CN102834904B - 激光束定位系统 - Google Patents

Abstract

提供了一种用于标定辐射光束的方法和设备。导光反射镜和捕光反射镜以可移动方式置于光学路径上。控制器在x-y平面中移动该导光反射镜和该捕光反射镜，并旋转这些反射镜，以将光束标定于表面上的靶材位置，同时为表面上所有靶材位置而使光学路径长度保持为实质固定。通过旋转致动器来旋转表面，以使所有的靶材位置都成为可由光束标定光学器件进入的位置。标定和光学路径长度上的不精确性可由对位于光束进入点的致动光圈及/或变焦透镜提供光学范围寻找检测器而加以补偿，致动光圈及变焦透镜都与控制器连通。

Description

激光束定位系统

发明背景

发明领域

在此描述的实施例涉及半导体基板的热处理。更具体而言，在此描述的实施例涉及半导体基板的激光热退火的方法和设备。

相关技术的描述

激光热处理是半导体工业中常用的技术。对半导体基板进行激光热处理以进行与集成电路、大面积面板（例如平面显示器与太阳能面板）、光子介质及磁性介质有关的各种再结晶、活化及退火处理。激光处理可利用激光方法达到的大加热率与快速产量，因而常被选择使用。

在大部分的例子中，待处理的基板位于激光设备中的支撑座上，而激光于所述基板上被调焦成一光点。然后移动基板，以使所述激光光点定位于基板上连续位置，直到基板上所有需要的位置都被处理为止。定位一般是利用用于支撑基板的精确x-y平台而完成。基板也可在z方向中移动，以保持激光光点在基板上的调焦。

由于半导体基板上的装置尺寸随摩尔定律（Moore’sLaw）而降低，对于定位与调焦的精确控制的需求即随之增加。激光定位的不精确性可导致装置无法得到所需要的热处理，却又照射到不需要热处理的其他位置。此外，相对于装置尺寸而言，由于辐射调焦的不精确性变得更大，因而更难以达到均匀处理。这些趋势都快速增加了在x、y、z方向中平台的准确定位的困难性。因此，持续需要一种可产生改良的位置与调焦精确度的热处理设备和方法。

发明概述

在此公开的实施例提供了一种用于热处理半导体基板的设备。所述设备具有：处理腔室；置于所述处理腔室中的旋转基板支撑座；光源，所述光源能够产生具有实质上均匀强度的光束，所述光源于光束进入点处耦接至所述处理腔室；固定光学路径长度光束定位组件，所述固定光学路径长度光束定位组件置于所述腔室中并与所述光束进入点光学连通，所述固定光学路径长度光束定位组件具有多个可移动的光学部件；和控制器，所述控制器耦接至所述基板支撑座和所述固定光学路径长度光束定位组件，所述控制器配置为用以定位所述光束定位组件的光学部件和基板的选择部分，所述基板位于所述基板支撑座上，使得光束可照射所述选择部分，且所述光束的光学路径长度在基板的所有位置上都实质相同。

其他实施例提供了一种用于激光退火腔室的光束定位设备，所述光束定位设备具有光束标定光学组件、光束标定检测器和控制器，所述控制器配置为以实质上固定的光学路径长度，将激光辐射的光束依序标定至多个位置。

其他实施例提供了一种将激光辐射的光束标定于表面上的位置处的方法，包括：通过旋转所述表面至可进入方向，准备（staging）所述靶材位置；将捕光反射镜定位于所述靶材位置上方；确定导光反射镜的反射点，使得从所述导光反射镜和所述捕光反射镜反射至所述表面的所述光束的光学路径长度实质上等于标定光学路径长度；将所述导光反射镜移动至所述反射点；旋转所述导光反射镜，以引导所述光束至所述捕光反射镜；和旋转所述捕光反射镜，以引导所述光束至所述靶材位置。

附图简要说明

因此，可参考各实施例获得上文简要概述的本发明的更具体描述，而可详细理解本发明的上述特征的方式，其中一些实施例图示于附图中。然而，应注意，附图仅描绘本发明的典型实施例，因此不应视为对本发明的范围的限制，因为本发明可允许其他同等有效的实施例。

图1A是根据一个实施例的热处理设备的示意上视图。

图1B是图1A的热处理设备的示意侧视图。

图2是根据另一个实施例的激光设备的示意图。

图3是根据另一个实施例的热处理设备的示意上视图。

图4是根据另一个实施例的用于激光处理基板的设备的示意图。

为便于了解，在可能情况下使用相同标号来表示附图所共有的相同元件。预期一个实施例中公开的元件可有利地用于其他实施例而不需特别叙述。

具体描述

在此描述的实施例一般提供了一种用于热处理半导体基板的设备。图1A是根据一个实施例的热处理设备100的示意上视图。可以是激光退火腔室的热处理设备100包括处理腔室102和旋转基板支撑座104，所述旋转基板支撑座104置于所述处理腔室102中。辐射源110在光束进入点132处耦接至处理腔室102。辐射源110具备光学元件112，所述光学元件112是辐射源110的最终光学元件。辐射源110的最终光学元件112将激光辐射光束114释放至腔室102中。

光束114一般是由辐射源110成形的，以在整个光束114的截面，具有均匀的强度分布。在一个实施例中，光束114具有均匀性为约2%或以下的强度分布。可用于在此公开的实施例中，可用来产生辐射光束的辐射源的示例被描述在美国专利公开号2009/0032511（公布于2009年2月5日），并且以引用方式并入本文。光束114也可成形为一种图像，所述图像在投射于一表面上时具有特定轮廓。在一个实施例中，光束114可具有圆形截面形状。在其他实施例中，光束114可具有方形、矩形或椭圆形的截面形状。通过在辐射源110的最终光学元件112中，包含具有所需形状的光圈（aperture），可产生光束114的截面形状。

设备100进一步包括光束定位组件134，所述光束定位组件134置于腔室中，且与光束进入点132光学连通。光束定位组件134将辐射光束114标定至基板上的靶材位置，所述基板置于旋转基板支撑座104上。可以是光束标定光学组件的光束定位组件134包括多个可移动之光学组件。在图1A的实施例中，光束定位组件134包括捕光反射镜（beamcapturemirror）108和导光反射镜（beamsteeringmirror）122，捕光反射镜108与导光反射镜122两者都被致动，以引导辐射光束114至置于基板的选择位置上，所述基板位于旋转基板支撑座104上。

导光反射镜122可由线性致动器（未示于图1A中），沿着y方向中的第一y导引器120而移动，以改变导光反射镜122与光束进入点132之间的距离“a”。捕光反射镜108可沿着x导引器116与第二y导引器118，而在x方向和y方向中移动。在一个实施例中，旋转基板支撑座104，以使得将捕光反射镜108的x/y移动限制在直径D₂的一侧。此外，导光反射镜122沿第一y导引器120的y方向移动可被限制在直径D₁的一侧。由于反射镜108、122沿着反射镜108、122的各自线性导引器116、118与120而移动，因而两反射镜之间的距离“b”会改变。距离“a”与“b”限定了辐射光束114从光束进入点行进到靶材位置的光学路径长度的一部分。虽然图1A与图1B中描述的是平坦的平面反射镜，然而也可使用曲面反射镜，所述曲面反射镜例如是拋物线形、球形、椭面或圆柱形反射镜。

光束定位组件134一般配置成一种固定路径长度光束定位组件。因此，光束定位组件134的反射镜108和122由控制器106所控制，所述控制器106耦接至反射镜108和122的线性致动器。控制器106移动反射镜108和122，并旋转基板支撑座104，以定位辐射光束114于一靶材位置，同时保持辐射光束114的固定光学路径长度。固定路径长度用于保持辐射光束114的截面积和强度分布。依暴露而异的路径长度的变化，可导致芯片（die）与芯片间、或是在单一芯片的不同位置处的非均匀处理。

辐射源110可以是连续波或脉冲激光、或多个连续波或脉冲激光。辐射源110可以以任何便利方式混掺、成形、或组合多重激光的输出，例如通过从多重激光、以所需频率与相位差来产生脉冲，并掺以利用脉冲强化光学器件的脉冲，以产生任意形状与暂时的能量分布。辐射源110可额外包括偏振光学器件。在激光热退火设备的操作中，辐射光束114可通过反射镜108/122的连续动作而扫描横跨基板的表面；或是当光束114照射基板时，反射镜可以是静止的，而当在阶段式处理（steppingprocess）或是在任意组合中，中断光束114时才移动反射镜。

图1B为图1A的设备100的示意侧视图，在图1B的视图中，沿着y方向来看设备100。旋转致动器130（旋转致动器130与控制器106连通）耦接至基板支撑座104，以提供旋转。图1A的第一y导引器120（可为导轨或导杆）由支撑座128所支撑，且所述第一y导引器120可包括第一y导引器120的致动器。捕光反射镜108从线性导引器116和118由旋转支撑座126（旋转支撑座126具有与控制器106连通的旋转致动器124）所支撑。致动器124旋转捕光反射镜108，使捕光反射镜108以适于将光束114朝向靶材位置引导的角度，以面对导光反射镜122。导光反射镜122同样地从导光反射镜122的线性导引器（未示于图1B中）由类似旋转支撑座所支撑，旋转支撑座具有与控制器106连通的第二旋转致动器130。

旋转致动器124和130可根据特定实施例所需的自由度，使反射镜122和108绕着一轴、两轴、或三轴旋转。举例而言，在例如图1A与图1B所示的实施例（其中捕光反射镜在x-y平面移动）中，各反射镜122和108可受限于绕着垂直于x-y平面、平行于z方向的轴旋转，捕光反射镜108的旋转轴行进通过（runningthrough）捕光反射镜108的中央部分，例如捕光反射镜108的中心或质量中心；导光反射镜122的旋转轴沿着导光反射镜122的直径而行进，使得导光反射镜122沿着z方向定向。在这样的实施例中，两个反射镜108和122一起旋转，因此反射镜108与122总是光学连通，以将光束114引导至直径D₂（图1A）的一侧上的所有靶材位置，之后基板支撑座104可旋转180度，以使光束可进入基板上所有其他靶材位置。

当基板具有未沿着基板半径而定向的芯片时，此实施例会是有帮助的。举例而言，硅晶片可具有在晶片表面上，沿直线栅格定向的矩形芯片。如果利用矩形激光光点来处理矩形芯片时，一般都需要使激光光点的方向与芯片的方向对齐。将基板支撑座104旋转一个非180度的倍数的任何角度距离，而改变芯片相对于激光光点的方向。因此，对于这些处理而言，能够处理在直径D₂的一侧上的所有芯片的光束定位组件的实施例是有帮助的。

在激光光点不具特定方向的实施例中，例如当激光光点具有圆形截面时，可进一步通过例如限制捕光反射镜108与导光反射镜122在y方向上移动，以限制反射镜122与108的自由度。在此实施例中，通过使基板支撑座104针对待处理的每一个靶材位置旋转一预定量，由此可保持光束114的固定路径长度。在此实施例中，由于激光光点的分布与靶材位置的形状之间的不匹配，不希望受到热处理的基板部分可以自激光光点暴露于退火辐射。举例而言，利用高发射率涂层来遮蔽基板，可保护基板上的这些位置。

或者是，辐射源可包括可旋转光圈（例如被纳入辐射源110的最终光学元件112中），以产生定向激光光点（例如矩形激光光点），所述可旋转光圈可以跟随靶材位置的旋转方向而旋转。控制器106可通过旋转致动器而与所述可旋转光圈连通。使辐射源110发出的光束114成形的光圈一般包含热稳定或耐火材料（例如陶瓷），以抵抗长时间及/或重复的照射。面对辐射源110内部的光圈表面，一般将受到配置于辐射源中的激光、或多个激光的长时间及/或重复照射，因此，光圈的内部表面、或是整个光圈将包含抗热或耐火材料。在某些实施例中，入射至光圈内部表面的辐射的热效应，可通过自粗糙表面将辐射散射、或通过表面涂覆反射性或高发射率材料而有所缓和。在其他实施例中，通过形成供冷却流体通过部分光圈的通道，可冷却可旋转光圈。

从导光反射镜122到捕光反射镜108、投射至图1B的x-z平面上的距离由“b”表示。从捕光反射镜108的距离“c”，在加入从光束进入点132至导光反射镜122的距离“a”、以及从导光反射镜122至捕光反射镜108的距离“b”后，即为腔室内部的光束114的光学路径长度。如果需要的话，控制器106沿着各自线性导引器116/118/120而调整各反射镜108/122的位置、各反射镜108/122的旋转、以及基板支撑座104的角度方向，以保持a+b+c的总和为实质固定。保持实质上固定的光学路径长度保持光束114的均匀强度分布，提升在单一靶材位置上与所有靶材位置间的处理均匀度。

在反射镜108/122一起在y方向中移动的实施例中，捕光反射镜108在x方向中移动以补偿从光束进入点到导光反射镜122的距离“a”。在此实施例中，不需要旋转反射镜，而靶材位置沿着基板支撑座的半径而与设备的x轴呈45度的角度移动。为到达基板支撑座上的基板的所有可能靶材位置，旋转支撑座以使靶材位置沿着光束进入线（beamaccessline）。在这些例子中，旋转基板支撑座可旋转靶材位置的方向，因此使用非定向的光束、或使用可旋转光圈来调整光束方向。

在某些实施例中可通过提供辐射源的增加定位调整、旋转调整、以及焦距调整而提升精确度。图2为包括焦距调整设备的实施例的激光设备200的示意图。激光设备200被绘示为与导光反射镜122和捕光反射镜108的相互关系，此相互关系相对于基板214而呈一假设方向。设备200包括激光源202，所述激光源202可以是以任何需要方式而光学组合的多个激光，激光源202通过与致动器212连通的变焦透镜206发射激光辐射光束，所述致动器212调整变焦透镜206的焦距。

用于大部分实施例的变焦透镜可被快速调整，且一般都是可抗热的。在一个实施例中，使用具有导管的液体单元变焦透镜，该导管供液体流动于透镜间。在另一个实施例中，变焦透镜可含有通道或导管，以供冷却流体流经液体单元外部的透镜。在其他实施例中，使用液晶透镜。

致动器212可由控制器加以控制，例如图1A与图1B的控制器106。控制器可接收代表检测器210的焦距的信号，所述检测器210配置为检测从发射器204所发出的辐射闪光或光束。发射器204可以是激光或其他来源，所述发射器204配置为发出可由检测器210区别的辐射。发射器204发光束或闪光通过光圈208，并沿着激光辐射所依循的实质相同光学路径行进，即从变焦透镜206至基板214的路径。从基板214的反射光由检测器210检测。控制器记录光学路径长度，并通过致动器212调整变焦透镜206。检测器210对光圈208的邻近距离是最小，以确保在变焦透镜206的自动调焦时具有最佳精确度。

检测器210可以是具有任何便利类型的光子检测器，包括相机。可使用的光子检测器类型包括CCD矩阵与光电二极管阵列。在某些实施例中，检测器210可额外是光强度均匀性检测器。

在替代实施例中，基板支撑座可包括固定在精确x-y平台上的精确旋转器，以使置于支撑座上的基板产生x-y移动与旋转动作。在某些实施例中，通过以x-y平台作总量定位、以及以在此所述的精确光学器件作精细定位，加入x-y定位可改良处理量。在另一个替代实施例中，可利用成像装置来观看通过辐射源110的光圈或最终光学元件的辐射光束的光学路径，以改良光束定位与调焦。举例而言，CCD矩阵可与辐射源110合并以收集沿着光学路径行进、从基板反射的辐射。控制器106可使用来自CCD矩阵的数据来产生在此所述的任何致动装置的控制信号，以改良光束的定位与调焦。

图3为根据另一个实施例的热处理设备300的示意上视图。设备300具备与上述图1A与图1B中的许多组件相同的组件。设备300具有外壳302，外壳302具有第一旋转基板支撑座304A和第二旋转基板支撑座304B。各基板支撑座可固定供处理的基板。辐射源110用来通过旋转导光反射镜122以将光束引导于第一基板支撑座304A上方（如光束114A）、或于第二基板支撑座304B上方（如从虚线绘示的反射镜122反射的光束114B）而同时、或连续处理两个基板。各基板支撑座具有个别的光束定位组件，所述光束定位组件具有利用个别线性导引器316A/B和318A/B而定位的个别捕光反射镜308A和308B。在此设备中，导光反射镜122可旋转以交替地引导光束于第一与第二基板支撑座304A/B上方，而同时处理基板、或依序处理基板（其中一个处理站是主动处理，而另一个则载入与移除基板）。

在其他实施例中，多个捕光反射镜与导光反射镜可与单一基板支撑座一起使用，不旋转基板而定位（address）基板上所有点处的靶材位置。在一个示范实施例中，第一导光反射镜可与第一捕光反射镜一起使用，以覆盖一半基板上方的靶材位置，所述第一导光反射镜以上述方式移动，以保持第一固定路径长度。第一导光反射镜接着停止于一位置，以控制光束到第二导光反射镜，所述第二导光反射镜与第二捕光反射镜一起移动，以第二固定路径长度（不同于第一固定路径长度）覆盖剩下的靶材位置。

在此公开的实施例也提供了一种在基板上一位置处标定激光辐射光束的方法，所述方法包括通过旋转该表面至一方向以准备该靶材位置，在此方向靶材位置可使光束定位光学组件进入；以及定位捕光反射镜于该靶材位置上方。该捕光反射镜将来自来源的激光辐射光束反射至靶材位置。

在一个实施例中，辐射光束的光学路径长度保持为在表面的所有靶材位置上都实质相同。光束轰击在捕光反射镜上的来源位置是通过确认导光反射镜的反射点而辨识，使得从导光反射镜与捕光反射镜反射至靶材位置的光束的光学路径长度实质上等于标定光学路径长度。光束系从固定点被朝向导光反射镜引导，因此光学路径长度仅与导光反射镜、捕光反射镜的位置、以及靶材位置有关。导光反射镜被移动至所辨识的反射点，且两个反射镜以如同在光学连通上需要对齐般旋转。可利用控制器来使各种元件同时同步化移动，以提升标定速度。

为了提升标定的精确度，可进行各种光标（vernire）调整。举例而言，可在检测出初始定位准确度之后，调整光束来源的固定点。若需要维持特定焦距，则可利用任何便利的检测器，来检测光学路径长度（例如在此所述的任何方法），且可利用与控制器连通的变焦透镜来调整焦距。最后，若光束具有所需旋转方向，则可提供可旋转光圈，所述可旋转光圈在控制器的控制下可精确调整方向。

在其他实施例中，可使用透镜作为光束在抵达靶材位置前的最终调整。透镜可仅为位置调整透镜（例如与光束传播方向倾斜一角度的平面棱镜）、或是透镜为光学主动式透镜（例如投射透镜）。透镜或棱镜可移动于靶材位置上方、接收来自光源（例如在此所述的任一反射镜）的辐射光束、并将光束精确地引导至靶材位置。透镜或棱镜可如在此描述般定位，且旋转以达到需要的方向。

图4是根据另一个实施例的用于激光处理基板的设备400的示意图。激光束402具有起始点404，所述起始点404可以是进入腔室的进入光圈或仅是相对于设备的激光束的定义起始点。光束402从第一反射镜406朝向第二反射镜414反射，第二反射镜414将光束引导到基板416的表面上的芯片408，所述基板416置于旋转基板支撑座410上。因为基板416在处理期间旋转，所以各芯片408具有两个相应位置，所述两个相应位置是参考位置408_r和标定位置408_t，所述参考位置408_r例如是芯片408在处理前的位置，所述标定位置408_t是芯片408在处理期间的位置。基板416和基板支撑座410各具有中心412。

在图4的实施例中，基板支撑座410的旋转位置与第一反射镜406的线性位置和旋转以及第二反射镜414的旋转一起被确定，使得激光束402行进从光束进入点404到第二反射镜414的固定距离。此外，芯片408与激光束402的截面形状对齐，所述激光束402的截面形状被设计为与芯片408的形状匹配。芯片408与光束402的对齐确保芯片408被芯片408整个面积上方的光子能量均匀照射。在某些实施例中，通过穿过光束切割器（beamcutter）（未示出），光束402可被成形，所述光束切割器设计为使得光束具有选定的截面形状，所述形状例如是矩形。在某些实施例中，光束切割器定位于光束进入点404处。在图4的实施例中，除了精细对齐和/或调焦以及尺寸调整，光束切割器不移动或旋转，使得光束402到达沿中心轴对齐的基板416，并且芯片408被旋转成沿同一轴对齐。

受制于上述结构，基板支撑座410的旋转位置被如下确定。随着光束402平行于基板表面从光束进入点404行进至第二反射镜414，定义平行于基板表面并经过光束中心的笛卡尔坐标平面418。如果定义了坐标平面418，使得x轴和y轴平行于参考位置408_r处的芯片408的各边，则简化了计算。令（x_s，y_s）为在光束进入点404处的光束的中心的坐标位置。令（x₁，y₁）为第一反射镜406的中心的标定位置。令（x_c，y_c）为基板支撑座410的旋转的中心412。令（x₂，y₂）为标定位置408_t处的芯片408的中心的位置。令（x₀，y₀）为参考位置408_r处的芯片408的中心的位置。基板416可通过在处理之前的旋转被定向到参考位置，其中芯片408在参考位置408_r。或者是，可在基板的定向与参考定向之间检测偏移。

计算位置（x₂，y₂），使得从（x_s，y_s）到（x₁，y₁）的距离与从（x₁，y₁）到（x₂，y₂）的距离的总和是固定值，并且使得标定位置408_t处的芯片408的各边与激光束402的矩形截面形状对齐。使固定光束长度用BL表示。如下计算基板416使芯片408从参考位置408_r移动至标定位置408_t的旋转角θ：

θ＝arcsin((B²-1)(B²+1))，其中

$B=\frac{(\mathrm{BL}-x_0+x_c+y_s)}{(x_c-x_s+y_0-y_c)}$

可通过从极坐标到笛卡尔坐标的简单变换，从位置（x₀，y₀）算得位置（x₂，y₂）。如果基板不被物理定向在参考定向处，则视情况，可在确定位置（x₂，y₂）之前将检测到的偏移角加上旋转角θ或从旋转角θ中减去检测到的偏移角。

第二反射镜414被x-y定位器（positioner）移动至位置（x₂，y₂）（如图1A所示）。当x₁（第一反射镜406的x-位置）固定时，y₁被如下计算：

y₁＝y₂+(x₂-x_s)tanθ

第一反射镜406被线性定位器移动到位置（x₁，y₁）。

以相对于x-y平面的固定45度角来保持第二反射镜414，并且第二反射镜414被旋转致动器绕着垂直于x-y平面的轴旋转，以接合（engage）从第一反射镜406反射的光束。第二反射镜414相对于x轴的旋转角α与角θ相等。以相对于x-y平面的固定垂直定向来保持第一反射镜406，并且第一反射镜406被旋转致动器绕着垂直于x-y平面的轴旋转，以朝向第二反射镜414反射光束402。第一反射镜406相对于x轴的旋转角γ是由以下公式给出的：

$\mathrm{\γ}=\frac{\mathrm{\π}}{4}-\frac{\mathrm{\θ}}{2}$

根据以上描述的方法定位基板和反射镜，对于基板上的所有处理位置，确保了光束的光学路径长度保持固定。控制器402可耦接至反射镜406和414，并且可耦接至基板支撑座410，以实现由以上等式确定的移动。控制器可配置为具有设计为执行以上计算并将控制信号发送到致动器的软件，所述致动器基于计算的位置移动反射镜406和414以及基板支撑座410。

基板支撑座410一般由具有一定明确精确度的精确旋转致动器旋转。在300mm晶片的实施例中，由致动器产生的旋转位置上的不精确性可被转化成高达到约40μm的定位误差。在一个实施例中，通过精细调整上述光束切割器或光束成形光圈的位置，这样的误差可被校正。如果光圈被定位在光束进入点404处，则光圈可沿两个方向横向地移动或旋转，以校正细微的定位误差。压电致动器（piezoactuator）可被用于这种精细调整。利用例如相机、CCD矩阵或光电二极管阵列的光子检测器可检测和测量基板的定位误差。

前述说明是针对本发明的实施例而行，然在不背离本发明的基本范围下，可提出本发明的其他与进一步的实施例。

Claims (15)

1.一种用于对半导体基板进行热处理的设备，所述设备包括：

旋转基板支撑座；

辐射源，所述辐射源能够产生辐射光束，所述辐射光束于靠近所述旋转基板支撑座处具有均匀强度，所述辐射光束于光束进入点处从所述辐射源发出；

固定光学路径长度光束定位组件，所述固定光学路径长度光束定位组件配置成与所述光束进入点光学连通，所述固定光学路径长度光束定位组件具有多个可移动光学部件，其中所述可移动光学部件包括第一反射镜和第二反射镜，所述第一反射镜耦接至第一线性致动器和第一旋转致动器，且所述第二反射镜耦接至第二线性致动器和第二旋转致动器，其中所述第一线性致动器沿第一方向移动所述第一反射镜，并且所述第二线性致动器沿所述第一方向移动所述第二反射镜；和

控制器，所述控制器耦接至所述基板支撑座与所述固定光学路径长度光束定位组件，所述控制器适于定位所述光束定位组件的光学部件以及基板的选择部分，所述基板位于所述基板支撑座上，使得所述光束照射所述选择部分，且所述光束的光学路径长度在基板的所有位置上都相同。

2.如权利要求1所述的设备，其中各旋转致动器绕着垂直于所述第一方向的轴而旋转。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述第二反射镜还沿与所述第一方向垂直的第二方向移动，其中各旋转致动器绕着垂直于所述第一方向与所述第二方向的轴而旋转。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述辐射源包括致动光圈，所述致动光圈耦接至所述控制器，且所述控制器进一步适于根据所述光束在所述基板上的位置而定位光圈。

5.如权利要求4所述的设备，进一步包括光束定位检测器，所述光束定位检测器发送光束定位信号至所述控制器。

6.如权利要求4所述的设备，其中所述光束具有非均匀截面形状，且光源的最终光学元件的致动器使所述光圈旋转以定向所述光束。

7.如权利要求5所述的设备，其中所述光束定位检测器包括相机，所述相机适于检测所述光束的强度分布，所述辐射源的最终光学元件包括变焦透镜，且所述控制器进一步适于根据所述光束的强度分布而调整所述变焦透镜。

8.一种用于激光退火腔室的光束定位组件，所述光束定位组件包括：

光束标定光学组件，其中所述光束标定光学组件包括第一致动反射镜和第二致动反射镜，并且所述第二致动反射镜沿与所述第一致动反射镜相同的方向以及与所述第一致动反射镜的移动方向垂直的方向独立地移动；

光束标定检测器；和

控制器，所述控制器适于以固定的光学路径长度，将激光辐射的光束依序标定至多个位置。

9.如权利要求8所述的光束定位组件，其中所述控制器耦接至这些反射镜，且所述控制器适于通过移动所述反射镜，以固定的光学路径长度来标定所述光束。

10.如权利要求8所述的光束定位组件，进一步包括致动进光光圈，所述致动进光光圈耦接至所述控制器，其中所述控制器适于通过使所述光圈在与所述激光辐射的光束的传播方向垂直的平面中移动，而标定所述光束。

11.如权利要求9或10所述的光束定位组件，其中所述光束标定检测器包括CCD矩阵。

12.一种用于将激光辐射的光束标定于表面上的靶材位置的方法，所述方法包括以下步骤：

通过旋转所述表面至可进入方向，准备所述靶材位置；

将捕光反射镜定位于所述靶材位置上方；

确定导光反射镜的反射点，使得从所述导光反射镜和所述捕光反射镜反射至所述靶材位置的所述光束的光学路径长度等于标定光学路径长度；

将所述导光反射镜沿第一方向移动至所述反射点；

旋转所述导光反射镜，以引导所述光束至所述捕光反射镜；

旋转所述捕光反射镜，以引导所述光束至所述靶材位置；和

根据所需的自由度，沿第二方向和第三方向移动所述捕光反射镜，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述第三方向与所述第一方向平行。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：检测所述光束标定的准确性，并通过调整光束来源点来改良所述光束标定。

14.如权利要求12所述的方法，其中准备所述靶材位置、将所述捕光反射镜定位于所述靶材位置上方、移动所述导光反射镜、以及旋转所述导光反射镜与捕光反射镜的步骤同时进行。

15.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：通过旋转位于光束来源点处的光圈，调整光束方向。