CN102855888A - 磁记录介质用玻璃基板及使用该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种磁记录介质用玻璃基板及使用该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质，对于磁记录介质用玻璃基板的记录重放区域的整个面，微小波纹度的变化量在规定的范围内。该磁记录介质用玻璃基板具有一对主平面、外周端面和内周端面，其特征在于，对于至少一侧的主平面，在格子状的各评价区域测定微小波纹度（nWq）时，一个评价区域和与其相邻的评价区域之间的微小波纹度的变化量的绝对值（ΔnWq）相对于所述一个评价区域的微小波纹度的比率为10％以下，在所述格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的平均值为0.080nm以下，其中，所述格子状的各评价区域是在包含制成磁盘时成为记录重放区域的区域的整个面的主平面的整个面上设定的。

Description

磁记录介质用玻璃基板及使用该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质

技术领域

本发明涉及磁记录介质用玻璃基板及使用该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质。

背景技术

作为磁盘记录装置等所使用的磁记录介质用基板，目前一直使用铝合金基板。但是，近年来，随着高记录密度化的要求，比铝合金基板硬、平坦性及平滑性优异的玻璃基板逐渐成为主流。

而且，近年来，随着磁盘（下面也称为磁记录介质。）的高记录密度化，磁信号被微细地记录于磁盘上，随之信号逐渐变得微弱。为了该微弱的信号的读取及记录，要求使磁盘和磁头的距离尽可能接近。

为了减小以高速旋转的磁盘和磁头之间的距离、即磁头的浮起量，需要将磁盘的基板即磁记录介质用玻璃基板的表面设为微小波纹度小的平坦的表面，以使磁盘和磁头不接触。

迄今为止，如例如专利文献1中所记载，利用激光多普勒仪或振动计等对磁记录介质用玻璃基板的表面的任意选择的一部分区域进行微小波纹度的评价。

专利文献1：国际公开第2009／084534号

但是，利用现有的评价方法得到的磁记录介质用玻璃基板中，虽然在测定了的区域确保一定的平面度，但在除此以外的区域，有时局部地具有微小波纹度大的部分或凹凸。

例如，当局部地存在微小波纹度大的部分时，在作为磁盘使用时，磁头和磁盘之间的距离因部位不同而大幅变动，磁噪声增加。因此，具有记录的读写精度、记录密度降低的问题。另外，由于磁盘和磁头可能接触，因此，还具有难以减小两者之间的距离的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术具有的问题而创立的，其目的在于，提供一种对于磁记录介质用玻璃基板的记录重放区域的整个面微小波纹度的变化量在规定的范围内的磁记录介质用玻璃基板。

为了解决上述课题，本发明提供一种磁记录介质用玻璃基板，具有一对主平面、外周端面和内周端面，其特征在于，对于至少一侧的主平面，在格子状的各评价区域测定微小波纹度（nWq）时，一个评价区域和与该一个评价区域相邻的评价区域之间的微小波纹度的变化量的绝对值（ΔnWq）相对于所述一个评价区域的微小波纹度的比率（变化率）为10％以下，在所述格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的平均值为0.080nm以下，其中，所述格子状的各评价区域是在包含制成磁盘时成为记录重放区域的区域的整个面的主平面的整个面上设定的。

发明效果

根据本发明的磁记录介质用玻璃基板，至少一侧的主平面的整个面上微小波纹度（均方根波纹度）的变化量在规定的范围内，因此，在制成磁盘的情况下，能够减小磁盘和磁头之间的距离。另外，由于磁盘和磁头之间的距离稳定，因此，与现有技术相比，可提高记录的读写精度、记录密度。

附图说明

图1是本发明第一实施方式的磁记录介质用玻璃基板及其评价区域的说明图。

具体实施方式

下面，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明，但本发明不限于下述的实施方式，不脱离本发明的范围而可以在下述实施方式中加入各种变形及置换。

[第一实施方式]

在本实施方式中，对本发明的磁记录介质用玻璃基板进行说明。

首先，本发明的磁记录介质用玻璃基板具有一对主平面、外周端面和内周端面。而且，其特征在于，对于磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面的包含制成磁盘时成为记录重放区域的区域的整个面的整个面，测定以格子状设定的各评价区域的微小波纹度（nWq）时，一个评价区域和与该一个评价区域相邻的评价区域之间的微小波纹度的变化量的绝对值（ΔnWq）相对于上述一个评价区域的微小波纹度的比率（下面，也称为微小波纹度的变化率）为10％以下。

可认为，磁头的浮起高度的变动因磁盘表面、即磁记录介质用玻璃基板的主平面的局部的微小波纹度的急剧变化而产生。

如上所述，目前，例如利用在主平面的任意两个部位的区域测定的波纹度的值进行评价，但在该方法中不能评价主平面的局部性的微小波纹度的急剧变化。

关于此，例如，即使在两个部位的区域上的测定值存在较大的差时，在磁盘整个面上波纹度缓慢变化的情况下，也不会产生磁头的浮起高度的急剧变动。另外，即使两个部位的区域上的测定值的差较小时，在该区域以外存在局部地微小波纹度较大变化的部分的情况下，也会产生磁头的浮起高度的急剧变动。

这样，在现有的评价方法中，不能正确地评价对磁头的浮起高度的变动造成的影响，不能充分实现磁盘的高记录密度化。

与此相对，本发明中，在设定于主平面的整个面上的格子状的各评价区域测定微小波纹度（nWq），并将与相邻的评价区域之间的差设定在规定范围内。因此，可提供一种磁记录介质用玻璃基板，其不会产生可能对磁头的浮起高度的变动带来影响的局部的微小波纹度的急剧变化。

使用图1对具体的评价方法进行说明。

如图1（A）所示，磁记录介质用玻璃基板具有在中心部具有圆孔的圆盘形状。而且，本发明中，磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面整个面是指包含制成磁盘时成为记录重放区域的区域的整个面的主平面。本发明中，在磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面上，对包含制成磁盘时成为记录重放区域的区域的整个面的主平面，在每个设定成格子状的评价区域测定微小波纹度（nWq）。

对于微小波纹度的测定单元没有限定，只要可测定每个设定成格子状的评价区域的微小波纹度即可。例如可利用扫描型干涉显微镜等进行测定。

设定成格子状的评价区域的尺寸没有特别限定，例如可将一个评价区域的尺寸设定为100μm见方、50μm见方、40μm见方、30μm见方、20μm见方等希望的尺寸或形状。

优选设定成格子状的评价区域的尺寸比磁头的尺寸小，作为评价区域的大小优选为100μm见方～20μm见方，更优选为100μm见方～30μm见方，特别优选为80μm见方～30μm见方。

在此，对评价区域进行说明。图1（A）、（B）示意性地表示各评价区域。另外，图中表示了线，但这是表示用于说明评价区域的格子，实际上不是在玻璃基板上画线。

图1（B）是为了说明评价区域而将图1（A）的局部放大的图。图1（B）所示的正方形的各格子表示评价区域，例如将A～F都设定为30μm。

在此，记载为（a）～（e）的各格子是指评价区域，例如对于评价区域（a）相邻的评价区域是指与评价区域（a）共有边的评价区域（b）～（e）。

而且，本发明的磁记录介质用玻璃基板中，相对于主平面整体的各评价区域的、与各自相邻的评价区域之间的微小波纹度的变化量的绝对值的变化率为10％以下。

以图1的评价区域（a）为例子对其进行说明时，以评价区域（a）的微小波纹度为基准，与评价区域（a）相邻的评价区域（b）～（e）各自的微小波纹度的变化率为10％以下，对于磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面的全部评价区域可以说是一样的。

例如在将评价区域（a）的微小波纹度设为nWq（a），将与评价区域（a）相邻的评价区域（b）的微小波纹度设为nWq（b）的情况下，可通过100×|nWq（a）－nWq（b）|／nWq（a）来计算微小波纹度的变化率。

另外，主平面在磁记录介质用玻璃基板的上下存在两个面，但在制成磁盘时成为记录重放区域的主平面为任一侧的情况均存在，因此，虽然至少某一侧的主平面需要满足上述必要条件，但更优选两主平面都满足。这对于后述的微小波纹度（nWq）的平均值、标准偏差也是一样的。

由于满足上述规定，从而本发明的磁记录介质用玻璃基板能够形成为微小波纹度在规定的范围内的玻璃基板，即能够形成为在主平面的整个面上没有局部地微小波纹度高的部分的玻璃基板。因此，在本发明的磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等而制成磁盘时，磁头和磁记录介质之间的距离稳定，能够抑制磁噪声的产生。另外，能够提高记录的读写精度、记录密度。

微小波纹度的变化率更优选为7％以下，进一步优选为5％以下，特别优选为3％以下。

而且，在磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面的整个面上设定的上述格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的平均值为0.080nm以下。另外，本发明中，平均值是指算术平均值。

这是由于，磁记录介质用玻璃基板的主平面的微小波纹度的平均值满足上述范围，由此，在本发明的玻璃基板形成磁性层等而制成磁盘的情况下，可缩小磁头和磁盘之间的距离，故而优选。另外，由于磁头和磁盘之间的距离稳定，因此能够抑制磁噪声的产生，能够提高记录的读写精度、记录密度。

在磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面的整个面上设定的格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的平均值为0.080nm以下，更优选为0.055nm以下，特别优选为0.045nm以下。

而且，优选在磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面的整个面上设定的上述格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的标准偏差为0.0060nm以下。

由于对于磁记录介质用玻璃基板的至少一侧的主平面整个面、即至少记录重放区域的整个面测定的各评价区域上的微小波纹度的标准偏差满足上述范围，玻璃基板的主平面整个面上的微小波纹度的偏差小。即，不存在局部地微小波纹度的值高的区域，因此，在本发明的磁记录介质用玻璃基板形成磁性层等而制成磁盘的情况下，能够减小磁头和磁盘之间的距离，故而优选。另外，由于磁头和磁盘之间的距离稳定，所以，能够抑制磁噪声的产生，可提高记录的读写精度、记录密度。

在此，对磁记录介质用玻璃基板的制造方法进行说明。

磁记录介质用玻璃基板可通过包含下面的工序1～4的制造方法制造。

（工序1）形状赋予工序，由玻璃素基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板后，对内周端面和外周端面进行倒角加工。

（工序2）端面研磨工序，研磨玻璃基板的端面（内周端面及外周端面）。

（工序3）主平面研磨工序，研磨上述玻璃基板的主平面。

（工序4）清洗工序，精密清洗上述玻璃基板并干燥。

而且，还进行在通过包含上述各工序的制造方法得到的磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等薄膜的工序，由此，能够制成磁记录介质。

在此，（工序1）的形状赋予工序将通过浮法、溶化法、冲压成形法、下拉法或再拉法成形的玻璃素基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板。另外，使用的玻璃素基板可以是非晶玻璃，也可以是结晶玻璃，还可以是在玻璃基板的表层具有强化层的钢化玻璃。

而且，（工序2）的端面研磨工序对玻璃基板的端面（侧面部和倒角部）进行端面研磨。

关于（工序3）的主平面研磨工序，使用双面研磨装置向玻璃基板的主平面供给研磨液并同时研磨玻璃基板的上下主平面。研磨工序可以只进行一次研磨，也可以进行一次研磨和两次研磨，还可以在两次研磨后进行三次研磨。

而且，作为精研磨所使用的研磨垫，优选使用出现在研磨面的气孔的开口径的平均值不足12μm、标准偏差不足3μm的软聚氨酯制研磨垫。

通过使用上述的研磨垫，能够抑制玻璃基板表面的微小波纹度的偏差。

另外，精研磨是指主平面研磨工序的最后的研磨工序。具体而言，在将主平面研磨工序进行直至三次研磨的情况下三次研磨成为精研磨，在只进行一次研磨的情况下，一次研磨成为精研磨。

也可以在上述（工序3）的主平面研磨工序前实施主平面的磨削（例如，游离磨粒磨削、固定磨粒磨削等）。另外，也可以在各工序间实施玻璃基板的清洗（工序间清洗）、玻璃基板表面的蚀刻（工序间蚀刻）。另外，主平面的磨削是指广义的主平面的研磨。

而且，对磁记录介质用玻璃基板要求较高的机械强度时，可以在研磨工序前、或研磨工序后、或研磨工序之间实施在玻璃基板的表层形成强化层的强化工序（例如，化学强化工序）。

[第二实施方式]

在本实施方式中，对使用在第一实施方式中说明的磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质（磁盘）进行说明。

如果本发明的磁记录介质使用在第一实施方式中说明的磁记录介质用玻璃基板，则对其构成没有限定，例如列举在其表面具备磁性层、保护层、润滑层的构成。

磁记录介质中有水平磁性记录方式、垂直磁性记录方式，在此，以垂直磁性记录方式为例对具体的制造方法进行如下说明。

磁记录介质至少在其表面具备磁性层、保护层、润滑膜。而且，在垂直磁性记录方式的情况下，通常配置软磁性基底层，该软磁性基底层由起到使来自磁头的记录磁场环流的作用的软磁性材料构成。因此，从玻璃基板表面依次以例如软磁性基底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层、保护层、润滑膜的方式层叠。

下面，对各层进行说明。

作为软磁性基底层，例如可使用CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoFeB、CoZrN等。

而且，非磁性中间层由Ru、Ru合金等构成。该非磁性中间层具有用于使垂直记录用磁性层的外延成长容易的功能及切断软磁性基底层和记录用磁性层之间的磁交换耦合的功能。

垂直记录用磁性层是易磁化轴相对于基板面朝向垂直方向的磁性膜，至少包含Co、Pt。而且，为了降低成为较高的固有介质噪声的原因的晶间交换耦合，可以形成为良好地隔离的微粒子结构（颗粒结构）。具体而言，可以使用在CoPt系合金等中添加了氧化物（SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃、TiO₂等）、Cr、B、Cu、Ta、Zr等得到的磁性层。

至此说明的软磁性基底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层可通过连续溅射法、DC磁控管溅射法等连续性地制造。

接着，保护层是为了防止垂直记录用磁性层的腐蚀、且即使在磁头与介质接触的情况下也防止介质表面的损伤而设置的，其设于垂直记录用磁性层的上方。作为保护层，可使用包含C、ZrO₂、SiO₂等的材料。

作为其形成方法，可使用例如直接溅射法、CVD法、旋涂法等。

为了降低磁头和记录介质（磁盘）的摩擦，而在保护层的表面形成润滑层。润滑层能够使用例如全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸酯等。对于润滑层，可通过浸渍法、喷雾法等形成。

制作的磁记录介质的评价通过滑行高度测试、认证测试（MP评价）进行。

滑行高度测试是评价磁记录介质的主平面的异常突起的测试。

在此，对进行滑行高度测试（滑行高度突增试验）的装置进行说明，其具备：心轴，使磁盘旋转；滑行块，位于上述磁盘上且通过上述磁盘的旋转而浮起。还使用如下的装置进行，其包括：AE传感器，检测在上述滑行块与上述磁盘上的微小突起接触时产生的弹性波；接触检测部，检测通过该AE传感器的滤波器的输出是否为一定的值以上。

使磁盘旋转，而使上述滑行块浮起。而且，使上述滑行块在上述磁盘上的记录区域整个面移动，用AE传感器检测与上述磁盘上的微小突起接触时产生的弹性波。

使上述磁盘以一定的转速旋转之后，逐渐使上述磁盘的转速降低，使上述滑行块的浮起高度减少。而且，将通过上述AE传感器的滤波器的输出为一定的值以上时（例如，滑行块的浮起高度的微小突起位于磁记录介质上，滑行块与微小突起碰撞时等）的滑行块的浮起高度设为滑行高度。

另外，滑行块的浮起高度根据磁盘的转速计算。

认证测试是评价磁盘的磁性记录膜等缺陷（信号质量）的测试。使用在磁头滑块设有认证测试用磁头的测试头，再现磁盘装置的磁头和磁盘的关系，对磁盘的每个轨道进行信号的写入、重放、消除、再次重放等并进行评价。具体而言，对有无MP（Missing Pulse）错误进行评价。

在此，MP错误是指在因磁记录介质的膜内部的异物、记录膜的缺损、主平面的微小波纹度（大小、面内的均匀性）等原因而磁头的浮起高度及浮起姿态变得不稳定等情况下，在轨道的一部分产生相对于测试头的平均重放电压不足一定的限制电平的重放信号的情况。MP错误导致不能进行磁盘的适当的信号处理。

后述的本发明的实施例中，将未产生MP错误的磁记录介质设为A判定（合格品），求得评价100张磁记录介质时的A判定率（检查合格率）并进行评价。

本发明的磁记录介质优选通过滑行高度测试测定的滑行高度为2.5nm以下，更优选为2.0nm以下，特别优选为1.8nm以下。

而且，通过认证测试，优选MP评价的A判定率为50％以上，更优选为55％以上。

按照以上说明的步骤使用本发明的磁记录介质用玻璃基板制作的磁记录介质（磁盘），玻璃基板的主平面的整个面的微小波纹度处于规定的范围内，因此，与现有技术相比，能够减小磁盘和磁头之间的距离。另外，由于磁盘和磁头之间的距离稳定，因此，能够抑制磁噪声的产生，与现有技术相比，能够提高记录的读写精度、记录密度。

[实施例]

下面，列举具体的实施例进行说明，但本发明不限定于这些实施例。

首先，对下面的实施例、比较例中的磁记录介质用玻璃基板的评价方法及在玻璃基板表面形成有磁性层等薄膜的磁记录介质的评价方法进行说明。

（1）微小波纹度（nWq）

微小波纹度（均方根波纹度）使用扫描型干涉显微镜（Zygo公司制、ZeMapper）进行测定。微小波纹度的测定区域设为主平面的整个面以包含磁记录介质用玻璃基板的记录重放区域。对将磁记录介质用玻璃基板的一侧的主平面分割成30μm见方的格子状的各评价区域分别实施测定。从通过测定得到的波纹度信息过滤0.2μm～1.8μm的波长成分以外的波长成分，得到具有0.2μm～1.8μm的周期（波长）的微小波纹度。

另外，在本实施例中，认为随着磁头的尺寸微小化，比主平面的微小波纹度小的周期的波纹度成分对MP错误的产生造成影响，如上所述，评价了具有0.2μm～1.8μm的周期的微小波纹度。

另外，在将例如图1的评价区域（a）的微小波纹度设为nWq（a）、将与其相邻的评价区域（b）的微小波纹度设为nWq（b）的情况下，相邻的评价区域的微小波纹度的变化率通过下面的公式计算。

（微小波纹度的变化率）＝100×|nWq（a）－nWq（b）|／nWq（a）

（2）滑行高度测试

将磁记录介质置于滑行高度测试试验装置中，使磁记录介质以一定的转速旋转，之后，使磁记录介质的转速逐渐降低，使滑行块的浮起高度降低。将AE传感器的输出为一定的值以上时的滑行块高度设为滑行高度。

（3）认证测试

在本实施例中，对100张磁记录介质实施MP（Missing Pulse）错误的评价。将MP错误的产生数为0的磁记录介质设为A判定，对A判定的磁记录介质的张数进行计数，求得A判定率。

接着，对本实施例、比较例中的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质的制造方法进行说明。

磁记录介质用玻璃基板以下面的步骤制作。

为了得到外径65mm、内径20mm、板厚0.635mm的磁记录介质用玻璃基板，将通过浮法成形的以SiO₂为主成分的玻璃基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状玻璃基板。

对该圆盘形状玻璃基板的内周端面和外周端面进行倒角加工（内周倒角工序、外周倒角工序），以得到倒角宽度0.15mm、倒角角度45°的磁记录介质用玻璃基板。

倒角加工后，使用氧化铝磨粒对玻璃基板上下主平面进行磨削加工，清洗除去磨粒。

接着，以使用研磨刷和含有氧化铈磨粒的研磨液对磁记录介质用玻璃基板的外周侧面部和外周倒角部进行研磨，除去外周侧面和外周倒角部的加工变质层（伤等）而形成为镜面的方式，对外周端面进行研磨加工（外周端面研磨工序）。

外周端面研磨后，以使用研磨刷和含有氧化铈磨粒的研磨液对磁记录介质用玻璃基板的内周侧面部和内周倒角部进行研磨，消除内周侧面部和内周倒角部的加工变质层（伤等）而形成为镜面的方式，对内周端面进行研磨加工（内周端面研磨工序）。进行了内周端面研磨的玻璃基板被清洗除去磨粒。

对玻璃基板的端面进行了加工后，使用含有金钢石磨粒的固定粒工具和磨削液，对玻璃基板上下主平面进行磨削加工并清洗。

接着，使用硬聚氨酯制的研磨垫和含有氧化铈磨粒的研磨液（含有平均粒子直径约1.3μm的氧化铈的研磨液组成物，下面，将平均粒子直径简称为平均粒径）作为研磨工具，利用22B型双面研磨装置（Speed Fam社制，产品名称：DSM22B－6PV－4MH）以研磨量为20μm的方式对玻璃基板将上下主平面进行一次研磨，将氧化铈清洗除去。另外，一批同时研磨216张玻璃基板。

作为研磨工具，使用软聚氨酯制的研磨垫和含有平均粒径比上述的氧化铈磨粒小的氧化铈磨粒的研磨液（以平均粒径约为0.5μm的氧化铈为主成分的研磨液组成物），利用22B型双面研磨装置以研磨量为5μm的方式对一次研磨后的玻璃基板将上下主平面进行两次研磨，将氧化铈清洗消除。

对两次研磨后的玻璃基板进行三次研磨。作为三次研磨的研磨工具，使用软聚氨酯制的研磨垫和含有胶体氧化硅的研磨液（以胶体氧化硅为主成分的研磨液组成物），利用22B型双面研磨装置以研磨量为1μm的方式对上下主平面进行研磨加工。

进行三次研磨时的研磨压力、出现于研磨垫的研磨面的气孔（开孔）的开口径的平均值、标准偏差记载于后述的例1～10。

关于研磨面的开口径的平均值，对距安装于研磨平台的研磨垫的外周端为5cm的区域和10cm的区域、研磨垫的中央区域部、距研磨垫的内周端为10cm的区域和5cm的区域这共计5个部位，使用显微镜（Keyence公司、数字显微镜VHX－900）进行拍摄，根据处于观察视场的全部开孔的开口径计算平均值和方差（标准偏差）。

三次研磨后的玻璃基板依次进行擦洗、浸渍于洗涤溶液的状态下的超声波清洗、浸渍于纯水的状态下的超声波清洗（精密清洗），并用异丙醇蒸气进行干燥。

通过上述方法对按以上的步骤得到的磁记录介质用玻璃基板的主平面评价了微小波纹度。

通过以下的步骤，在按以上的步骤得到的磁记录介质用玻璃基板的表面上形成具有磁性层的多层膜作为磁记录介质，进行滑行高度测试、认证测试（MP评价）。

在磁记录介质用玻璃基板的表面上按下面的步骤实施具有磁性层的多层膜的形成。

在进行了成膜前清洗的磁记录介质用玻璃基板的表面上使用连续式溅射装置依次层叠作为软磁性基底层的NiFe层、作为非磁性中间层的Ru层、作为垂直磁性记录层的CoCrPtSiO₂的颗粒结构层。接着，通过CVD法形成类金刚石薄膜作为保护层。然后，通过浸渍法形成具有全氟聚醚的润滑膜。

将主平面的精研磨（三次研磨）的加工条件记载于以下的例1～例10中。例1～6为实施例，例7～例10为比较例。

表1表示以例1～例10的加工条件加工的磁记录介质用玻璃基板的主平面整个面上的、和相邻的评价区域的微小波纹度的变化率的最大值（％）、微小波纹度（nWq）的平均值（nm）和标准偏差（nm）。另外，对于磁记录介质的滑行高度（nm）、MP评价的A判定率（％）也表示于表1中。

（例1）

主平面的精研磨（三次研磨工序）中，使用研磨面的开孔的开口径的平均值为5μm、标准偏差为2μm的软聚氨酯制研磨垫，将主研磨压力设为8kPa，对按上述的步骤实施至主平面研磨的两次研磨的磁记录介质用玻璃基板进行研磨。

如上所述，对主平面研磨后的玻璃基板实施精密清洗，得到磁记录介质用玻璃基板。

另外，在磁记录介质用玻璃基板的表面形成具有磁性层的多层膜作为磁记录介质，进行滑行高度测试、MP评价。

（例2）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了将研磨压力设为10kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例3）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了将研磨压力设为12kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例4）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了使用开口径的平均值为8μm、标准偏差为2μm的软聚氨酯制研磨垫，且将研磨压力设为8kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例5）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了使用开口径的平均值为8μm、标准偏差为2μm的软聚氨酯制研磨垫，且将研磨压力设为10kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例6）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了使用开口径的平均值为8μm、标准偏差为2μm的软聚氨酯制研磨垫，且将研磨压力设为12kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例7）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了使用开口径的平均值为12μm、标准偏差为3μm的软聚氨酯制研磨垫，且将研磨压力设为10kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例8）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了使用开口径的平均值为20μm、标准偏差为5μm的软聚氨酯制研磨垫，且将研磨压力设为10kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例9）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了使用开口径的平均值为20μm、标准偏差为8μm的软聚氨酯制研磨垫，且将研磨压力设为10kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

（例10）

主平面研磨的精研磨（三次研磨工序）中，除了使用开口径的平均值为40μm、标准偏差为10μm的软聚氨酯制研磨垫，且将研磨压力设为10kPa以外，通过与例1一样的方法制造磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。对得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质进行评价。结果示于表1。

根据表1的结果可知，使用满足本发明的规定的例1～6的磁记录介质用玻璃基板制作的磁记录介质，滑行高度均减小为2.0nm以下，可减小磁头和磁记录介质的间隔。

还可知，MP评价的A判定率也为约60％以上，与不满足本发明的规定的例7～10的磁记录介质相比较，为非常高的值。

可认为这是由于，使用了例1～6的磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质中，磁盘和磁头之间的距离稳定，因此，能够抑制磁噪声的产生，提高记录的读写精度，提高记录密度。

[表1]

本申请是基于2011年10月14日申请的日本专利申请2011－226946的发明，其内容在此作为参照而引入。

Claims (4)

1.一种磁记录介质用玻璃基板，具有一对主平面、外周端面和内周端面，其特征在于，

对于至少一侧的主平面，在格子状的各评价区域测定微小波纹度（nWq）时，一个评价区域和与该一个评价区域相邻的评价区域之间的微小波纹度的变化量的绝对值（ΔnWq）相对于所述一个评价区域的微小波纹度的比率（变化率）为10％以下，在所述格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的平均值为0.080nm以下，

其中，所述格子状的各评价区域是在包含制成磁盘时成为记录重放区域的区域的整个面的主平面的整个面上设定的。

2.如权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，在所述格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的平均值为0.060nm以下。

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，在所述格子状的各评价区域测定的微小波纹度（nWq）的标准偏差为0.0060nm以下。

4.一种磁记录介质，其使用如权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板。

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