CN110459486A - 成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 Download PDF

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Abstract

提供了一种成膜装置、一种成膜方法和一种制造半导体器件的方法。所述成膜装置包括：内管，所述内管被配置为容纳工件并具有由所述内管的侧壁和所述内管的连接到所述侧壁的上壁限定的第一空间；流体连接到所述第一空间的排气管；限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔；限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔；围绕所述内管的外管；以及反应气体供应管，所述反应气体供应管流体连接到由所述内管和所述外管限定并形成在所述内管与所述外管之间的第二空间，其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。

Description

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年5月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0052462的优先权，该韩国申请的全部公开内容以引用的方式合并于本申请中。
技术领域
本公开涉及成膜装置、使用该成膜装置的成膜方法以及使用该成膜装置制造半导体器件的方法。
背景技术
成膜装置可以通过将反应气体引入到放置在成膜装置中的半导体晶片上来形成膜。为了在半导体晶片上形成膜，可以将反应气体引入成膜装置中。
对于具有竖直结构的成膜装置，对于成膜装置的不同位置，引入的反应气体的浓度可能不同。例如，反应气体的浓度在成膜装置的顶部处可能高，而其在成膜装置的底部处可能低。当这种情况发生时，晶片的厚度取决于其放置在成膜装置中的位置而可能不均一。
另外，当使用长喷嘴将反应气体引入成膜装置中时，如果长喷嘴堵塞，则可能会出现反应气体无法顺利流入成膜装置中的问题。
发明内容
本公开的各方面提供了使反应气体能够平稳地供应到成膜装置中的成膜装置、成膜方法和使用该成膜装置来制造半导体器件的方法。
本公开的各方面提供了可以在成膜装置的不同区域实现相对均匀的反应气体的浓度的成膜装置、成膜方法和使用该成膜装置制造半导体器件的方法。
根据本发明构思的一些实施例，提供了一种成膜装置，所述成膜装置包括：内管，所述内管被配置为容纳工件并具有由所述内管的侧壁和所述内管的连接到所述侧壁的上壁限定的第一空间；流体连接到所述第一空间的排气管；限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔；限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔；围绕所述内管的外管；以及反应气体供应管，所述反应气体供应管流体连接到由所述内管和所述外管限定并形成在所述内管与所述外管之间的第二空间，其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。
根据本发明构思的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备半导体晶片；以及通过使用成膜装置在所述半导体晶片上形成第一膜，其中，所述成膜装置包括：内管，所述内管被配置为容纳所述半导体晶片并具有由所述内管的侧壁和所述内管的连接到所述侧壁的上壁限定的第一空间；流体连接到所述第一空间的排气管；限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔；限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔；围绕所述内管的外管；以及反应气体供应管，所述反应气体供应管流体连接到由所述内管和所述外管限定并形成在所述内管与所述外管之间的第二空间，其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。
根据本发明构思的一些实施例，提供了一种成膜方法，所述成膜方法包括：将工件装载到由内管的侧壁和所述内管的从所述内管的所述侧壁向内延伸的上壁限定的第一空间中；通过流体连接到限定在所述内管与围绕所述内管的外管之间的第二空间的反应气体供应管来供应用于形成第一膜的反应气体，其中，所述反应气体通过限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔和限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔被引入到容纳所述工件的所述第一空间中；使用所述反应气体在所述工件上形成第一膜；以及通过流体连接到所述第一空间的排气管来排出所述第一空间中的所述反应气体，其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。
通过阅读下面的详细描述和权利要求，本公开的这些和其它方面、实施例及优点对于本领域普通技术人员来说将变得显而易见。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其他方面及特征将变得更加明显，其中：
图1是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜装置的横截面视图；
图2是沿图1的线A-A'截取的横截面视图；
图3是示出图1中的内管和侧壁孔的透视图；
图4是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜装置的内管和侧壁孔的透视图；
图5是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜装置的横截面视图；
图6是沿图5的线B-B'截取的横截面视图；
图7是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜方法的流程图；
图8和图9是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜方法的横截面视图；
图10是示出通过根据本公开的一些示例实施例的成膜方法实现的效果的曲线图；以及
图11是示出根据本公开的一些示例实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
具体实施方式
如本文所用，表述“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何以及所有组合。
以下，将参照图1至图3描述根据本公开的一些示例实施例的成膜装置。
图1是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜装置的横截面视图。图2是沿图1的线A-A'截取的横截面视图。图3是示出图1中的内管120和侧壁孔sh的透视图。
为了清楚起见，图2仅示出外管110和内管120。为了清楚起见，图3仅示出了内管120。
参照图1，根据本公开的一些示例实施例的成膜装置可以包括外管110、内管120、反应气体供应管131、喷嘴132、管支撑件100、加热器160和排气管135。
管支撑件100可包括第一支撑件101、第二支撑件102和第三支撑件103。第二支撑件102和第三支撑件103可以设置在第一支撑件101上。管支撑件100可以支撑外管110和内管120。
尽管管支撑件100示出为具有特定形状，但是本公开的技术思想不限于此。例如，支撑件的数量和管支撑件100的形状可以变化。例如，应当理解，支撑件的数量和管支撑件100的形状没有特别限制，只要其能够支撑内管120和外管110即可。
第一支撑件101还可以包括穿过第一支撑件101的密封构件。另外，还可以在密封构件中设置旋转轴。这将参照图8和图9来更详细地描述。
内管120可以设置在管支撑件100上并由管支撑件100支撑。内管120可包括侧壁120S和连接到侧壁120S或从侧壁120S向内延伸的上表面或上壁120U。内管120的侧壁120S和上表面120U可以限定或形成第一空间SP1。
例如，第一空间SP1可以是内管120的内部空间。第一空间SP1可以是例如工件容纳在内管120内部的空间。第一空间SP1可以经由例如排气管135连接(或流体连接)到成膜装置的外部。
内管120可包括第一顶孔或第一上孔th1和侧壁孔或侧孔sh。
参照图1、图2和图3，第一顶孔th1可以限定或形成在内管120的上表面120U中。第一顶孔th1可以穿透内管120的上表面120U的一部分。换言之，第一顶孔th1可以不完全打开内管120的上表面120U。第一顶孔th1的侧壁可以由内管120的上表面120U限定。第一顶孔th1可以将第一空间SP1与第二空间SP2连接(或流体连接)。
在一些示例实施例中，第一顶孔th1可以形成在内管120的上表面120U的中心。
侧壁孔sh可以限定或形成在内管120的侧壁120S中。侧壁孔sh可以穿透内管120的侧壁120S的一部分。换言之，侧壁孔sh可以不完全打开内管120的侧壁120S。侧壁孔sh可以将第一空间SP1与第二空间SP2连接(或流体连接)。
侧壁孔sh可以形成在例如内管120的侧壁120S的第一侧。内管120的侧壁120S的第一侧可以指邻近和/或面对排气管135的一侧，反应气体经由排气管135排出(排气)。内管120的侧壁120S的第二侧可以指与反应气体供应管131相邻和/或面对反应气体供应管131的一侧，经由反应气体供应管131供应反应气体(进气)。内管120的侧壁120S的第一侧可以比第二侧更靠近排气管135。例如，内管120的侧壁120S的第一侧和第二侧可以是相对侧。内管120的侧壁120S的第一侧和第二侧可以径向相对。
侧壁孔sh可以包括第一侧壁孔或第一侧孔sh1、第二侧壁孔或第二侧孔sh2和第三侧壁孔或第三侧孔sh3。第一侧壁孔sh1可以位于或定位成在竖直方向上高于第二侧壁孔sh2。第三侧壁孔sh3可以位于或定位成在竖直方向上高于第一侧壁孔sh1。
在一些示例实施例中，第一侧壁孔sh1、第二侧壁孔sh2和第三侧壁孔sh3可以在与内管120的上表面120U垂直的第一方向D1上彼此对准。例如，第一方向D1可以垂直于与内管120的上表面120U平行的第一平行线PL1。第一方向D1可以是竖直的。
尽管外管110和内管120在图2和图3中显示为圆柱形，但是本公开的技术思想不限于此。例如，应当理解，外管110和内管120中的每一个可以具有适合于成膜装置的任何形状。
尽管第一顶孔th1和侧壁孔sh在图2和图3中显示为圆形，但是本公开的技术思想不限于此。例如，第一顶孔th1和侧壁孔sh中的每一个可以具有任何形状，只要它们能够将第一空间SP1与第二空间SP2连接(或流体连接)。
返回参照图1，排气管135可以设置在例如第一支撑件101与第三支撑件103之间。然而，本公开的技术思想不限于此。例如，排气管135可以设置在其可以将第一空间SP1与成膜装置的外部进行连接(或流体连接)的位置处。
另外，尽管排气管135在附图中显示为具有特定形状，但是本公开的技术思想不限于此。例如，应当理解，排气管135可以具有任何形状，只要其可以将第一空间SP1与成膜装置的外部进行连接(或流体连接)。
当反应气体被供应到成膜装置中时(进气)，排气管135可以将供应到第一空间SP1中的反应气体排放到成膜装置的外部(排气)。
外管110可以设置在管支撑件100上并由管支撑件100支撑。外管110可以包围和/或围绕内管120。换言之，内管120可以设置在外管110内。
当内管120设置在外管110内时，内管120和外管110可以限定或形成第二空间SP2。第二空间SP2可以是内管120与外管110之间的空间。
第二空间SP2可以不直接连接(或直接流体连接)到排气管135。例如，第二空间SP2可以通过第一空间SP1和排气管135连接(或流体连接)到成膜装置的外部。第二空间SP2可以例如通过第一顶孔th1和侧壁孔sh连接(或流体连接)到第一空间SP1。
例如，可以通过反应气体供应管131将反应气体供应到第二空间SP2中(进气)。
反应气体供应管131可以设置在例如外管110与第二支撑件102之间。然而，本公开的技术思想不限于此。反应气体供给管131可以设置在例如其能够将反应气体引入到第二空间SP2中(进气)的位置。
另外，尽管反应气体供应管131在附图中显示为具有特定形状，但是本公开的技术思想不限于此。例如，反应气体供应管131可以为任何形状，只要其可以将反应气体引入到第二空间SP2中(进气)。
反应气体供给管131可以连接到第二空间SP2。当反应气体被供应到成膜装置中(进气)时，反应气体供应管131可以将反应气体引入到第二空间SP2中(进气)。
反应气体供应管131可以设置为在竖直方向上高于排气管135。例如，反应气体供应管131可以位于或定位在第一高度H1处(例如，反应气体供应管131的中心可以定位在第一高度H1处)。另外，排气管135可以位于或定位在第二高度H2处(例如，排气管的中心可以定位在第二高度H2处)。第一高度H1可以大于第二高度H2。
第一高度H1可以指从成膜装置的底部到反应气体供应管131的特定位置的距离。反应气体供给管131的特定位置例如可以指用于将反应气体引入到第二空间SP2中(进气)的喷嘴132要插入的位置。
第二高度H2可以指从成膜装置的底部到排气管135的特定位置的距离。例如，排气管135的特定位置可以指形成用于排气管135的孔的位置，第一空间SP1中的反应气体通过该孔排出到成膜装置的外部。
由于反应气体供给管131设置为高于排气管135，因此在将反应气体供应到成膜装置中(进气)的后续过程中，反应气体可以平稳地从第二空间SP2引入到第一空间SP1中(进气)。随着反应气体从第二空间SP2引入到第一空间SP1中(进气)，反应气体可以在内管120的不同位置具有相对均匀的浓度。
喷嘴132可以插入到反应气体供应管131中。喷嘴132可以设置成面向第二空间SP2。例如，喷嘴132可以不沿着内管120的侧壁120S或邻近内管120的侧壁120S竖直地延伸。
当反应气体被供应到成膜装置中(进气)时，反应气体可以沿着和/或通过插入到反应气体供应管131中的喷嘴132被(例如水平地)引入到第二空间SP2中(进气)。
加热器160可以设置在外管110的侧壁附近。加热器160可以加热内管120的第一空间SP1。当反应气体被供应到成膜装置中(进气)时，加热器160可以激活引入的反应气体。当工件被放置在第一空间SP1中时，加热器160可以加热工件。
以下，将参照图4描述根据本公开的一些示例实施例的成膜装置。为了简洁和清楚起见，可以省略任何多余的描述。
图4是示出图1所示的装置的右侧表面的视图，以用于示出根据本公开的一些示例实施例的成膜装置的内管120和侧壁孔sh。为了清楚起见，图4仅示出了内管120。图4所示的内管120可以用来代替图1所示的内管120。
参照图4，第一侧壁孔sh1和第二侧壁孔sh2可以在第二方向D2上对齐。
第二方向D2可与内管120的上表面120U限定或形成第一角度θ1。换言之，例如，第二方向D2可以相对于第二平行线PL2具有第一角度θ1。第二平行线PL2可以平行于内管120的上表面120U。例如，相对于第二平行线PL2，第一角度θ1可以是锐角，而不是直角。第二平行线PL2可以是水平的。
第一侧壁孔sh1和第三侧壁孔sh3可以在第三方向D3上对齐。第三方向D3可与内管120的上表面120U限定或形成第二角度θ2。换言之，例如，第三方向D3可以相对于第二平行线PL2具有第二角度θ2。例如，相对于第二平行线PL2，第二角度θ2可以是锐角，而不是直角。
第二方向D2和第三方向D3可以彼此相同或者可以彼此相交。
在下文中，将参照图5和图6描述根据本公开的一些示例实施例的成膜装置。为了简洁和清楚起见，可以省略任何多余的描述。
图5是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜装置的横截面视图。图6是沿图5的线B-B'截取的横截面视图。为了清楚起见，图6仅示出外管110和内管120。
参照图5和图6，内管120的上表面或上壁120U可包括第一顶孔或第一上孔th1和第二顶孔或第二上孔th2。
第二顶孔th2可以限定或形成在内管120的上表面120U中，以使得它们与第一顶孔th1间隔开。第二顶孔th2可以穿透内管120的上表面120U的一部分。第一顶孔th1和第二顶孔th2可以将第一空间SP1与第二空间SP2连接(或流体连接)。
在一些示例实施例中，可以提供多于一个的第二顶孔th2。多个第二顶孔th2可以例如围绕第一顶孔th1布置。多个第二顶孔th2可以彼此间隔开。
尽管第一顶孔th1和第二顶孔th2显示为具有不同的直径或尺寸，但是本公开的技术思想不限于此。例如，第一顶孔th1和第二顶孔th2可以具有相同的直径或尺寸。或者，第二顶孔th2的直径或尺寸可以大于第一顶孔th1的尺寸。
另外，尽管在附图中示出了六个第二顶孔th2，但是本公开的技术思想不限于此。例如，应当理解，第二顶孔th2的数量可以根据需要而变化。
另外，尽管在附图中第二顶孔th2被示出为围绕第一顶孔th1布置，但是本公开的技术思想不限于此。例如，第一顶孔th1和第二顶孔th2可以布置在内管120的上表面120U上的任何位置，只要它们能够将第一空间SP1与第二空间SP2连接(或流体连接)。
在下文中，将参照图7至图10描述根据本公开的一些示例实施例的成膜方法。为了简洁和清楚起见，可以省略任何多余的描述。
图7是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜方法的流程图。图8和图9是示出根据本公开的一些示例实施例的成膜方法的横截面视图。图10是示出通过根据本公开的一些示例实施例的成膜方法实现的效果的曲线图。
在图7的步骤S101中，可以将工件容纳在内管的第一空间中。
参照图8和图9，工件W可以容纳在第一空间SP1中。工件W可以容纳在舟皿151中并且位于第一空间SP1中。工件W可由舟皿151的柱152支撑。工件W可以是例如半导体晶片或多个半导体晶片。
舟皿151可以由例如舟皿支撑件143和144支撑。舟皿151可以设置在舟皿支撑件143和144上。
舟皿支撑件143和144可以设置在穿过第一支撑件101的旋转轴141上。舟皿支撑件143和144可以由旋转轴141支撑。例如，密封构件142可以设置在旋转轴141穿过的第一支撑件101的部分上。旋转轴141可以在密封第一空间SP1的同时旋转。旋转轴141可以设置在连接到提升机构的臂140上。
例如，舟皿151和第一支撑件101可以通过提升机构上下移动，并且可以插入内管120中和从内管120移除。
在图7的步骤S103中，可以通过顶孔和侧壁孔将反应气体引入到第一空间中。
参照图8，可以通过喷嘴132和反应气体供应管131将反应气体GF引入到第二空间SP2中。引入到第二空间SP2中的反应气体GF可以通过第一顶孔th1、第一侧壁孔sh1、第二侧壁孔sh2和第三侧壁孔sh3流入到第一空间SP1中。
如图9所示，当内管120还包括第二顶孔th2时，反应气体GF通过第一顶孔th1、第二顶孔th2、第一侧壁孔sh1、第二侧壁孔sh2和第三侧壁孔sh3流入到第一空间SP1中。
由于反应气体GF通过顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)、第一侧壁孔sh1、第二侧壁孔sh2和第三侧壁孔sh3被引入到第一空间SP1中，因此反应气体GF可以相对均匀地被供应到第一空间SP1中。
反应气体GF可用于在工件W上形成第一膜。
在图7的步骤S105中，可以通过使用反应气体在工件上形成第一膜。
参照图8和图9，通过顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)和侧壁孔sh引入到第一空间SP1中的反应气体可以在工件W上形成第一膜。
在该示例中，由于第一高度H1大于第二高度H2，所以反应气体可以从第二空间SP2通过顶孔(第一顶孔th1和/或第二孔th2)供应到第一空间SP1中，而不使用长喷嘴。
由于内管120的上表面120U既不完全闭合也不完全打开，因此反应气体GF可以在内管120的上部U、中上部CU、中部C、中下部CL和下部L处具有合适的浓度。
例如，参照图10，第一曲线G1、第二曲线G2和第三曲线G3表示当反应气体GF被引入到第一空间SP1中时反应气体GF在内管120的不同部分中的浓度。
图10所示的曲线图的x轴可以表示内管120的上部U、中上部CU、中部C、中下部CL和下部L。图10所示的曲线图的y轴可以表示任意单位(Au)的反应气体GF的浓度。
第一曲线G1表示当内管120的上表面120U完全打开时内管120的上部U、中上部CU、中部C、中下部CL和下部L处的反应气体GF的浓度。第二曲线G2表示当顶孔(第一顶孔和/或第二顶孔)形成在内管120的上表面120U中时内管120(类似于根据本公开的示例实施例的内管120)的上部U、中上部CU、中部C、中下部CL和下部L处的反应气体GF的浓度。第三曲线G3表示当内管120的上表面120U中没有孔时内管120的上部U、中上部CU、中部C、中下部CL和下部L处的反应气体GF的浓度。
比较第一曲线G1和第二曲线G2，在内管120的上部U处，第二曲线G2的反应气体的浓度高于第一曲线G1的反应气体的浓度。换言之，与当内管120的上表面120U完全打开时相比，当在内管120中存在顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)时，内管120的上部U处的反应气体的浓度可以更高。
另外，在内管120的下部L处，第二曲线G2的反应气体的浓度高于第一曲线G1的反应气体的浓度。换言之，与当内管120的上表面120U完全打开时相比，当在内管120中存在顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)时，内管120的下部L处的反应气体的浓度可以更高。
因此，与当内管120的上表面120U完全打开时相比，当在内管120中存在顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)时，内管120的上部U和下部L处的反应气体的浓度可以增加。换言之，与当内管120的上表面120U完全打开时相比，当在内管120中存在顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)时，可以将更多的反应气体引入到第一空间SP1中。
比较第二曲线G2和第三曲线G3，反应气体的浓度在内管120的中部C、中低部CL和下部L处相近。然而，在内管120的上部U和中上部CU处，第三曲线G3的反应气体的浓度高于第二曲线G2的反应气体的浓度。
例如，第三曲线G3的内管120的上部U处的反应气体的浓度与中部C处的反应气体的浓度之间的差大于第二曲线G2的内管120的上部U处的反应气体的浓度与中部C处的反应气体的浓度之间的差。
换言之，当在内管120的上表面或壁120U中没有孔时，引入到内管120中的反应气体可能积聚在内管120的上部U处。另一方面，通过在内管120中形成顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)，可以消除引入到第一空间SP1中的反应气体积聚在内管的上部U处的现象。
另外，通过在内管120中形成顶孔(第一顶孔th1和/或第二顶孔th2)，与当内管120的上表面120U完全打开时或者当在内管120的上表面120U中没有孔时相比，内管120的不同部分处的反应气体的浓度可以是均匀的。
返回参照图7，在步骤S106中，可以通过排气管排出第一空间中的反应气体。
参照图8和图9，在工件W上形成第一膜之后，可以通过排气管135将反应气体GF排放到成膜装置的外部。
以下，将参照图11描述根据本公开的一些示例实施例的制造半导体器件的方法。为了简洁和清楚起见，可以省略任何多余的描述。
图11是示出根据本公开的一些示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
在步骤S201中，可以准备半导体晶片。
可以将半导体晶片(图8中的工件W)提供到成膜装置的内管的第一空间(图8中的第一空间SP1)中。
在步骤S203中，可以使用根据本公开的示例实施例的成膜装置在半导体晶片上形成第一膜。
形成第一膜的方法可以包括图7的步骤S101、S103、S105和S106。
虽然已经参照本发明构思的示例实施例具体示出和描述了本发明构思，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。因此，本实施例期望在所有方面都被认为是说明性的而非限制性的，参考所附权利要求而不是前面的描述来表示本发明构思的范围。

Claims (20)

1.一种成膜装置，所述成膜装置包括：
内管，所述内管被配置为容纳工件并具有由所述内管的侧壁和所述内管的连接到所述侧壁的上壁限定的第一空间；
流体连接到所述第一空间的排气管；
限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔；
限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔；
围绕所述内管的外管；以及
反应气体供应管，所述反应气体供应管流体连接到由所述内管和所述外管限定并形成在所述内管与所述外管之间的第二空间，
其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述至少一个顶孔包括设置在所述内管的所述上壁的中心处的第一顶孔。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，所述至少一个顶孔还包括多个第二顶孔，所述多个第二顶孔与所述第一顶孔间隔开，并且限定在所述内管的所述上壁中并且设置为围绕所述第一顶孔。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述至少一个顶孔将所述第一空间与所述第二空间流体连接。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述至少一个侧孔位于所述内管的所述侧壁的第一侧，
其中，所述内管的所述侧壁的所述第一侧与所述内管的所述侧壁的与所述反应气体供应管相邻或面对的第二侧相对。
6.根据权利要求1所述的成膜装置，所述成膜装置还包括：
喷嘴，所述喷嘴位于所述反应气体供应管中并面向所述第二空间，其中，所述喷嘴不沿着所述内管的所述侧壁延伸。
7.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述至少一个侧孔包括第一侧孔、第二侧孔和第三侧孔，
其中，所述第一侧孔定位为在竖直方向上高于所述第二侧孔，所述第三侧孔定位为在竖直方向上高于所述第一侧孔。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其中，所述第一侧孔、所述第二侧孔和所述第三侧孔在垂直于所述内管的所述上壁的方向上对齐。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，其中，所述第一侧孔和所述第二侧孔在与所述内管的所述上壁形成非直角的第一角度的第一方向上对齐，
其中，所述第一侧孔和所述第三侧孔在与所述内管的所述上壁形成非直角的第二角度的第二方向上对齐。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
准备半导体晶片；以及
通过使用成膜装置在所述半导体晶片上形成第一膜，
其中，所述成膜装置包括：
内管，所述内管被配置为容纳所述半导体晶片并具有由所述内管的侧壁和所述内管的连接到所述侧壁的上壁限定的第一空间；
流体连接到所述第一空间的排气管；
限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔；
限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔；
围绕所述内管的外管；以及
反应气体供应管，所述反应气体供应管流体连接到由所述内管和所述外管限定并形成在所述内管与所述外管之间的第二空间，其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，使用所述成膜装置在所述半导体晶片上形成所述第一膜包括：
将所述半导体晶片放置在所述第一空间中；
通过所述反应气体供应管将用于形成所述第一膜的反应气体供应到所述第二空间中，其中，所述反应气体通过所述至少一个顶孔和所述至少一个侧孔被引入到所述第一空间中；
使用所述反应气体在所述半导体晶片上形成所述第一膜；以及
通过所述排气管排出所述第一空间中的所述反应气体。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述至少一个侧孔位于所述内管的所述侧壁的第一侧，
其中，所述内管的所述侧壁的所述第一侧与所述内管的所述侧壁的与所述反应气体供应管相邻和/或面对的第二侧相对。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述至少一个顶孔包括设置在所述内管的所述上壁的中心处的第一顶孔。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述至少一个顶孔还包括多个第二顶孔，所述多个第二顶孔与所述第一顶孔间隔开，限定在所述内管的所述上壁中并且设置为围绕所述第一顶孔。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述成膜装置还包括：
在所述反应气体供应管中并面向所述第二空间的喷嘴，
其中，所述喷嘴不沿着所述内管的所述侧壁延伸。
16.一种成膜方法，所述成膜方法包括：
将工件装载到由内管的侧壁和所述内管的从所述内管的所述侧壁向内延伸的上壁限定的第一空间中；
通过流体连接到限定在所述内管与围绕所述内管的外管之间的第二空间的反应气体供应管来供应用于形成第一膜的反应气体，其中，所述反应气体通过限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔和限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔被引入到容纳所述工件的所述第一空间中；
使用所述反应气体在所述工件上形成第一膜；以及
通过流体连接到所述第一空间的排气管来排出所述第一空间中的所述反应气体，其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。
17.根据权利要求16所述的成膜方法，其中，所述至少一个顶孔包括设置在所述内管的所述上壁的中心处的第一顶孔。
18.根据权利要求17所述的成膜方法，其中，所述至少一个顶孔还包括多个第二顶孔，所述多个第二顶孔与所述第一顶孔间隔开，限定在所述内管的所述上壁中并且设置为围绕所述第一顶孔。
19.根据权利要求16所述的成膜方法，其中，所述至少一个侧孔位于所述内管的所述侧壁的第一侧，
其中，所述内管的所述侧壁的所述第一侧与所述内管的所述侧壁的与所述反应气体供应管相邻和/或面对的第二侧相对。
20.根据权利要求16所述的成膜方法，其中，供应所述反应气体包括：
通过插入到所述反应气体供应管中并面向所述第二空间的喷嘴来水平地供应所述反应气体，
其中，所述喷嘴不沿着所述内管的所述侧壁竖直延伸。
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