CN102549776A - 具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法 - Google Patents
具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102549776A CN102549776A CN2010800440586A CN201080044058A CN102549776A CN 102549776 A CN102549776 A CN 102549776A CN 2010800440586 A CN2010800440586 A CN 2010800440586A CN 201080044058 A CN201080044058 A CN 201080044058A CN 102549776 A CN102549776 A CN 102549776A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pattern
- substrate
- dopant source
- ink
- jet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 19
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 2
- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 claims description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010277 boron hydride Inorganic materials 0.000 claims 1
- BZCGWAXQDLXLQM-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical group ClP(Cl)(Cl)=O.ClP(Cl)(Cl)=O BZCGWAXQDLXLQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 abstract description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 28
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 26
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 13
- 210000002945 adventitial reticular cell Anatomy 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 229960002645 boric acid Drugs 0.000 description 7
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 206010001513 AIDS related complex Diseases 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- XQRLCLUYWUNEEH-UHFFFAOYSA-N diphosphonic acid Chemical compound OP(=O)OP(O)=O XQRLCLUYWUNEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000013505 freshwater Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- VGTPKLINSHNZRD-UHFFFAOYSA-N oxoborinic acid Chemical compound OB=O VGTPKLINSHNZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
- H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法。该方法包括三个步骤。步骤1：通过在所述半导体衬底的主表面(2a)上选择性地喷墨磷酸或硼酸溶液的第一图案，而施加掺杂剂源。步骤2：加热衬底，以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中，由此形成直接位于第一图案下方的第一扩散区(4)；以及步骤3：形成金属接触图案(10、11、12)，其与所述第一扩散区基本上对齐。还提供了通过该方法制造的光伏电池。
Description
技术领域
本发明涉及一种光伏电池，其也称为太阳能电池，具有选择性发射极(selective emitter)，还涉及仅采用一个高温扩散步骤制造这种光伏电池的方法。
背景技术
为了提高光伏电池的效率，它可能安装有选择性的、而不是均一性的发射极。选择性发射极包括两种在掺杂水扁平上彼此不同的具有相同导电性(例如n型或p型)的掺杂区。一种是重掺杂的，而另一种仅轻度掺杂。重掺杂区布置在电池主要光接收表面上所提供的电极的金属化图案下方，并且使电极能够形成与下方衬底的欧姆接触。另一方面，轻掺杂区在电极之间扩展并促进光收集和转换。选择性发射极因而提供一种溶液而使光伏电池发射极的电和光需求相冲突。总体上，使用选择性发射极可将光伏电池的效率提高大约0.5％-1％。然而，遗憾的是，不同掺杂区的形成意味着额外的处理步骤，例如相对更加冗长的高温扩散过程，这增加了生产成本。由于这对于将被大量生产的产品显然是不合乎需要，因此已提出几种方法以减少制造成本，从而致力于尤其是在一个高温扩散步骤中产生选择性发射极。
例如，美国专利6825104描述一种在单一扩散步骤中制造光伏电池的方法，该光伏电池具有两个或更多个选择性扩散区。披露的方法包括以下步骤：(i)选择性地将基于固体的掺杂剂源(solids-based dopant source)的图案施加于半导体衬底的第一主表面，尤其是通过丝网印刷，(ii)通过在围绕衬底的气体环境中的受控热处理，从基于固体的掺杂剂源将掺杂剂原子扩散到衬底中。在热处理步骤期间，来自基于固体的掺杂剂源的掺杂剂直接扩散到衬底中以形成第一扩散区，同时，来自基于固体的掺杂剂源的掺杂剂，经由气体环境间接地扩散到所述衬底中，在未被上述图案覆盖的所述衬底的至少一些区域中，形成第二扩散区。与在US’104中描述的过程有关的缺点是，由于专有配方(proprietary formulas)或相对昂贵的化学组分，适合形成选择性发射极的目前最为可用的可丝网印刷的基于固体的浆料(paste)是相对昂贵的。
因此，本发明的一个目的是提供一种在单一高温扩散步骤中制造具有选择性发射极的光伏电池的更经济的方法。
发明内容
根据发明的一个方面，提供一种制造半导体器件尤其是光伏电池的方法。该器件包括基本上扁平的半导体衬底。该方法包括以下三个处理步骤。步骤1：通过将磷酸或硼酸溶液的第一图案选择性地喷墨至所述半导体衬底的主表面上而施加掺杂剂源(掺杂物源，dopant source)；步骤2：加热衬底，以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中，由此形成直接(紧紧，immediately)位于所述第一图案下方的第一扩散区；以及步骤3：形成金属接触图案(metal contact pattern)，其与所述第一扩散区基本上对齐(in alignment with)。
根据本发明的方法采用普通和廉价的酸溶液用于形成选择性发射极。用于n型发射极(通常与p型衬底结合)的是磷酸溶液，而用于p型发射极的是硼酸溶液(通常与n型衬底结合)。术语“磷酸”可以广义地解释，并且包括正磷酸(H3PO4)和多磷酸(如二磷酸(H4P2O7))，只要这些酸可用作磷掺杂剂源即可。同样，术语“硼酸”旨在包括正硼酸(H3BO3)、偏硼酸二者以及多硼酸，只要这些酸可用作硼掺杂剂源即可。这两种类型的酸，尤其是正型(ortho-variants)，是充足可用的并且是廉价的，因此非常适合用于光伏电池的大量生产。通过喷墨(inkjetting)将各酸选择性地以溶液施加到衬底上，喷墨是一种允许产生精细结构的技术，其具有数十微米量级的精度。使用磷酸或硼酸结合将这种原料喷墨到衬底上的方法，使得能够高度经济且适当准确地形成太阳能电池中的选择性发射极。需要指出的是，这两个方面都提供了相对于US’104的改进：相比于US’104提出的含磷浆料，磷酸溶液更加廉价，同时，以其自身进行喷墨相比于丝网印刷是一种更经济的方法，因为它减少了废物的数量。而且，喷墨印刷(inkjet printing)是一种无接触(contactless)的方法，其大大地减少衬底破裂的风险。尽管US’104似乎暗示基于固体的浆料可通过喷墨施加于衬底上，但喷墨粘性浆料(如来自比利时Soltech NV的示例性P101)不太可能是切实可行的。现在将依次阐述根据本发明方法的三个处理步骤(工序，process step)。
步骤1涉及以第一图案将磷酸或硼酸溶液选择性施加到优选硅衬底的主表面(major surface)上。该第一图案对应于电极(其在步骤3中施加于衬底上)的金属接触图案。在室温(约25℃)下，磷酸和硼酸都是固体。为了获得能够被喷墨到衬底上的溶液，可将物质溶解于载体液体(carrier liquid)中，例如，水(H2O)或乙醇(C2H6O)，这二者都是廉价的溶剂。也可以使用水和乙醇的混合物。溶液可进一步包括表面活性剂，其形式尤其是二乙二醇(二甘醇)、甘油、异丙醇(IPA)以及聚乙二醇(PEG)。与淡水(plain water)相比，乙醇具有较低的表面张力和较低的蒸汽气压，这赋予它更好的润湿性能和可喷墨性(inkjetability)，和沉积掺杂剂材料的总体改善的均一性。此外，由于其更低的沸点(78℃对100℃)，乙醇在加热期间更快地干燥。这些中的若干效果也可通过使用具有所提及表面活性剂的水溶剂而实现。可喷墨溶液可优选具有0.1-1cPa·s范围内的粘度(厘帕斯卡秒；所述范围对应于1-10cp(厘泊))。
步骤2涉及制造过程中的单一高温扩散步骤。衬底被加热到几百摄氏度的温度，优选800-1100℃范围内的温度，以便能够快速扩散。衬底优选被保持在其最终温度下大约4-120分钟，这尤其取决于所采用的掺杂剂源的扩散速率(硼通常具有比磷更低的扩散速率，因此实现合乎需要的硼掺杂水扁平可能花费更长时间)。扩散过程所涉及的的化学是已知的，在此仅以举例方式提及。假使在步骤1期间将正磷酸(H3PO4)施加于硅衬底上，衬底的逐渐加热导致沉积在其上的至少部分磷酸(H3PO4)分解为五氧化磷(P2O5)和水(H2O)。五氧化磷随后与硅衬底反应形成二氧化硅(SiO2)和金属磷(metallic phosphorus)(P)，由此后者又扩散到衬底中。当使用正硼酸(H3BO3)时，会发生类似的过程：酸分解为三氧化硼(B2O3)和水(H2O)，由此前者随后与硅衬底反应，以形成二氧化硅(SiO2)和硼(B)原子的混合物，后者(硼)原子可扩散到衬底中。应理解的是，磷或硼原子按照第一图案扩散到衬底中，其中，将磷酸或硼酸溶液喷墨到衬底上，从而形成直接位于所述图案下方的第一高度掺杂区。在步骤1期间其表面区域未用磷酸或硼酸溶液处理的衬底区域不经历掺杂。存在几种方式，可在高度掺杂区之间形成轻掺杂区，这些(方式)将在下文中详细描述。
步骤3涉及形成金属接触图案，其与所述第一高度掺杂扩散区基本上对齐。在该步骤期间，将电极的图案施加于衬底的主表面，其基本上覆盖第一高度掺杂扩散区。一旦电极图案被施加，可烧结(fire)接触(contacts)以形成在金属化图案与下方衬底中的第一高度掺杂区之间的欧姆连接。金属接触图案通常采用细长的主栅线(bus bars)和细栅线(fingures)的形式，尽管其他形状是可能的。参见例如Solland Solar Cells B.V.的SunWeb太阳能电池设计。荷兰(Netherlands)，其以功能性和装饰性的花朵样金属接触图案为特色。
根据本发明方法的一种实施方式，步骤1进一步包括，在将所述溶液喷墨到衬底上的同时，在基本上等于或大于磷酸或硼酸溶液的溶剂的沸点的温度下加热衬底的所述主表面。
在基本上等于或者或多或少高于酸溶液的溶剂的沸点的温度下加热在其上进行喷墨的衬底的主表面，进行溶剂的蒸发。用作载体(carrier)的溶剂(其使得能够以期望的浓度喷墨磷酸或硼酸)，一旦各酸被沉积后则实际上变得多余，可优选随后被快速去除，以避免其将酸沿着衬底表面扩散开而超出靶向的第一图案。假使水用作溶剂(并且喷墨发生在大气压下)，衬底的主表面优选在约90-110℃加热，而当乙醇作为溶剂时，则可使用约75-90℃的温度。
根据本发明的一种实施方式，用于喷射磷酸或硼酸溶液到衬底上的打印头(print head)，至少部分地，由对酸溶液为化学上惰性或抗性的材料(如PEEK)制成。合适的打印头包括PixDro B.V.(荷兰，艾恩德霍芬)销售的PL128L打印头。
至此，描述了在衬底中形成第一高度掺杂区。现在应注意的是在第一高度掺杂区之间形成第二轻掺杂区以便完成选择性发射极的方式。
根据第一种方式，步骤1进一步包括，将所述磷酸或硼酸溶液的第二图案选择性喷墨到所述半导体衬底的所述主表面上，与所述第一图案相比，所述第二图案在每单位的衬底面积上具有更低浓度的酸溶液。步骤2进一步包括形成直接位于第二图案下方的第二扩散区。
该第一种方式因而涉及通过喷墨施加磷酸或硼酸溶液的第一图案和第二图案，然而对于各图案的表面浓度不同。第一图案(在其上将形成与电极有关的高度掺杂区)，相比于第二图案，提供有更高表面浓度的酸溶液。表面浓度的这种差异可在单一喷墨过程中，利用单一磷酸或硼酸溶液以及能够以不同分辨率(resolution)喷射溶液的单一打印头，而有利地实现。例如，可使用包括多个喷墨喷嘴的打印头，将磷酸或硼酸溶液选择性地喷墨到半导体衬底的主表面上，由此每个喷嘴能够独立于其他喷嘴被激活，以产生所述酸溶液的小滴。于是在施加掺杂剂源期间，产生用于第一图案的小滴的打印头的喷嘴，相比产生用于第二图案的小滴的喷嘴，可以更大的频率被激活。以不同浓度选择性地施加掺杂剂源的这种方式，为基于使用多个打印头和/或多种浓度彼此不同的掺杂剂源溶液的那些，提供了有利的简化的替换方式。例如，单一磷酸或硼酸溶液可在乙醇中具有0-20％浓度的磷酸或硼酸，如5％。这种溶液可以几皮升，例如10-20pl的小滴，喷墨到衬底上，对于第一和第二图案分辨率分别为每英寸约800-1200和400-800小滴(dpi)，以便获得具有不同磷酸或硼酸表面浓度的图案。正如本领域技术人员会明了的，这些数值仅仅大概的数字，它们不仅表现相互依赖性，而且还取决于其他因素，如在喷墨期间的衬底温度(其影响沉积溶液的流动(running))、实施扩散步骤的温度、衬底中掺杂剂原子的期望体积浓度等。假使酸溶液的第一和第二图案都通过喷墨而施加，以下高温扩散步骤优选可在带式扩散炉中实施，从而使得能够实现连续的生产量，这对于太阳能电池的大规模生产是合乎期望的。
根据第二种方式，在步骤2期间，衬底的主表面经受分别包含磷或磷化合物(例如POCl3)、硼或硼化合物(例如H2B)的气体掺杂剂气态气氛(gaseous atmosphere)，以便在形成所述第一扩散区的同时，通过来自所述气态气氛的磷或硼经由未被所述第一图案覆盖的所述主表面的一个或多个区域扩散至所述衬底中，而形成第二扩散区。
应理解的是，来自该气态气氛的掺杂剂材料的扩散不一定需要直接发生，而是例如可包括在衬底表面上形成中间化合物，在那里发生实际的扩散。气体掺杂剂气氛优选结合批式炉(batch furnace)使用，例如，在磷掺杂的情况下，POCl3封闭管扩散炉。如果需要，可通过将磷酸或硼溶液喷雾/雾化至加热的气氛中，实现包含磷或硼的气态气氛，衬底被经受该气态气氛。该气态气氛中掺杂剂源材料的浓度，可相对于喷墨到衬底上的酸溶液的浓度独立地确定，允许第一和第二扩散区中磷或硼的最终体积浓度被独立地设置。
本发明进一步提供一种制造包括基本上扁平的半导体衬底的半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤。步骤1：通过将相同掺杂剂源溶液的第一图案和第二图案选择性喷墨至所述半导体衬底的主表面上来施加掺杂剂源，与所述第一图案相比，所述第二图案在每单位衬底面积上具有更低的掺杂剂源浓度；步骤2：加热衬底，以便将掺杂剂原子从所述掺杂剂源扩散到所述衬底中，由此形成直接位于所述第一图案下方的第一扩散区和直接位于第二图案下方的第二扩散区；以及步骤3：形成金属接触图案，其与所述第一扩散区基本上对齐。可使用打印头将掺杂剂源选择性地喷墨到半导体衬底的主表面上，所述打印头包括多个喷墨喷嘴，每个喷嘴能够相对于其他喷嘴而独立地被激活，以生产掺杂剂源溶液的小滴。在施加掺杂剂源期间，产生用于第一图案的小滴的打印头的喷嘴，相比产生用于第二图案的小滴的喷嘴，以更大的频率被激活。形成选择性发射极的这种方法，其本身不局限于特定的掺杂剂源溶液/墨(ink)(如磷酸和硼酸溶液)，为基于使用多个打印头和/或多种浓度彼此不同的掺杂剂源溶液的方法，提供了有利的替换方式。
通过对本发明特定实施方式的以下详细说明、并结合附图，本发明的这些和其他特点和优点将被更充分地理解，附图旨在进行解释说明而非限制本发明。
附图说明
图1示意性示出具有选择性发射极的示例性光伏电池的俯视图；
图2示意性示出在图1中显示的光伏电池的剖面侧视图；以及
图3示意性示出用于实施根据本发明方法的生产线的透视图。
具体实施方式
参照图1和2简要讨论具有选择性发射极的示例性光伏电池1的总体构造，其中图1示意性示出光伏电池的俯视图，而图2示出同一光伏电池的剖面侧视图。
示例性光伏电池1具有常规设计并且基于半导体衬底2，特别是p型导电性的硅晶片。在其正面或上面2a，即，在使用期间暴露于(太阳)光的侧面，衬底2连续地提供有选择性发射极3、抗反射涂层8以及金属化图案10。选择性发射极3包括相对较深的重掺杂区4和相对较浅的n型导电性轻掺杂区6。根据本发明，区(域)4和6用磷掺杂。在高度掺杂区4中的磷原子的体积浓度，可能通常为1020-1023原子/cm3的量级，而对于轻掺杂区，则可以为1018-1021原子/cm3的量级。区4和6中掺杂水扁平的比率通常是至少2。在选择性发射极3的顶部设置优选钝化(passivating)抗反射涂层8，其本身部分地被金属化图案10覆盖(topped)。金属化图案10包括相对宽的主栅线11和相对狭窄的细栅线12，并且跨衬底2的上面2a延伸，覆盖重掺杂区4。主栅线11和细栅线12优选包括至这些重掺杂区4的欧姆接触13。在其背面或下面2b，衬底2设置有背面金属化图案14，其也可优选与衬底形成良好的欧姆接触。后者图案14通常由铝形成，并且跨衬底2的背面2b是基本上均匀的。
本领域技术人员会明了的是，图1和2中的光伏电池1仅仅是示例性的。一些电池(cell)设计可包括未讨论的特征，如分开的钝化层或邻近背面金属接触14的后表面区域(back surface fields)(例如添加p+型导电性的层以减少局部的电子-空穴复合，以便增加电池的效率)，其他(涉及)可不具有一个或多个所描述的特征，如抗反射涂层8。因此需特别注意的是，就本发明而言，包括基于磷或硼掺杂的选择性发射极3的所有光伏电池设计，均意欲落在所附权利要求的范围内。事实上，根据本发明的方法不局限于光伏电池的制造；而应考虑到，其也可以为其他微电子生产所采用。
已经讨论了具有选择性发射极3的光伏电池1的总体结构，现在结合图3将进一步阐述根据发明的方法，图3示意性示出用于实施该方法以生产图1和2中描绘的太阳能电池的示例性生产线30。
生产线30包括几个依次连接的处理装置(processing stations)34-46。在晶片进入点32处，将硅衬底2供应到生产线30。从那里，其被传送至用于锯状损伤移除和织构化(texturization)的装置34。衬底表面的织构化，可用来提高入射太阳辐射的吸收，其可以任何合适的方式实施，如通过激光织构化(laser-texturing)或化学腐蚀。然后衬底2被运送到喷墨装置36，在那里实施发明方法的步骤1。喷墨装置36通过选择性喷墨第一图案(其对应于在后续阶段待施加的正面表面电极11、12的金属接触图案10)的磷酸或硼酸溶液至衬底2的正面主表面2a上，而将掺杂剂源施加于该表面上。在喷墨步骤期间，衬底2可相对于打印头移动，或反之亦然。在一个有利的实施方式中，打印头的尺寸(dimension)基本上对应于一个或多个衬底的尺寸，以便掺杂剂源能够以一次经过(in one pass)施加于衬底上。随后，衬底2行进通过高温扩散带式炉38，其中衬底被加热至800-1100℃范围内的温度。这样做即实现了根据本发明方法的步骤2。衬底2的加热使得磷原子从施加的掺杂剂源扩散到衬底中，从而形成直接位于第一图案10下方的第一重掺杂扩散区4。在带式炉38中还形成第二轻掺杂扩散区6。磷掺杂剂源可以是已经由喷墨装置36施加(如上所述)，或者可以通过将磷酸溶液喷雾到带式炉38内的衬底上而被添加。在高温扩散阶段之后，可使用化学腐蚀溶液，如氢氟酸(HF)溶液，在装置40移除衬底表面上的任何剩余磷硅酸玻璃(PSG，包括P2O5的SiO2)。随后，装置42可施加钝化抗反射涂层，优选氢化的氮化硅(SiNx:H)层，其可通过等离子增强的化学气相沉积(PECVD)技术而施加。可替换地，其他抗反射涂层，例如由TiO2制成，可被施加，或抗反射涂层可被一起省去。在沉积抗反射涂层之后，典型地银的金属化图案10，可施加于衬底2的正面2a，而典型地铝的金属化图案14，可在装置44处施加于衬底的背面2b。金属化图案10、14优选通过丝网印刷和随后干燥而被施加，尽管还可使用其他厚膜沉积技术。在金属化图案10的丝网印刷期间，金属浆料选择性施加到衬底2的正面与重掺杂区4对齐。背面金属化图案14涉及金属浆料的选择性施加还是非选择性施加，这取决于具体光伏电池1的设计。一旦金属化图案10的浆料已被干燥，可在装置46通过抗反射涂层8烧制接触部(contact)。施加的金属因此渗透SiNx:H涂层8而形成低阻欧姆接触，而来自涂层的氢则扩散到电池1的本体(bulk)中以钝化杂质和缺陷。可通过各种技术烧制接触，如激光烧制，或通过红外线传送带式炉(infra-red conveyor belt furnace)传送衬底2。最终，在其于48处退出生产线1之前，电池1可被测试。应理解的是，虽然以上对生产线30的描述，是针对掺杂有磷的p型硅衬底而表述的，该实例在已作必要修正的情况下同样地适用于尤其是掺杂有硼原子的n型硅衬底。
尽管以上已经部分地参照附图描述了本发明的例示性实施方式，但应理解的是，本发明并不限于这些实施方式。实施本发明的本领域技术人员，通过研究附图、披露内容、以及所附权利要求书，能够理解并实现所披露实施方式的变型。在整个说明书中，提到“一种实施方式”或“一个实施方式”是指，结合实施方式所描述的特定的特征、结构或特点包含在本发明的至少一种实施方式中。因此，在本发明中各个场合出现短语“在一种实施方式中”或“在一个实施方式”，未必全部指相同的实施方式。而且，需要指出的是，一种或多种实施方式的特定特征、结构或特点能够以任何合适的方式组合，而形成新的未明确描述的实施方式。
元件列表
1 光伏电池
2 半导体衬底
2a、2b 半导体衬底的正面主表面(a)和背面主表面(b)
3 发射极
4 重掺杂衬底区
6 轻掺杂衬底区
8 抗反射涂层
10 正面主表面的金属接触图案
11 主栅线
12 细栅线
13 接触
14 背面金属化部
30 生产线
32 晶片入口
34 锯状损伤移除和织构化装置
36 喷墨装置
38 高温扩散带式炉
40 PSG去除装置
42 抗反射涂层施加装置
44 金属化装置
46 用于烧结金属接触的装置
48 光伏电池出口
Claims (16)
1.一种制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法，所述方法包括：
-步骤1：通过将磷酸或硼酸溶液的第一图案选择性地喷墨至所述半导体衬底的主表面(2a)上而施加掺杂剂源；
-步骤2：加热所述衬底，以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中，由此形成直接位于所述第一图案下方的第一扩散区(4)；以及
-步骤3：形成与所述第一扩散区基本上对齐的金属接触图案(10、11、12)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中
-步骤1进一步包括：在将所述溶液喷墨至所述衬底上的同时，在基本上等于或大于所述磷酸或硼酸溶液的溶剂的沸点的温度下，加热所述衬底(2)的所述主表面(2a)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述酸溶液包含乙醇作为溶剂。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述酸溶液包含以下表面活性剂中的一种或多种：二乙二醇、甘油、异丙醇、以及聚乙二醇。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体器件(1)是光伏电池。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
-步骤1进一步包括：通过将所述磷酸或硼酸溶液的第二图案选择性地喷墨至所述半导体衬底(2)的所述主表面(2a)上而施加所述掺杂剂源，与所述第一图案相比，所述第二图案在每单位衬底面积上具有更低浓度的酸溶液；以及
-步骤2进一步包括：形成直接位于所述第二图案下方的第二扩散区(6)。
7.根据权利要求6所述方法，其中，使用打印头将所述磷酸或硼酸溶液选择性地喷墨至所述半导体衬底(2)的所述主表面(2a)上，所述打印头包括多个喷墨喷嘴，每个喷嘴能够相对于其他喷嘴独立地被激活而产生所述酸溶液的小滴。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在施加所述掺杂剂源期间，产生用于所述第一图案的小滴的所述打印头的喷嘴以比产生用于所述第二图案的小滴的喷嘴更大的频率被激活。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的方法，其中，
-步骤2进一步包括：将所述衬底(2)传送通过带式扩散炉(38)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
-在步骤2期间，所述衬底(2)的所述主表面(2a)经受分别包含磷或磷化合物、硼或硼化合物的气态气氛，使得在形成所述第一扩散区(4)的同时，通过来自所述气态气氛的磷或硼经由未被所述第一图案覆盖的所述主表面的一个或多个区域扩散到所述衬底中而形成第二扩散区(6)。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述气态气氛是磷酰氯或硼氢化物气氛。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述气态气氛通过汽化磷酸或硼酸溶液而实现。
13.一种通过根据前述权利要求中任一项所述的方法制造的光伏电池(1)。
14.一种制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法，所述方法包括：
-步骤1：通过将相同掺杂剂源溶液的第一图案(10)和第二图案选择性地喷墨至所述半导体衬底的主表面(2a)上而施加掺杂剂源，与所述第一图案相比，所述第二图案在每单位衬底面积上具有更低的掺杂剂源浓度；
-步骤2：加热所述衬底，以使来自所述掺杂剂源的掺杂剂原子扩散到所述衬底中，由此形成直接位于所述第一图案下方的第一扩散区(4)和直接位于所述第二图案下方的第二扩散区(6)；以及
-步骤3：形成与所述第一扩散区基本上对齐的金属接触图案(10、11、12)。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，使用打印头将所述掺杂剂源选择性地喷墨至所述半导体衬底(2)的所述主表面(2a)上，所述打印头包括多个喷墨喷嘴，每个喷嘴能够相对于其他喷嘴独立地被激活而产生掺杂剂源溶液的小滴。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在施加掺杂剂源期间，产生用于所述第一图案的小滴的所述打印头的喷嘴以比产生用于所述第二图案的小滴的喷嘴更大的频率被激活。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2003324 | 2009-07-31 | ||
| NL2003324A NL2003324C2 (en) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | Photovoltaic cell with a selective emitter and method for making the same. |
| PCT/NL2010/050489 WO2011014068A1 (en) | 2009-07-31 | 2010-07-30 | Photovoltaic cell with a selective emitter and method for making the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102549776A true CN102549776A (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=42269439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010800440586A Pending CN102549776A (zh) | 2009-07-31 | 2010-07-30 | 具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2460188A1 (zh) |
| CN (1) | CN102549776A (zh) |
| NL (1) | NL2003324C2 (zh) |
| TW (1) | TW201110404A (zh) |
| WO (1) | WO2011014068A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113972130A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-25 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8912071B2 (en) | 2012-12-06 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Selective emitter photovoltaic device |
| US10465295B2 (en) | 2014-05-20 | 2019-11-05 | Alpha Assembly Solutions Inc. | Jettable inks for solar cell and semiconductor fabrication |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1241298A (zh) * | 1996-12-24 | 2000-01-12 | 依麦克Vzw | 具有选择性扩散区的半导体器件 |
| JP2000183379A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| CN1343376A (zh) * | 1999-03-11 | 2002-04-03 | 默克专利股份有限公司 | 用于生产半导体p,p+ 和n,n+区的掺杂糊剂 |
| JP2004221149A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| US20040242019A1 (en) * | 2001-10-10 | 2004-12-02 | Sylke Klein | Combined etching and doping substances |
| CN101443893A (zh) * | 2005-12-21 | 2009-05-27 | 太阳能公司 | 背面触点太阳能电池及制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2754833A1 (de) * | 1977-12-09 | 1979-06-13 | Ibm Deutschland | Phosphordiffusionsverfahren fuer halbleiteranwendungen |
| US6552414B1 (en) | 1996-12-24 | 2003-04-22 | Imec Vzw | Semiconductor device with selectively diffused regions |
| JP4481869B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2010-06-16 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-07-31 NL NL2003324A patent/NL2003324C2/en not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-07-30 WO PCT/NL2010/050489 patent/WO2011014068A1/en active Application Filing
- 2010-07-30 CN CN2010800440586A patent/CN102549776A/zh active Pending
- 2010-07-30 TW TW099125218A patent/TW201110404A/zh unknown
- 2010-07-30 EP EP10740419A patent/EP2460188A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1241298A (zh) * | 1996-12-24 | 2000-01-12 | 依麦克Vzw | 具有选择性扩散区的半导体器件 |
| JP2000183379A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| CN1343376A (zh) * | 1999-03-11 | 2002-04-03 | 默克专利股份有限公司 | 用于生产半导体p,p+ 和n,n+区的掺杂糊剂 |
| US20040242019A1 (en) * | 2001-10-10 | 2004-12-02 | Sylke Klein | Combined etching and doping substances |
| JP2004221149A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| CN101443893A (zh) * | 2005-12-21 | 2009-05-27 | 太阳能公司 | 背面触点太阳能电池及制造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113972130A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-25 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL2003324C2 (en) | 2011-02-02 |
| WO2011014068A1 (en) | 2011-02-03 |
| TW201110404A (en) | 2011-03-16 |
| EP2460188A1 (en) | 2012-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8053867B2 (en) | Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants | |
| KR100923040B1 (ko) | 조합된 에칭 및 도핑 물질 | |
| US7820532B2 (en) | Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles | |
| CN105453275A (zh) | 使用硅纳米粒子制造太阳能电池的发射极区域 | |
| JP2012160697A (ja) | シリコン基板の製造方法、シリコン基板、太陽電池用シリコン基板、太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池 | |
| CN103003951A (zh) | 光伏太阳能电池和制造光伏太阳能电池的方法 | |
| TW201439372A (zh) | 用於矽晶圓之局部掺雜之液體掺雜介質 | |
| CN102157602A (zh) | 对基片进行湿法磷扩散和制绒的方法及制绒用的酸溶液 | |
| CN102549776A (zh) | 具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法 | |
| CN110416355B (zh) | 一种溶液法制备晶体硅太阳能电池的工艺 | |
| CN211507663U (zh) | 太阳能电池涂覆设备 | |
| TWI462157B (zh) | ｎ型擴散層形成組成物、ｎ型擴散層的製造方法以及太陽電池元件的製造方法 | |
| CN103489932B (zh) | 一种纳米硅磷浆及其制备方法和应用 | |
| TWI570778B (zh) | ｎ型擴散層形成組成物、ｎ型擴散層的製造方法以及太陽電池元件的製造方法 | |
| CN115233181A (zh) | 一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途 | |
| GB2091709A (en) | Phosphorus layer on silicon substrates | |
| JP6224513B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| KR102039611B1 (ko) | 기판형 태양 전지 및 그의 제조 방법, 기판형 태양 전지의 도핑 방법 및 장치 | |
| KR101642271B1 (ko) | 도판트가 도핑된 실리콘 나노소재 제조방법 및 이의 국부적 도핑방법 | |
| CN115241326B (zh) | 一种太阳能电池钝化结构、其制备方法、制备装置和用途 | |
| KR102173465B1 (ko) | 기판형 태양 전지의 도핑 장치 | |
| JP2024504761A (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
| WO2013026177A1 (en) | Phosphorous-comprising dopants, methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using such phosphorous-comprising dopants, and methods for forming such phosphorous-comprising dopants | |
| TW201626588A (zh) | n型擴散層形成組成物、n型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Holland Ian Deho Finn Applicant after: OTB SOLAR B.V. Address before: Holland Ian Deho Finn Applicant before: Otb Group BV |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: OTB SOLAR ENERGY CO., LTD. TO: L. ROLTEC INC. |
|
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120704 |