何,只有少量或根本没有液体掺杂剂源材料能够通过,扩散或者虹吸作用到达基片的背面6,这是由于带8具有吸湿性能之故。
现在参见图2,本发明最好借助该设备来实现,它包括装料机构或装料阶段24,适于将多块基片2(例如P型硅片)装进选定液体喷涂设备(整体上用26作标记)的运输机上。后者包括用来支承纸带30形成的运输机传送带的支承装置28,由供带卷筒32供应纸带30,并由卷带或卷绕机构34接收。纸带30的速度在每分钟127~2540mm范围内,最好在254-1270mm/分钟左右。
喷涂设备26还包括外壳38,把纸带30和由其运送的硅片2以及随后将描述的其它装置封在里边。外壳38上有一个底汇流腔42,带有排泄口44,接在负压源上(图未示),以便有效地除去空气,未被涂复的掺杂剂材料,水蒸汽以及喷到基片上的液体掺杂剂源材料的挥发性有机溶剂成分。外壳38的前壁48和后壁50上面有开口或者窗口52及54,传送带30以及由其传送的基片可以经过它们进出该外壳。外壳38内包括:屏障设备56,由其限定了喷雾室58、干燥室60和干燥管道62。温室空气,即处于房间温度及湿度下的空气,经过管线46馈送到外壳38的前端。外壳38内紧接在喷雾室58、干燥室60和干燥管道62上游的区域,以及外壳38内紧接在干燥管道62下游的区 域,最好对这些区域供以18-30℃温度范围内的湿润空气,即分别经过管线69、70、72、74及76的湿度受控的空气。根据本发明,基片在喷雾室58、干燥室60以及干燥管道62中所承受的湿度是受控的,这种控制是通过使用以80、82及84示意表示的湿度传感器起作用的。安装在适当位置以对室58、60及干燥管道62中的相对湿度传感,并将控制信号提供给控制装置(图中未示)以控制管线70,72及74中湿润空气的流动。室58及60中空气的相对湿度保持在25~45%的范围内,而在管道62内的空气相对湿度则保持在25~60%的范围内。室58、60以及管道62中空气湿度的控制是控制选用的掺杂剂源的聚合反应的关键,对此在下面将予描述。在这方面已经知道,当优选的掺杂剂源暴露在供给室58、60及管道62的空气中的湿气中时,将进一步发生聚合反应。管线69及76中湿润空气流动的速率略微高于管线70、72及74中湿润空气流动的速率,以使由管线69及76供给的区域中的空气压力只稍微大于室58、60及管道62中的压力,例如少于250Pa,从而有助于防止未湿润的空气(即温室空气)流入室58、60及管道62中,不致于干扰下面将描述的喷雾均匀性。
位于喷雾室58中的超声喷头90,适于横过传送带的纵轴作往复运动。在此喷雾室中,液态喷出的掺杂剂源是在室温或接近室温(即18-30℃)下以一定的速率喷到基片上的,喷涂的图案是计算出来的,以使掺杂剂源的均匀涂层12(图1c)能被涂复到基片的前表面,而且复盖在带8上的喷流最少。在干燥室60和干燥管道62中,液态喷出的扩散源材料,最好在18~30℃温度范围下进行干燥,随后将此基片从喷涂设备26中传送出来,以进行后续的有机物烧去和扩散处理,最好送进细长的红外炉100的可隔离区内,炉型为带有传送带的,以便运送基片穿过该炉室。在炉100的有机物烧去热处理阶段,此基片在空气中被加热至最好为300~500范围的温度,以便通过挥发及燃烧完全除去液体掺杂剂源的残余有机成分。在炉100的扩散阶段,此基片在空气或含氧气氛中被燃烧至880~950℃范围的温度,从而使掺杂剂源材料中的磷被扩散到基片上,并且形成图1A-1E中所示的n+区16和p-n结18。使用红外炉的优点在于减少为形成所需要的结深度所要求的扩散焙烧时间。借助适当的卸料机构102将基片从炉100中取出,随后对该基片进行上述的酸洗,以除去残留在基片前表面4上的任何玻璃质硅酸盐(或磷硅酸盐)残留物。
图3表示实现本发明所用的最好形式的超声喷头。超声喷头是众所周知的,如以美国专利No.4,723,708,4,153,201,4,337,896和4,301,968以及上述Berger的文章为例。更具体地说,图3中表示的装置包括一个做成由前罩或框架件120及后罩或框架件122用螺纹连接在一起形成的套筒或者外壳。前者120有一个端壁124,其上配备一个带有“微喷”喷嘴128的中空的锥形喷雾电极臂(horn)或喷头126,如在上述Berger的文章中所述说的那样。在端臂124和喷雾电极臂126之间配备有“O”形密封圈130。该喷雾头包括做成环形金属电极134形式配置在一对环形的压电膜片136之间的超声激励器。后者被同轴装配,但同拧紧在后电极臂或无声(dummy)件140上的喷雾电极臂126的带螺纹的中心管形延伸部分138成为辐射形关系。延伸部分138是经过后电极臂件138是以及后罩122的端壁142延伸的。电极臂126和延伸部分138具有共同的中心孔144,其作用为液态掺杂剂源的供给通道。在前后电极臂件126和128之间,以及在后端壁142和后电极臂件之间安装有密封圈146和148。
后罩上有一个接地用的接线柱150,利用导线152与位于压电组件一侧的接地电极154相连。此外,电连接器156是装在后壁142上的,并且通过导线158耦联在前电极134上。
图3中表示的装置,其设计是为了提供横向振动模式,即对压电晶体进行激励,使前后电极臂对该装置的纵轴作横向振动。延伸部分138的后端是经过软管或其它导管(未表示)接在液态掺杂剂源材料供应源(图未示)上的。液态掺杂剂源材料供给此喷头,是靠重力或合适的低压正排量式限量泵(图未示)在大气压或接近大气压条件下进行的,最好要求无空气传送液体掺杂剂源材料。如果使用泵,那么其输出压力最好不要超过1.1-1.4×105Pa左右。最好但也并非一定要使用由纽约Poughkeepsie和Sono-Tek制造的超声喷头。就 此而论,须指出图3中表示的喷头一般是和美国专利4,723,708及由Berger文章中表示的装置相同的。举例来说,但并不受此限制,此超声喷头可以是工作在48KHZ频率的Sono-Tek    8700-120型喷头,而由Massachusetts的South    Natick的Harvard    Apparatus公司制造的909型喷射泵,可以用来向该喷头供应掺杂剂源材料。处在喷嘴发射端的中心孔144的直径在约0.38-0.76mm的范围内比较好,最好为0.51mm。从而使超细微米尺寸的液滴以“柔和的”低喷射速度或雾状射出。
参见图4,超声喷头90的安装是为了使它横过纸带的纵轴和运动路程作往复运动。作为例子但不受此限制,可将此超声喷头安装在滑动架170上,以便能在一根或多根滑杆172上作往复运动,该滑杆是固定在合适的固定支撑174、176上,并水平延伸于传送带的上方。一个适宜的驱动装置以180图示,用以使超声喷头以一选定的速度作往复运动,最好每分钟约为48个整行程(往后和往前)。
在实现本发明中,可以使用各种液态掺杂剂源材料。作为例子但不受此所限,此液态掺杂剂源可以是含磷自旋掺杂剂,例如由加拿大Milpitas的Allied-Signal公司销售的以P-8,P-8540,及P-8545命名的自旋掺杂剂之一。这些特定的自旋材料,包括溶于醇/酯溶液中的磷硅酸盐聚合物。该磷硅酸盐聚合物可以用下述化学式表示:[SiOa(OC2H5b(OH)c(OP)d]n
其中,a≥1;b和c≤0.5;d≤1.0;n=5~100,而且该聚合物的分子量在500至10,000的范围内。此醇酯溶液包括:乙醇、异丙醇、n丙醇和醋酸乙酯混合物。材料P-8545为优选的,该材料包括重约4.9%的磷硅酸盐聚合物,2%的乙醇,36%的异丙醇,12%的醋酸乙酯和45%的丙醇。对于本发明来说,最好将上述材料稀释,以提供按体积的掺杂剂/溶剂比,从而使适当的喷雾扩散图案变得容易实现,并且确保能在基片上形成均匀的掺杂剂源材料层。例如,通过增加乙醇、异丙醇、n-丙醇和醋酸乙酯的浓度,可将p-8545材料稀释约50%的体积。在将此磷硅酸盐聚合物在室58,60及管道62中进行喷涂及干燥时,将发生进一步的聚合反应,聚合反应的程度部分地取决于在该室和管道中的空气湿度和流动气流的情况。
使用纸带或传送带之所以需要,其目的在于基本上能防止任何喷出的液体源材料转移到位于此传送带上的基片的背面。通过驱动装置180驱动此超声喷头90作往复运动,以使其喷嘴在到达工作行程的第一端及随后的另一端时,能略微超出基片的两边缘。最好让超声喷头这样运动,即使其延伸范围超出基片第一相对边缘约12.7至25.4mm,从而防止在喷头逆方向相对带30运动处产生不希望有的掺杂剂源材料浓度。
尽管过量的掺杂剂液体会被纸带8吸收,然而肯定会有比较少量的源材料可能经纸带8渗漏,以不超过约0.76mm的距离在该基片的一侧或两侧边缘内部绕到基片的背面,一般不超过约0.25-0.38mm。然而掺杂剂源材料的粘着受梯度变化现象的支配,以致于由基片背面拾取的磷的浓度会随着距基片侧棱距离的增大而急剧地减少。因此,在扩散热处理的过程中,扩散到基片背面的磷的浓度非常低,以致于在最坏的情况下仅有非常高的电阻和微不足道的短路现象可能产生,因而并不需要对p-n结进行绝缘处理。
就此而论,应理解到制造硅太阳能电池,它通常包括在基片的背面加上很薄的一层铝,其作用是作为太阳能电池的后接点。最好,但是并非必须,对基片背面加上的铝层加以控制,对该铝层距基片的棱限定在约1.27mm时,会进一步降低任何溢流及吸收在基片背面的液体源材料的影响,因而进一步避免对p-n结作任何后续绝缘处理的必要。
正如上面所指出的那样,纸带或者传送带8能够限制源材料渗透到基片的背面。因此应理解,纸带8可由任何材料制做,例如由织物材料(如棉花)制成的带,它能够吸收但也能阻止源材料。本发明的一个方面是使纸带8或30不要经受高温,从而避免该纸带或传送带损坏或燃烧的可能。
在干燥室60和干燥管道62中,液体源材料中挥发性的有机成分的主要份额被挥发掉。任何残留在基片上的有机材料均被烧去,因而在随后的有机物烧去处理中被从此系统中除掉(如上所指出的那样),这种有机物烧去处理可以或者不必结合在磷扩散的同一设备中完成。为除去残留的有机材料而安排的热处理,最好在约300~500℃的温度下持续进行的约3.0分钟,而且此热处理可以在具有第一级(以进行上述热处理)加上至少一个第二级 (以进行磷扩散)的连续炉内完成。在此第二级(即在磷扩散焙烧阶段)中,基片是在约880~950℃的温度范围下焙烧约5~20分钟,最好温度在890℃左右。
超声喷头的设计,该设计是为了以0.3~5.0ml/分范围的速率施加掺杂剂源材料,以致于在优选的工作条件下,此液体源材料是以约1000~2000
Figure 911106375_IMG2
范围的厚度被施加涂层。在上述涂层被干燥及焙烧之后,其所具有的厚度约为1000A或者更少。
下面是如何使用图2~4表示的设备实现本发明的实例。
实例:
P型硅片,最好是由晶体形状可控的晶体生长法生产的结构基片,通过装料机构24被逐一装到纸带运输机30上。此基片为平直的矩形的晶片,其大小约为102×102mm,并且具有约0.38mm的厚度,此基片还具有2~3Ω-cm的电导率。纸带30大约以每分钟254cm的速度工作。符合室温和房间湿度条件(即25℃及30%的相对湿度)下的空气,以约23标准m3/分的速率经由管线46进入该设备。经过管线69、70、72、74、及76将润湿的空气引入室58、60和干燥管道62以及紧接在室58前面的区域和紧接在室62后面的区域。此湿润空气具有25~60%的相对湿度及18-30℃;°F范围的温度。此湿润空气是分别以0.0028-2.8润湿m3/小时;0.0028-0.28标准m3/小时;0.0028-2.8标准m3/小时以及0.0028-0.28标准m3/小时的速率送进管线69、70、72、74和76中,供给管线69及76的空气的速率比供给管线70、72及74的高,以便减少室温空气向室58、60和管道62的渗透。没有热量供给外壳38,而且凡是被挥发出来的物质都经由管线44从外壳中排出。
Allied-Signal公司的液态掺杂物源材料P-8545,通过增加乙醇、异丙醇、n-丙醇和醋酸乙酯的浓度稀释到50%的体积,以0.3~0.5ml/分范围内的速率由喷嘴90喷出,所使用的超声喷头工作在48KHZ频率。喷嘴的喷射孔其直径大小约0.51mm,而且喷头是以每分钟48个整行程(往后及往前)的速度作前后往复运动,喷嘴表面的端部128相距置于带30上的基片上表面的距离约3.18-6.4mm。
由于上述条件的结果,厚度范围约在0.1至0.2微米之间的液态掺杂剂源材料以均匀而连续的涂层被喷涂到基片上。由喷嘴喷出的雾具有狭窄的弥散的花样图案,大约不超过3.18mm宽,在晶片上喷射的宽度约6.4-12.7mm,而且该图案与选定的运输机的传输速度相结合,确保喷在每一基片上的每一条液体“线”能够搭接,或者换句话说,能将每一在先及后续的液体线汇合。此晶片由室58中出来后,在室60中经受初步干燥加工,而后在管道62中进行进一步干燥加工。
湿度传感器80、82及84对于室58、60及62内的湿度传感,以使控制机构(图未示)调节流入管线70、72、74及76中的湿润空气的速率,从而使湿度保持如下:室58中的相对湿度为25-45%:室60中相对湿度为25~45%;室62中相对湿度为25~60%。
晶片由喷雾外壳设备中出来后,送入热处理及扩散炉100。该晶片大约以254mm/分的速度通过此炉。该炉包括第一个有机烧去阶段和第二个磷扩散阶段。在第一个有机烧去阶段中,此基片在300~450℃温度范围下置于空气或氧气氛环境下约持续3分钟,从而通过进一步的挥发和燃烧,达到完全去除残留的掺杂剂源液体中的有机物成分。该炉工作在其扩散阶段的温度约为890℃,而且有空气或含氧气氛在此阶段存在。此基片在约890℃温度下的扩散阶段中的持续时间约为10分钟,从而使磷从液态掺杂剂源层中扩散入基片,并且形成前面提到过的n+区16和p-n结18,该结在表面4之下约0.5微米。
由卸料机构102将该基片从此炉中卸下,并送进酸洗阶段,将其置于缓冲氟氢酸(HF/NH4)液中酸洗足够长的时间,以除去留在基片前表面4上的残留的玻璃质硅酸盐(或磷硅酸盐)。
根据上述实例处理过的基片,其优点是形成的n+区16比较均匀,以致于p-n结18横过基片具有基本上均匀的深度。由该工艺得到的基片,所具有的优点还在于基片的背面只有很少或者没有明显的磷扩散。不管发生任何磷扩散,它都要受到按梯度急剧减少的制约,所以在基片背面距基片边缘内侧约0.76mm处,已证明几乎没有或没有磷掺杂物 存在。因而不需要再对p-n结进行绝缘处理。
在酸洗处理之后,让此基片经受镀铝处理,以在基片的背面形成铝电极。所形成的铝电极应使其距基片边缘内侧约1.27mm的距离。由于实际上并无p-n结的短路问题,因而进一步避免了对p-n结进行绝缘处理的必要。铝电极的形成可以按技术上已知的各种途径进行,例如采用美国专利4,451,969及4,751,191中所描述的方法,只是最好让铝电极与基片边缘留有一定的距离。
应当认识到,对于某些太阳能电池的制造过程,使用喷雾刷色器型喷头是可行的,或者也可以用一些其它类型的喷头来代替在此描述及表示的超声喷头。然而,超声喷头是优选的,因其具有能提供比较“软”的不加压的喷射的优点,从而使喷射可以被限制在非常窄的区域内。就此而言,应指出,如果喷嘴的开孔144的直径不超过约0.76mm(最好约为0.51mm),则由此超声头发射的喷射不仅是低速的“软喷射”,而且附加还具有比较窄且均匀的弥散图样,还提供并非由空气加压产生的优点。
以上发明具有许多优点。首先,由超声喷嘴喷出的掺杂剂源射流的速度低,有助于防止对纸带8(或30)上的半成品的任何物理干扰。使用喷雾刷色器取代超声喷嘴以将液体掺杂剂源材料射到基片上,采用这种喷射可以发现,由于喷雾刷色器喷射的空气流速度比较高,可能引起基片在纸带上的运动,依次会造成附着在基片背面的液体掺杂剂源量的增加。可以意识到,在基片比较平坦的情况下,喷雾刷色器可能适用于喷涂液体掺杂剂源材料,例如由czochralski法生长的基片;但在基片为形状可控晶体生长法材料的情况下,最好使用超声喷头,因为电场梯度法基片含有不规则的表面,而且这种不规则的表面势必会使空气流增加对纸带上基片干扰的可能性,从而增加源材料流动到基片背面的可能性。
需指出,优选的掺杂剂源材料聚合反应的程度,乃是该液体掺杂剂源材料在喷射设备中所受到的湿度的函数,而且聚合程度又会影响扩散焙烧处理之后保留在基片上的玻璃质残余物的酸洗质量以及磷扩散的均匀性和深度。
显然,对于技术熟练的人员来说,其它的液体掺杂剂源也可被用来实现本发明,例如:水基磷掺杂剂源。同样,有关的其它加工条件还可以改变,例如纸带速度可变,喷头可以工作在不同的频率,喷头往复运动的速率也可以改变,而且供应液体掺杂剂源的速率以及由喷头在基片上喷涂掺杂剂源膜层的厚度也可以改变。
还可预料到,可以采用不止一个往复运动的喷头;以及可以设想,附图中表示的单个往复运动的喷头可以用多个固定的喷头来代替,将其排为使对纸带上基片上表面整个广阔的区域施以均匀的液体源材料涂层。
对于熟练的技术人员来说,仍有其它一些改变是显见的。
本发明的主要优点在于,它可以通过从经济学的角度减少掺杂剂源材料的使用而降低成本,因为源材料比较昂贵。此外,采用低速度和比较低的流速喷涂设备将液体掺杂剂材料施加在基片上,会导致卷绕量的减少,即得少的掺杂剂会被基片的背面所吸收。对于熟练的技术人员来说,还有其它一些优点是显而易见的。

Claims (32)

1、一种在硅基片上形成浅薄p-n结并用以生产光生伏特电池的方法,该方法包括以下步骤:
(a)提供多个硅基片,每一基片均具有前表面和后表面,并且所述每一基片均为第一种导电类型的;
(b)应用一种超声喷涂装置在所述每一基片的前表面上喷涂一层基本上均匀的含有掺杂剂源材料的液体,所述超声喷涂装置是在不使用加压气体的情况下使所述源材料液体雾化并将该液体源材料以低速度并以基本上微粒化的液滴形式喷涂到所述每一基片的前表面上,并且所述掺杂剂是第二种的相反导电类型的;
(c)对所述涂层进行干燥,在所述每一基片的前表面上留下含掺杂剂的残留物,以及
(d)对所述基片在含氧气氛中进行焙烧,使所述掺杂剂从所述残留物中扩散到相关的所述基片中,以便在每一基片上提供第二种相反导电类型的浅薄区域以及靠近所述前表面的p-n结。
2、权利要求1的方法,其中每一所形成的涂层的厚度为约0.1-0.2微米。
3、权利要求1的方法,其中在步骤(d)中所述掺杂剂扩散到该基片的前表面中,扩散深度为约0.5微米。
4、权利要求1、2或3的方法,其中所述掺杂剂含有磷,并且所述基片的第一导电类型是p型。
5、权利要求1、2或3的方法,其中所述含掺杂剂源材料的液体含有一种磷硅酸盐聚合物,并且所述基片的第一导电类型是p型。
6、权利要求1、2或3的方法,还包括在步骤(b)之前提供第一处理室、第二处理室、第三处理室,其中步骤(b)是在第一处理室中进行,步骤(c)是在第二处理室中进行,步骤(d)是在第三处理室中进行,所述基片是在传送带上按顺序通过上述第一、第二、第三处理室。
7、权利要求6的方法,其中所述传送带是由能够吸收所述含掺杂剂源材料的液体的吸收性材料制造的带子。
8、权利要求6的方法,其中所述传送带是由纸或布制造的带子。
9、权利要求6的方法,其中所述第三处理室包括一个红外线炉。
10、权利要求6的方法,其中所述传送带的传送速率为约5-100英寸/分钟(127-2540mm/分钟)。
11、权利要求6的方法,其中所述含掺杂剂源材料的液体喷涂到所述基片前表面的速率为约0.3-0.5ml/分钟。
12、权利要求6的方法,其中所述基片沿一直线路径通过第一处理室,所述超声喷涂装置是以垂直于基片输送方向对基片的一端到另一端作往复运动,速率为每分钟约48个全往复行程。
13、权利要求1的方法,其中所述超声喷涂装置有直径为约0.015-0.030英寸(0.38-0.76mm)的喷孔。
14、权利要求1的方法,其中步骤(d)的焙烧温度为约890℃。
15、权利要求1的方法,其中步骤(b)是在空气气氛中进行,其相对湿度为约25-45%,温度为约65-85℃F(18-29.5℃)。
16、权利要求1的方法,其中步骤(c)是在空气气氛中进行,其相对湿度为约25-60%,温度为约300-500℃。
17、权利要求1的方法,其中所述超声喷涂装置的工作频率的数量级为48kHz。
18、权利要求1的方法,其中:
(ⅰ)所述基片是掺杂硼的硅所制成;
(ⅱ)所述含掺杂剂源材料的液体;
(1)含有磷;
(2)在相对湿度约25-45%的空气中于约65-85°F(18-29.5℃)喷涂到所述基片的前表面上;
(3)于约300-500℃在相对湿度约25-60%的空气中干燥约3分钟;
(ⅲ)所述基片的焙烧温度约890℃,焙烧时间为足以通过所述掺杂剂向所述基片前表面中扩散而形成浅薄的p-n结。
19、权利要求1的方法,其中所述超声装置包括一个喷嘴,其远端的喷孔可以射出基本上成锥形喷射状的基本上微粒化的液滴,所述锥形喷射在距该喷嘴远端约0.25英寸(6.4mm)处的最大直径为约0.125英寸(3.2mm),所述超声喷涂装置的工作频率数量约为48kHz,所述基片在第一个基本上水平面中相对于所述喷嘴的远端的输送速率为每分钟约5-100英寸(127-2540mm),此时所述基片的前表面是位于所述喷嘴远端之下约0.125-0.25英寸(3.2-6.4mm),所述喷嘴的远端在第二个水平面中沿与基片输送方向垂直的方向作往复运动,其速率为每分钟约48个完整周期。
20、一种在硅基片上形成浅薄p-n结并用以生产光生伏特电池的设备,每一基片是第一种导电类型的,并具有前表面和后表面,所述设备包括:
(a)至少一个用于支承所述基片后表面的支撑装置;
(b)一个向所述每一基片前表面上喷涂含有具第二种的相反导电类型的掺杂剂源材料的液体以形成连续的、基本上均匀的厚膜层的超声喷涂装置,该装置是在不用加压气体情况下将所述含掺杂剂源材料的液体雾化,并以低速度以基本上微粒液滴形式将该液体喷涂到所述前表面上;
(c)在所述喷涂之后,在含氧气氛中将所述基片加热到约880-950℃的装置,加热维持足够时间使所述液体中的掺杂剂成分扩散到所述基片的前表面中,在相对于每一基片的前表面的基本上均匀的深度形成p-n结。
21、权利要求20的设备,其中所述超声喷涂装置具有一个喷嘴,其远端有一排液孔,该设备还包括一个第一处理室,该室:
(ⅰ)可以容纳至少所述超声喷涂装置的喷嘴;
(ⅱ)可以容纳被喷涂所述含源材料液体的基片;
(ⅲ)包括控制其中的相对湿度的装置。
22、权利要求21的设备,其中所述排液孔的直径为约0.015-0.030英寸(0.38-0.76mm)。
23、权利要求21的设备,其中还包括一个第二处理室,该室可以容纳来自第一处理室的已喷涂的基片,并且包括:
(a)加热所述基片使其上的源材料液体干燥的装置,
(b)控制室中相对湿度的装置。
24、权利要求23的设备,其中还包括一个第三处理室,该室可以容纳来自第二处理室的已干燥的基片,并且包括加热所述基片而使所述已干燥源材料中的掺杂剂成分扩散到所述基片前表面之中的装置。
25、权利要求23的设备,其中所述至少一个支撑装置包括第一传送带,其具有基本上水平的第一支撑表面,此表面位于超声喷涂装置的喷嘴的所述远端之下,该第一支撑表面延伸通过第一处理室和第二处理室,该第一传送带按顺序送出基片到第一和第二处理室,并且在向基片前表面喷涂和干燥该源材料液体时支承基片的后表面。
26、权利要求25的设备,其中第一传送带的制造材料能够把在基片前表面形成该层时由超声喷涂装置喷出而未用完的过量源材料液体吸收。
27、权利要求26的设备,其中所述的传送带是由选自纸和布的材料制成。
28、权利要求25的设备,其中所述至少一个支撑装置还包括第二传送带,其能容纳来自第一传送带的基片,并且将这些基片传送通过第三处理室。
29、权利要求25的设备,其中所述超声喷涂装置的喷嘴的远端能够沿与第一传送带运行方向垂直的方向往复运动。
30、权利要求25的设备,其中第一传送带的运行速率为约5-100英寸(127-2540mm)/分钟,所述超声喷涂装置的喷嘴的远端能够以每分钟约48个周期以横向由基片一端到另一端作往复运动。
31、权利要求20的设备,其中超声喷涂装置的工作频率为约48kHz而使源材料液体以低速度以微粒液滴形式从其排液孔射出,射出速率为约0.3-0.5ml/分钟。
32、权利要求25的设备,其中超声喷涂装置的喷嘴的排液孔能将源材料液体以微粒液滴形式以基本上锥形形状射出,该锥形的最大直径在其离开喷嘴约0.25英寸(6.4mm)处为约0.125英寸(3.2mm),并且该喷嘴的远端能够在离开第一传送带之上的基片的前表面上方约0.125-0.25英寸(3.2-6.4mm)的基本上水平面中作往复运动。
CN91110637A 1990-10-24 1991-10-03 在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备 Expired - Lifetime CN1028819C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US604,000 1990-10-14
US60400090A 1990-10-24 1990-10-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1061492A CN1061492A (zh) 1992-05-27
CN1028819C true CN1028819C (zh) 1995-06-07

Family

ID=24417781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN91110637A Expired - Lifetime CN1028819C (zh) 1990-10-24 1991-10-03 在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP0506926B1 (zh)
JP (1) JP3021650B2 (zh)
CN (1) CN1028819C (zh)
AT (1) ATE150584T1 (zh)
AU (2) AU644025B2 (zh)
CA (1) CA2070380A1 (zh)
DE (1) DE69125268T2 (zh)
IL (1) IL99582A (zh)
WO (1) WO1992008245A1 (zh)
ZA (1) ZA917719B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005025933B3 (de) * 2005-06-06 2006-07-13 Centrotherm Photovoltaics Gmbh + Co. Kg Dotiergermisch für die Dotierung von Halbleitern
ITUD20050196A1 (it) * 2005-11-17 2007-05-18 Gisulfo Baccini Apparecchiatura per la produzione di celle fotovoltaiche sottili in silicio e di circuiti elettronici in materiale rigido e flessibile
CN101220518B (zh) * 2007-01-12 2010-04-07 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于高温扩散系统的尾气收集装置
US20090239363A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes
US9559228B2 (en) * 2011-09-30 2017-01-31 Sunpower Corporation Solar cell with doped groove regions separated by ridges
CN103361733B (zh) * 2013-06-21 2016-03-23 中山大学 一种光外同轴超声波喷雾激光掺杂系统
US10365420B2 (en) 2013-08-01 2019-07-30 Lg Chem, Ltd. Method for manufacturing polarizing film using ultrasonic vibrator for atomizing coating solution
CN104505439A (zh) * 2015-01-10 2015-04-08 复旦大学 一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法
CN108110090B (zh) * 2018-01-11 2020-03-06 江苏顺风光电科技有限公司 一种n型双面电池制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU499679B2 (en) * 1976-04-08 1979-04-26 Photon Power Inc Photovoltaic cell
US4273950A (en) * 1979-05-29 1981-06-16 Photowatt International, Inc. Solar cell and fabrication thereof using microwaves
US4360393A (en) * 1980-12-18 1982-11-23 Solarex Corporation Vapor deposition of H3 PO4 and formation of thin phosphorus layer on silicon substrates
DE3631270A1 (de) * 1986-09-13 1988-03-24 Kopperschmidt Mueller & Co Vorrichtung zur spruehbeschichtung von werkstuecken

Also Published As

Publication number Publication date
EP0506926B1 (en) 1997-03-19
IL99582A0 (en) 1992-08-18
JPH05503395A (ja) 1993-06-03
ZA917719B (en) 1992-02-26
DE69125268D1 (de) 1997-04-24
CA2070380A1 (en) 1992-04-25
DE69125268T2 (de) 1997-10-30
EP0506926A4 (en) 1994-11-02
AU5044093A (en) 1994-01-20
EP0506926A1 (en) 1992-10-07
CN1061492A (zh) 1992-05-27
AU8768491A (en) 1992-05-26
WO1992008245A1 (en) 1992-05-14
JP3021650B2 (ja) 2000-03-15
AU644025B2 (en) 1993-12-02
IL99582A (en) 1994-06-24
ATE150584T1 (de) 1997-04-15
AU654785B2 (en) 1994-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5527389A (en) Apparatus for forming diffusion junctions in solar cell substrates
CN1028819C (zh) 在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备
CN111640870B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN1224110C (zh) 太阳电池及其制备方法
CN103250230B (zh) 掺杂剂涂布系统以及涂布蒸气化掺杂化合物于光伏太阳能晶圆的方法
CN108447949B (zh) 一种链式扩散工艺及链式扩散设备
CN105390614B (zh) 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN113363334A (zh) 一种硼掺杂选择性发射极的制备方法
CN102005501A (zh) 制造太阳能电池的磷扩散方法
CN111525036B (zh) 一种自驱动钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN102157602A (zh) 对基片进行湿法磷扩散和制绒的方法及制绒用的酸溶液
CN112522776B (zh) 一种连续制备钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料的方法
CN112838144B (zh) 一种金字塔绒面上优化均匀性化的工艺方法
CN212725343U (zh) 一种硅片链式扩散氧化两用设备
CN102867738B (zh) 一种晶体硅太阳电池制备pn结的方法
JP3465872B2 (ja) 太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置
CN204315589U (zh) 一种多晶硅太阳能电池的绒面结构
CN108831999B (zh) 一种精确调控钙钛矿薄膜晶粒尺寸的制备方法
CN102549776A (zh) 具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法
CN218502487U (zh) 钙钛矿薄膜刷涂装置
CN109768170A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN113571599B (zh) 碲化镉薄膜太阳能电池、制备方法及活化处理设备
CN207958476U (zh) 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池硒化炉的布气结构
Zarabinia et al. Method for fabricating flexible solar cell perovskite semiconductors via a sheet of paper applicator soaked in anti-solvent
CN113345981A (zh) 一种用于制备选择性发射极的链式设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Applicant after: ASE Americas, Inc.

Applicant before: Mobil Solar Energy Corp.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT TO: ASE AMERICAS, INC.

C15 Extension of patent right duration from 15 to 20 years for appl. with date before 31.12.1992 and still valid on 11.12.2001 (patent law change 1993)
OR01 Other related matters
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: RWE SCHOTT SUN COMPANY

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: ASE AMERICAS, INC.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Massachusetts, USA

Patentee after: RWE Shawtt Sun Co.

Address before: Massachusetts, USA

Patentee before: ASE Americas, Inc.

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SHORT SOLAR CO.,LTD.;

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: RWE SCHOTT SUN COMPANY;

CP03 Change of name, title or address

Address after: Massachusetts

Patentee after: RWE Shawtt Sun Co.

Address before: Massachusetts

Patentee before: RWE Shawtt Sun Co.

C17 Cessation of patent right
CX01 Expiry of patent term

Expiration termination date: 20111003

Granted publication date: 19950607