CN102834754B - 光模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供无论是由受光元件接收来自光纤的光信号的结构还是由光纤接收来自发光元件的光信号的结构，都能够提高光耦合效率的光模块。光模块包括：在表面上连续形成有第1槽(1a)和比所述第1槽(1a)深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽(1b)的基板(1)；设置于所述基板(1)的第1槽(1a)内的内部波导(16)。另外，光模块包括：设置于第1槽(1a)的前端部的光路转换用镜部(15)；以与所述镜部(15)相对置的方式安装于基板(1)的表面，通过镜部(15)向内部波导(16)的芯部(17)射出光信号的发光元件(12a)。光模块还包括：具有设置在第2槽(1b)内的光纤包层部(22)及与内部波导(16)的芯部(17)光学连接的光纤芯部(21)的光纤(2)。

Description

光模块
技术领域
本发明涉及一种发送或者接收光信号的光模块(opticalmodule)。
背景技术
作为以往的光模块，已知有记载于专利文献1的光模块(opticalmodule)。在该光模块中，如图18所示基板30上形成有形状不同的两个V槽31、32。光纤33的包层部(clad)33b被固定在其中一个V槽31上。包层部33b由V槽31、32的边界部分的上升倾斜部36定位。镜(反射面)34形成在另一个V槽32的前端。通过该镜34，光纤33的芯部(core)33a的光轴被改变。并且，安装于基板30的受光元件35接收来自光纤33的光信号。
专利文献1：日本专利公开公报特开平9-54228号
但是，在上述的光模块中，从光纤33的芯部33a的端部33c到镜34的距离长。因此，从芯部33a射出的光束会扩展，所以存在光耦合效率降低的问题。
发明内容
本发明为了解决所述问题，其目的在于提供一种光模块，该光模块无论是采用由受光元件接收来自光纤的光信号的结构还是采用由光纤接收来自发光元件的光信号的结构，都能够提高光耦合效率。
为了解决所述问题，本发明提供的一种光模块包括：基板，在其表面连续形成至少一条第1槽和比所述第1槽深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽；内部波导，设置于所述基板的所述第1槽内；光路转换用镜部，设置于所述第1槽的前端部；光元件，以与所述镜部相对置的方式安装于所述基板的表面，通过所述镜部向所述内部波导的所述芯部射出光信号或通过所述镜部接收来自所述内部波导的所述芯部的光信号；以及光纤，具有设置于所述第2槽内的光纤包层部及与所述内部波导的所述芯部光学连接的光纤芯部。
所述结构可以为，所述内部波导的所述芯部在所述光元件为发光元件时，具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从所述镜部向与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部逐渐变窄的斜面。
所述结构可以为，所述内部波导的所述芯部在所述光元件为受光元件时，具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部向所述镜部逐渐变窄的斜面。
所述结构可以为，所述内部波导的所述芯部的宽度比所述第1槽的上端的宽度窄，较为理想的是，为与所述光纤芯部的宽度大致相同的宽度。
所述结构可以为，所述第1槽的剖面形状呈大致梯形状，所述第1槽的底面的宽度比所述内部波导的所述芯部的宽度宽。
所述结构可以为，在所述基板的所述表面形成与所述第2槽连续的第3槽，该第3槽的槽深比所述第2槽深且其剖面形状呈大致V字形状，所述光纤的覆盖部被设置于所述第3槽。
所述结构可以为，所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板，所述光纤的覆盖部被固定于所述另一基板。
另外，所述结构可以为，在所述基板的所述表面形成有与所述第2槽连续的、比所述第2槽深且剖面形状呈大致V字形状的第3槽、所述光纤的覆盖部设置于所述第3槽的结构中，前記基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板，所述光纤的所述覆盖部被固定于所述另一基板。
所述结构可以为，所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板，在所述光纤的覆盖部的外周固定有覆盖体，所述光纤的覆盖体被固定于所述另一基板。
所述结构可以为，多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
根据本发明，在基板的第1槽中设置具有芯部的内部波导(internalwaveguide)，并使在基板的第2槽内设置的光纤的光纤芯部与内部波导的芯部光学连接。并且，在光元件为发光元件时通过镜部向内部波导的芯部射出光信号，在光元件为受光元件时通过镜部接收来自内部波导的芯部的光信号。
这样，因为使内部波导位于光纤的光纤芯部的端部与镜部之间，所以从发光元件射出的光束及从光纤的光纤芯部射出的光束的都不会扩展。因此，光纤的光纤芯部的端部与镜部之间的光信号的传播损失几乎不存在，从而光耦合效率提高。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的光模块的概略侧视图。
图2是表示图1的发光侧的光模块的第1基板的图，图2(a)是侧视剖面图，图2(b)是图2(a)的I-I线剖视图，图2(c)是图2(a)的II-II线剖视图。
图3是表示第1基板的图，图3(a)是立体图，图3(b)是形成了内部波导的立体图。
图4是表示第1基板的图，图4(a)是安装了发光元件的立体图，图4(b)是插入了光纤的立体图。
图5(a)是在第1基板上固定了压块的立体图，图5(b)是光纤的立体图。
图6是表示第1槽的底面与内部波导的芯部的关系的正视剖面图。
图7是表示第1变形例的第1基板的图，图7(a)是立体图，图7(b)是正视剖面图。
图8是表示第2变形例的第1基板的正视剖面图。
图9是表示第3变形例的第1基板的图，图9(a)是立体图，图9(b)是侧视剖面图。
图10是表示发光元件侧的内部波导的芯部的变形例的图，图10(a)是俯视图，图10(b)是图10(a)的正视剖面图，图10(c)、(d)分别是其他变形例的俯视图。
图11是表示受光元件侧的内部波导的芯部的变形例的图，图11(a)是俯视图，图11(b)是图11(a)的正视剖面图，图11(c)、(d)分别是其他变形例的俯视图。
图12是将光纤的覆盖部粘接固定在第2基板上的第1例的侧视剖面图。
图13是将光纤的覆盖部粘接固定在第2基板上的第2例的侧视剖面图。
图14是表示作为本发明的另一实施方式的第1基板的图，图14(a)是立体图，图14(b)是正视剖面图。
图15是表示作为本发明的又一实施方式的第1基板的图，是在基板表面整体上形成了氧化膜层的第1基板的剖视图。
图16是表示作为本发明的又一实施方式的第1基板的图，是仅在遮蔽部的表面局部去除形成于基板表面的氧化膜层从而形成了去除部分的第1基板的剖视图。
图17是表示作为本发明的又一实施方式的第1基板的图，是在遮蔽部配置了光吸收体的第1基板的剖视图。
图18是表示专利文献1的光模块的图，图18(a)是侧视剖面图，图18(b)是正视剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明用于实施本发明的方式。图1是本发明所涉及的光模块的概略侧视图。图2(a)至(c)是表示图1的发光侧的光模块的第1基板的图，图2(a)是侧视剖面图，图2(b)是图2(a)的I-I线剖视图，图2(c)是图2(a)的II-II线剖视图。图3(a)至(b)是表示第1基板的图，图3(a)是立体图，图3(b)是形成了内部波导的立体图。图4(a)至(b)是表示第1基板的图，图4(a)是安装了发光元件12a的立体图，图4(b)是插入了光纤的立体图。图5是固定了压块24的立体图。
在图1中，光模块包括作为发光侧基板的第1基板(承载基板)1、作为受光侧基板的第1基板(承载基板)3以及使该第1基板1、3光学耦合的光纤2。此外，在以下的说明中，将图1的上下方向(箭头Y的方向)称为上下方向(高度方向)，将与纸面垂直的方向称为左右方向(宽度方向)，将图1的左侧称为前方，将右侧称为后方。
为了避免安装时的热影响或使用环境带来的应力影响，第1基板1、3需要刚性。另外，由于在光传输时，为了从发光元件到受光元件的光传输而需要指定比例以上的效率，所以需要高精度地安装光元件、或极力抑制使用中的位置变动。因此，作为第1基板1、3，在本实施方式中采用硅(Si)基板。
如果第1基板1、3为硅基板，则第1基板1、3能够利用硅的晶体方位在表面上进行高精度的蚀刻槽加工。利用该槽能够形成高精度的镜部15(后述)。在该槽的内部能够形成内部波导(internalwaveguide)16(后述)。另外，硅基板的平坦性良好。
第1基板1、3分别设置在尺寸大于第1基板的第2基板(另一基板，例如夹层基板)6的表面(上表面)。在各第2基板6的背面(下表面)分别装配了用于与其他电路装置电连接的连接器7。
在第1基板1的表面(上表面)，将电信号转换为光信号的发光元件12a通过凸块12c(参照图2)以发光面向下的方式安装。另外，在第2基板6的表面，安装形成有用于向该发光元件12a发送电信号的IC电路的IC基板(信号处理部)4a。
作为发光元件12a，在本实施方式中，采用作为半导体激光器的面发光激光器〔VCSEL(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser)〕。该发光元件12a也可以为LED等。
IC基板4a是驱动所述VCSEL的驱动器IC，设置于发光元件12a附近。并且，发光元件12a及IC基板4a与形成于第1基板1表面和第2基板6表面的布线图案相连接。
如图3(a)所示，在第1基板1的表面，在前后方向上连续形成有剖面形状呈大致梯形状的第1槽(波导形成用槽)1a和比第1槽1a深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽1b。
在第1槽1a的前端部，在发光元件12a正下方的位置，形成了用于使光路弯曲90度的光路转换用的镜部15。
如图3(b)所示，在第1基板1的第1槽1a内，设置有与第1基板1的发光元件12a光学耦合的内部波导16。该内部波导16从镜部15向第2槽1b方向延伸，从第1槽1a的后端部1d向镜部15侧稍稍后退。
内部波导16包括供光传播的折射率高剖面呈大致正方形状的芯部17和折射率比芯部17低的包层部18。
如图2(c)所示，芯部17的左右两面(两侧面)由包层部18覆盖。另外，虽未图示，但芯部17的上表面也由包层部18薄薄地覆盖。
如图4(a)所示，在设置有内部波导16的第1基板1表面的指定位置，安装发光元件12a。在该发光元件12a与芯部17之间的空间，如图2(a)所示，填充有粘性的光学透明树脂13。
返回图1，说明受光侧的第1基板3。该受光侧的第1基板3的基本结构与发光侧的第1基板1的结构同样。只是，在受光侧的第1基板3的表面(上表面)，将光信号转换为电信号的受光元件12b通过凸块以受光面向下的方式安装。另外，与发光侧的第1基板1的不同点在于，在第2基板6的表面安装形成有用于向该受光元件12b发送电信号的IC电路的IC基板(信号处理部)4b。作为该受光元件12b，采用PD，IC基板4b是进行电流/电压转换的TIA(Trans-impedanceAmplifier：跨阻放大器)等元件。
发光侧的第1基板1、受光侧的第1基板3及IC基板4a、4b分别由装配于第2基板6的表面的屏蔽罩(shieldcase)8屏蔽。光纤2贯通屏蔽罩8的贯通孔8a。
下面，说明光纤2。如图1及图5所示，光纤2在内部具有能够使发光侧的第1基板1的内部波导16的芯部17与受光侧的第1基板3的内部波导16的芯部17光学耦合的光纤芯部(fibercore)21。光纤2是具备光纤芯部21、包围该光纤芯部21外周的光纤包层部(fiberclad)22及覆盖该光纤包层部22外周的覆盖部23的线缆型。该光纤芯部21、光纤包层部22及覆盖部23被配置成同心状，由它们构成的光纤2具有圆形剖面。
如图1所示，光纤2贯通屏蔽罩8的贯通孔8a，在第1基板1的第2槽1b的跟前附近，覆盖部23被剥离。因此，在该被剥离的部分，露出了光纤包层部22。
如图2(a)、(c)及图4(b)所示，光纤2的光纤包层部22被设置在第1基板1的第2槽1b中，并且通过与第1槽1a的边界部分的上升倾斜部来定位光纤包层部22。此时，在第1基板1的内部波导16的芯部17与光纤2的光纤芯部21的光轴一致的定位状态下实现光学耦合。
第1基板1的内部波导16的芯部17的端面与光纤2的光纤芯部21的端面之间的间隙为0至200μm的范围。理想的范围依赖于两芯部17、21的大小，但一般而言，间隙为0至60μm较为理想。
在第1基板1的上侧，如图2(a)及图5所示，在光纤2的光纤包层部22的上部配置有压块24。在该压块24与第2槽1b之间的空间中填充有粘合剂14。
这样，光纤2的光纤包层部22的端部侧的部位通过压块24而被按压于第2槽1b。该端部侧的部位与压块24一起被粘合剂14粘接固定在第1基板1上。
在如上述那样构成的光模块中，在第1基板1的第1槽1a，设置有由纤芯部17和包层部18构成的内部波导16。另外，设置在第1基板1的第2槽1b内的光纤2的光纤芯部21与内部波导16的芯部17光学连接。并且，在光元件为发光元件12a的发光侧的第1基板1中，光元件通过镜部15向内部波导16的芯部17射出光信号，并且，在光元件为受光元件12b的受光侧的第1基板3中，光元件通过镜部15接收来自内部波导16的芯部17的光信号。
这样，由于内部波导16位于光纤2的光纤芯部21的端部与镜部15之间，所以从发光元件12a射出的光束及从光纤2的光纤芯部21射出的光束都不会扩展。因此，光纤2的光纤芯部21的端部与镜部15之间的光信号的传播损失几乎没有，从而光耦合效率提高。
另外，如果使第1槽1a的底面的宽度比内部波导16的芯部17宽，则如图6所示，在芯部17成形时，在图案形成(光固化)内部波导16的芯部17之际，底面上的不需要的反射消失。因此，这种情况下，能够得到高精度的芯部形状。
在图1至图6所示的实施方式的内部波导16中，使作为第1基板1的波导形成用槽的第1槽1a为剖面呈大致梯形状，使芯部17为剖面呈大致正方形状，芯部17的左右两面由包层部18覆盖。
但是，内部波导16并不限于该类型。例如，如图7(a)、(b)所示的内部波导16，第1基板1的第1槽1a形成比第2槽1b浅的剖面形状呈大致V字形状，芯部17形成与第1槽1a相适合的、剖面大致五角形形状，芯部17的左右两面由包层部18覆盖。
另外，如图8所示的内部波导16，在第1基板1的表面和第1槽1a内的表面上都形成用于绝缘的硅氧化膜40的情况下，该硅氧化膜40作为折射率低于芯部17的包层部18发挥功能。因此，也可以通过在形成有硅氧化膜(相当于包层部18)40的整个第1槽1a内填充芯部用树脂，形成剖面呈大致倒三角形状的芯部17。
在图8所示的内部波导16中，由于第1槽1a内的整体成为芯部17，所以来自发光元件12a的光束在芯部17在宽度方向扩展，光束的一部分可能不会到达光纤2的光纤芯部21。
为此，如图7(b)所示，通过使芯部17的宽度W1与光纤芯部21的宽度W2大致相同，能够使光束几乎全部都到达光纤2的光纤芯部21，因此光耦合效率提高。此外，芯部17的宽度W1未必一定与光纤芯部21的宽度W2大致相同，也可以比第1槽1a上端的宽度W3窄。这些情况在如图2(c)所示那样芯部17的剖面呈大致正方形状的情况下也是同样的。
在光元件为发光元件12a的发光侧的第1基板1中，内部波导16的芯部17可形成如图10(a)、(b)所示，两侧面17a之间的宽度W从镜部15向与光纤2的光纤芯部21的连接端部直线性地逐渐变窄的斜面状。另外，两侧面17a也可形成如图10(c)所示的阶段性的直线的斜面状或者如图10(d)所示的曲线的斜面状。
相反，在光元件为受光元件12b的受光侧的第1基板3中，内部波导16的芯部17可形成如图11(a)、(b)所示，两侧面17a之间的宽度W从与光纤2的光纤芯部21的连接端部向镜部15直线性地逐渐变窄的斜面状。另外，两侧面17a也可形成如图11(c)所示的阶段性的直线的斜面状或者如图11(d)所示的曲线的斜面状。
如此，在光元件为发光元件12a时，通过使内部波导16的芯部17前端逐渐变细(即，呈随着向前方靠近而变细的形状)，从发光元件12a射出的光束汇聚。另外，在光元件为受光元件12b时，通过使内部波导16的芯部17后端逐渐变细(即，呈随着向后方靠近而变细的形状)，从光纤2的光纤芯部21射出的光束汇聚。因此，在任一情况下光耦合效率都进一步提高。
如图9(a)、(b)所示，在第1基板1的表面，形成与第2槽1b连续的、比第2槽1b深且剖面形状呈大致V字形状的第3槽1c。光纤2的覆盖部23可设置在该第3槽1c中。
如此，由于光纤2的覆盖部23也能够设置在第1基板1的第3槽1c中，所以可防止来自光纤2的应力集中在光纤包层部22的与覆盖部23的分界部分。
如果与光纤包层部22同样，将覆盖部23用粘合剂粘接固定于第3槽1c，则光纤2的固定强度提高。另外，即使弯曲力或拉伸力从模块外部作用于光纤2，也不会影响到与内部波导16的光耦合部，因此光耦合效率不会降低。
另外，在覆盖部23未被粘接固定于第3槽1c的情况下，如图12所示，可通过堆积于第2基板6表面(即，以向上方突出的方式赋予)的粘合剂20，使光纤2的覆盖部23固定于第2基板6。
这样，由于能够将光纤2的覆盖部23设置于第2基板6上并加以固定，所以光纤2的固定强度提高。另外，即使弯曲力或拉伸力从模块外部作用于光纤2，也不会影响到与内部波导16的光耦合部，因此光耦合效率不会降低。并且，如果结合使用将光纤2的覆盖部23设置在第1基板1的第3槽1c中加以固定的结构，则固定强度进一步提高。
如图13所示，在将光纤2的覆盖部23嵌入管状的覆盖体25的情况下，能够通过粘合剂20将光纤2的覆盖部23和覆盖体25固定在第2基板6上。该覆盖体25被设定成具有能够将光纤2维持在与各基板1、6平行的状态的外径。此外，覆盖体25只要是覆盖覆盖部23的外周的结构即可，并不限于让覆盖部23嵌入的结构。
覆盖部23例如是由UV固化性树脂形成的厚度为5至10μm左右的层，覆盖体25例如由PVC、尼龙、或热塑性聚酯弹性体(例如，海翠(Hytrel)(注册商标))形成，单芯光纤时外径为900微米左右。
如果这样构成，覆盖体25被设置于第2基板6，能够与光纤2的覆盖部23一起固定于第2基板6。由此，光纤2的固定强度提高。另外，即使弯曲力或拉伸力从模块外部作用于光纤2，也不会影响到与内部波导16的光耦合部，因此光耦合效率不会降低。并且，如果结合使用将光纤2的覆盖部23设置在第1基板1的第3槽1c中加以固定的结构，则固定强度进一步提高。另外，通过覆盖体25的厚度能够抑制光纤2的自重引起的弯曲，能够将光纤2以平行于各基板1、6的状态加以固定。由此，在光纤2与内部波导16的光耦合部难以产生应力，因此光耦合效率难以降低。此外，即使在第2基板6上用粘合剂20仅固定覆盖体25，也能够起到同样的作用效果。
为了保护从屏蔽罩8的贯通孔8a突出到外部的光纤2的覆盖部23以免弯曲，覆盖体25有让贯通孔8a的前后部分的覆盖部23嵌入的短的类型(例如长度为20至40mm)。另外，为了光纤2的整体的强度保护及阻燃对策，覆盖体25还有覆盖连接模块彼此的覆盖部23的全长的长的类型。
在所述实施方式中，如果使镜部15的倾斜角度为45度，则光耦合效率变得良好。
另外，如果第1基板1为硅(Si)制，则第1槽1a和第2槽1b能够通过硅的各向异性蚀刻而形成。由此，能够进行利用硅的晶体方位性的槽加工，在第1槽1a中能够形成高精度的镜形状，能够减少在第2槽1b中光纤2的设置的位置偏差。
另外，作为内部波导16的材料，能够使用感光性树脂。由此，与重复离子掺杂或沉积法而形成的无机内部波导相比，较为廉价并且容易形成。
并且，能够在包括第1槽1a内部在内的第1基板1的表面形成硅氧化膜，使内部波导16的芯部17的折射率比硅氧化膜大。由此，通过在第1槽1a中填充作为内部波导16的芯部17的材料，能够容易形成内部波导16。
另外，在上述实施方式中，示出了在一个基板上分别形成1条第1槽及第2槽的例子，但本发明并不限定于此，也可以如图14(a)及图14(b)所示，分别形成多条第1槽1a及第2槽1b，并使多条第1槽1a平行配置，且使多条第2槽1b平行配置。
在图14(a)及图14(b)所示的光模块中，在第1基板1的表面，如图14(a)所示，剖面形状呈大致梯形状的多条第1槽(波导形成用槽)1a在彼此被第1基板1的材料隔开的状态下平行地配置。
并且，在第1基板1的表面，从各第1槽1a的端部沿前后方向连续形成比第1槽1a深且剖面形状呈大致V字形状的多条第2槽1b。
如图14(a)所示，在各第1槽1a的前端部，形成有光路转换用镜部15。如图14(b)所示，在各第1槽1a的内部，设置有与对应于各第1槽1a的发光元件12a光学耦合的内部波导16。
内部波导16包括光传播的折射率高的剖面呈大致正方形状的芯部17和折射率比芯部17低的包层部18。如图14(b)所示，芯部17的左右两面(两侧面)由包层部18覆盖。另外，在芯部17的上表面薄薄地覆盖有包层部18。
在图14(a)及图14(b)所示的结构中，由于多条第1槽1a在彼此被第1基板1的材料隔开的状态下配置，因此能够抑制在各第1槽1a中通过的光信号向相邻的第1槽1a泄漏(crosstalk、串扰)。
另外，如图14(b)所示，相邻的内部波导16的芯部17的间隔P在本发明中并无特别限定，可任意设定。例如，考虑到以往公知的光纤阵列的光纤以250μm间隔配置的情况较多，芯部17的间隔P也可以设定为250μm左右。
关于第2槽1b的大小，在本发明中也未特别限定。考虑到最广泛使用的窄径的光纤的外径为125μm，第2槽1b的大小也可以设定成与包层部22的外径为125μm左右的光纤相对应的大小。此外，为了抑制串扰，最好如图14那样，也使第2槽1b与相邻的第2槽1b隔开。
并且，作为本发明的又一实施方式，图15所示的光模块，在配置了多条第1槽1a的结构中，在基板1的表面整体(即，第1槽1a的表面及遮蔽部30的表面的整体)形成氧化膜层34。遮蔽部30是在基板1的第1槽1a之间向上突出的部分，为了避免第1槽1a之间的镜部15的反射光的散射成分a泄漏而进行遮蔽。
氧化膜层34能够使光信号反射，以避免向第1槽1a之外泄漏，也能够抑制镜部15的反射光的散射成分a的泄漏。根据该结构，由于氧化膜层34成为反射光信号的反射层，所以能够进一步抑制光信号的泄漏(串扰)。严格地说，由红外光等构成的光信号具有边衰减边透过由硅等构成的基板1的性质，但如上所述，通过由氧化膜层34反射光信号，能够提高串扰抑制效果。
此外，在图15中，为了容易辨认光的路径，夸张地扩大图示了具有发光部12a的光元件11与基板1之间的间隙，但实际上，该间隙是微小的，不会发生大的串扰。以下，关于图16至17也是同样的。
并且，作为本发明的又一其他实施方式，图16所示的光模块在如图15所示的氧化膜层34形成于基板1表面的结构中，通过局部去除向上突出的遮蔽部30的表面的氧化膜层34，形成去除部分32。根据该结构，在产生了在具有发光部12a的光元件11和包层部18之间多重反射的泄漏光d的情况下，能够使第1基板1从氧化膜层34的去除部分32吸收该泄漏光d。
并且，作为本发明的又一其他实施方式，图17所示的光模块，在第1基板1的向上突出的遮蔽部30的表面配置沿着该遮蔽部30的光吸收体35。作为光吸收体35，例如利用不透光性的丙烯或环氧树脂。根据该结构，在产生了在具有发光部12a的光元件11和包层部18之间多重反射的泄漏光d的情况下，能够通过使光吸收体35吸收该泄漏光d来遮断光的泄漏。
另外，光元件11并不限于一体阵列状的元件，可以是发光元件12a彼此隔开的元件，也可以是将发光元件12a和受光元件12b一并装载的元件。并且多个镜部15未必一定配置在同一线上，例如，通过使第1槽1a及内部波导16的长度与相邻的槽道不同，将镜部15及发光元件12a或12b偏置配置，能够进一步提高串扰抑制效果。
如以上所述，本实施方式的光模块包括：基板，在其表面连续形成至少一条第1槽和比所述第1槽深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽；内部波导，设置于该基板的第1槽内；光路转换用镜部，设置于第1槽的前端部；光元件，以与该镜部相对置的方式安装于基板的表面，通过镜部向内部波导的芯部射出光信号或通过镜部接收来自内部波导的芯部的光信号；以及光纤，具有设置于所述第2槽内的包层部及与内部波导的芯部光学连接的光纤芯部。
由此，在基板的第1槽中设置具有芯部的内部波导，并使设置在基板的第2槽内的光纤的光纤芯部与内部波导的芯部光学连接。并且，在光元件为发光元件时通过镜部向内部波导的芯部射出光信号，在光元件为受光元件时通过镜部接收来自内部波导的芯部的光信号。
这样，因为使内部波导位于光纤的光纤芯部的端部与镜部之间，所以从发光元件射出的光束及从光纤的光纤芯部射出的光束都不会扩展。因此，光纤的光纤芯部的端部与镜部之间的光信号的传播损失无论在哪个方向都几乎不存在，从而光耦合效率提高。
另外，可以为以下结构：所述内部波导的芯部在光元件为发光元件时，具有所述芯部的两侧面之间的宽度从镜部向与光纤的光纤芯部的连接端部逐渐变窄的斜面。
由此，光元件为发光元件时，使内部波导的芯部为前部细，由此从发光元件射出的光束汇聚。因此，光耦合效率进一步提高。
另外，可以为以下结构：所述内部波导的芯部在光元件为受光元件时，具有所述芯部的两侧面之间的宽度从与光纤的光纤芯部的连接端部向镜部逐渐变窄的斜面。
由此，光元件为受光元件时，使内部波导的芯部为后部细，由此从光纤的光纤芯部射出的光束汇聚。因此，光耦合效率进一步提高。
另外，可以为以下结构，所述内部波导的芯部的宽度比第1槽的上端的宽度窄。
由此，在内部波导的芯部的宽度与第1槽的上端的宽度相同的情况下，来自光元件的光束通过芯部在宽度方向上扩展，光束的一部分可能不会到达光纤的光纤芯部。为此，使芯部的宽度比第1槽的上端的宽度窄，较为理想的是，使其与光纤芯部的宽度大致相同，由此能够使光束的几乎全部都到达光纤的光纤芯部，所以光耦合效率提高。
另外，可以为以下结构：所述第1槽的剖面形状呈大致梯形状，第1槽的底面的宽度比内部波导的芯部宽度宽。
由此，由于使第1槽的底面的宽度比内部波导的芯部的宽度宽，所以在芯部成形时，在图案形成(光固化)内部波导的芯部之际，底面上的不需要的反射消失，从而能够得到高精度的芯部形状。顺便一提，若是如专利文献1所示的V槽，则担心光会反射从而使图案形成精度显著降低。
另外，可以为以下结构：在所述基板的所述表面形成与所述第2槽连续的第3槽，该第3槽的槽深比第2槽深且剖面形状呈大致V字形状，光纤的覆盖部被设置于所述第3槽。
由此，由于光纤的覆盖部也能够设置在第1基板的第3槽中，所以能够防止来自光纤的应力集中在光纤包层部的与覆盖部的分界部分。
另外，可以为以下结构：所述基板设置于尺寸大于该基板的另一基板，所述光纤的覆盖部被固定于该另一基板。
由此，能够将光纤的覆盖部设置在另一基板上加以固定，所以光纤的固定强度提高。而且，即使弯曲力或拉伸力从模块外部作用于光纤，也不会影响到与内部波导的光耦合部，因此光耦合效率不会降低。
另外，可以为以下结构，所述基板设置于尺寸大于该基板的另一基板，在所述光纤的覆盖部的外周固定有覆盖体，所述覆盖体被固定于所述另一基板。
由此，由于能够将覆盖部设置在另一基板上加以固定，所以光纤的固定强度提高。而且，即使弯曲力或拉伸力从模块外部作用于光纤，也不会影响到与内部波导的光耦合部，因此光耦合效率不会降低。另外，通过覆盖体的厚度来抑制由光纤的自重引起的弯曲，能够将光纤在与各基板平行的状态下加以固定。由此，在与内部波导的光耦合部难以产生应力，因此光耦合效率难以降低。
另外，可以为以下结构，多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
由此，由于多个第1槽1a以彼此隔开的状态配置，所以能够抑制通过各第1槽1a的光信号泄漏而给通过相邻的第1槽1a的光信号带来影响的现象、即所谓的串扰的发生。因此，使各第1槽1a中的光耦合效率提高。
符号说明
1第1基板
1a第1槽
1b第2槽
1c第3槽
2光纤
6第2基板(另一基板)
12a发光元件(光元件)
12b受光元件(光元件)
15镜部
16内部波导
17芯部
18包层部
21光纤芯部
22光纤包层部
23覆盖部
25覆盖体
W1至W3宽度

Claims (14)

1.一种光模块，其特征在于包括：
基板，在其表面连续形成至少一条第1槽和比所述第1槽深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽；
内部波导，设置于所述基板的第1槽内；
光路转换用镜部，设置于所述第1槽的前端部；
光元件，以与所述镜部相对置的方式安装于所述基板的所述表面，通过所述镜部向所述内部波导的芯部射出光信号或通过所述镜部接收来自所述内部波导的所述芯部的光信号；以及
光纤，具有设置于所述第2槽内的光纤包层部及与所述内部波导的所述芯部光学连接的光纤芯部，
所述内部波导的所述芯部的宽度比所述第1槽的上端的宽度窄，
所述第1槽的剖面形状呈V字形状，且所述芯部的剖面形状呈与所述第1槽相适合的五角形形状。
2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于：所述内部波导的所述芯部，在所述光元件为发光元件时，具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从所述镜部向与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部逐渐变窄的斜面。
3.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于：所述内部波导的所述芯部，在所述光元件为受光元件时，具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部向所述镜部逐渐变窄的斜面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光模块，其特征在于：
在所述基板的所述表面形成与所述第2槽连续的第3槽，该第3槽的槽深比所述第2槽深且其剖面形状呈大致V字形状，
所述光纤的覆盖部被设置于所述第3槽。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光模块，其特征在于：所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板，所述光纤的覆盖部被固定于所述另一基板。
6.根据权利要求4所述的光模块，其特征在于：所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板，所述光纤的覆盖部被固定于所述另一基板。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的光模块，其特征在于：所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板，覆盖体被固定于所述光纤的覆盖部的外周，所述覆盖体还被固定于所述另一基板。
8.根据权利要求4所述的光模块，其特征在于：所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板，覆盖体被固定于所述光纤的覆盖部的外周，所述覆盖体还被固定于所述另一基板。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的光模块，其特征在于：多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
10.根据权利要求4所述的光模块，其特征在于：多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
11.根据权利要求5所述的光模块，其特征在于：多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
12.根据权利要求6所述的光模块，其特征在于：多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
13.根据权利要求7所述的光模块，其特征在于：多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
14.根据权利要求8所述的光模块，其特征在于：多个所述第1槽各自彼此隔开地配置于所述基板。
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