CN102881792A - 半导体外延薄膜生长方法及用其制半导体发光器件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了半导体外延薄膜生长方法以及用其制造半导体发光器件的方法。该半导体外延薄膜生长方法包括：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年7月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0068801的优先权，其公开内容通过引用结合于本申请中。
技术领域
本申请涉及半导体外延薄膜生长方法以及用该方法制造半导体发光器件的方法。
背景技术
将氮化物基发光器件用于移动电话键盘、LED窗口、电视机的背光单元（BLU）和普通照明器件的需求正在快速增长。为了满足这一需求，已经结合用6英寸蓝宝石晶片代替4英寸蓝宝石晶片来用于生长可用于发光器件的氮化物或氧化物（例如，GaN、ZnO等）作为外延薄膜，研究了引入大直径蓝宝石晶片。
当前的化学气相沉积工艺允许同时生长10片4英寸蓝宝石晶片的制造水平。此外，大直径晶片会具有与其相关的问题，例如晶片弯曲现象、由于氮化物半导体的热膨胀系数和用作生长衬底的蓝宝石衬底的热膨胀系数之间的显著差异引起的高热应力和生长薄膜时产生的晶格常数差引起的固有应力所导致的裂纹、以及性能退化引起的限制。为了解决这些问题，采用了间歇型化学气相设备；然而，这种设备具有源气在低温下分解（或降解）的特性，因此在高温沉积方面有困难。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种能够增加工艺效率的半导体外延薄膜生长方法以及半导体发光器件制造方法。
本发明的另一方面提供了能够使提供反应气体的喷嘴被堵塞的现象减少的半导体外延薄膜生长方法。
本发明的另一方面提供了能够增加产率且防止晶片变形的半导体外延薄膜生长方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种半导体外延薄膜生长方法，该方法包括步骤：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
所述氯有机金属化合物可以是二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。
所述半导体外延薄膜可以是GaN薄膜。
所述反应气体可以与含有氢气的载气一起喷射。
该方法还可以包括步骤：使用加热单元调整所述反应室内的温度，所述加热单元布置成围绕所述反应室的外侧。
该方法还可以包括步骤：在所述半导体外延薄膜生长时改变所述半导体外延薄膜的生长温度。
从所述气体供应单元喷射的所述反应气体可以这样喷射：它流到每一个所述晶片的上表面和下表面，从而从每一个所述晶片的两个表面都生长外延薄膜。
所述反应气体可以通过定位在所述反应室的内管和所述晶片保持器之间的所述气体供应单元喷射，所述反应室由具有内部空间的内管和覆盖该内管以保持气密性的外管构成。
所述反应气体可以通过所述气体供应单元的多个喷嘴喷射，所述气体供应单元包括将所述反应气体供应到所述反应室的至少一个气路以及从所述至少一个气路延伸的多个喷嘴。
所述多个喷嘴可以设置成面对装载的所述晶片的相应侧面或者对应于装载的所述晶片之间的空间，以便在装载的所述晶片之间来将所述反应气体喷射到各个所述晶片上
该方法还可以包括步骤：使用冷却剂冷却所述反应气体，所述冷却剂在沿着所述气路的周围设置的冷却线路内流动。
该方法还可以包括步骤：通过一个或多个气体供应单元提供相同的反应气体或者分开提供不同的反应气体。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及在所述晶片上形成包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层的发光结构，其中所述发光结构的至少一部分包括通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体而生长的半导体层，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
所述氯有机金属化合物是二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。
该方法还可以包括步骤：在所述晶片和所述发光结构之间形成缓冲层。
可以在比形成所述缓冲层的温度高的温度下形成所述发光结构的至少一部分。
所述缓冲层的反应气体可以包括三甲基镓（TMGa）、三乙基镓（TEGa）、三甲基铝（TMAl）和三甲基铟（TMIn）中的至少一种。
所述发光结构的反应气体可以包括二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。
所述半导体发光器件可以是氮化镓基半导体发光器件。
所述反应气体可以与含有氢气的载气一起喷射。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明的以上和其它方面、特征及其它优点，附图中：
图1是示意性示出了可用于本发明实施例的化学气相沉积设备的截面图；
图2是示意性示出了图1的化学气相沉积设备的俯视图；
图3是示意性示出了可用于根据本发明实施例的外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备的气体供应单元的视图；
图4A和图4B是示出了在可用于根据本发明实施例的外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备中放置喷嘴的位置的截面图；
图5A、图5B和图6是示意性示出了可用于根据本发明实施例的外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备的气体供应单元的另一个实例的视图；以及
图7是示意性示出了使用根据本发明实施例的半导体发光器件制造方法制造的发光结构的结构的视图。
具体实施方式
现在将参考附图详细描述本发明的实施例。
然而，本发明可以按照多种不同的形式具体实现，不应当解释为限于在此阐述的各实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，元件的形状和尺寸可能被夸大，相同的附图标记始终用于表示相同或相似的部件。
图1是示意性示出了可用于本发明实施例的化学气相沉积设备的截面图，图2是示意性示出了图1的化学气相沉积设备的俯视图。根据本发明实施例的半导体外延薄膜生长方法可以包括如下操作：将装载在晶片保持器20中的多个晶片（W）放置在反应室10中；以及通过布置成在装载晶片（W）的方向上延伸的气体供应单元30将含有氯有机金属化合物的反应气体喷射到晶片（W）上，以便在每个晶片（W）的表面上生长半导体外延薄膜。
可用于本发明实施例的化学气相沉积设备1是所谓的竖直或炉型化学气相沉积设备，其中在晶片保持器20中在竖直方向上以一定间隔装载多个晶片（W），而不是将多个晶片布置在基座上，从而通过喷嘴喷射的反应气体在各晶片（W）之间流动。
具体而言，参考图1和图2，化学气相沉积设备1的反应室10可以包括具有内部空间的内管11和覆盖内管11以保持气密性的外管12，多个晶片（W）可以以一定间隔布置在置于内管11中的晶片保持器20中。此外，向晶片（W）喷射反应气体的气体供应单元30布置在内管11和晶片保持器20之间并且在装载晶片（W）的方向上竖直延伸。具体而言，反应室10可以构造成具有包括内管11和外管12的双重结构，内管11具有圆柱结构，外管12具有开放的下部并且覆盖内管11以保持气密性。底盘13可以设置在内管11的下部使其可以打开和关闭。内管11、外管12和底盘13可以由耐热的石英或碳化硅（SiC）制成。
用于薄膜生长的多个晶片（W）以一定间隔装载在晶片保持器20中，可以通过打开和关闭底盘13来将晶片保持器20布置在内管11中或从内管11中卸出。晶片保持器20可以由诸如石英等的材料制成，以便在高温和高压气氛下在反应室10内不发生热变形，但是本发明不限于此。与仅几片晶片安装在基座上来生长半导体外延薄膜的现有技术相比，根据使用该竖直型化学气相沉积设备的半导体外延薄膜生长方法，数百片晶片（W）可以彼此之间有一定间隔地装载在晶片保持器20中，从而允许大规模生产。
同时，如图1所示，化学气相沉积设备1还可以包括连接到晶片保持器20以旋转晶片保持器20的旋转驱动单元50。晶片保持器20可以连接到被绝缘板保护的旋转驱动单元50并且通过从旋转驱动单元50施加的旋转力在内管11内旋转。由于晶片保持器20被旋转驱动单元50旋转，所以在晶片（W）上生长的外延薄膜可以在晶片的整个表面上均匀地形成。
此外，由于沿着反应室10的周围提供了加热单元60，所以反应室10的内部可以被加热并且保持高温。如图1和图2所示，加热单元60可以布置成围绕反应室10的外侧，并且通过使用由诸如镍铬合金之类的材料制成的加热线（热导线或热线）增加反应室的内部温度并且均匀地保持该温度。此外，在生长半导体外延薄膜时，可以通过使用加热单元60改变反应室10的内部温度，使得可以根据源材料（即，原料或基础材料）或薄膜特性在不同温度下生长外延薄膜。
气体供应单元30可以包括：至少一条气路31，用于从反应室10的外部向内部提供反应气体；以及多个喷嘴33，它们与气路31相通以将反应气体喷射到晶片（W），从而在晶片（W）的表面上生长半导体外延薄膜。
在根据本实施例的半导体外延薄膜生长方法中，将多个晶片（W）彼此之间有一定间隔地装载在布置在反应室10的内管11中的晶片保持器20中，反应室10具有内管11和外管12，内管11具有内部空间，外管12覆盖内管11以保持气密性；并且将包括含氯有机金属化合物的反应气体通过气体供应单元30喷射到晶片（W）上，由此在多个晶片（W）的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元30设置为在内管11和晶片保持器20之间装载晶片（W）的方向上竖直延伸。
在竖直型化学气相沉积设备的情况下，将具有用于将反应气体喷射到各个晶片（W）的多个喷嘴33的气体供应单元30定位在反应室10内，并且将加热单元60布置在反应室10的外侧，从而反应气体在气体供应单元30内移动时受到高温，所述气体供应单元30设置为在装载多个晶片（W）的方向上竖直延伸。然而，通常用于制造GaN基半导体外延薄膜的诸如TMGa、TEGa等的反应气体在从300℃到500℃的相对较低的温度下分解（或降解），从而在将其喷射到保持在1000℃或更高的高温的反应室10的气体供应单元30的外部之前就在喷嘴中分解，从而引起工艺效率降低以及分解的源材料堵塞气体供应单元30的喷嘴的问题。
然而，在本实施例中，由于含氯有机金属化合物用作用于生长半导体外延薄膜的反应气体，所以喷嘴中分解的反应气体的比例减少，喷嘴堵塞现象可以减轻。例如，二甲基氯化镓（(CH4)2GaCl）或二乙基氯化镓（(C2H5)2GaCl）可以用作用于生长GaN薄膜的Ga源气体，即使在高温下这种材料也仅少量分解（它在700℃至800℃或更高的温度分解）。因此，在气体供应单元30内分解的反应气体的比例减少，并且从气体供应单元30喷射之后在晶片（W）的表面上（即在内管11的内部空间中）分解的反应气体的比例增加，从而增加了工艺效率。而且，由于反应气体包含氯，产生了氯化氢（HCl）气体、氯气（Cl2）和氢气（H2）的混合物，所以气体供应单元30内的残留材料可以被腐蚀，从而减少了喷嘴堵塞现象。
具体而言，上面作为例子提及的二甲基氯化镓或二乙基氯化镓的分解反应式如下：
DEGaCl（二乙基氯化镓）：
(C2H5)2GaCl→GaCl(g)+2C2H4(g)+H2(g)；以及
DMGaCl（二甲基氯化镓）：
(CH4)2GaCl→GaCl(g)+2C2H3(g)+H2(g)。
即，当二乙基氯化镓或二甲基氯化镓分解时产生的GaCl中的Cl与作为降解产物的H2或用作运送反应气体的载气的氢气（H2）反应，产生氯化氢（HCl），氯化氢为腐蚀气体。由此产生的氯化氢（HCl）气体用作气体供应单元30的气路31或喷嘴33内的腐蚀气体，来除去在气体供应单元30内降解的一些残余材料。
同时，从气体供应单元30喷射的反应气体沿着各个晶片（W）的表面流动，以通过下面所示的反应式在多个各个晶片（W）的表面上形成GaN外延薄膜：
GaCl(g)+NH3(g)→GaN(s)+HCl(g)+H2(g)。
图3是示意性示出了可用于根据本发明实施例的外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备的气体供应单元的视图。参考图3，气体供应单元30包括：至少一个气路31，用于从反应室10的外部向内部提供反应气体（G）；以及多个喷嘴33，用于向晶片（W）喷射反应气体（G）以在晶片（W）的表面上生长半导体外延薄膜。此外，气体供应单元30还可以包括沿着气路31的周围设置的冷却线路32以冷却反应气体（G）。
具体而言，包括气路31和冷却线路32的气体供应单元30可以设置为在内管11和晶片保持器20之间装载晶片（W）的方向上竖直延伸，并且可以具有气路31布置在冷却线路32中的双重结构。即，反应气体在其中流动的气路31被冷却线路32包围，冷却剂在冷却线路32中流动，以冷却反应气体（G），由此防止反应气体（G）在沿着气路31提供到反应室10内部时发生反应，否则在高温气氛下反应气体（G）会沉积在气路31内。多个喷嘴33可以从气体供应单元30凸出，具体而言，多个喷嘴33可以从冷却线路32的长度方向上的冷却线路32的表面上凸出，并且多个喷嘴33设置在与各个晶片的位置对应的位置处。多个喷嘴可以与气路31相通。然而，这是可用于根据本发明实施例的外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备的例子，根据需要可以省略通过在冷却线路32中流动的冷却剂来冷却反应气体的操作。
图4A和图4B是示出了在可用于根据本发明实施例的外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备中放置喷嘴的位置的截面图。首先，参考图4A，多个喷嘴33设置为对应于装载晶片（W）的间隔，使得喷嘴33面对相应装载的晶片（W）的侧面。此外，如图4B所示，多个喷嘴33可以设置成在装载的晶片（W）之间，在这种情况下，喷嘴33可以向多个晶片（W）的表面喷射反应气体（G）以在各个晶片（W）中的每一个上形成外延薄膜。
具体而言，喷嘴33可以向每个晶片（W）的一个表面，即上表面，喷射反应气体（G），以仅在每个晶片（W）的上表面形成外延薄膜，或者可以向每个晶片（W）的上表面和下表面喷射反应气体（G）以在每个晶片（W）的上表面和下表面同时形成外延薄膜。即，多个喷嘴33中的每一个可以布置成对应于装载的晶片（W）中的每一个并且喷射反应气体（G），从而反应气体（G）在每个晶片（W）的上表面和下表面上流动，因此从每个晶片（W）的上表面和下表面都生长外延薄膜80。当外延薄膜80形成在每个晶片（W）的两个表面上时，可以在单个晶片（W）上获得包括两个外延薄膜的发光结构80’，从而增加了产率。
此外，从晶片（W）的两个表面生长外延薄膜80可以防止晶片由于应力而变形。即，当像在现有技术的化学气相沉积设备中那样仅在晶片（W）的一个表面上生长外延薄膜80时，大量的应力作用于外延薄膜80而引起弯曲现象，使得外延薄膜80具有弯曲的形状，这种现象会随着晶片直径增加而加重，从而可能损坏晶片或使性能劣化。然而，在本发明中，由于外延薄膜80在晶片（W）的两个表面上生长，所以在晶片（W）的上表面和下表面上产生的应力减轻，从而解决了现有技术的问题。
图5A、图5B和图6是示意性示出了可用于根据本发明实施例的外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备的气体供应单元的另一个实例的视图。首先，参考图5A和图5B，气体供应单元30’可以包括提供第一反应气体G1的第一气路31-1和提供第二反应气体G2的第二气路31-2。第一和第二气路31-1和31-2可以布置在冷却线路32中。即，与图3所示的实施例不同，在冷却线路32中提供两个或更多气路31-1和31-2，从而分开提供第一反应气体G1和第二反应气体G2，当如上所述将不同的源气体应用于一些发光结构时，可以通过气体供应单元30’的第一和第二气路31-1和31-2分开提供不同的源气体。
此外，如图6所示，两个或更多个气体供应单元30可以在内管11和晶片保持器20之间装载晶片（W）的方向上竖直延伸。在这种情况下，各个气体供应单元30可以分开提供不同的反应气体，并且可以包括单个或多个气路。然而，这种结构仅仅是可用于根据本发明实施例的半导体外延薄膜生长方法的化学气相沉积设备的一个例子，化学气相沉积设备的具体构造可以进行各种修改。
图7是示意性示出了使用根据本发明实施例的半导体发光器件制造方法制造的发光结构的结构的视图。根据本发明实施例制造半导体发光器件的方法包括：在反应室10中布置装载在晶片保持器中的多个晶片（W）以及形成发光结构80’，该发光结构80’包括第一导电类型的半导体层81、有源层82和第二导电类型的半导体层83，其中发光结构80’的至少一部分可以包括通过气体供应单元30喷射含有氯有机金属化合物的反应气体而生长的半导体层，所述气体供应单元30布置成在装载晶片（W）的方向上延伸。
参考图7，在晶片（W）的表面上顺序生长第一导电类型的半导体层81、有源层82和第二导电类型的半导体层83，以形成发光结构80’，形成发光结构80’的第一和第二导电类型的半导体层81和83可以分别是n型和p型半导体层，并且可以由氮化物半导体构成。因此，在当前的实施例中，第一和第二导电类型可以理解为分别指n型和p型导电性，但是本发明不限于此。
第一和第二导电类型的半导体层81和83可以具有实验式AlxInyGa(1-x-y)N（此处，0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1），这种材料可以包括GaN、AlGaN、InGaN等。布置在第一和第二导电类型的半导体层81和83之间的有源层82根据电子和空穴的再结合发射具有一定能量水平的光，并且可以具有多量子阱（MQW）结构，在多量子阱（MQW）结构中交替叠置量子阱层和量子垒层。在这种情况下，MQW结构可以是例如InGaN/GaN结构。同时，第一导电类型的半导体层81可以掺杂有诸如Si、Ge、Se、Te、C等的杂质，第二导电类型的半导体层83可以掺杂有诸如Mg、Zn、Be等的杂质。
第一和第二导电类型的电极84和85可以分别形成在第一和第二导电类型的半导体层81和83上并且分别电连接至第一和第二导电类型的半导体层81和83。如图7所示，第一导电类型的电极84可以形成在由于第二导电类型的半导体层83、有源层82和第一导电类型的半导体层81被部分蚀刻而暴露的第一导电类型的半导体层81上，第二导电类型的电极85可以形成在第二导电类型的半导体层83上。在这种情况下，为了增强第二导电类型的半导体层83和第二导电类型的电极85之间的欧姆接触功能，可以进一步在二者之间提供由ITO、ZnO等制成的透明电极86。
在这种情况下，关于反应气体，三甲基镓（TMGa）、三乙基镓（TEGa）、三甲基铟（TMIn）、三乙基铟（TEIn）、三甲基铝（TMAl）、三乙基铝（TEAl）等可以用作氮化镓基化合物半导体（Ga(Al,In)N）的源气体，甲硅烷（SiH4）或乙硅烷（Si2H8）可以用作n型半导体层的Si掺杂源材料，诸如锗烷气体（GeH4）、四甲基锗（(CH3)4Ge）、四乙基锗（(C2H5)4Ge）等可以用作Ge掺杂源材料。此外，双环戊二烯镁（Cp2Mg）、双乙基环戊二烯镁（EtCp2Mg）等可以用作p型半导体层的Mg掺杂源材料。同时，在本实施例中，在生长发光结构的工艺中，可以使用含氯有机金属化合物，例如二甲基氯化镓或二乙基氯化镓，作为Ga的反应气体。
根据需要，由含有这些源材料的反应气体生长的氮化镓基化合物半导体，除了Al、Ga和I n之外，还可以含有不同的III族元素，或者可以含有诸如Ge、Si、Mg、Ca、Zn、Be等的掺杂剂元素。此外，氮化镓基化合物半导体可包括根据膜形成条件等不可避免地含有的杂质、含在源材料中的少量杂质以及反应管材料，而不限于有意添加的元素。
在本实施例中，描述了整个发光结构80’由含有氯有机金属化合物的反应气体形成，但是，可替换地，可以形成发光结构80’的一部分，例如衬底、缓冲层、n型半导体层、有源层、p型半导体层中的至少一个。具体而言，可以在晶片（W）和发光结构80之间生长由氮化物等构成的缓冲层（未示出），在通过使用TMGa、TEGa等生长缓冲层之后，由于源气体处于低温（500℃），可以通过加热单元60增加反应室10的温度，以通过使用在高温下具有快生长速度的二甲基氯化镓（DMGaCl）或二乙基氯化镓（DEGaCl）作为源气体生长n型或p型半导体层。然而，在这种情况下，含有氯有机金属化合物的反应气体不必用于仅生长发光结构80的一部分。例如，与前述实例相反，可以以各种方式和顺序应用含有氯有机金属化合物的反应气体，使得它仅用于缓冲层的形成或仅用于GaN衬底的形成。
此外，尽管未示出，像发光结构一样，还可以通过使用根据本发明实施例的外延薄膜生长方法在衬底（晶片）的上表面上形成缓冲层、GaN薄膜、源极、栅极和漏极来制造氮化物基场效应晶体管（FET）或其一部分。
如前所述，根据本发明实施例，可以提供这样的半导体外延薄膜生长方法，该方法通过减少气体供应单元中反应气体的分解（或降解）的比例而增加了工艺效率。
此外，可以提供这样的半导体外延薄膜生长方法，该方法通过腐蚀残留在气体供应单元中的材料而减轻了喷嘴堵塞现象，此外，可以提供这样的半导体外延薄膜生长方法，该方法能够防止晶片被应力变形。
尽管已经结合实施例示出和描述了本发明，但是，对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下可以做出各种修改和改变。
Claims (20)
1.一种半导体外延薄膜生长方法，该方法包括步骤：
在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及
通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
2.权利要求1的方法，其中所述氯有机金属化合物是二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。
3.权利要求2的方法，其中所述半导体外延薄膜是GaN薄膜。
4.权利要求1的方法，其中所述反应气体与含有氢气的载气一起喷射。
5.权利要求1的方法，还包括步骤：使用加热单元调整所述反应室内的温度，所述加热单元布置成围绕所述反应室的外侧。
6.权利要求1的方法，还包括步骤：在所述半导体外延薄膜生长时改变所述半导体外延薄膜的生长温度。
7.权利要求1的方法，其中从所述气体供应单元喷射的所述反应气体这样喷射：它流到每一个所述晶片的上表面和下表面，从而从每一个所述晶片的两个表面都生长外延薄膜。
8.权利要求1的方法，其中所述反应气体通过定位在所述反应室的内管和所述晶片保持器之间的所述气体供应单元喷射，所述反应室由具有内部空间的内管和覆盖该内管以保持气密性的外管构成。
9.权利要求1的方法，其中所述反应气体通过所述气体供应单元的多个喷嘴喷射，所述气体供应单元包括将所述反应气体供应到所述反应室的至少一个气路以及从所述至少一个气路延伸的多个喷嘴。
10.权利要求9的方法，其中所述多个喷嘴设置成面对装载的所述晶片的相应侧面或者设置成对应于装载的所述晶片之间的空间，以便在装载的所述晶片之间来将所述反应气体喷射到各个所述晶片上。
11.权利要求9的方法，还包括步骤：使用冷却剂冷却所述反应气体，所述冷却剂在沿着所述气路的周围设置的冷却线路内流动。
12.权利要求1的方法，还包括步骤：通过一个或多个气体供应单元提供相同的反应气体或者分开提供不同的反应气体。
13.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：
在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及
在所述晶片上形成包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层的发光结构，
其中所述发光结构的至少一部分包括通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体而生长的半导体层，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
14.权利要求13的方法，其中所述氯有机金属化合物是二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。
15.权利要求13的方法，还包括步骤：在所述晶片和所述发光结构之间形成缓冲层。
16.权利要求15的方法，其中在比形成所述缓冲层的温度高的温度下形成所述发光结构的至少一部分。
17.权利要求16的方法，其中所述缓冲层的反应气体包括三甲基镓（TMGa）、三乙基镓（TEGa）、三甲基铝（TMAl）和三甲基铟（TMIn）中的至少一种。
18.权利要求17的方法，其中所述发光结构的反应气体包括二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。
19.权利要求13的方法，其中所述半导体发光器件是氮化镓基半导体发光器件。
20.权利要求13的方法，其中所述反应气体与含有氢气的载气一起喷射。
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