CN102838354B - 一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法 - Google Patents

一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102838354B
CN102838354B CN 201210332545 CN201210332545A CN102838354B CN 102838354 B CN102838354 B CN 102838354B CN 201210332545 CN201210332545 CN 201210332545 CN 201210332545 A CN201210332545 A CN 201210332545A CN 102838354 B CN102838354 B CN 102838354B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
built
layer ceramic
weighting material
ceramic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 201210332545
Other languages
English (en)
Other versions
CN102838354A (zh
Inventor
马涛
贺彪
薛峻
李冉
王会
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huadong Photoelectric Integrated Device Research Institute
Original Assignee
China North Industries Group Corp No 214 Research Institute Suzhou R&D Center
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China North Industries Group Corp No 214 Research Institute Suzhou R&D Center filed Critical China North Industries Group Corp No 214 Research Institute Suzhou R&D Center
Priority to CN 201210332545 priority Critical patent/CN102838354B/zh
Publication of CN102838354A publication Critical patent/CN102838354A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102838354B publication Critical patent/CN102838354B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)

Abstract

本发明涉及的是一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,包含以下工艺步骤:采用生瓷材料加工填充物;将多层的陶瓷片堆垒成具有内置空腔立体结构,在堆垒的过程中,同时在空腔中放置填充物;将堆垒并放置了填充物的立体结构压制成致密的陶瓷块;将陶瓷块切割为多层陶瓷元件单元;对多层陶瓷元件单元进行烧结,在烧结过程中填充物生成气体排出,形成具有内置空腔的多层陶瓷元件。本发明的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,不需要在烧结前将空腔中的填充物取出,减少了取出填充物的步骤,避免了取出填充物时造成空腔处出现分层裂纹,提高了成型效率和产品良率,使用该成型方法形成的多层陶瓷元件具有更好的长期可靠性。

Description

一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法
技术领域
本发明属于多层陶瓷元件技术领域,涉及一种多层陶瓷元件的成型方法。
背景技术
常规的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法是借助加工模具,在模具内注入硅胶制作空腔填充物,在多层陶瓷叠片时将空腔填充物填入空腔位进行层压,层压后取出空腔填充物,再进行切割、烧结。而在取出空腔填充物时,空腔填充物与陶瓷间的摩擦通常会导致多层陶瓷元件在空腔处出现分层裂纹,产品成品率低且有影响长期可靠性的隐患。而且,常规的空腔成形方法在元件烧结前必须将空腔填充物取出,因此无法加工多层陶瓷元件内置空腔。
发明内容
本发明的目的旨在提供一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的加工工艺方法,不需要在烧结前将空腔中的填充物取出,避免取出填充物时造成空腔处出现分层裂纹。
实现本发明目的的技术解决方案为:一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,其特征是:包含以下工艺步骤:
a、加工填充空腔的填充物:
采用生瓷材料加工成可与多层陶瓷元件空腔形状相配合的填充物;
b、多层陶瓷叠片:
将多层的陶瓷片按顺序依次堆垒成一个立体结构,该立体结构中至少具有一个内置空腔;
c、放置填充物:
在步骤b)的叠片过程中,在堆垒形成立体结构的过程中,同时在形成的内置空腔中放置填充物进行填充;
d、层压:
将堆垒并已在空腔中放置了填充物的立体结构压制成相对致密的陶瓷块;
e、切割:
将所述陶瓷块切割为多层陶瓷元件单元;
f、烧结:
对切割后的所述多层陶瓷元件单元进行烧结,在烧结过程中填充物生成气体排出,形成具有内置空腔的多层陶瓷元件。
步骤a)中,加工填充物的工艺步骤为:
1)流延生瓷:
将所述生瓷材料通过流延加工成生瓷带;
2)叠片和层压:
将生瓷带经过叠片和层压工艺得到与多层陶瓷元件中的空腔深度相同的生瓷体;
3)形状加工:
将生瓷体加工成与空腔形状相同的填充物。
所述烧结过程的温度在300℃~800℃之间。
所述生瓷材料为在烧结过程中300℃~800℃之间发生化学反应、生成气体的生瓷。生瓷材料实际发生反应的温度范围可以在500℃~800℃范围间。
加工填充物时,将所述生瓷材料通过流延加工成0.05mm~0.5mm厚度的生瓷带。
加工填充物时,使用激光或热切割的加工方式将生瓷体加工成与空腔形状相同的填充物。
本发明与现有技术相比,其显著优点是:
本发明的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,提供了一种实现多层陶瓷元件内置空腔加工的新方法,该方法不需要在烧结前将空腔中的填充物取出,减少了取出填充物的步骤,避免了取出填充物时造成空腔处出现分层裂纹,提高了成型效率和产品良率,使用该成型方法形成的多层陶瓷元件具有更好的长期可靠性。
附图说明
图1为生瓷带示意图;
图2、图3为一种空腔填充物主视图和俯视图;
图4、图5为另一种空腔填充物主视图和俯视图;
图6、图7为又一种空腔填充物主视图和俯视图;
图8为层压后陶瓷块示意图;
图9为具有空腔的多层陶瓷元件结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明的加工工艺流程主要包括以下几部分:
流延生瓷→加工空腔填充物→多层陶瓷元件叠片→放置空腔填充物→层压→切割→烧结。
具体工艺如下:
A、流延生瓷:按多层陶瓷空腔要求流延加工所需厚度的生瓷带,如图1;
B、加工空腔填充物:使用上述生瓷带进行叠片、层压得到与多层陶瓷空腔深度相同的生瓷体,再运用切削加工如激光加工、热切割加工等加工方式,将生瓷体加工成与空腔形貌相同的填充物,填充物可以为如图2-图7中的1种、2种或多种形状的填充物2、3、4;
C、叠片:将多层陶瓷按顺序依次堆垒成一个立体结构,立体结构中具有堆垒形成的内置空腔和表面空腔;
D、放置填充物:叠片过程中在适当的时机填入空腔填充物2、3、4;
E、层压:在压力作用下将堆垒的立体结构压制成相对致密的陶瓷块5,如图8;
F、切割:将陶瓷块切割为未经烧结的多层陶瓷元件单元;
G、烧结:将切割后的多层陶瓷元件单元在特定的烧结气氛、烧结曲线下烧制成具有表面空腔结构7和内置空腔结构8的多层陶瓷元件6,在烧结过程中填充物2、3、4生成气体排出,从而可以形成表面及内置的空腔结构,如图9所示。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,其特征是:包含以下工艺步骤:
a、加工填充空腔的填充物:
采用生瓷材料加工成可与多层陶瓷元件空腔形状相配合的填充物;
b、多层陶瓷叠片:
将多层的陶瓷片按顺序依次堆垒成一个立体结构,该立体结构中至少具有一个内置空腔;
c、放置填充物:
在步骤b)的叠片过程中,在堆垒形成立体结构的过程中,同时在形成的内置空腔中放置填充物进行填充;
d、层压:
将堆垒并已在空腔中放置了填充物的立体结构压制成相对致密的陶瓷块;
e、切割:
将所述陶瓷块切割为多层陶瓷元件单元;
f、烧结:
对切割后的所述多层陶瓷元件单元进行烧结,在烧结过程中填充物生成气体排出,形成具有内置空腔的多层陶瓷元件。
2.根据权利要求1所述的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,其特征是:步骤a)中,加工填充物的工艺步骤为:
1)流延生瓷:
将所述生瓷材料通过流延加工成生瓷带;
2)叠片和层压:
将生瓷带经过叠片和层压工艺得到与多层陶瓷元件中的空腔深度相同的生瓷体;
3)形状加工:
将生瓷体加工成与空腔形状相同的填充物。
3.根据权利要求1所述的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,其特征是:所述烧结过程的温度在300℃~800℃之间。
4.根据权利要求1、2或3所述的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,其特征是:所述生瓷材料为在烧结过程中300℃~800℃之间发生化学反应、生成气体的生瓷。
5.根据权利要求2所述的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,其特征是:加工填充物时,将所述生瓷材料通过流延加工成0.05mm~0.5mm厚度的生瓷带。
6.根据权利要求2所述的具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法,其特征是:加工填充物时,使用激光或热切割的加工方式将生瓷体加工成与空腔形状相同的填充物。
CN 201210332545 2012-09-11 2012-09-11 一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法 Active CN102838354B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210332545 CN102838354B (zh) 2012-09-11 2012-09-11 一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210332545 CN102838354B (zh) 2012-09-11 2012-09-11 一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102838354A CN102838354A (zh) 2012-12-26
CN102838354B true CN102838354B (zh) 2013-10-02

Family

ID=47366120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201210332545 Active CN102838354B (zh) 2012-09-11 2012-09-11 一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102838354B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115366225B (zh) * 2021-05-21 2023-11-21 江苏惟哲新材料有限公司 一种多层陶瓷元件内埋深孔腔的制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3547327B2 (ja) * 1998-11-02 2004-07-28 松下電器産業株式会社 セラミック多層基板の製造方法
JP3709802B2 (ja) * 2001-03-28 2005-10-26 株式会社村田製作所 多層セラミック基板の製造方法
CN1233506C (zh) * 2002-03-28 2005-12-28 联华电子股份有限公司 真空吸附晶圆用薄膜、吸附晶圆装置和真空吸附研磨头
CN1648100A (zh) * 2004-01-20 2005-08-03 珠海粤科清华电子陶瓷有限公司 多层陶瓷异型器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102838354A (zh) 2012-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109400175B (zh) 一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法
CN112389039B (zh) 一种高强度、高韧性层状复相陶瓷的制备方法
CN112521130B (zh) 一种基于3d打印技术的陶瓷零件的制备方法
CN103695681A (zh) 一种铝基碳化硅颗粒增强复合材料及其构件的成型装置及方法
CN108675798A (zh) 一种氮化硅陶瓷及其制备方法
EP2679363B1 (en) A method for manufacturing of ceramic electro-insulating pipes
CN105503209A (zh) 一种基于焦宝石的莫来石轻质隔热砖及其制备方法
CN106810264A (zh) 一种氮化硅陶瓷的制备方法
CN102173829A (zh) 硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法
CN102838354B (zh) 一种具有内置空腔的多层陶瓷元件的工艺加工方法
KR101661114B1 (ko) 산화알루미늄과 산화지르코늄이 첨가된 고인성 산화이트륨 소결체의 제조 방법
JP2013204051A (ja) 円筒型スパッタリングターゲット材の製造方法
CN104261831B (zh) 多层YAG-Tm:YAG-YAG-Ho:YAG-YAG复合激光陶瓷及其制备方法与应用
CN106083205A (zh) 一种通过化学气相渗透提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法
CN110386823B (zh) 基于选择性激光烧结陶瓷基复杂结构件的制备方法
CN102862367B (zh) 一种多层陶瓷元件空腔成形方法
CN104892004A (zh) 高定向氮化硼复合材料的制备工艺
CN112851354A (zh) 一种多孔结构陶瓷及其制备方法
KR101853860B1 (ko) 다종 재료의 혼합 입체 성형 방법
CN104030663B (zh) 一种cob陶瓷基板制备方法及cob光源
JP2015175035A (ja) 円筒型スパッタリングターゲット材の製造方法
JP6253918B2 (ja) 曲面部を備えるセラミックスプレートの製造方法及び製造装置
CN110862260B (zh) 电子产品外壳及其制备方法和手机后盖
CN113582517A (zh) 玻璃注塑胚体的烧结工艺、玻璃制品的加工方法及玻璃制品
JP2022038259A (ja) 酸化物焼結体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180813

Address after: 233030 2016 Tang He road, Bengbu, Anhui

Patentee after: Huadong Photoelectric Integrated Device Research Institute

Address before: 215163 No. 89 Longshan Road, hi tech Zone, Suzhou, Jiangsu

Patentee before: China North Industries Group Corporation No.214 Research Institute Suzhou R&D Center