CN102844704A - 有源矩阵基板和液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供即使发生对准偏差也能抑制像素电位的偏差的有源矩阵基板。本发明的有源矩阵基板具备矩阵状地排列的多个像素电极和在列方向上延伸的源极配线，上述源极配线具有：第一侧边部(12a)，其沿着上述多个像素电极所包括的至少一个像素电极(11a)的列方向的一边延伸；横穿部(12c)，其横穿上述像素电极(11a)；以及第二侧边部(12b)，其沿着上述像素电极(11a)的列方向的另一边延伸，上述第一侧边部(12a)和上述第二侧边部(12b)经由上述横穿部(12c)彼此相连，对在多个像素电极的列方向上并排的至少两个像素电极中的每一个至少设有一条上述横穿部(12c)。

Description

有源矩阵基板和液晶显示装置

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板和液晶显示装置。更详细地说，涉及适用于进行极性反转驱动的情况的有源矩阵基板和液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置发挥薄、轻以及低功耗的特点，近年来被应用于电视、个人计算机、便携电话、数字照相机等广泛的领域中。液晶显示是利用与由电压的施加带来的液晶分子排列变化相伴的双折射性、旋光性、二色性、旋光分散等各种光学特性来进行用于显示的光的控制的显示方式，根据液晶的驱动控制法，进一步分为各种方式。例如，矩阵型显示方式是按照规定的图案配置电极，按照该电极的每一个控制驱动的方式，能进行高清晰显示。

矩阵型显示方式进一步分为无源矩阵型和有源矩阵型。如果是有源矩阵型，则设有以包围矩阵状地排列的电极的方式在行方向和列方向上延伸的多条配线，而且，按照其交叉的每一个交点设有开关元件，因此，各电极被多条配线单独地驱动控制，即使是大电容，也能进行高质量的液晶显示。

针对该有源矩阵型液晶显示装置，为了提高显示质量，以往对配线的图案进行了各种研究，例如，在专利文献1～7中记载的液晶显示装置中，信号线(数据线、源极配线)不是一直线状，而是在局部形成有弯曲的部位。

例如，在专利文献1中记载的液晶显示装置中，像素电极或信号配线具有弯曲部，以弯曲部为分界相邻的像素电极分别被遮盖。这样，使像素电极或信号配线弯曲，由此，即使在进行按照每条栅极线来反转源极信号的极性的点反转驱动的情况下，也能抑制在像素电极和信号配线(源极配线)之间产生的静电电容因为层间的对准偏差而按照每一像素发生变动。

另外，在专利文献2中记载的液晶显示装置中，为了遮蔽通过使信号配线(源极配线)弯曲而形成的在行方向上相邻的2个像素电极的间隙，保持电容配线和/或栅极配线的一部分延伸。由此，能抑制在相邻的像素电极之间发生的漏光，能提高黑白显示之间的对比度比。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2001-281682号公报

专利文献2：国际公开第2009/104346号小册子

专利文献3：特开2008-3557号公报

专利文献4：特开2004-310105号公报

专利文献5：特开平10-104664号公报

专利文献6：美国专利第7436479号说明书

专利文献7：特开2004-4875号公报

发明内容

发明要解决的问题

形成在液晶显示装置内的电极、配线能通过例如使用溅射法在整个基板面中形成导电膜后，使用光刻法将其图案化为规定的形状来形成。但是，在对大画面面板进行曝光的工序中，当进行经由光掩模的曝光工序时，需要进行掩模拼接(透镜拼接)。此时，在进行掩模拼接前和进行掩模拼接后对准不准确时，在各像素电极之间出现位置偏差。

图26和图27是示出曝光范围发生了对准偏差时的、源极配线和像素电极的配置关系的平面示意图。图26示出像素电极的对准向左偏时，图27示出像素电极的对准向右偏的时候。如图26和图27所示，在像素电极111、121矩阵状地排列的情况下，通常源极配线112、122以与像素电极111、121的间隙重叠的方式配置。特别是将源极配线112、122和像素电极111、121隔着绝缘膜设置在不同的层中且将源极配线112、122的一部分与像素电极111、121的一部分重叠配置，由此与将它们配置于同一层，彼此不导通地在像素电极和源极配线之间空出规定间隔来设置的情况相比，能提高开口率。在这种情况下，在源极配线112、122与像素电极111、121隔着绝缘膜重叠的区域内，产生规定量的寄生电容。寄生电容的大小与它们重叠的面积成比例。

但是，在将形成有源极配线112、122的层与形成有像素电极111、121的层设为不同的层的情况下，当未准确地进行掩模拼接(透镜拼接)时，如图26和图27所示，在源极配线112、122和像素电极111、121中发生对准偏差，沿着某像素电极111的一方侧边形成的源极配线112a与像素电极111重叠的面积与沿着其它的像素电极121的一方侧边形成的源极配线122a与像素电极121重叠的面积彼此不同。另外，同样地，沿着某像素电极111的另一方侧边形成的源极配线112b与像素电极111重叠的面积与沿着其它的像素电极121的另一方侧边形成的源极配线122b与像素电极121重叠的面积彼此不同。

这样，当源极配线与像素电极重叠的面积在各像素之间不同时，例如，在使用了使相邻的像素电极之间极性不同的驱动方式的情况下，会产生如下缺陷。在此，对提供进行像素电极的写入的信号的配线以与图26和图27中的像素电极的左边重叠的方式来配置的情况进行说明。下面，还将与像素电极111、121的左边重叠的源极配线112a、122a称为“本像素源极配线”，还将与像素电极111、121的右边重叠的源极配线112b、122b称为“相邻像素源极配线”。

当将在像素电极111、121和本像素源极配线112a、122a之间形成的寄生电容设为Csd1，将在像素电极111、121和相邻像素源极配线112b、122b之间形成的寄生电容设为Csd2时，产生了如图26所示的对准偏差时的Csd1-Csd2所示的值和产生了如图27所示的对准偏差时的Csd1-Csd2所示的值在大小上不同。向各像素电极写入的电位大小根据寄生电容的大小而变动，因此，即使对图26所示的像素电极和图27所示的像素电极施加了具有相同的有效值的写入电位，基于Csd1和Csd2的大小而变动的像素电位的大小各自不同，因此，其结果是，由各像素电极向液晶层之间施加的有效电压成为不同的值。

该有效电压的不同显示为当在显示装置中使用时亮度的不同，显示区域被视觉识别为块状不均。

本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供即使发生对准偏差也能抑制像素电位的偏差的有源矩阵基板以及不降低开口率地抑制由像素电位的偏差造成的显示质量的劣化的液晶显示装置。

用于解决问题的方案

本发明的发明者们对通过使源极配线的一部分弯曲来实现源极配线与像素电极重叠的面积的平衡的方法进行了各种研究后，着眼于源极配线的弯曲方法。通过使用在上述专利文献2中记载的方法能防止由寄生电容的不同造成的显示质量的劣化，但大部分源极配线形成于开口部，因此，开口率降低。

本发明的发明者们对源极配线的弯曲方法进行潜心研究后，发现：不将使源极配线弯曲的部分配置为横穿在行方向上相邻的像素电极彼此的间隙，而是配置为横穿像素电极本身，将其它部分配置为与在行方向上相邻的像素电极彼此的间隙重叠，由此能抑制开口率的降低，并且能抑制像素电极之间的写入电位的偏差。

更详细地说明的话，设置横穿部，其在行方向上横穿像素电极，对一个像素电极，在列方向上延伸的一条源极配线以沿着像素电极的列方向的两方的边的方式配置，由此，即使发生行方向的对准偏差且该对准偏差的程度在像素电极之间或源极配线之间不同，本像素源极配线和相邻像素源极配线两者与像素电极的一边重叠，因此，抑制在行方向上相邻的像素电极之间的写入电位的偏差。另外，源极配线的大部分与在行方向上相邻的像素电极的间隙重叠，因此，抑制了开口率的降低。而且，上述横穿部设置为不与在列方向上相邻的像素电极彼此的间隙重叠，而是与像素电极本身重叠，因此，即使发生列方向的对准偏差，也难以在列方向上相邻的像素之间的写入电位中产生偏差。

这样，本发明的发明者们想到能圆满地解决上述问题，得到了本发明。

即，本发明是具备矩阵状地排列的多个像素电极和在列方向上延伸的源极配线的有源矩阵基板，上述源极配线具有：第一侧边部，其沿着上述多个像素电极所包括的至少一个像素电极的列方向的一边延伸；横穿部，其横穿上述像素电极；以及第二侧边部，其沿着上述像素电极的列方向的另一边延伸，上述第一侧边部和上述第二侧边部经由上述横穿部彼此相连，对在多个像素电极的列方向上并排的至少两个像素电极中的每一个至少设有一条上述横穿部。

本发明的有源矩阵基板具备矩阵状地排列的多个像素电极和在列方向上延伸的源极配线。源极配线是对像素电极供给数据信号(写入电位)的配线，像素电极根据从源极配线供给的写入电位的大小而带电。

上述源极配线具有：第一侧边部，其沿着上述多个像素电极所包括的至少一个像素电极的列方向的一边延伸；横穿部，其横穿上述像素电极；以及第二侧边部，其沿着上述像素电极的列方向的另一边延伸，上述第一侧边部和上述第二侧边部经由上述横穿部彼此相连，对在多个像素电极的列方向上并排的至少两个像素电极中的每一个至少设有一条上述横穿部。沿着像素电极的侧边形成源极配线的一部分，由此能防止在行方向上相邻的像素电极的间隙产生漏光，能提高对比度比。另外，根据该构成，针对一个像素电极在源极配线单线中形成有沿着上述像素电极的侧边的两个部分以及横穿上述像素电极的部分，因此，能得到抗行方向和列方向的对准偏差均较强且开口率降低较少的有源矩阵基板。

作为本发明的有源矩阵基板的构成，只要将该构成要素作为必须形成的构成要素，则不特别限定其它的构成要素。下面，详细地说明本发明的有源矩阵基板的优选方式。

优选在上述多个像素电极的行方向上并排的像素电极群中的在行方向上相邻的两个像素电极彼此极性不同。由此，当在显示装置中使用了本发明的有源矩阵基板时，能防止在显示中产生闪烁、残影等。另外，根据本发明的有源矩阵基板的特征，解决了当发生对准偏差时，由在行方向上并排的各像素电极在寄生电容中产生偏差的极性反转的问题，因此，特别适合使用。

优选在上述多个像素电极的列方向上并排的像素电极群中的在列方向上相邻的两个像素电极彼此极性不同。由此，当在显示装置中使用了本发明的有源矩阵基板时，能防止在显示中产生闪烁、残影等。另外，根据本发明的有源矩阵基板的特征，解决了当发生对准偏差时，在列方向上并排的各像素电极中寄生电容的大小产生偏差的极性反转的问题，因此，特别适合使用。

优选在上述列方向上并排的至少两个像素电极中的两个像素电极彼此相邻，沿着上述两个像素电极中的一方像素电极的列方向的一边延伸的第二侧边部与沿着另一方像素电极的列方向的一边延伸的第一侧边部以不经由横穿像素电极的横穿部的方式彼此相连。另外，优选在上述列方向上并排的至少两个像素电极中的两个像素电极彼此相邻，沿着上述两个像素电极中的一方像素电极的列方向的一边延伸的第一侧边部与沿着另一方像素电极的列方向的一边延伸的第二侧边部以不经由横穿像素电极的横穿部的方式彼此相连。这样，源极配线的弯曲图案具有以两个像素电极为单位的重复图案，由此能难以产生在列方向上相邻的两个像素电极之间的像素电位的偏差，且能将横穿部的数量减少为最小限度，因此，图案不会变得复杂，成品率有所提高。

优选对上述多个像素电极中的在列方向上相邻的至少两个像素电极分别设有一条上述横穿部。本发明将上述第一侧边部、上述第二侧边部以及连接上述第一侧边部和上述第二侧边部的横穿部分别至少存在一个作为必须的构成要素，对在列方向上并排的像素电极中的每一个设置一条横穿部，由此能实现低电容化并且能将开口率的降低抑制为最小限度。

优选对上述多个像素电极中的在列方向上相邻的至少两个像素电极分别设有偶数条上述横穿部。本发明将上述第一侧边部、上述第二侧边部以及连接上述第一侧边部和上述第二侧边部的横穿部分别至少各存在一个作为必须的构成要素，将横穿部的条数设为偶数条，由此能无需改变在列方向上并排的各像素内所形成的电极、配线、薄膜晶体管等的图案地在全部像素中制作相同的图案，因此，易于抑制像素电位的参数偏差、适用于液晶显示装置时的液晶分子的取向状态的偏差。

优选上述横穿部位于将上述像素电极的列方向的一边大致均等地划分的位置。由此，源极配线的第一侧边部的长度与第二侧边部的长度一致，因此，更易于抑制像素电位的偏差。

优选上述横穿部包括透明电极。作为配线所用的材料，一般来说电阻率较低的铝、铜、铬、钛、钽、钼等是优选的。但是，从得到高开口率的观点来看，优选使用铟锡氧化物(ITO：Indium TinOxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)等有透光性的材料。在本方式中，在横穿部使用具有透光性的材料，因此，能得到更高的开口率。另外，如果在源极配线的侧边部使用上述电阻率较低的材料，则能得到充分的导电性，因此，在配线延迟方面也几乎无影响。

在本发明中，作为上述至少一个像素电极所优选的形状，可以举出为大致矩形的形态、为大致V字形的形态以及为大致W字形的形态。

优选将上述第一侧边部以分支点为分界分支为两个，分支出的各第一侧边部分别与在行方向上相邻的像素电极重叠。另外，优选上述第二侧边部以分支点为分界分支为两个，分支出的各第二侧边部分别与在行方向上相邻的像素电极重叠。在源极配线的第一和/或第二侧边部设置分支点，在源极配线的一部分设置形成环状的形状，将源极配线整体设为梯子状，由此即使在行方向上发生了对准偏差，分支出的各侧边部难以与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠，因此，易于抑制在行方向上相邻的像素电极之间的像素电位的偏差。

优选上述有源矩阵基板还具备在行方向上延伸的栅极配线，上述栅极配线横穿像素电极。栅极配线与像素电极重叠地设置，由此无需遮蔽因为栅极电场而在液晶分子中发生了取向混乱的区域，因此，图案实现简单化，对成品率做出贡献。另外，与以重叠于在列方向上相邻的像素电极的间隙的方式配置的形态相比，当发生列方向的对准偏差时，能抑制在像素电极和栅极配线之间形成的寄生电容中产生偏差，能抑制在像素电位中发生变动。

优选上述有源矩阵基板还具备在行方向上延伸的栅极配线，上述栅极配线与在列方向上相邻的像素电极的间隙重叠而形成。以与在列方向上相邻的像素电极的间隙重叠的方式设置栅极配线，由此能遮蔽在应用于液晶显示装置时在列方向上相邻的像素电极的间隙的漏光，对比度比有所提高。

优选上述有源矩阵基板还具备与上述源极配线及上述栅极配线的每一个连接的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管与像素电极的行方向的一边的二等分线重叠。这样配置TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)，由此，易于使TFT周边的像素电极的图案在奇数行和偶数行相同，因此，难以引起由像素电极形状的差异造成的像素电位的参数变动。

另外，本发明还是按顺序层叠而具有上述本发明的有源矩阵基板、液晶层以及相对基板的液晶显示装置。根据本发明的有源矩阵基板的结构，能抑制开口率的降低，并且能抑制像素电位的偏差，因此，能得到高质量的显示。

作为适用于本发明的液晶显示装置的液晶的取向模式，可以举出TN(Twisted Nematic：扭转向列)模式、VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式、IPS(In-plane Switching：面内开关)模式、TBA(Transverse Bend Alignment：横向弯曲取向)模式、CPA(Continuous Pinwheel Alignment：连续焰火状取向)模式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment：多畴垂直取向)模式。

发明效果

根据本发明的有源矩阵基板，能抑制像素电位的偏差。另外，根据本发明的液晶显示装置，能抑制开口率的降低，并且能抑制像素电位的偏差，因此，能得到高质量的显示。

附图说明

图1是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。

图2是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的像素电极所具有的极性的平面示意图，示出点反转驱动的时候。

图3-1是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的像素电极所具有的极性的平面示意图，示出在相邻的列之间交替改变极性的线反转驱动的时候。

图3-2是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的像素电极所具有的极性的平面示意图，示出在相邻的行之间交替改变极性的线反转驱动的时候。

图4是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的像素电极所具有的极性的平面示意图，示出2H点反转驱动的时候。

图5是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的一个例子(实施例1)的平面示意图。

图6是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的一个例子(实施例2)的平面示意图。

图7是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的一个例子(实施例3)的平面示意图。

图8是实施方式1的TN模式的液晶显示装置的立体示意图，示出不施加电压的状态下的液晶分子的取向。

图9是实施方式1的TN模式的液晶显示装置的立体示意图，示出施加阈值以上的电压的状态下的液晶分子的取向。

图10是实施方式1的VA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出不施加电压的状态下的液晶分子的取向。

图11是实施方式1的VA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出施加阈值以上的电压的状态下的液晶分子的取向。

图12是实施方式1的IPS模式的液晶显示装置的立体示意图，示出不施加电压的状态下的液晶分子的取向。

图13是实施方式1的IPS模式的液晶显示装置的立体示意图，示出施加阈值以上的电压的状态下的液晶分子的取向。

图14是实施方式1的TBA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出不施加电压的状态下的液晶分子的取向。

图15是实施方式1的TBA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出施加阈值以上的电压的状态下的液晶分子的取向。

图16是实施方式1的CPA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出不施加电压的状态下的液晶分子的取向。

图17是实施方式1的CPA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出施加阈值以上的电压的状态下的液晶分子的取向。

图18是实施方式1的MVA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出不施加电压的状态下的液晶分子的取向。

图19是实施方式1的MVA模式的液晶显示装置的立体示意图，示出施加阈值以上的电压的状态下的液晶分子的取向。

图20是示出实施方式2的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。

图21是示出实施方式3的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。

图22是示出实施方式4的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。

图23是示出实施方式5的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。

图24是示出实施方式6的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。

图25是示出实施方式7的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。

图26是示出曝光范围发生了对准偏差时的、源极配线和像素电极的配置关系的平面示意图。

图27是示出曝光范围发生了对准偏差时的、源极配线和像素电极的配置关系的平面示意图。

具体实施方式

下面，举出实施方式，参照附图更详细地说明本发明，但本发明不限于该实施方式。

在本说明书中，当使用“大致”来表示形状时，指对象物在实质上显示该形状，例如，在设为“大致矩形”的情况下，表示只要在实质上整体成矩形即可，可以在一部分形成伸出部、切断部。

在本说明书中，“像素”是指相当于一个像素电极的量的范围。

实施方式1

实施方式1是使用了本发明的有源矩阵基板的本发明的液晶显示装置的一个例子。实施方式1的液晶显示装置具备有源矩阵基板，上述有源矩阵基板具备像素电极、TFT等。

在实施方式1中，有源矩阵基板具有玻璃基板作为基台，在玻璃基板上多个像素电极在行方向和列方向上并排排列，整体矩阵状地排列。由此，能按照每一像素电极进行液晶分子的取向控制。

图1是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。在实施方式1中，像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的形状为大致矩形。在实施方式1中，源极配线12、22、32以一部分与在行方向上相邻的2个像素电极的间隙重叠的方式形成。另外，源极配线12、22、32具有弯曲点，以该弯曲点为分界形成横穿部，横穿部以分别横穿像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的方式形成。这样，源极配线12、22、32作为整体具有锯齿形状。更详细地说，为以下构成：例如第一源极配线12具有：第一侧边部12a、12d，其沿着像素电极11a、11b的各自的一边在列方向上延伸；第二侧边部12b、12e，其沿着像素电极11a、11b的各自的另一边在列方向上延伸；以及横穿部12c、12f，其连接第一侧边部12a、12d与第二侧边部12b、12e，该各部位针对一个像素电极11a、11b分别设有一个。横穿部12c、12f形成在与11a、11b的各像素电极的列方向的一边的二等分线重叠的位置，第一侧边部的合计长度与第二侧边部的合计长度大致一致。另外，在第二源极配线22和第三源极配线32上，也用同样的图案形成有第一侧边部22a、32a、22d、32d；第二侧边部22b、22e、32b、32e；以及横穿部22c、22f、32c、32f。

像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b与源极配线12、22、32隔着绝缘膜分别形成在不同的层中。另外，在图1中虽未图示，但像素电极与源极配线的侧边部可以是一部分彼此重合。这样的话，能防止像素电极之间的漏光，能提高对比度比。此外，其结果是，在像素电极和源极配线之间形成有寄生电容。

根据实施方式1的源极配线的配置构成，尤其在行方向上相邻的像素电极具有不同的极性的情况下是有利的。通常在行方向上相邻配置的两个像素电极的极性彼此不同的情况下，且在像素电极与源极配线重叠的面积在各像素电极之间较大地不同的情况下，在和源极配线之间所形成的寄生电容的大小在各像素电极之间不同，在像素电极所保持的电压中会产生差异。

但是，根据实施方式1的源极配线的配置构成，即使当在源极配线或像素电极之间产生了行方向的对准偏差时，一个像素电极的边到与该边相邻的源极配线之间的距离在与像素电极的左边重叠的源极配线(本像素源极配线)和在与像素电极的右边重叠的源极配线(相邻像素源极配线)处成为大致均等，或者多条源极配线分别与一个像素电极重合，且与像素电极的左边重叠的源极配线(本像素源极配线)和与像素电极的右边重叠的源极配线(相邻像素源极配线)所重叠的面积成为大致均等，因此，从在像素电极和本像素源极配线之间形成的寄生电容Csd 1减去在像素电极和相邻像素源极配线之间形成的寄生电容Csd2所得的值，即，Csd1-Csd2所示的值在各像素中实现均匀化。在各像素电极之间，因为源极配线12、22、32的影响而变动的电位的大小无较大的偏差，因此，在行方向上相邻的像素电极11a、21a、31a或像素电极11b、21b、31b之间，均难以在像素电位中产生偏差。

更详细地说，例如，当将图1中的像素电极21a作为中心来看时，在像素电极21a向右侧偏离的情况下，其与像素电极21a之间形成的寄生电容的关系是：与第二源极配线22的第一侧边部22a之间形成的Csd1的值变小，与第二源极配线22的第二侧边部22b之间形成的Csd1的值变大。另外，与第一源极配线12的第二侧边部12b之间形成的Csd2的值变小，与第三源极配线32的第一侧边部32a之间形成的Csd2的值变大。在进行点反转驱动的情况下，从第一源极配线12供给的信号电压和从第三源极配线32供给的信号电压是相同极性。因此，如以一个像素电极21a为单位来看时，Csd1的合计值和Csd2的合计值实现均匀化。

同样的原理，在像素电极21a向左侧偏离的情况下，其与像素电极21a之间形成的寄生电容的关系是：与第二源极配线22的第一侧边部22a之间形成的Csd1的值变大，与第二源极配线22的第二侧边部22b之间形成的Csd1的值变小。另外，与第一源极配线12的第二侧边部12b之间形成的Csd2的值变大，与第三源极配线32的第一侧边部32a之间形成的Csd2的值变小。在进行点反转驱动的情况下，从第一源极配线12供给的信号电压和从第三源极配线32供给的信号电压是相同极性。因此，如以一个像素电极21a为单位来看时，Csd1值的合计值和Csd2值的合计值实现均匀化。

这样，在实施方式1中，即使在像素电极21a向右侧偏离的情况和在像素电极21a向左侧偏离的情况下，Csd1的值和Csd2的值也被调整为大致相等，因此，即使像素电极向左右任一方发生了对准偏差，也难以在像素电位中产生偏差。

另外，在实施方式1中，不以与在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或者像素电极31a、31b的间隙重叠的方式来配置源极配线，因此，即使发生了列方向的对准偏差，在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或者像素电极31a、31b之间，也难以在像素电位中发生偏差。

因此，根据实施方式1，即使像素电极和源极配线向任一方向发生了对准偏差，也难以在像素电位中产生偏差，因此，能得到优异的显示质量。

图2～4是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的像素电极所具有的极性的平面示意图。图2示出点反转驱动的时候，图3-1示出在相邻的列之间交替改变极性的线反转驱动的时候，图3-2示出在相邻的行之间交替改变极性的线反转驱动的时候，图4示出2H点反转驱动的时候。作为实施方式1的像素电极的驱动方式，可以举出例如点反转驱动方式。点反转驱动是将位于夹着液晶层而相对的位置的相对基板所具备的电极的电位(Com电位)设为DC(直流)驱动，将有源矩阵基板的源极信号设为AC(交流)驱动，并且使向各像素电极施加的信号的极性格状地正负反转的驱动方法。因此，实施方式1的像素电极如图2所示，被设置为极性在行方向和列方向的任一方向上按照+、-、+、-的顺序不同。该极性能使用与源极配线连接的源极驱动器来变换。通过点反转驱动，能有效地抑制闪烁的发生。此外，在实施方式1中，如图3-1和图3-2所示，可以采用仅按行方向或列方向中的任一方的线交替改变向像素电极施加的信号的极性的线反转驱动方式。另外，如图4所示，可以采用在列方向上以2个像素为单位来交替改变极性，并且在行方向上以1个像素为单位来交替改变极性的2H点反转驱动(例如，+、+、-、-)。

根据实施方式1的构成，即使在相邻的像素电极11具有不同的极性的情况下，也能保持显示质量，因此，能抑制闪烁的发生并且防止由像素电极之间的亮度在相邻的像素电极彼此之间不同而造成的亮度不均，且防止在像素电极11a、21a、31a或者像素电极11b、21b、31b彼此的间隙所发生的漏光，提高对比度比，得到高质量的显示。

更详细地说明实施方式1的有源矩阵基板的构成。图5～7是示出实施方式1的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的一个例子(实施例1～实施例3)的平面示意图。在实施例1～实施例3中，有源矩阵基板除了具有像素电极11a、11b以及源极配线12以外，还具有栅极配线13a、13b、保持电容配线(C S配线)14a、14b、漏极配线15a、15b等各种配线以及作为开关元件的TFT(薄膜晶体管)17a、17b，它们隔着绝缘膜分别设置在不同的层中。

TFT17a、17b具有将硅等作为材料的半导体层和栅极电极、源极电极、漏极电极这三个电极。栅极电极与栅极配线13a、13b连接，源极电极与源极配线12连接。从漏极电极引出漏极配线15a、15b。并且，在绝缘膜的与漏极配线15a、15b重叠的位置设有接触孔16a、16b，漏极配线15a、15b与像素电极11a、11b经由该接触孔16a、16b连接。此外，该各种配线无需全部分别设于不同的层，例如，可以使用同一材料将栅极配线13a、13b和CS配线14a、14b形成于同一层，或者，可以使用同一材料将源极配线12和漏极配线15a、15b形成于同一层，由此，实现制造效率的提高。

作为源极配线12、栅极配线13a、13b、CS配线14a、14b等各种配线以及TFT17a、17b的各电极的构成，例如能使用铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)等电阻率较低的材料。另外，更具体地说，可以举出将包括铝(Al)、铜(Cu)的层与在其下面和上面包括氮化钽(TaN)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)等的层重叠起来的结构。

作为像素电极11a、11b的构成，可以举出例如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)等具有透光性的金属氧化物的图案膜。

在实施方式1的有源矩阵基板中，可以是对由源极配线和栅极配线包围的每一个区域配置一个像素电极，一个TFT控制一个像素电极的形态，也可以是对由源极配线和栅极配线包围的每一个区域配置一个副像素电极，由两个TFT控制对于一条栅极配线来说夹着栅极配线位于两侧的副像素电极双方的所谓多重像素驱动方式的形态。在这种情况下，等同于一个像素电极被分割为多个副像素电极来控制，但为了得到本发明的效果，需要对被分割的副像素电极中的每一个形成源极配线的第一侧边部、第二侧边部以及横穿部。

根据实施方式1的有源矩阵基板，即使在源极配线或像素电极中发生了行方向的对准偏差，一个像素电极的边到与该边相邻的源极配线之间的距离在与像素电极的左边重叠的源极配线(本像素源极配线)和与像素电极的右边重叠的源极配线(相邻像素源极配线)处成为大致均等，或者多条源极配线分别与一个像素电极重合，且与像素电极的左边重叠的源极配线(本像素源极配线)和与像素电极的右边重叠的源极配线(相邻像素源极配线)的重叠面积成为大致均等，因此，从在像素电极和本像素源极配线之间形成的寄生电容Csd 1减去在像素电极和相邻像素源极配线之间形成的寄生电容Csd2所得的值，即，Csd1-Csd2所示的值在各像素中实现均匀化。因此，在显示灰度级的情况下，能得到抑制亮度变化的效果，特别能适用于电子书等具有灰度级显示模式的应用。

另外，根据实施方式1的有源矩阵基板，源极配线的大部分配置在行方向上相邻的像素电极之间，Csd的值变小，因此，能抑制由单色或补色显示中的Csd的影响所导致的亮度偏差。

而且，根据实施方式1的有源矩阵基板，对一个像素电极形成的源极配线的横穿部的数量是一个，因此，能将开口率的降低抑制为最小限度。而且，将源极配线的弯曲图案设为2个像素单位，因此，与用1个像素单位形成的情况相比，能减少横穿像素电极的源极配线的横穿部的数量，因此，能实现高开口率和低电容化。

图5是实施例1的有源矩阵基板的平面示意图。如图5所示，在实施例1中，像素电极11a、11b的每一个具有对矩形在行方向上形成有三处狭缝的形状。由此，像素电极11a、11b作为整体分别被分为四个区域，但各区域经由连接部彼此相连。连接部存在沿着像素电极11a、11b的一方的边形成的部位和沿着像素电极11a、11b的另一方的边形成的部位，它们以在列方向上交错地配置的方式形成。此外，在实施例1中，假定在CPA方式的液晶显示装置中使用的情况，构成为在与被分为四个区域的各区域中的每一个重叠的位置能配置柱状或孔状取向控制用图案18。

在实施例1中，TFT17a、17b配置在像素电极11a、11b的正中的狭缝中。即，作为像素驱动用开关元件的TFT17a、17b配置在像素电极11a、11b的中心附近，即，以与像素电极11a、11b的行方向的一边的二等分线与列方向的一边的二等分线交叉的位置重叠的方式配置。

源极配线12的第一侧边部12a、12d和第二侧边部12b、12e在列方向上延伸。即，第一侧边部12a、12d和第二侧边部12b、12e存在彼此平行的关系。栅极配线13a、13b在行方向上延伸，以沿着源极配线12的横穿部12c、12f横穿像素电极11a、11b的中央的方式配置。栅极配线13a、13b的与半导体层重叠的部分起到TFT17a、17b的栅极电极的作用，在一定的栅极电压下，源极配线12与漏极配线15a、15b连接。这样，能由TFT17a、17b按照从栅极配线13a、13b发送的栅极电压的定时，来控制向像素电极11a、11b施加从源极配线12发送的信号电压的定时。此外，这样配置TFT17a、17b，由此能使TFT17a、17b周边的像素电极11a、11b的边的形状在偶数行和奇数行中相同，因此，难以引起由像素电极的形状不同造成的像素电位的参数变动。

在实施例1中，CS配线14a、14b在与在列方向上相邻的像素电极11a、11b的间隙重叠的位置，在行方向上延伸。CS配线14a、14b在像素的中央部隔着绝缘膜与漏极配线15a、15b重叠配置，能在和漏极配线15a、15b之间形成一定量的保持电容。另外，在实施例1中，CS配线还起到防止从在列方向上相邻的像素电极11a、11b的间隙漏光的效果，因此，有助于对比度比的提高。

图6是实施例2的有源矩阵基板的平面示意图。如图6所示，在实施例2中，像素电极11a、11b的每一个具有对矩形在行方向上形成有一处狭缝的形状。由此，像素电极11a、11b作为整体分别被分为两个区域，但各区域经由连接部彼此相连。另外，从像素电极11a、11b的一部分引出配线，在与TFT17a、17b的漏极配线15a、15b重叠的位置大宽度地形成。而且，在该大宽度地形成的区域内，像素电极11a、11b与漏极配线15a、15b经由在绝缘膜中设置的接触孔16a、16b彼此连接。此外，在实施例2中，假定在CPA方式的液晶显示装置中使用的情况，构成为在与被分为两个区域的各区域中的每一个重叠的位置能配置点状取向控制用图案(例如，柱状电介质突起物、孔等)18。

源极配线12的第一侧边部12a、12d和第二侧边部12b、12e在列方向上延伸，横穿部12c、12f以横穿像素电极11a、11b的中央的方式配置。栅极配线13a、13b在与像素电极11a、11b的上端附近重叠的位置，在行方向上延伸配置。栅极配线13a、13b的与半导体层重叠的部分起到TFT17a、17b的栅极电极的作用，在一定的栅极电压下，源极配线12与漏极配线15a、15b连接。这样，能由TFT17a、17b按照从栅极配线13a、13b发送的栅极电压的定时，来控制向像素电极11a、11b施加从源极配线12发送的信号电压的定时。

在实施例2中，在栅极配线13a、13b的行之间，CS配线14a、14b在行方向上延伸。CS配线14a、14b隔着绝缘膜与漏极配线15a、15b重叠配置，在和漏极配线15a、15b之间能形成一定量的保持电容。

在实施例2中，在与在列方向上相邻的像素电极11a、11b的间隙及从像素电极11a、11b引出的配线重叠的位置，CS配线14a、14b在行方向上延伸。CS配线14a、14b在与在列方向上相邻的像素电极11a、11b的间隙重叠的位置隔着绝缘膜与漏极配线15a、15b重叠配置，在漏极配线15a、15b之间能形成一定量的保持电容。另外，在实施例2中，CS配线14a、14b、漏极电极15a、15b还起到防止从在列方向上相邻的像素11a、11b的间隙以及像素电极11a、11b的引出配线漏光的作用，因此，有助于对比度比的提高。

图7是实施例3的有源矩阵基板的平面示意图。如图7所示，在实施例3中，像素电极11a、11b中的每一个具有对矩形在行方向上形成有一处狭缝的形状。由此，像素电极11a、11b作为整体分别被分为两个区域，但各区域经由连接部彼此相连。此外，在实施例3中假定应用于CPA方式的液晶显示装置的情况，构成为在与被分为两个区域的各区域中的每一个重叠的位置能配置点状取向控制用图案(例如，柱状电介质突起物、孔等)18。

在实施例3中，TFT17a、17b配置在像素电极11a、11b的狭缝中。即，作为像素驱动用开关元件的TFT17a、17b配置在像素电极11a、11b的中心附近，即，配置为重叠于像素电极11a、11b的行方向的一边的二等分线与列方向的一边的二等分线交叉的位置。

源极配线12的第一侧边部12a、12d和第二侧边部12b、12e在列方向上延伸。栅极配线13a、13b在行方向上延伸，以沿着源极配线12的横穿部12c、12f横穿像素电极11a、11b的中央的方式配置。栅极配线13a、13b的与半导体层重叠的部分起到TFT17a、17b的栅极电极的作用，在一定的栅极电压下，源极配线12与漏极配线15a、15b连接。这样，能由TFT17a、17b按照从栅极配线13a、13b发送的栅极电压的定时，来控制向像素电极11a、11b施加从源极配线12发送的信号电压的定时。

在实施例3中，在与在列方向上相邻的像素电极11a、11b的间隙重叠的位置，CS配线14a、14b在行方向上延伸。另外，CS配线14a、14b在像素的中央部隔着绝缘膜与漏极配线15a、15b重叠配置，在其与漏极配线15a、15b之间能形成一定量的保持电容。另外，在实施例3中，CS配线还起到防止从在列方向上相邻的像素电极11a、11b的间隙漏光的效果，因此，有助于对比度比的提高。

图8～19是实施方式1的液晶显示装置的立体示意图，按照液晶分子的取向方式而分别被区分。图8和图9是TN模式的液晶显示装置，图10和图11是VA模式的液晶显示装置，图12和图13是IPS模式的液晶显示装置，图14和图15是TBA模式的液晶显示装置，图16和图17是CPA模式的液晶显示装置，图18和图19是MVA模式的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置对该任一种方式均适用。图8、图10、图12、图14、图16、图18分别示出不施加电压的状态下的液晶分子的取向，图9、图11、图13、图15、图17、图19分别示出施加阈值以上的电压的状态下的液晶分子的取向。

如图8～19所示，实施方式1的液晶显示装置具备液晶显示面板，液晶显示面板具备包括有源矩阵基板1和相对基板2的一对基板和被该一对基板夹持的液晶层3，有源矩阵基板1具备像素电极、TFT等。在一对基板各自的与液晶层3相反的一侧的面上，分别贴附有偏振板4、5。有源矩阵基板侧的偏振板4的偏振轴的方向与相对基板侧的偏振板5的偏振轴的方向彼此正交，成为所谓的正交尼科尔配置。在液晶层3内填充有分别为正型(具有正的介电各向异性)或负型(具有负的介电各向异性)液晶材料6。

如图8和图9所示，在TN模式的液晶显示装置中，在液晶层3中填充有正型液晶材料6，在一对基板1、2中分别形成有彼此成对的电极。当不施加电压时，因为取向膜的影响，基板面附近的液晶分子在相对于基板面水平的方向上取向，随着从一方基板1朝向另一方基板2而在面内方向上扭曲。由此与一方基板1接近的液晶分子的长轴和与另一方基板2接近的液晶分子的长轴当相对于基板1、2面从法线方向看时，成大致90°的角度。另一方面，当施加电压时，各液晶分子6朝向相对于基板1、2面垂直方向倾斜。

如图10和图11所示，在VA模式的液晶显示装置中，在液晶层3中填充有负型液晶材料6，在一对基板1、2中分别形成有彼此成对的电极。当不施加电压时，因为取向膜的影响，基板1、2面附近的液晶分子6在相对于基板面垂直的方向上取向，当施加电压时，各液晶分子6朝向相对于基板1、2面水平的方向倾斜。

如图12和图13所示，在IPS模式的液晶显示装置中，在液晶层3中填充有负型液晶材料6，在一对基板1、2中的任一方中，形成有彼此成对的电极。当不施加电压时，因为取向膜的影响，基板1、2面附近的液晶分子6在相对于基板面水平的方向上取向。另一方面，当施加电压时，各液晶分子6原样维持倾斜角而在面内方向上旋转。

如图14和图15所示，在TBA模式的液晶显示装置中，在液晶层3中填充有正型液晶材料6，在一对基板1、2中的任一方中，形成有彼此成对的电极。当不施加电压时，因为取向膜的影响，基板1、2面附近的液晶分子6在相对于基板面垂直的方向上取向，当施加电压时，以相对于基板面描绘锚形的方式取向。

如图16和图17所示，在CPA模式的液晶显示装置中，在液晶层3中填充有负型液晶材料6，在一对基板1、2中分别形成有彼此成对的电极。另外，在一对基板1、2中的任一方或两方的基板表面，形成有点状取向控制用图案(例如，柱状介电体突起物、孔等)18。当不施加电压时，因为取向膜的影响，基板1、2面附近的液晶分子6在相对于基板1、2面垂直的方向上取向，当施加电压时，液晶分子6以取向控制用图案18为中心辐射状地取向。

如图18和图19所示，在MVA模式的液晶显示装置中，在液晶层3中填充有负型液晶材料6，在一对基板1、2中分别形成有彼此成对的电极。另外，在一对基板1、2中的任一方或两方的基板表面，形成有线状取向控制用图案(例如，壁状介电体突起物、狭缝等)19。当不施加电压时，因为取向膜的影响，基板面附近的液晶分子6在相对于基板1、2面垂直的方向上取向，当施加电压时，液晶分子6朝向取向控制用图案19横排列地取向。

实施方式1的液晶显示装置能在该任一种取向模式中使用，但在采用TN模式或CPA模式的情况下，适用于像素电极的形状为大致矩形的本方式。

实施方式2

实施方式2是使用了本发明的有源矩阵基板的本发明的液晶显示装置的一个例子。实施方式2的液晶显示装置除了像素电极的形状不是大致矩形，而是大致V字状，即，具有1次折弯结构以外，与实施方式1的液晶显示装置相同。

图20是示出实施方式2的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。在实施方式2中，像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的形状为大致“ㄑ”字状(半旋转的V字状)。源极配线12、22、32以一部分与在行方向上相邻的2个像素电极的间隙重叠的方式形成。另外，源极配线12、22、32具有弯曲点，以该弯曲点为分界形成横穿部，横穿部以横穿像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的方式形成。这样，源极配线12、22、32作为整体具有锯齿形状。更详细地说，为以下构成：例如，源极配线12具有：第一侧边部12a、12d，其沿着像素电极11a、11b的一边在列方向上延伸；第二侧边部12b、12e，其沿着像素电极11a、11b的另一边在列方向上延伸；以及横穿部12c、12f，其连接第一侧边部12a、12d与第二侧边部12b、12e，该各部位针对一个像素电极11a、11b分别设有一个。横穿部12c、12f形成在与11a、11b的各像素电极的列方向的一边的二等分线重叠的位置，第一侧边部的长度与第二侧边部的长度大致一致。在实施方式2中，第一侧边部12a、12d与第二侧边部12b、12e不平行，彼此的延长线具有角度。此外，在第二源极配线22和第三源极配线32上，也用同样的图案形成有第一侧边部22a、32a、22d、32d、第二侧边部22b、22e、32b、32e以及横穿部22c、22f、32c、32f。

根据实施方式2的源极配线的配置构成，在各像素电极之间，因为源极配线12、22、32的影响而变动的电位的大小无较大的偏差，因此，在行方向上相邻的像素电极11a、21a、31a或像素电极11b、21b、31b之间，均难以在像素电位中产生偏差。另外，不是以与在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或像素电极31a、31b的间隙重叠的方式来配置源极配线，因此，即使发生列方向的对准偏差，在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或像素电极31a、31b之间，也难以在像素电位中产生偏差。

实施方式2的液晶显示装置能在上述任一种取向模式中使用，但像素电极具有大致“ㄑ”字状(半旋转的V字状)，因此，特别适用于IPS模式、VA模式、MVA模式以及TBA模式，由此更能进行视角特性的提高和实现高开口率。

实施方式3

实施方式3是使用了本发明的有源矩阵基板的本发明的液晶显示装置的一个例子。实施方式3的液晶显示装置除了像素电极的形状不是大致矩形，而是大致W字状，即，具有3次折弯结构(ㄑ字为2段)以外，与实施方式1的液晶显示装置是相同的。

图21是示出实施方式3的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。在实施方式3中，像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的形状为大致“ㄑ”字在列方向上并排两个的形状(半旋转的W字状)。源极配线12、22、32以一部分与在行方向上相邻的2个像素电极的间隙重叠的方式形成。另外，源极配线12、22、32具有弯曲点，以该弯曲点为分界形成横穿部，横穿部以横穿像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的方式形成。这样，源极配线12、22、32作为整体具有锯齿形状。更详细地说，为以下构成：例如，源极配线12具有：第一侧边部12a、12d，其沿着像素电极11a、11b的一边在列方向上延伸；第二侧边部12b、12e，其沿着像素电极11a、11b的另一边在列方向上延伸；以及横穿部12c、12f，其连接第一侧边部12a、12d与第二侧边部12b、12e，该各部位针对一个像素电极11a、11b分别设有一个。横穿部12c、12f形成在与各像素电极11a、11b的列方向的一边的二等分线重叠的位置，第一侧边部的长度与第二侧边部的长度大致一致。在实施方式3中，第一侧边部12a、12d与第二侧边部12b、12e均为ㄑ字状(半旋转的V字状)。此外，在第二源极配线22和第三源极配线32上，也用同样的图案形成有第一侧边部22a、32a、22d、32d、第二侧边部22b、22e、32b、32e以及横穿部22c、22f、32c、32f。

根据实施方式3的源极配线的配置构成，在各像素电极之间，因为源极配线12、22、32的影响而变动的电位的大小无较大的偏差，因此，在行方向上相邻的像素电极11a、21a、31a或像素电极11b、21b、31b之间，均难以在像素电位中产生偏差。另外，不是以与在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或像素电极31a、31b的间隙重叠的方式来配置源极配线，因此，即使发生列方向的对准偏差，在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或像素电极31a、31b之间，也难以在像素电位中产生偏差。

实施方式3的液晶显示装置能在上述任一种取向模式中使用，但具有大致“ㄑ”字在列方向上并排了两个的形状(半旋转的W字状)，因此，特别适用于IPS模式、VA模式、MVA模式以及TBA模式，由此更能进行视角特性的提高和实现高开口率。

实施方式4

实施方式4是使用了本发明的有源矩阵基板的本发明的液晶显示装置的一个例子。实施方式4的液晶显示装置除了横穿像素电极的源极配线的横穿部的数量不是一条而是两条以外，与实施方式1的液晶显示装置是相同的。即，实施方式4的像素电极的形状为大致矩形。

图22是示出实施方式4的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。源极配线12、22、32以一部分与在行方向上相邻的2个像素电极的间隙重叠的方式形成。另外，源极配线12、22、32具有弯曲点，以该弯曲点为分界形成横穿部，横穿部以横穿像素电极11a、21a、31a的方式形成。这样，源极配线12、22、32作为整体具有锯齿形状。更详细地说，为以下构成：例如，源极配线12具有：第一侧边部12a，其沿着像素电极11a的一边在列方向上延伸；第二侧边部12b，其沿着像素电极11a的另一边在列方向上延伸；以及横穿部12c，其连接第一侧边部12a与第二侧边部12b，该各部位针对一个像素电极11a分别设有两个。横穿部12c以将各像素电极11a的列方向的一边大致均等地分为三个的方式形成，第一侧边部的合计长度与第二侧边部的合计长度大致一致。在实施方式4中，第一侧边部12a与第二侧边部12b存在彼此平行的关系。此外，在第二源极配线22和第三源极配线32上，也用同样的图案形成有第一侧边部22a、32a、第二侧边部22b、32b以及横穿部22c、32c。

根据实施方式4的源极配线的配置构成，在各像素电极之间，因为源极配线12、22、32的影响而变动的电位的大小无较大的偏差，因此，在行方向上相邻的像素电极11a、21a、31a之间，均难以在像素电位中产生偏差。另外，不是以与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠的方式来配置源极配线，因此，即使发生列方向的对准偏差，在列方向上相邻的两个像素电极之间，也难以在像素电位中产生偏差。

特别是在实施方式4中，对一个像素电极11a形成有两个第一侧边部12a，因此，在开口率方面不及实施方式1，但在像素电极和本像素源极配线之间形成的寄生电容Csd1的值由两处形成(第一Csd1+第二Csd1≈Csd2)，因此，能将Csd1-Csd2所示的值设为大致为0。

实施方式4的液晶显示装置能在该任一种取向模式中使用，但在采用TN模式或CPA模式的情况下，适用于像素电极的形状为大致矩形的本方式。

实施方式5

实施方式5是使用了本发明的有源矩阵基板的本发明的液晶显示装置的一个例子。实施方式5的液晶显示装置除了横穿像素电极的源极配线的横穿部的数量不是一条而是两条以外，与实施方式3的液晶显示装置是相同的。即，实施方式5的像素电极的形状为大致W字状。

图23是示出实施方式5的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。源极配线12、22、32以一部分与在行方向上相邻的2个像素电极的间隙重叠的方式形成。另外，源极配线12、22、32具有弯曲点，以该弯曲点为分界形成横穿部，横穿部以横穿像素电极11a、21a、31a的方式形成。这样，源极配线12、22、32作为整体具有锯齿形状。更详细地说，为以下构成：例如，源极配线12具有：第一侧边部12a，其沿着像素电极11a的一边在列方向上延伸；第二侧边部12b，其沿着像素电极11a的另一边在列方向上延伸；以及横穿部12c、12e，其连接第一侧边部12a与第二侧边部12b，该各部位针对一个像素电极分别设有两个。横穿部12c、12e以将各像素电极11a的列方向的一边大致均等地分为三个的方式形成，第一侧边部的合计长度与第二侧边部的合计长度大致一致。在实施方式5中，仅第一侧边部12a或第二侧边部12b的一方是ㄑ字状(半旋转的V字状)。另外，对一个像素电极11a分别形成有两个第一侧边部12a。此外，在第二源极配线22和第三源极配线32上，也用同样的图案形成有第一侧边部22a、32a、第二侧边部22b、32b以及横穿部22c、22e、32c、32e。

根据实施方式5的源极配线的配置构成，在各像素电极之间，因为源极配线12、22、32的影响而变动的电位的大小无较大的偏差，因此，在行方向上相邻的像素电极11a、21a、31a之间，均难以在像素电位中产生偏差。另外，不是以与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠的方式来配置源极配线，因此，即使发生列方向的对准偏差，在列方向上相邻的两个像素电极之间，也难以在像素电位中产生偏差。

特别是在实施方式5中，对一个像素电极11a形成有两条第一横穿部12c，因此，在开口率方面不及实施方式1，但在像素电极和本像素源极配线之间形成的寄生电容Csd 1的值由两处形成(第一Csd1+第二Csd1≈Csd2)，因此，能将Csd1-Csd2所示的值设为大致为0。另外，将横穿部的条数设为偶数条，由此能无需按照在列方向上并排的每一像素来改变电极、配线、薄膜晶体管等的图案地在全部像素中制作相同的图案，因此，易于抑制像素电位的参数偏差、液晶分子的取向状态的偏差。

实施方式5的液晶显示装置能在上述任一种取向模式中使用，具有大致“ㄑ”字在列方向上并排两个的形状(半旋转的W字状)，因此，特别在IPS模式、VA模式、MVA模式以及TBA模式中使用，由此更能进行视角特性的提高、开口率的提高。

实施方式6

实施方式6是使用了本发明的有源矩阵基板的本发明的液晶显示装置的一个例子。实施方式6的液晶显示装置除了像素电极的侧边部的一部分成为环形，整体成为梯子状以外，与实施方式1的液晶显示装置是相同的。即，实施方式6的像素电极的形状为大致矩形。

图24是示出实施方式6的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。源极配线12、22、32以一部分与在行方向上相邻的2个像素电极的间隙重叠的方式形成。另外，源极配线12、22、32具有弯曲点，以该弯曲点为分界形成横穿部，横穿部以横穿像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的方式形成。这样，源极配线12、22、32作为整体具有锯齿形状。更详细地说，为以下构成：源极配线12具有：第一侧边部12a、12d，其沿着像素电极11a、11b的一边在列方向上延伸；第二侧边部12b、12e，其沿着像素电极11a、11b的另一边在列方向上延伸；以及横穿部12c、12f，其连接第一侧边部12a、12d与第二侧边部12b、12e，该各部位针对一个像素电极分别设有一个。此外，在第二源极配线22和第三源极配线32上，也用同样的图案形成有第一侧边部22a、32a、22d、32d、第二侧边部22b、22e、32b、32e以及横穿部22c、22f、32c、32f。

在实施方式6中，源极配线以分支点为分界被分为两个，以另一分支点为分界被结合为一个。这样形成的环形相对于一个像素电极设有一个。即，第一侧边部12a、12d和第二侧边部12b、12e中的任一方具有环形，作为整体，一条源极配线12成为梯子状。

根据实施方式6，即使发生了行方向的对准偏差，最终像素电极与源极配线的重叠面积也在行方向上相邻的像素电极之间实现均匀化，因此，难以在像素电位中产生偏差。另外，与使整个源极配线与像素电极重叠、横穿在行方向上相邻的像素电极的间隙的形态相比，能抑制开口率的降低。

根据实施方式6的源极配线的配置构成，在各像素电极之间，因为源极配线12、22、32的影响而变动的电位的大小无较大的偏差，因此，在行方向上相邻的像素电极11a、21a、31a或像素电极11b、21b、31b之间，均难以在像素电位中产生偏差。另外，不是以与在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或像素电极31a、31b的间隙重叠的方式来配置源极配线，因此，即使发生列方向的对准偏差，在列方向上相邻的两个像素电极11a、11b、像素电极21a、21b或像素电极31a、31b之间，也难以在像素电位中产生偏差。

特别是根据实施方式6，即使产生行方向的对准偏差，最终像素电极与源极配线的重叠面积也在行方向上相邻的像素电极之间实现均匀化，因此，难以在像素电位中产生偏差。另外，与使源极配线的大部分与像素电极重叠、横穿在行方向上相邻的像素电极的间隙的形态相比，能抑制开口率的降低。

实施方式6的液晶显示装置能在该任一种取向模式中使用，在采用TN模式或CPA模式的情况下，适用于像素电极的形状为大致矩形的本方式。

实施方式7

实施方式7是使用了本发明的有源矩阵基板的本发明的液晶显示装置的一个例子，能在实施方式1～6中的任一个中使用。

图25是示出实施方式7的液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的像素电极与源极配线的配置关系的平面示意图。图25示出以实施方式1为准的形态，但也可以以实施方式2～6中的任一个为准来制造。源极配线12、22、32以一部分与在行方向上相邻的2个像素电极的间隙重叠的方式形成。另外，源极配线12、22、32具有弯曲点，以该弯曲点为分界形成横穿部，横穿部以横穿像素电极11a、11b、21a、21b、31a、31b的方式形成。这样，源极配线12、22、32作为整体具有锯齿形状。

在实施方式7中，源极配线的横穿部12c、22c、32c、12f、22f、32f包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等具有透光性的材料。另一方面，第一侧边部12a、22a、32a、12d、22a、32d和第二侧边部12b、12e、22b、22e、32b、32e是铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)等电阻率低的材料、它们的氮化物或将它们的层进行了层叠的结构。

在第一侧边部12a、12d、22a、22d、32a、32d及第二侧边部12b、12e、22b、22e、32b、32e与横穿部12c、12f、22c、22f、32c、32f的连接点，可以是任一方直接层叠到另一方上，也可以是隔着绝缘膜分别设于不同的层，且经由绝缘膜内的接触孔连接它们。

由此，与实施方式1～6的情况相比，得到高开口率并且在配线延迟方面也几乎无影响，因此，能得到具有更优异的显示特性的液晶显示装置。

此外，本申请以2010年5月24日提出申请的日本专利申请2010-118734号为基础，主张基于巴黎公约或进入国的法规的优先权。该申请的内容其整体作为参照被编入本申请中。

附图标记说明

1、2：基板

3：液晶层

4、5：偏振板

6：液晶分子

11a、11b、21a、21b、31a、31b、111、121：像素电极

12、112a、112b、122a、122b：源极配线

12a、12d、22a、22d、32a、32d：第一侧边部

12b、12e、22b、22e、32b、32e：第二侧边部

12c、12f、22c、22f、32c、32f：横穿部

13a、13b：栅极配线

14a、14b：C S配线

15a、15b：漏极配线

16a、16b：接触孔

17a、17b：TFT

18：取向限制图案(点状)

19：取向限制图案(线状)

Claims (24)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，

具备矩阵状地排列的多个像素电极和在列方向上延伸的源极配线，

该源极配线具有：第一侧边部，其沿着该多个像素电极所包括的至少一个像素电极的列方向的一边延伸；横穿部，其横穿该像素电极；以及第二侧边部，其沿着该像素电极的列方向的另一边延伸，

该第一侧边部和该第二侧边部经由该横穿部相互相连，

对在多个像素电极的列方向上并排的至少两个像素电极至少分别设有一条该横穿部。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

在上述多个像素电极的行方向上并排的像素电极中的在行方向上相邻的两个像素电极相互极性不同。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，

在上述多个像素电极的列方向上并排的像素电极中的在列方向上相邻的两个像素电极相互极性不同。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

在上述列方向上并排的至少两个像素电极中的两个像素电极相互相邻，

沿着该两个像素电极中的一方像素电极的列方向的一边延伸的第二侧边部与沿着另一方像素电极的列方向的一边延伸的第一侧边部以不经由横穿像素电极的横穿部的方式相互相连。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

在上述列方向上并排的至少两个像素电极中的两个像素电极相互相邻，

沿着该两个像素电极中的一方像素电极的列方向的一边延伸的第一侧边部与沿着另一方像素电极的列方向的一边延伸的第二侧边部以不经由横穿像素电极的横穿部的方式相互相连。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

对上述多个像素电极中的在列方向上相邻的至少两个像素电极分别设有一条上述横穿部。

7.根据权利要求1～5中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

对上述多个像素电极中的在列方向上相邻的至少两个像素电分别设有偶数条上述横穿部。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述横穿部位于将上述像素电极的列方向的一边大致均等地划分的位置。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述横穿部包括透明电极。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述至少一个像素电极是大致矩形。

11.根据权利要求1～9中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述至少一个像素电极是大致V字形。

12.根据权利要求1～9中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述至少一个像素电极是大致W字形。

13.根据权利要求1～12中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

将上述第一侧边部以分支点为分界分支为两个，分支出的各第一侧边部分别与在行方向上相邻的像素电极重叠。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

将上述第二侧边部以分支点为分界分支为两个，分支出的各第二侧边部分别与在行方向上相邻的像素电极重叠。

15.根据权利要求1～14中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述有源矩阵基板还具备在行方向上延伸的栅极配线，

该栅极配线横穿像素电极。

16.根据权利要求1～14中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述有源矩阵基板还具备在行方向上延伸的栅极配线，

该栅极配线与在列方向上相邻的像素电极的间隙重叠而形成。

17.根据权利要求15或16所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述有源矩阵基板还具备与上述源极配线及上述栅极配线各自连接的薄膜晶体管，

该薄膜晶体管与像素电极的行方向的一边的二等分线重叠。

18.一种液晶显示装置，其特征在于，

按顺序层叠而具有权利要求1～17中的任一项所述的有源矩阵基板、液晶层以及相对基板。

19.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于，

上述液晶显示装置是TN模式。

20.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于，

上述液晶显示装置是VA模式。

21.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于，

上述液晶显示装置是IPS模式。

22.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于，

上述液晶显示装置是TBA模式。

23.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于，

上述液晶显示装置是CPA模式。

24.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于，

上述液晶显示装置是MVA模式。

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