CN106909007B - 液晶显示器设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及液晶显示器设备。该液晶显示器设备包括：在第一方向上延伸的第一栅极线和第二栅极线；在与第一方向垂直地交叉的第二方向上延伸的第一数据线至第四数据线；以及多个像素，分别连接至第一栅极线或第二栅极线以及第一数据线至第四数据线中的任一条数据线，其中，像素中的每一个包括从第一数据线至第四数据线中的连接的一条数据线接收数据信号的像素电极，其中布置有像素电极的区域包括具有彼此不同的液晶分子的平均配向方向的第一域和第二域，并且第一栅极线与第一域和第二域之间的边界重叠。

Description

液晶显示器设备

相关申请的交叉引证

本申请要求于2015年12月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0183534号的优先权，其公开内容通过整个地引证结合于此。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及液晶显示器设备。

背景技术

液晶显示器(“LCD”)由于其诸如低操作电压、低功率消耗以及轻便的优势，已被广泛应用于各个领域，诸如，笔记本电脑、监视器以及航天器/航空器显示器。

通常而言，LCD包括：阵列基板，该阵列基板通过利用液晶的透光率来显示图像；相对基板，该相对基板面对阵列基板；以及光组件，该光组件向阵列基板和相对基板提供光。LCD包括表示不同颜色的像素，并且通过由像素表示的颜色的组合来显示特定颜色。通常而言，像素可表示红色、绿色和蓝色，并且通过这三种颜色的组合，可显示各种颜色。

发明内容

为了驱动像素，数据线和栅极线连接至像素中的每一个。由于数据线和栅极线包括不透明金属，所以液晶显示器(“LCD”)的透射率随着布置在其中的数据线或栅极线的面积增加而降低。

因此，期望一种结构，其中使由数据线或栅极线所造成的透射率的降低最小化。

本发明的示例性实施方式提供一种LCD设备，其中，使由数据线或栅极线所造成的透射率的降低最小化。

根据本发明的示例性实施方式，提供一种LCD设备。该LCD设备包括：第一栅极线和第二栅极线，在第一方向上延伸；第一数据线至第四数据线，在与第一方向垂直地交叉的第二方向上延伸；以及多个像素，分别连接至第一栅极线或第二栅极线以及第一数据线至第四数据线中的任一条数据线，其中，像素中的每一个包括从第一数据线至第四数据线中的连接的一条数据线接收数据信号的像素电极，其中布置有像素电极的区域包括具有彼此不同的液晶分子的平均配向方向的第一域和第二域，并且第一栅极线与第一域和第二域之间的边界重叠。

根据本发明的另一示例性实施方式，提供一种LCD设备。该LCD设备包括：多条栅极线，在第一方向上延伸；多条数据线，在与第一方向垂直地交叉的第二方向上延伸；以及多个像素，分别连接至栅极线和数据线，其中，像素包括从数据线接收数据信号的像素电极，其中布置有像素电极的区域包括具有彼此不同的液晶分子的平均配向方向的第一域和第二域，并且多条栅极线中的至少一条栅极线与第一域和第二域之间的边界重叠。

然而，本发明的实施方式不限于本文阐述的那些。对于本发明所属领域的技术人员来说，通过参照以下给出的本发明的详细说明，本文中没有提及的本发明的其他实施方式将变得更加显然。

根据本发明的示例性实施方式，提供一种LCD设备，其中，使由数据线或栅极线所造成的透射率的降低最小化。

然而，本发明的效果不限于本文阐述的示例性实施方式，并且在该说明书中包括更多不同的效果。

附图说明

通过参考附图进一步详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述和其他示例性实施方式、优点和特征将变得更加显然，其中：

图1是根据本发明的液晶显示器(“LCD”)设备的部分像素的示例性实施方式的平面图；

图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图；

图3是示出图1所示的该部分像素的共用电极的平面图；

图4是示出图1所示的该部分像素的像素电极的平面图；

图5是示出向其添加遮光构件的图1所示的该部分像素的平面图；

图6是根据本发明的LCD设备的部分像素的另一示例性实施方式的平面图；

图7是根据本发明的LCD设备的部分像素的另一示例性实施方式的平面图；

图8是根据本发明的LCD设备的部分像素的另一示例性实施方式的平面图；

图9是根据本发明的LCD设备的部分像素的另一示例性实施方式的平面图；

图10是根据本发明的LCD设备的部分像素的另一示例性实施方式的平面图；

图11是沿着图10的线II-II'截取的截面图；

图12是示出图10所示的该部分像素的像素电极的平面图；以及

图13是示出图10所示的该部分像素的共用电极的平面图。

具体实施方式

现在，将在下文中参考其中示出本发明的优选实施方式的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以不同的形式体现，并且不应解释为限于本文中阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式使得本发明将是详尽和完整的，并且将使本发明的范围充分传递给本领域技术人员。通篇说明书，相同参考标号表示相同组件。在所附的图中，为了清晰，层和区域的厚度被放大。

将理解的是，虽然术语第一、第二、第三等可在本文中用来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下面所讨论的第一元件可被称为第二元件。

为了易于描述，诸如“在…下面”、“在…之下”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语可在本文中用来描述如图中所示的一个元件或特征与一个或多个其他元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括使用中的设备或操作除图中描绘的取向之外的不同取向。在示例性实施方式中，当将图中的设备翻转时，则被描述为在其他元件或特征“之下”或者“下面”的元件将定向为在其他元件或特征“之上”。因此，示例性术语“在…之下”可涵盖在…之上和在…之下两个取向。设备可被另行定向(旋转90度或者位于其他取向)，并且相应地解释本文中使用的空间相对描述符。

本文使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，并非旨在进行限制。除非内容另有清楚地指出，否则如本文使用的单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或者”是指“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任意和所有组合。进一步将理解的是，术语“包括(comprise)”和/或“包含(comprising)”或者“含有(include)”和/或“含(including)”用在本说明书中时，指定存在所述及的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。

此外，本文中可使用诸如“下部”或“底部”以及“上部”或“顶部”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语旨在涵盖设备的除了在图中描绘的取向之外的不同取向。在示例性实施方式中，当将图之一中的设备翻转时，被描述为在其他元件的“下”侧的元件则将被取向为在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下部”可根据图中的特定取向，涵盖“下部”和“上部”两个取向。类似地，当将图之一中的设备翻转时，被描述为在其他元件的“之下”或“下面”的元件则将被取向为在其他元件“之上”。因此，示例性术语“在…之下”或“在…下面”可涵盖在…之上和在…之下两个取向。

考虑到所讨论的测量以及与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的制约)，如本文使用的“大约”或“近似”包括在由本领域普通技术人员确定的具体值的偏差的可接受范围内的所述值和平均值。在示例性实施方式中，“大约”可以表示在一个或多个标准偏差之内或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。

除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与由本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，术语，诸如在常用词典中定义的那些，应被解释为具有与它们在相关领域和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文中明确进行如此限定，否则将不应解释为理想的或过于刻板的意义。

本文参考作为理想化实施方式的示意图的截面图来描述示例性实施方式。因此，预期例如由于制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，本文描述的实施方式不应被解释为局限于如本文所示的区域的具体形状，而是包括因例如制造导致的形状偏差。在示例性实施方式中，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，示出的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状并且不旨在限制权利要求的范围。

在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施方式。

图1是根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器(“LCD”)设备的部分像素的平面图。图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。图3是示出图1所示的该部分像素的共用电极的平面图。图4是示出图1所示的该部分像素的像素电极的平面图。

参考图1至图4，根据本发明的示例性实施方式的LCD设备包括阵列基板AS、相对基板OAS以及液晶层LCL。

用于驱动液晶层LCL的液晶分子的晶体管可布置在阵列基板AS上，并且相对基板OAS可布置为面对阵列基板AS。

在下文中，将描述阵列基板AS。

阵列基板AS可包括第一基底基板SUB1。第一基底基板SUB1可以是透明绝缘基板。在示例性实施方式中，例如，第一基底基板SUB1可以是玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。在示例性实施方式中，例如，第一基底基板SUB1可包括具有高耐热性的聚合物或塑料。第一基底基板SUB1可以是平坦的，但是可在特定方向上被弯曲。

第一基底基板SUB1可具有柔性。即，第一基底基板SUB1可以是可被卷起、折叠或弯曲的可变形基板。

栅极线(例如，GL1、GL2、GL3或GL4)以及栅电极GE可布置在第一基底基板SUB1上。栅极线可传输栅极信号并且在第一方向D1上延伸。

第一方向D1可平行于第一基底基板SUB1的一条边延伸，并且可被限定为由如图1所示的从左到右延伸的预定直线指示的方向。然而，本发明不限于此，并且第一方向D1可不一定平行于第一基底基板SUB1的一条边，并且可以是由在第一基底基板SUB1上沿特定方向延伸的预定直线指示的方向。

栅极信号可具有从外部源提供的可变电压值，并且可对应于栅极信号的电压值来控制随后将描述的晶体管TR的导通/断开操作。

栅电极GE可具有从栅极线突出的形状，并且可以是构成随后将描述的晶体管的组件。多个栅电极GE可从栅极线延伸出。

在示例性实施方式中，栅极线和栅电极GE可包括诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属、诸如钼(Mo)或钼合金的钼基金属、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等。栅极线和栅电极GE可具有单层结构或多层结构，该多层结构包括具有不同物理性能的至少两个导电层。在示例性实施方式中，至少两个导电层中的一个可包括低电阻金属(例如，铝基金属、银基金属、铜基金属等)以便降低信号延迟或电压降。在示例性实施方式中，其他导电层可包括不同材料，具体地，与氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)具有优良接触特性的材料，例如，钼基金属，铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)等。这种组合的实例可包括下铬层和上铝层以及下铝层和上钼层。然而，本发明不限于此，并且栅极线和栅电极GE可包括各种金属和导体。

栅极绝缘层GI可布置在栅极线和栅电极GE上。栅极绝缘层GI可包括绝缘材料，例如，氮化硅、氧化硅等。栅极绝缘层GI可具有单层结构或多层结构，该多层结构包括具有不同物理性能的两个绝缘层。

半导体层AL可布置在栅极绝缘层GI上。半导体层可与栅电极GE至少部分重叠。半导体层AL可包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

尽管在附图中未示出，但是欧姆接触构件(未示出)可进一步布置在半导体层AL上。欧姆接触构件(未示出)可包括高掺杂有n型杂质的n+氢化非晶硅等或包括硅化物。欧姆接触构件(未示出)可成对布置在半导体层AL上。当半导体层是氧化物半导体时，欧姆接触构件(未示出)可被省去。

数据线(例如，DL1、DL2、DL3或DL4)、源电极SE以及漏电极DE可布置在半导体层AL和栅极绝缘层GI上。

数据线可在第二方向D2上延伸以便与栅极线交叉。

第二方向D2可与第一方向D1垂直地交叉，并且可以是由如图1所示的从顶部向底部延伸的预定直线指示的方向。然而，本发明不限于此，并且在第二方向D2与第一方向D1之间限定的角可以不是直角，并且在这种情况下，第二方向D2可以是由沿不平行于第一方向D1的方向延伸的预定直线指示的方向。

数据线可通过栅极绝缘层GI与栅极线绝缘。

数据线可将从外部源输入的数据信号提供至源电极SE。在这种情况下，数据信号可具有从外部源提供的可变电压值，并且可对应于数据信号来控制每个像素的灰度级。

源电极SE可从数据线中分支和突出。源电极SE可从数据线接收提供至其的数据信号。

漏电极DE可与源电极SE间隔开。如图1所示，源电极SE可具有在其间具有预定间隔的情况下包围漏电极DE的U形。然而，源电极SE和漏电极DE的形状不限于此，并且源电极SE和漏电极可排列成各种形状，使得源电极SE的一部分和漏电极DE的一部分在其间具有预定间隔的情况下彼此间隔开。

半导体层AL可布置在被设置在漏电极DE与源电极SE之间的区域中。即，漏电极DE和源电极SE可与半导体层AL部分重叠，或者可在其间具有半导体层AL的情况下面对彼此，使得漏电极DE和源电极SE接触半导体层AL。

数据线、源电极SE和漏电极DE可包括铝、铜、银、钼、铬、钛、钽及其合金，并且可具有多层结构，该多层结构包括难熔金属等的下层(未示出)以及布置在下层上的低电阻上层(未示出)。

栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可与半导体层AL配合以便提供晶体管TR。在示例性实施方式中，例如，晶体管TR可以是薄膜晶体管(“TFT”)。

晶体管TR可与提供至栅电极GE的栅极信号的电压对应地将源电极SE与漏电极DE电连接。具体地，当提供至栅电极GE的栅极信号的电压是断开晶体管TR的一种电压时，源电极SE与漏电极DE可不电连接。相反，当提供至栅电极GE的栅极信号的电压是导通晶体管TR的一种电压时，源电极SE与漏电极DE可通过被限定在介于源电极SE与漏电极DE之间的半导体层AL中的沟道而电连接。

沟道可被限定为以源电极SE与漏电极DE之间的半导体层AL的区域为中心。即，当TFT处于导通状态时，沟道可被限定为以介于源电极SE与漏电极DE之间的半导体层AL为中心，并且电压可被传送并且电流可沿着沟道流动。

结果是，提供至数据线的数据信号可通过漏电极DE传输至存在于晶体管TR外部的其他组件，并且是否传输数据信号可由提供至栅极线的栅极信号来控制。

第一钝化层PA1可布置在栅极绝缘层GI以及TFT上。在示例性实施方式中，第一钝化层PA1可包括无机绝缘材料，并且可覆盖晶体管TR。

保护层IL可布置在第一钝化层PA1上。在示例性实施方式中，保护层IL可具有平坦化第一钝化层PA1的上表面的功能。保护层IL可包括有机材料。在示例性实施方式中，保护层IL可包括光敏有机组合物。

暴露TFT的一部分(更具体地，漏电极DE的一部分)的接触孔CH可被限定在保护层IL和第一钝化层PA1中。接触孔CH可垂直穿透保护层IL和第一钝化层PA1。因此，接触孔CH可暴露漏电极DE的一部分，并且同时可与漏电极DE的一部分重叠。漏电极DE的一部分与保护层IL上的组件的部分可通过被设置在接触孔CH中的导电材料进行物理或电互连。在这种情况下，被设置在接触孔CH中的导电材料可以是随后将描述的像素电极PE的一部分。

共用电极CE可布置在保护层IL上。如图3所示，在除了其中限定接触孔CH的一部分以及与其中限定接触孔CH的该部分相邻的一部分以外的区域中，共用电极CE可在保护层IL上具有平面形状。在示例性实施方式中，共用电极CE可包括诸如ITO、IZO、氧化锌铟锡(“ITZO”)以及Al掺杂的氧化锌(“AZO”)的透明导电材料。

共用信号可施加至共用电极CE，使得共用电极与像素电极PE配合以生成电场。在这种情况下，共用信号可被保持为具有恒定电压值。

第二钝化层PA2可布置在共用电极CE上。在示例性实施方式中，第二钝化层PA2可包括无机绝缘材料。第二钝化层PA2可用来在下面布置的共用电极CE与上面布置的像素电极PE之间进行绝缘。因此，可在共用电极CE与像素电极PE之间生成电场。

像素电极PE可布置在第二钝化层PA2上。像素电极PE可具有通过接触孔CH物理地连接至漏电极DE的一部分，以从漏电极DE接收电压。在示例性实施方式中，像素电极PE可包括诸如ITO、IZO、ITZO和AZO的透明导电材料。

不同于整个地设置在多个像素上的共用电极CE，如图4所示，像素电极PE可单独地设置在每个像素中。因此，不同于遍及多个像素接收一个共用电压的共用电极CE，像素电极PE可在各个像素中接收不同的电压。

像素电极PE可包括分支指状电极BR以及将分支指状电极BR互连的连接电极CNE。分支指状电极BR可彼此间隔开并且彼此平行。作为没有透明导电材料设置在其中的开口的狭缝SL可被限定在分支指状电极BR之间。由于分支指状电极BR彼此间隔开并且彼此平行，所以狭缝SL也会彼此间隔开并且彼此平行。

分支指状电极BR、狭缝SL与布置在分支指状电极BR和狭缝SL之下的共用电极CE可彼此相互作用，以生成具有特定方向性的电场。而且，液晶层LCL的液晶分子LC可由由此生成的电场来控制。

可沿着在分支指状电极BR的平面上延伸的方向设置电场的方向性。即，可根据其中分支指状电极BR延伸的方向来确定电场的方向性以及液晶分子LC的配向方向。在这种情况下，液晶分子LC的配向方向可以是通过由具有方向性的电场最终配向的液晶分子LC的主轴指示的方向。

液晶分子LC的配向方向可以是指预定平面上由液晶分子LC的主轴指示的方向，该方向包括其中液晶分子LC在第一方向D1上延伸的预定直线以及其中液晶分子LC在第二方向D2上延伸的预定直线两者。由液晶分子LC的主轴指示的方向可通过电场的强度来确定。

液晶分子LC的平均配向方向可被限定为由与其中布置有在相同方向上延伸的分支指状电极BR以及分支指状电极BR之间的狭缝SL的区域重叠的液晶分子LC指示的方向的平均。

在这种情况下，可根据液晶分子LC的平均配向方向来确定区域的域(domain)。即，具有不同的液晶分子LC的平均配向方向的区域可具有不同的域，并且具有相同或相似的液晶分子LC的平均配向方向的区域可具有相同的域。

在示例性实施方式中，例如，具有相似的液晶分子LC的平均配向方向的区域可以是其中沿着在预定两个区域中布置的液晶分子LC的平均配向方向延伸的预定直线之间的角度等于或小于约20°的那些区域。

更具体地，如附图中所示，其中布置有相应像素电极PE的区域中的每一个可包括第一域DM1和第二域DM2。布置在第一域DM1中的分支指状电极BR可倾斜为限定分支指状电极BR与在第一方向D1上延伸的预定直线之间的第一角度θ1，并且布置在第二域DM2中的分支指状电极BR可倾斜为限定分支指状电极BR与在第一方向D1上延伸的预定直线之间的第二角度θ2。

由于第一域DM1和第二域DM2中的分支指状电极BR在不同方向上倾斜，所以第一域DM1和第二域DM2中的液晶分子LC的平均配向方向会彼此不同。

因此，当第一域DM1和第二域DM2中的液晶分子LC的平均配向方向彼此不同时，即使在特定方向上观看LCD设备时，液晶分子LC也可被观察为各种形状，从而改进LCD设备的侧面可视性和视角。

尽管在附图中未示出，但是，即使当分支指状电极BR在不同方向上倾斜但是倾斜的方向之间的差值不大时，液晶分子LC的平均配向方向也会彼此相似，并且在该情况下会设置相同的域。在示例性实施方式中，当相对于在第一方向D1上延伸的预定直线限定与第一角度θ1相似的第一相似角度的狭缝SL被额外地限定时，相对于在第一方向D1上延伸的直线限定第一角度θ1的狭缝SL与限定第一相似角度的狭缝SL两者可被限定在第一域DM1中。如本文使用的术语“相似角度”可以是指彼此相比较的其中存在约-20°至约20°的差值的角度。这同样可适用于被限定在第二域DM2中的狭缝SL。

然而，布置在第一域DM1与第二域DM2之间的边界处的液晶分子LC可受到第一域DM1和第二域DM2两者的影响，并且因此，可能不能在任一个方向上恒定控制液晶分子LC。结果，光可能不能像期望的那样透射，并且因此，可生成被观察为暗区的纹理。

如同示例性实施方式，当第一域DM1和第二域DM2沿着第二方向D2彼此相邻时，可沿着第一方向D1布置第一域DM1与第二域DM2之间的边界。在这种情况下，第一栅极线GL1可与第一像素电极PE_1至第六像素电极PE_6的第一域DM1与第二域DM2之间的边界重叠。此外，第三栅极线GL3可与第七像素电极PE_7至第十二像素电极PE_12的第一域DM1与第二域DM2之间的边界重叠。如上所述，第一栅极线GL1至第四栅极线GL4以及第一数据线DL1至第四数据线DL4可包括不透射光的金属材料，并且因此可降低LCD设备的透射率。然而，由于其中不能如期望的那样透射光并且因此会生成被观察为暗区的纹理的第一域DM1与第二域DM2之间的边界与第一栅极线GL1和第三栅极线GL3可在第一方向D1上延伸，因此，第一栅极线GL1和第三栅极线GL3可与第一域DM1与第二域DM2之间的边界重叠，从而使LCD设备的透射率的劣化最小化。

尽管在示例性实施方式中，像素电极PE被描述为布置在共用电极CE上，但是本发明不限于此，并且共用电极CE可布置在像素电极PE上。随后将参考图10至图13描述其中共用电极CE布置在像素电极PE上的结构。

连接至第一栅极线GL1的第二晶体管TR_2、第四晶体管TR_4和第六晶体管TR_6可布置在第一栅极线GL1的沿第二方向D2的一侧处。即，如图1中所示，第二晶体管TR_2、第四晶体管TR_4和第六晶体管TR_6可布置在第一栅极线GL1之下。这种布置可使LCD设备具有改进的显示品质。

具体地，连接至与第一域DM1和第二域DM2之间的边界重叠的第一栅极线GL1的第二晶体管TR_2、第四晶体管TR_4和第六晶体管TR_6可不与第二像素电极PE2、第四像素电极PE4和第六像素电极PE6重叠。因此，第二像素电极PE2、第四像素电极PE4和第六像素电极PE6可具有其中其一部分凹进的形状，并且由于其中布置有第二晶体管TR_2、第四晶体管TR_4和第六晶体管TR_6的区域可被随后将描述的遮光构件BM遮蔽，所以该区域不会允许光穿过其进行透射。

在这种情况下，当在相对于第一栅极线GL1的任一个方向上没有均匀布置第二晶体管TR_2、第四晶体管TR_4和第六晶体管TR_6时，第二像素电极PE2、第四像素电极PE4和第六像素电极PE6中因晶体管不允许光透射的区域会被不规则排列，因此劣化显示品质。因此，第二晶体管TR_2、第四晶体管TR_4和第六晶体管TR_6可被均匀布置在第一栅极线GL1的沿第二方向D2的一侧处，由此改进LCD设备的显示品质。

现在将描述相对基板OAS。

相对基板OAS可包括第二基底基板SUB2、遮光构件BM、滤色器CF以及覆盖层OC。

遮光构件BM可布置在第二基底基板SUB2上(在附图中，在第二基底基板SUB2之下)。遮光构件BM可与每个像素的晶体管TR、数据线以及栅极线重叠，由此防止由液晶分子LC的未对齐所造成的漏光。

然而，遮光构件BM可不布置在其中栅极线与每个像素电极PE的第一域DM1与第二域DM2之间的边界重叠的区域中。滤色器CF可布置在第二基底基板SUB2和遮光构件BM上。滤色器CF可使从第一基底基板SUB1的外部入射的特定波段的光穿过，并且阻挡其他波段的光，因此使发射至第二基底基板SUB2的外部的光具有特定颜色。

在示例性实施方式中，例如，使光被观察为红色的红色滤色器可使约580纳米(nm)至约780nm波段的光通过并且吸收(和/或反射)其他波段的光。在示例性实施方式中，例如，使光被观察为绿色的绿色滤色器可使约450nm至约650nm波段的光通过并且吸收其他波段的光。在示例性实施方式中，例如，使光被观察为蓝色的蓝色滤色器可使约380nm至约560nm波段的光通过并且吸收其他波段的光。在示例性实施方式中，例如，红色滤色器可包括呈现红色的颜料或光敏有机材料，绿色滤色器可包括呈现绿色的颜料或光敏有机材料，并且蓝色滤色器可包括呈现蓝色的颜料或光敏有机材料。

然而，本发明不限于此，并且上述的遮光构件BM和滤色器CF可不一定邻近于第二基底基板SUB2，并且可布置在第一基底基板SUB1上。在这种情况下，滤色器CF可布置为替代保护层IL。在可替换示例性实施方式中，滤色器CF可介于第一钝化层PA1与保护层IL之间，并且在这种情况下，保护层IL可用来平坦化由滤色器CF造成的台阶。

覆盖层OC可布置在遮光构件BM和滤色器CF上。覆盖层OC可减少由遮光构件和滤色器CF造成的台阶。然而，本发明不限于此，并且覆盖层OC可被省去。

现在将描述液晶层LCL。

液晶层LCL可包括具有介电各向异性的多个液晶分子LC。液晶分子LC可以是在与两个基板AS和OAS水平的方向上介于阵列基板AS与相对基板OAS之间的垂直配向的液晶分子。当电场施加在阵列基板AS与相对基板OAS之间时，液晶分子可在阵列基板AS与相对基板OAS之间沿预定方向旋转，从而透射或阻挡光。

液晶层LCL可进一步包括下配向层RM1和上配向层RM2，以使液晶分子LC预倾斜。下配向层RM1可布置在像素电极PE上，并且上配向层RM2可布置在覆盖层OC之下。当电场不施加至液晶分子LC时，下配向层RM1和上配向层RM2可使液晶分子LC配向在预定方向上。在示例性实施方式中，液晶分子LC可被配向为使得其主轴指示从其上布置有下配向层RM1的平面上的沿一个方向延伸的预定直线来限定沿着与其上布置有下配向层RM1的平面垂直的方向约0.5°至约3°的角度的方向。

然而，在示例性实施方式中，可省去下配向层RM1和上配向层RM2的一部分或整体。在这种情况下，可对液晶层LCL执行电处理或化学处理，以使液晶分子LC预倾斜，或者液晶分子LC本身可包括特定材料以使液晶分子LC预倾斜。

如图1中所示，沿着第一方向D1彼此相邻的两个像素可连接至一条数据线。在这种情况下，期望控制该两个像素的栅极线的数量可能是二。

如本文使用的术语“像素”可意味着其中布置有通过相同栅极信号和相同数据信号同时控制的液晶分子LC的区域上的组件以及用于控制该组件的晶体管TR。

通常而言，由于用于向数据线提供数据信号的数据驱动芯片比用于向栅极线提供栅极信号的栅极驱动芯片更昂贵，所以即使当期望的栅极线的数量增加时，当期望对应于增加的栅极线的数量的数据线(例如，DL1至DL4)的数量降低时，也能实现成本降低。此外，当栅极驱动芯片直接布置在阵列基板AS上时，由增加的栅极线的数量所造成的成本增加也许几乎不出现，并且因此由减少的数据线的数量所导致的成本降低的效果可被最大化。

在该上下文中，本发明的示例性实施方式的LCD设备使用一条数据线和两条栅极线来控制在第一方向D1上彼此相邻的两个像素，由此降低数据线的数量。

更具体地，第二像素PX_2可连接至第二数据线DL2和第一栅极线GL1，并且第三像素PX_3可连接至第二数据线DL2和第二栅极线GL2。即，第二像素PX_2和第三像素PX_3可连接至相同数据线(即，第二数据线DL2)，但是可连接至彼此不同的第一栅极线GL1和第二栅极线GL2。

此外，第四像素PX_4可连接至第三数据线DL3和第一栅极线GL1，并且第五像素PX_5可连接至第三数据线DL3和第二栅极线GL2。

图1中所示的第一像素PX_1可连接至第一数据线DL1，第一数据线DL1是与邻近于第一像素PX_1的左侧的另一像素(未示出)的数据线相同的数据线，并且第六像素PX_6可连接至第四数据线DL4，第四数据线DL4是与邻近于第六像素PX_6的右侧的另一像素(未示出)的数据线相同的数据线。

通过使用第一像素PX_1至第六像素PX_6的连接关系作为基本单元，多个像素可设置在LCD设备中。在示例性实施方式中，例如，如图1中所示，第七像素PX_7至第十二像素PX_12可具有与第一像素PX_1至第六像素PX_6的结构相同的结构。

连接至第一栅极线GL1的第二像素PX_2、第四像素PX_4和第六像素PX_6可包括相应栅电极GE。在这种情况下，第二像素PX_2的栅电极GE、第四像素PX_4的栅电极GE以及第六像素PX_6的栅电极可在相同方向上突出。即，如附图中所示，第二像素PX_2的栅电极GE、第四像素PX_4的栅电极GE以及第六像素PX_6的栅电极全部会在第二方向D2上突出。因此，连接至第一栅极线GL1的所有像素PX_2、PX_4以及PX_6的晶体管TR可从第一栅极线GL1朝向相同方向布置，并且可均匀排列由每个像素的晶体管TR所造成的透射损耗的区域，由此最小化显示品质的劣化。

当第一方向D1上彼此相邻的两个像素连接至一条数据线和不同的栅极线时，栅极线可与第一域DM1与第二域DM2之间的边界部分重叠，由此改进透射。这将参考图5进行详细描述。

图5是示出向其添加遮光构件的图1所示的像素中的部分的平面图。

参考图5，第一栅极线GL1和第二栅极线GL2可驱动布置在第一行中的第一像素PX_1至第六像素PX_6(参考图1)以及第三栅极线GL3和第四栅极线GL4可驱动布置在第二行中的第七像素PX_7至第十二像素PX_12(参考图1)。然而，第一栅极线GL1可与第一像素PX_1至第六像素PX_6重叠，使得仅第二栅极线GL2可介于布置在第一行中的第一像素PX_1至第六像素PX_6与布置在第二行中的第七像素PX_7至第十二像素PX_12之间。

在这种情况下，介于布置在第一行中的第一像素PX_1至第六像素PX_6与布置在第二行中的第七像素PX_7至第十二像素PX_12之间的遮光构件BM在第二方向上可具有对应于第一长度W1的厚度。即，由于第一栅极线GL1与第一像素PX_1至第六像素PX_6重叠，所以第一长度W1可被最小化，并且因此，由LCD设备中的遮光构件BM所占据的面积可被最小化，由此改进LCD设备的透射率。在示例性实施方式中，例如，遮光构件BM在第二方向D2上的长度W1可等于或小于11微米。

图6是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD设备的部分像素的平面图。

参考图6，在根据示例性实施方式的LCD设备中，每个像素的像素电极PE可具有与图1中所示的示例性实施方式的那些域类似的两个域DM3和DM4。即，在示出的示例性实施方式中，对应于开口的多个狭缝SL可被限定在第一像素PX_1b至第十二像素PX_12b中的每一个的像素电极PE中。狭缝SL的部分可倾斜为相对于在第一方向D1上延伸的栅极线或直线限定第三角度θ3，并且狭缝SL的剩余部分可倾斜为相对于在第一方向D1上延伸的栅极线或预定直线限定第四角度θ4。

在这种情况下，第一像素PX_1b至至第十二像素PX_12b可包括与其中分支指状电极BR被倾斜为相对于在第一方向D1上延伸的预定直线限定第三角度θ3的区域对应的第三域DM3，以及与其中分支指状电极BR被倾斜为相对于在第一方向D1上延伸的预定直线限定第四角度θ4的区域对应的第四域DM4。液晶分子LC在第三域DM3和第四域DM4中可具有不同的平均配向方向。

如附图中所示，当液晶分子LC在第三域DM3和第四域DM4中的平均配向方向彼此不同时，即使当在特定方向上观看LCD设备时，液晶分子LC也可被观察为各种形状，因此，改进LCD设备的侧面可视性和视角。然而，在示例性实施方式中，不同于参考图1描述的示例性实施方式的那些，例如，第三角度θ3和第四角度θ4可大于约45°并且等于或小于约90°。在这种情况下，如附图中所示，当在第二方向D2上延伸的像素电极PE的宽度宽于在第一方向D1上延伸的像素电极PE的宽度时，第三域DM3和第四域DM4可具有被设置为平行于每个狭缝SL的相应轮廓，以使狭缝SL具有最大均匀形状并且因此提高透射率。即，像素电极PE可具有倾斜的左边和右边的形状而不是长方形。

因此，邻近于像素电极PE的数据线也会平行于像素电极PE的轮廓倾斜，最小化透射率的劣化。

尽管像素电极PE具有倾斜的左边和右边的形状，但是在第三域DM3与第四域DM4之间的边界中可能生成纹理。因此，第一栅极线GL1、第三栅极线GL3等可与第三域DM3与第四域DM4之间的边界重叠，并且因此由栅极线所造成的透射率的劣化可被最小化。

像素(例如，PX_1b至PX_12b)的晶体管(例如，TR_1b)可基本上类似于图1至图5的示例性实施方式的晶体管TR，并且由此将省略详细描述。

图7是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD设备的部分像素的平面图。

在下文中，相同参考标号用于识别上述的在前示例性实施方式的相同组件，并且重复描述将被省略或进行简要描述。

参考图7，第一像素PX_1c至第六像素PX_6c中的部分可连接至不邻近于像素的数据线。

具体地，第一像素PX_1c可连接至第二数据线DL2和第二栅极线GL2。在这种情况下，由于第二像素PX_2c可介于第一像素PX_1c与第二数据线DL2之间使得第一像素PX_1c与第二数据线DL2可彼此间隔开，所以第一连接线CBR_1c可从第二数据线DL2分支出并且连接至第一像素PX_1c。尽管第一连接线CBR_1c被描绘为在第一方向D1上延伸，但是本发明不限于此，并且第一连接线CBR_1c可在第一方向D1和第二方向D2两者上延伸，以在对应像素的晶体管TR布置在像素电极的中心而不是其端部时，将对应像素与连接至第一连接线CBR_1c的数据线进行连接。

第二像素PX_2c可连接至第二数据线DL2和第一栅极线GL1。由于第二像素PX_2c和第二数据线DL2彼此相邻，所以在其间可不设置连接线。

第三像素PX_3c可连接至第三数据线DL3和第一栅极线GL1。由于第四像素PX_4c可介于第三像素PX_3c与第三数据线DL3之间使得第三像素PX_3c与第三数据线DL3可彼此间隔开，所以第三连接线CBR_3c可从第三数据线DL3分支出并且连接至第三像素PX_3c。第三连接线CBR_3c可在第一方向D1和第二方向D2两者上延伸。

第四像素PX_4c可连接至第三数据线DL3和第二栅极线GL2。由于第四像素PX_4c和第三数据线DL3彼此相邻，所以在其间可不设置连接线。

第五像素PX_5c可连接至第四数据线DL4和第一栅极线GL1。由于第六像素PX_6c可介于第五像素PX_5c与第四数据线DL4之间使得第五像素PX_5c与第四数据线DL4可彼此间隔开，所以第五连接线CBR_5c可从第四数据线DL4分支出并且连接至第五像素PX_5c。第五连接线CBR_5c可在第一方向D1和第二方向D2两者上延伸。

第六像素PX_6c可连接至第四数据线DL4和第二栅极线GL2。由于第六像素PX_6c和第四数据线DL4彼此相邻，所以在其间可不设置连接线。

第七像素PX_7c可连接至第一数据线DL1和第四栅极线GL4。由于第七像素PX_7c和第一数据线DL1彼此相邻，所以在其间可不设置连接线。

第八像素PX_8c可连接至第一数据线DL1和第三栅极线GL3。由于第七像素PX_7c可介于第八像素PX_8c与第一数据线DL1之间使得第八像素PX_8c与第一数据线DL1可彼此间隔开，所以第八连接线CBR_8c可从第一数据线DL1分支出并且连接至第八像素PX_8c。第八连接线CBR_8c可在第一方向D1和第二方向D2两者上延伸。

第九像素PX_9c可连接至第二数据线DL2和第三栅极线GL3。由于第九像素PX_9c和第二数据线DL2彼此相邻，所以在其间可不设置连接线。

第十像素PX_10c可连接至第二数据线DL2和第四栅极线GL4。由于第九像素PX_9c可介于第十像素PX_10c与第二数据线DL2之间使得第十像素PX_10c与第二数据线DL2可彼此间隔开，所以第十连接线CBR_10c可从第二数据线DL2分支出并且连接至第十像素PX_10c。第十连接线CBR_10c可在第一方向D1上延伸。

第十一像素PX_11c可连接至第三数据线DL3和第三栅极线GL3。由于第十一像素PX_11c和第三数据线DL3彼此相邻，所以在其间可不设置连接线。

第十二像素PX_12c可连接至第三数据线DL3和第四栅极线GL4。由于第十一像素PX_11c可介于第十二像素PX_12c与第三数据线DL3之间使得第十二像素PX_12c与第三数据线DL3可彼此间隔开，所以第十二连接CBR_12c可从第三数据线DL3分支出并且连接至第十二像素PX_12c。第十二连接线CBR_12c可在第一方向D1上延伸。

当像素与数据线分别通过使用如上所述的连接线连接时，输入至数据线的信号可进行列反转，该列反转对用户的眼睛来说可被视为点反转，利用了两种方案的优势。

即，信号可进行其中相邻数据线接收具有不同极性的数据信号的列反转，对用户的眼睛而言，列反转实际上可被视为其中基于LCD设备的预定点单元，在垂直方向和水平方向上相邻的点具有彼此不同的极性的点反转。通常而言，实施列反转相对不昂贵并且点反转的显示品质相对优异，并且示例性实施方式可采用列反转和点反转两者的优点。

具体地，在一个帧中，正极性的数据信号可提供至第一数据线DL1和第三数据线DL3，并且负极性的数据信号可提供至第二数据线DL2和第四数据线DL4。

如本文使用的正极性可以是相对的，并且可意指输入的数据信号的电压值相对高于共用信号的电压值。如本文中使用的负极性可意指输入的数据信号的电压值相对低于共用信号的电压值。

当将栅极信号顺序提供至第一栅极线GL1至第四栅极线GL4时，正极性的数据信号可被提供至第一像素PX_1c、第二像素PX_2c、第五像素PX_5c、第六像素PX_6c、第九像素PX_9c以及第十像素PX_10c，并且负极性的数据信号可被提供至第三像素PX_3c、第四像素PX_4c、第七像素PX_7c、第八像素PX_8c、第十一像素PX_11c以及第十二像素PX_12c。即，基于在第一方向D1上的两个相邻像素的点单元，在垂直方向和水平方向上相邻的点可设置有具有不同极性的数据信号，并且因此，用户可识别作为正在LCD设备中执行的点反转(其实际上是列反转)。这可导致在使显示品质的提高最大化的同时降低成本。

图8是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD设备的部分像素的平面图。

在下文中，相同参考标号用于识别上述的示例性实施方式的相同组件，并且重复描述将被省略或者进行简要描述。

参考图8，数据线DL1_a和DL1_b中的每一个可不仅在第二方向D2上延伸而且也在第一方向D1上延伸。因此，一条数据线可连接至在第二方向D2上彼此不相邻的不同像素中的每一个。

在示例性实施方式中，例如，第一数据线DL1_a可连接至第一像素PX_1d和第二像素PX_2d以及连接至与第一像素PX_1d和第二像素PX_2d两者都不相邻的第九像素PX_9d和第十像素PX_10d。

此外，第二数据线DL1_b可连接至第三像素PX_3d和第四像素PX_4d以及连接至与第三像素PX_3d和第四像素PX_4d两者都不相邻的第十一像素PX_11d和第十二像素PX_12d。

尽管在示出的示例性实施方式中，其中每条数据线在第二方向D2上延伸的距离被示出为对应于两个像素，但是本发明不限于此，并且每条数据线可在第二方向D2上延伸差不多比对应于两个像素的距离短的距离，或者可在第二方向D2上延伸差不多比对应于两个像素的距离长的距离。

该结构可使LCD设备能够通过进一步的各种方法来驱动。

图9是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD设备的部分像素的平面图。

在下文中，相同参考标号用于识别上述的示例性实施方式的相同组件，并且重复描述将被省略或者进行简要描述。

参考图9，不同于上述示例性实施方式的那些，需要一条栅极线和四条数据线来驱动多个像素(例如，PX_1e至PX_12e)中的在第一方向D1上相邻的两个像素。

示例性实施方式与上述示例性实施方式的相同之处在于：每个像素具有两个域，但是与上述示例性实施方式的不同之处在于：两个域之间的边界沿着第二方向D2而不是第一方向D1来限定。在这种情况下，由于栅极线可在第一方向D1上延伸，所以栅极线可不与每个像素电极PE的两个域之间的边界重叠，但是由于数据线可在第二方向D2上延伸，所以数据线可与每个像素电极PE的两个域之间的边界重叠。

即，如附图中所示，第二数据线DL2和第四数据线DL4可与每个像素电极PE的两个域之间的边界重叠。

因此，可与和每个像素电极PE的两个域之间的边界重叠的数据线的数量成比例地改进LCD设备的透射率。

图10是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD设备的部分像素的平面图。图11是沿着图10的线II-II'截取的截面图。图12是示出图10所示的部分像素的像素电极的平面图。图13是示出图10所示的部分像素的共用电极的平面图。

在下文中，相同参考标号用于识别上述的示例性实施方式的相同组件，并且重复描述将被省略或者进行简要描述。

参考图10至图13，关于一些像素PX_4f、PX_5f、PX_10f和PX_11f连接至的栅极线GL1至GL4，根据示例性实施方式的LCD设备与参考图1描述的根据示例性实施方式的LCD设备不同。此外，关于像素电极PE_f和共用电极CE_f的布置和结构，根据示例性实施方式的LCD设备与参考图1描述的根据示例性实施方式的LCD设备不同。

具体地，不同于参考图1描述的根据示例性实施方式的LCD设备，其中，共用电极CE布置在保护层IL上，第二钝化层PA2布置在共用电极CE上，并且像素电极PE布置在第二钝化层PA2上，根据示例性实施方式的LCD设备被构造为：像素电极PE_f布置在保护层IL上，第二钝化层PA2布置在像素电极PE_f上，并且共用电极CE_f布置在第二钝化层PA2上。

具体地，如图12所示，像素电极PE_f可单独布置在像素中的每一个中。因此，像素电极PE_f在相应像素中可接收不同的电压。然而，不同于参考图1描述的示例性实施方式，布置在每个像素中的像素电极PE_f可具有没有开口的平面形状。

如图13所示，除了其中限定有狭缝SL_f的一部分以外，共用电极CE_f在保护层IL上可包括单个整体主体。即，不同于参考图1描述的示例性实施方式，对应于其中布置有像素的区域而限定的狭缝SL_f可被限定在共用电极CE_f中。狭缝SL_f可以是其中没有设置透明导电材料的开口。

分支指状电极BR_f可布置在狭缝SL_f之间。分支指状电极BR_f可彼此间隔开并且布置为彼此平行。然而，不同于参考图1描述的示例性实施方式，可不设置用于互连分支指状电极BR_f的连接电极CNE。然而，共用电极CE_f可布置在所有像素上，并且因此，共用电极CE_f的不对应于分支指状电极BR_f的一部分可互连分支指状电极BR_f。

分支指状电极BR_f、狭缝SL_f与布置在分支指状电极BR_f和狭缝SL_f之下的像素电极PE_f可彼此相互作用，以便生成具有特定方向性的电场。此外，液晶层LCL的液晶分子LC可由由此生成的电场控制。电场的方向性和液晶分子的配向方向与参考图1描述的实施方式的那些相同，并且因此，可限定多个域。

在这种情况下，像素电极PE_f可接收数据信号，并且像素电极PE_f充电或放电的电压也可与数据信号的电压值的变化对应地改变。相反，如上所述，共用电极CE_f中的共用信号的电压值可保持恒定。

当考虑到LCD设备的截面表面时(即，在沿着垂直于第一基底基板SUB1的方向的LCD设备的视图中)，不同于参考图1描述的根据示例性实施方式的LCD设备，其中共用电极CE介于像素电极PE与第一栅极线GL1至第四栅极线GL4之间，在根据示例性实施方式的LCD设备中，共用电极CE_f可不介于像素电极PE_f与第一栅极线GL1至第四栅极线GL4之间。即，像素电极PE_f而不是共用电极CE_f可布置为更接近于第一栅极线GL1至第四栅极线GL4。

在参考图1描述的根据示例性实施方式的LCD设备中，其中电压保持恒定的共用电极CE可介于像素电极PE与第一栅极线GL1至第四栅极线GL4之间，并且因此，即使当变化的电压值被施加至所有像素电极PE与第一栅极线GL1至第四栅极线GL4时，像素电极PE和第一栅极线GL1至第四栅极线GL4也可彼此互不影响。

然而，在根据示例性实施方式的LCD设备中，由于向其提供具有变化的电压值的栅极信号的第一栅极线GL1至第四栅极线GL4与向其提供具有变化的电压值的数据信号的像素电极PE_f彼此相邻，所以会在其间生成寄生电容。寄生电容可降低LCD设备的显示品质。在根据示例性实施方式的LCD设备中，优化部分像素的第一栅极线GL1至第四栅极线GL4与第一数据线DL1至第四数据线DL4之间的连接关系，从而防止显示品质的劣化。

具体地，第一像素PX_1f可连接至第一数据线DL1和第二栅极线GL2，第二像素PX_2f可连接至第二数据线DL2和第一栅极线GL1，第三像素PX_3f可连接至第二数据线DL2和第二栅极线GL2，第四像素PX_4f可连接至第三数据线DL3和第二栅极线GL2，第五像素PX_5f可连接至第三数据线DL3和第一栅极线GL2，并且第六像素PX_6f可连接至第四数据线DL4和第一栅极线GL1。

即，第一像素PX_1f和第四像素PX_4f两者可连接至第二栅极线GL2，并且第二像素PX_2f和第五像素PX_5f两者可连接至第一栅极线GL1，但是第三像素PX_3f和第六像素PX_6f可分别连接至作为不同栅极线的第二栅极线GL2和第一栅极线GL1。

在这种情况下，例如，当第一像素PX_1f和第四像素PX_4f两者是其中布置有红色滤色器的红色像素，第二像素PX_2f和第五像素PX_5f两者是其中布置有绿色滤色器的绿色像素，以及第三像素PX_3f和第六像素PX_6f两者是其中布置有蓝色滤色器的蓝色像素时，可改进显示品质。

具体地，由于第一栅极线GL1和第二栅极线GL2两者邻近于第一像素PX_1f至第六像素PX_6f，所以会在第一栅极线GL1和第二栅极线GL2与第一像素PX_1f至第六像素PX_6f的像素电极之间生成寄生电容。因此，由于栅极信号首先提供至第一栅极线GL1并且随后栅极信号提供至第二栅极线GL2，所以当提供至第二栅极线的信号变化时，在由第一栅极线GL1控制的第二像素PX_2f、第五像素PX_5f和第六像素PX_6f的相应像素电极PE_2f、PE_5f和PE_6f中充电的电压会由于寄生电容而下降。

尽管在由第二栅极线GL2控制的第一像素PX_1f、第三像素PX_3f和第四像素PX_4f的相应像素电极PE_1f、PE_3f和PE_4f中充电的电压可能由于第一栅极线GL1的信号的改变而下降，但是由于第二栅极线GL2在完成第一栅极线GL1的操作之后开始它的操作，所以第一像素PX_1f、第三像素PX_3f和第四像素PX_4f可不受到由第一栅极线GL1所造成的电压降的影响。

因此，当第一像素PX_1f和第四像素PX_4f两者被设为显示红色并且连接至第二栅极线GL2时，第一像素PX_1f和第四像素PX_4f两者可不受到电压降的影响，由此显示具有相同亮度的红色。

此外，当第二像素PX_2f和第五像素PX_5f两者被设为显示绿色并且连接至第一栅极线GL1时，相同程度的电压降可出现在第二像素PX_2f和第五像素PX_5f中，由此显示具有相同亮度的绿色。

然而，即使当第三像素PX_3f和第六像素PX_6f两者被设为显示蓝色时，第三像素PX_3f和第六像素PX_6f也可分别连接至第一栅极线GL1和第二栅极线GL2。这是因为，即使在电压降出现在第六像素PX_6中而电压降未出现在第三像素PX_3中时，这可产生具有亮度差的蓝色，但是由于蓝色具有低于红色或绿色的可视性，所以蓝色的亮度差不会被用户的眼睛显著地识别到。

上述的像素PX_1f至PX_12f与栅极线GL1至GL4之间的连接结构可改进LCD设备的显示品质。

像素(例如，PX_1f至PX_12f)的晶体管(例如，TR_1f至TR_12f)可大致相似于图1至图5的示例性实施方式的晶体管TR，并且由此将省略详细描述。

尽管为了说明的目的已经描述了本发明的优选实施方式，但本领域的那些技术人员将理解的是，在不背离如所附权利要求中所公开的本发明的范围和精神的情况下，各种修改、增加和替换是可能的。

Claims (7)

1.一种液晶显示器设备，包括：

第一栅极线和第二栅极线，在第一方向上延伸；

第一数据线至第四数据线，在与所述第一方向垂直地交叉的第二方向上延伸；

多个像素，在所述第一方向上顺序地布置并且分别连接至所述第一栅极线和所述第二栅极线中的一条栅极线与所述第一数据线至所述第四数据线中的一条数据线；以及

红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，与所述多个像素重叠，

其中，所述多个像素中的每一个像素包括像素电极，所述像素电极从所述第一数据线至所述第四数据线中的连接的一条数据线接收数据信号，

所述像素电极被布置的区域包括具有彼此不同的液晶分子的平均配向方向的第一域和第二域，并且

所述第一栅极线与所述第一域和所述第二域之间的边界重叠，

其中，所述第二栅极线布置在所述多个像素的周边处，

其中，所述多个像素包括在所述第一方向上顺序地布置的第一像素至第六像素，

其中，所述第一像素和所述第四像素连接至所述第二栅极线，所述第二像素和所述第五像素连接至所述第一栅极线，并且所述第三像素和所述第六像素中的一个连接至所述第一栅极线并且所述第三像素和所述第六像素中的另一个连接至所述第二栅极线，

其中，所述红色滤色器与所述第一像素和所述第四像素重叠，所述绿色滤色器与所述第二像素和所述第五像素重叠，并且所述蓝色滤色器与所述第三像素和所述第六像素重叠。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器设备，其中，多个狭缝被限定在所述像素电极中，并且所述多个狭缝中的被限定在所述第一域中的第一狭缝相对于所述第一方向限定第一角度，并且所述多个狭缝中的被限定在所述第二域中的第二狭缝相对于所述第一方向限定第二角度。

3.根据权利要求2所述的液晶显示器设备，其中，所述多个狭缝中的相对于所述第一方向限定第一相似角度的第三狭缝进一步被限定在所述第一域中，并且所述多个狭缝中的相对于所述第一方向限定第二相似角度的第四狭缝进一步被限定在所述第二域中，并且所述第一相似角度与所述第一角度之间的差值为-20°到20°，并且所述第二相似角度与所述第二角度之间的差值为-20°到20°。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器设备，其中，所述第一数据线布置在所述第一像素的与所述第一方向相反的一侧处，所述第二数据线介于所述第二像素与所述第三像素之间，所述第三数据线介于所述第四像素与所述第五像素之间，并且所述第四数据线布置在所述第六像素的沿所述第一方向的一侧处。

5.根据权利要求4所述的液晶显示器设备，其中，所述第一数据线连接至所述第一像素，所述第二数据线连接至所述第二像素和所述第三像素，所述第三数据线连接至所述第四像素和所述第五像素，并且所述第四数据线连接至所述第六像素。

6.根据权利要求4所述的液晶显示器设备，进一步包括：将所述第二数据线与所述第一像素互连的第二连接线、将所述第三数据线与所述第三像素互连的第三连接线、以及将所述第四数据线与所述第五像素互连的第四连接线，并且

其中，所述第二数据线连接至所述第一像素和所述第二像素，所述第三数据线连接至所述第三像素和所述第四像素，并且所述第四数据线连接至所述第五像素和所述第六像素。

7.根据权利要求4所述的液晶显示器设备，其中，所述第二数据线连接至所述第一像素和所述第二像素，所述第三数据线连接至所述第三像素和所述第四像素，并且所述第四数据线连接至所述第五像素和所述第六像素，并且

其中，具有第一极性的所述数据信号被提供至所述第二数据线和所述第四数据线，并且具有第二极性的所述数据信号被提供至所述第三数据线。

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