CN102832155A - 修补装置以及修补方法、器件的制造方法 - Google Patents

修补装置以及修补方法、器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及修补装置、修补方法以及器件的制造方法。一并处理多个电偏置处理，从而更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。在对器件（6）的漏电缺陷部分提供电应力而使漏电缺陷部分的绝缘状态正常化的修补装置（1）中，具有作为电应力源的高压电源（2）、以及将来自被高压电源（2）充电的多个电容器（7）的各电荷应力分别对多个器件（6）一并同时施加的电压施加部件。

Description

修补装置以及修补方法、器件的制造方法
技术领域
本发明涉及例如对LSI元件、LED元件以及激光元件等发光元件等的检查以及处理对象的器件进行检查的ESD耐受性试验的结果或者通常动作试验的结果，使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补装置以及修补方法、利用了该修补装置的器件的制造方法。
背景技术
以往，在LSI元件的输入电路侧连接有保护二极管，并检查保护二极管的ESD耐受性。在LED元件以及激光元件等的发光元件中，发光元件本身具有二极管结构。该二极管结构由p型扩散层以及n型扩散层的pn结构成，因此根据p型扩散层以及n型扩散层的结果而ESD耐受性不同，因此需要检查全部的ESD耐受性。
以往的ESD施加所需的基本的ESD电路由利用了高压电源与遵循ESD标准（HBM（人体放电模型：human body model）/MM（机器放电模型：MachineModel）等）的高压电容器、施加电阻以及水银的高耐压继电器构成。
ESD电路的施加输出部分利用将用于连接到器件的端子的接触探测器固定安装在衬底上的探测器卡、将该接触探测器固定于支架上的操纵器等对检查对象的器件通电。
对检查对象的器件提供的电压的大小在通常动作试验中是动作电压的例如3V或5V左右，但在作为可靠性检查的代表性的ESD试验（静电放电可靠性试验）中，以大致1~10KV电平的高电压作为对象。ESD试验是对来自人体或者机器的静电流过LSI芯片等的检查对象的器件时的耐久性进行的试验。
另一方面，在使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补技术中，作为对象器件，例如有TFT、有机EL、LSI、LED元件以及激光元件等，作为大型器件，太阳能电池等符合。作为修补技术，例如有利用冗余元件/电路的方法（多用于复杂的器件）、偏压施加方法、需要确定缺陷部位的激光修补方法以及过程步骤方法等。
说明使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补技术例如偏压施加方法。如果说明栅氧化膜的绝缘状态，则栅氧化膜有氧化膜针孔（pinhole），在栅氧化膜的上部电极与下部硅衬底通过氧化膜针孔短路的状态下，故意流过电流，从而烧断短路部分的细的上部电极材料（多晶硅或者金属等），从而使该短路部分成为开路状态（正常的绝缘状态），从而使该栅氧化膜恢复至正常的绝缘状态。
这样，烧断栅氧化膜的针孔的短路部分从而使其恢复至正常的绝缘状态的偏压施加方法的一例公开于专利文献1中。
图22是在专利文献1公开的以往的光电转换元件的反向偏置处理装置的概略图。图23是图22的串联连接的光电转换元件的等价电路。
在图22以及图23中，以往的光电转换元件的反向偏置处理装置100将从电位赋予部件101输出的三个不同电位同时赋予光电转换元件102的背面的电极103，从而故意流过电流。电位赋予部件101具有电源105以及导电性构件106，所述电源105具有同时输出三个不同电位的输出端子104，所述导电性构件106将各个输出端子104连接到串联连接的光电转换元件102的背面电极103。该导电性构件106由电极连接部106a以及布线部106b构成。
只要从各输出端子104输出不同的电位即可，例如，输出端子104a输出+3V，输出端子104b输出0V，输出端子104c输出-3V的电位。
通过该装置，能够对两个光电转换元件102同时施加反向偏压3V，对两个光电转换元件102同时进行反向偏置处理，从而能够对不合格器件的缺陷部分故意流过电流。
例如将反向偏置电压设为3V，但并不限定于此，为了防止光电转换元件102的PN结被破坏且成为短路状态的情况，只要是光电转换元件102的耐电压以下的电压即可。光电转换元件102的耐电压根据半导体层的膜厚度或者层数等的结构而不同，但一般为几伏至20V左右。
通过上述结构，在利用了反向偏置处理装置100的反向偏置处理方法中，如果对各背面电极103a、103b、103c接触电极连接部106a1、106a2、106a3，且输出端子104a输出+3V的电位，输出端子104b输出0V的电位，输出端子104c输出-3V的电位，则背面电极103a被赋予+3V的电位，背面电极103b被赋予0V的电位，背面电极103c被赋予-3V的电位。
对光电转换元件103a以及光电转换元件103b同时施加3V的反向偏置电压，并对这些光电转换元件同时进行反向偏置处理，通过使不合格器件的缺陷部分故意流过电流，能够使其恢复至正常的绝缘状态。
专利文献1：特开2008-91674号公报
在专利文献1中公开的进行电偏置处理的上述以往的反向偏置处理装置中，由一个器件一个电源的一对一的关系构成。如果抑制电源容量，则不仅尺寸上会变小，还存在低成本的优点。从而，当尽量抑制了电源容量的情况下，难以对器件的电流供给确保更加充分的电流容量。而且，每一个晶片的器件数量例如达到10万个，因此在并非对每两个左右而是对其以上的个数、例如对几十个或者是几百个等多个一并处理该电偏置处理时，需要一并处理多个电偏置处理的多个电源。由此，在容积上（尺寸上）难以安装太多电源。而且，对一并处理多个电偏置处理而进行了修补处理的多个器件，有效地而且自动地进行其合格与否判定处理是完全不可能的。
对此，还考虑了对一并处理多个电偏置处理的多个器件并列地连接电源的情况，但是在一并处理的器件个数并非是两个左右而是十个左右甚至是几十个、几百个等那样多的情况下，无法对多个器件以相同的应力（stress）（电压）条件且从电源同时确保充分的电流容量。即使器件只有一个，在尽量抑制电源容量时，也难以对器件的电流供给确保更充分的电流容量。
发明内容
本发明用于解决上述以往的问题，其目的在于，提供一种不依赖于电源容量，确保更充分的电流容量，从而能够更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补装置以及修补方法、利用了该修补装置的器件的制造方法。
特别地，本发明用于解决上述以往的问题，其目的在于，能够更有效且更自动地进行进行了电偏置处理后的合格与否判定处理的修补装置以及修补方法、利用了修补装置的器件的制造方法。
本发明的修补装置对器件的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，该修补装置包括：作为电应力源的电压源；以及电压施加部件，将来自被该电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加给一个或者多个器件，从而达到上述目的。
本发明的修补装置是使一个或者多个器件的漏电缺陷恢复的修补装置，其包括：电压施加部件，将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的各电荷应力施加给一个或者多个器件；以及判定部件，在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给了该电荷应力施加后的一个或者多个器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件，从而达到上述目的。
此外，优选地，本发明的修补装置中的电压施加部件将来自被所述电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别对多个器件一并同时施加。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电流供给部件在将来自所述电压源的电流应力提供给了所述一个或者多个器件的修补处理之后，所述判定部件在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给了该电流应力供给后的一个或者多个器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件中的器件是否为漏电缺陷器件。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压施加部件具有与应将规定电压一并施加处理的器件的数据对应数目的相同电路结构。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压施加部件包括：一个电压电容部件，积累来自所述电压源的规定的电压；一个电压输出部，将来自该一个电压电容部件的规定的电压通过电阻输出；以及切换部件，进行切换以便将该一个电压电容部件连接到该电压源侧或者连接到该电压输出部侧。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压施加部件包括：所述多个电压电容部件，用于积累来自所述电压源的规定的电压；多个电压输出部，将来自该多个电压电容部件的各规定的电压分别通过各电阻来输出；以及多个切换部件，进行切换，以便将该多个电压电容部件各自分别连接到该电压源侧或者分别连接到该电压输出部侧。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压施加部件具有：所述一个或者多个电压电容部件，用于积累来自所述电压源的规定的电压；多个电压输出部，将来自该一个或者多个电压电容部件的各规定的电压分别通过各电阻而输出；以及多个切换部件，进行切换使得将该一个或者多个电压电容部件各自分别连接到该电压源侧或者分别连接到该电压输出部侧。
进一步优选地，本发明的修补装置中的相同电路结构独立地具有与所述应一并施加处理的器件数目对应数目的、从所述电压电容部件通过所述切换部件且进一步通过所述电阻而到达所述电压输出部的电路。
进一步优选的，本发明的修补装置中的相同电路结构具有多个安装了一个或者多个相同电路结构的衬底。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压源设为具有对应于与应一并施加处理的器件数目对应数目的所述多个电压电容部件的电容的充电处理能力的一个电压源。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压源设为具有对应于与应一并施加处理的器件数目对应数目的所述一个或者多个电压电容部件的电容的充电处理能力的一个电压源。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电荷应力的电压值在所述器件的电压/电流特性是非线性特性的情况下，作为绝对值而被设定为不超过击穿电压的值而且是该击穿电压的9成以上的电压值。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压源被设为，其输出电压被构成为能够自由改变，其能够输出与静电破坏耐压试验对应的电压等级。
进一步优选地，本发明的修补装置中的多个电压电容部件具有与静电破坏耐压试验对应的电容值。
进一步优选地，本发明的修补装置中的一个或者多个电压电容部件具有与静电破坏耐压试验对应的电容值。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压输出部的电阻具有与静电破坏耐压试验对应的电阻值。
进一步优选地，本发明的修补装置中的电压电容部件的充放电处理具有以下时序处理：在利用自动传送处理装置进行修补处理时，在对所述器件通过该自动传送处理装置接触移动期间该电压电容部件被充电，在对该器件通过该自动传送处理装置接触后从该电压电容部件放电。
进一步优选地，还包括用于将来自本发明的修补装置中的电压源的电流应力提供给一个或者多个器件的电流供给部件。
进一步优选地，具有用于选择动作本发明的修补装置中的电荷应力以及所述电流应力这两种电应力的定时控制器。
进一步优选地，设有判定部件，所述判定部件在至少基于本发明的修补装置中的电压施加部件以及所述电流供给部件中的该电压施加部件的修补处理之后，从所述电压源通过该电流供给部件将电流提供给一个或者多个器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件中的器件是否为所述漏电缺陷器件。
进一步优选地，本发明的修补装置中的判定部件进行电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个。
进一步优选地，本发明的修补装置中的判定部件、以及所述电压施加部件与所述电流供给部件中的至少该电压施加部件设置于相同衬底上。
进一步优选地，本发明的修补装置中的判定部件、所述电压施加部件以及所述电流供给部件设置于相同衬底上。
进一步优选地，本发明的修补装置中的判定部件将对于修补处理后的一个或者多个器件的电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个判定结果输出给定时控制器。
进一步优选地，本发明的修补装置中的判定部件将对于修补处理后的一个或者多个器件的电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个判定结果作为分割为多值的等级的判定信号而输出给定时控制器。
进一步优选地，本发明的修补装置中的所述定时控制器具有可变设定控制部件，所述可变设定控制部件将所述一个或者多个电压电容部件的电容值、以及分别通过各电阻而输出来自该一个或者多个电压电容部件的各规定的电压的一个或者多个电压输出部的该各电阻的电阻值，根据所述判定部件的判定结果而进行可变设定。
进一步优选地，基于来自本发明的修补装置中的定时控制器的控制信号而控制可变设定部件，从而从预先安装的电容组以及电阻组中选择而设定为规定的电容值以及规定的电阻值。
进一步优选地，本发明的修补装置中的定时控制器基于所述判定部件的判定结果的合格不合格或者不合格的程度来决定修补处理流程。
进一步优选地，本发明的修补装置中的定时控制器设定一次或者多次的修补处理流程。
本发明的半导体装置的制造方法利用本发明的上述修补装置，对所述器件的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，从而达到上述目的。
本发明的修补方法，对器件的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，包括：电压施加步骤，电压施加部件将来自被电压源充电的电压电容部件的电荷应力施加到该器件，从而达到上述目的。
此外，优选地，本发明的修补装置中的电压施加步骤具有所述电压施加部件将来自被电压源充电的多个电压电容部件的各电压应力分别对多个器件一并同时施加的电压施加步骤。
进一步优选地，在本发明的修补方法中，还包括电流供给步骤，电流供给部件将来自所述电压源的电流应力提供给一个或者多个器件。
进一步优选地，在本发明的修补方法中，具有判定步骤，在所述电压施加步骤以及所述电流供给步骤中的至少该电压施加步骤的修补处理之后，从该电压源通过电流供给部件将电流提供给修补对象的一个或者多个器件的状态下，判定部件判定该修补对象的一个或者多个器件中的器件是否为该漏电缺陷器件。
本发明的修补方法，使一个或者多个器件的漏电缺陷恢复，包括：电压施加步骤，电压施加部件将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的各电荷应力分别对一个或者多个器件一并同时施加；以及判定步骤，在从该电压源通过电流供给部件对该电荷应力施加之后的一个或者多个器件提供了电流的状态下，判定部件自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件。
此外，优选地，包括：电流供给步骤，本发明的修补装置中的所述电流供给部件将来自所述电压源的电流应力提供给所述一个或者多个器件；以及判定步骤，在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给了对该电流应力供给后的一个或者器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件。
根据上述结构，以下说明本发明的作用。
在本发明中，具有作为电应力源的电压源、将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加给一个或者多个器件的电压施加部件。
此外，电压施加部件将来自被电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别对多个器件一并同时施加。
由此，由于将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加给一个或者多个器件，因此确保更充分的电流容量而不依赖于电源容量，能够更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。
由于电压施加部件将来自被电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别对多个器件一并同时施加，因此能够一并进行多个电偏置处理，能够更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。
此外，在本发明中，包括：电压施加部件，将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的各电荷应力施加给一个或者多个器件；判定部件，在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给该电荷应力施加后的一个或者多个器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件。
由此，由于判定部件自动判定基于电压施加部件的修补处理后的一个或者多个器件中的器件是否为漏电缺陷器件，因此能够更有效地自动进行一并进行了多个电偏置处理之后的合格不合格判定处理。
通过以上说明，根据本发明，由于将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加给一个或者多个器件，因此能够确保更充分的电流容量而不依赖于电源容量，从而能够更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。
此外，由于电压施加部件将来自被电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别对多个器件一并同时施加，因此能够一并同时进行多个电偏置处理，从而能够更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。
而且，由于判定部件自动判定基于电压施加部件的修补处理之后的一个或者多个器件中的器件是否为漏电缺陷器件，因此能够更有效地自动进行一并进行了多个电偏置处理之后的合格不合格判定处理。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式1中的修补装置的单位结构例子的电路方框图。
图2是表示图1的修补装置的具体结构例子的电路图。
图3是表示二极管的电压电流特性的图。
图4是表示图1的修补装置的动作的流程图。
图5（a）以及（b）是表示修补装置的CR应力（CR电压施加）的电压施加波形及其电流施加波形的图，（c）以及（d）是表示修补处理的恒流应力（恒流供给）的电压施加波形及其电流施加波形的图。
图6是示意性地表示图1的修补装置的其他的单位结构例子的电路方框图。
图7是表示图6的修补装置的具体结构例子的电路图。
图8是表示图7的修补装置的动作的流程图。
图9是示意性地表示对于图7的修补装置中的器件的各端子的接触状态的放大图像的立体图。
图10是示意性地表示图7的修补装置中的ESD试验/规定电压以及恒流供给处理时的结构图像例子的立体图。
图11是作为其他的修补装置而示意性地表示图6的修补装置中的多个电压施加以及电流施加器的设置图像例子的平面图。
图12（a）是作为又一其他的修补装置而示意性地表示图6的修补装置1A中的多个电压施加以及电流施加器的其他的设置图像例子的平面图，（b）是（a）的电压施加以及电流施加器与探测器卡以及探针的纵断面图。
图13（a）示意性地表示图12（a）的电压施加以及电流施加器的立体图，（b）是表示用于ESD试验的ESD施加电压波形的图。
图14是示意性地表示对图6的修补装置的单位结构增加了判定电路的电压等级检测例子的情况的电路图。
图15是示意性地表示对图6的修补装置的单位结构增加了其他的判定电路的电流等级检测例子的情况的电路图。
图16是示意性地表示对图6的修补装置的单位结构增加了又一其他判定电路的电压等级检测与电流等级检测两个事例的情况的电路图。
图17是图6的修补装置的判定结果为二值的判定信号的情况下的判定部件的电路图。
图18是用于说明基于从图14~图16的定时控制器的其中一个输出的控制信号而控制选择器电路从而将电容以及电阻值设为可变的情况的主要电路方框图。
图19是表示图16的修补装置的动作的流程图。
图20是用于说明图16的修补装置的动作的图。
图21是表示以个人计算机PC作为主体的晶片图与探测管理的方框图。
图22是在专利文献1中公开的以往的光电转换元件的反向偏置处理装置的概略图。
图23是图22的串联连接的光电转换元件的等价电路。
标号说明
1、1A~1F 修补装置
2 高压电源
3、4 高耐压继电器
5 施加电阻
5 A电阻组
6 器件
6a、6b 器件的端子
7 高压电容器
7A 电容部件组
8 高耐压继电器3、4的连接点
9 器件6的另一端子与高压电源2的另一端子的连接点
10、10A~10F 定时控制器
11 高耐压继电器
12 高耐压继电器
13、电流限制用的电阻
14 施加电阻5与器件6的连接点
20 电压施加电路
20A 电压施加和电流供给电路
21 电路箱（包含ESD的规定电压和恒流供给衬底箱）
22 布线
23 连接器
24a、24b 探测器
25 探测器卡
26 电压施加和电流施加衬底
27、28 中央圆形部
29 探针
31 运算放大器
32 反馈电阻
33 接地电阻
34、36 比较器
35 基准值A的电压输出部
37 基准值B的电压输出部
38、39 选择器电路
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的修补装置以及修补方法、利用了该修补装置的器件的制造方法的实施方式1。另外，从制作附图的观点出发，各图中的结构构件各自的厚度以及长度等并不限定于图示的结构。
（实施方式1）
图1是示意性地表示本发明的实施方式1中的修补装置的单位结构例子的电路方框图。另外，设在该修补装置中，包含作为单位结构例子而且由虚线包围的部分是一个的情况，而单位结构例子存在多个，特别地，存在三个以上或者十个左右至几百个甚至其以上。
在图1中，在本实施方式1的修补装置1中，输出电压可自由变化的高压电源2的一个端子通过高耐压继电器3、4连接到施加电阻5的一端。该施加电阻5的另一端连接到检查和处理对象的器件6的一端子。该检查和处理对象的器件6的另一端子连接到高压电源2的另一端子。这些高耐压继电器3、4的连接点8通过高电压电容器7，连接到检查和处理对象的设备6的另一端子与高压电源2的另一端子的连接点9，该连接点9被接地。此外，设有用于控制这些高耐压继电器3、4的导通/截止的定时控制器10。另外需要用于驱动这些高耐压继电器3、4的电源。
该修补装置1具有设为对于一个或者多个器件6的漏电缺陷部分电应力源的作为电压源的高压电源2、累积来自高压电源2的规定的电压的作为一个或者多个电压电容部件的一个或者多个高压电容器7、将来自一个或者多个高压电容器7的各规定的电压通过各施加电阻5输出的一个或者多个电压输出部、作为进行切换以便将一个或者多个电容器7连接到高压电源2侧或者连接到电压输出部侧的切换部件的高耐压继电器3、4。由这些一个或者多个高压电容器7、一个或者多个施加电阻5、一个或者多个电压输出部、高耐压继电器3、4构成修补处理用的电压施加部件。
图2是表示图1的修补装置1的具体结构例子的电路图。
在图2中，本实施方式1的修补装置1能够包含自由可变地输出规定的电压的高压电源2、作为将来自高压电源2的规定的电压依次对多个检查和处理对象的器件6一并同时提供的电压施加部件的电压施加电路20，对多个检查和处理对象的器件6进行电压施加修补处理。
该电压施加电路20具有作为用于积累来自高压电源2的规定的高电压的高电压电容部件的多个高压电容器7、将来自多个高压电容器7的各规定的高电压分别通过施加电阻5而输出的多个高电压输出部、作为进行切换以便将来自该高压电源2的规定的电压连接到高压电容器7侧或者将来自高压电容器7的规定的电压连接到高电压输出部侧的多个切换部件的高耐压继电器11（等同于上述高耐压继电器3、4），作为相同电路结构，独立且并列地具有与应一并施加处理的多个检查和处理对象器件6的个数相应个数的、从高压电容器7通过高耐压继电器11且进一步通过施加电阻5而到达高电压输出部的电路。
高压电源2的一个端子代替图1的高耐压继电器3、4而分别经由多接点（这里为8接点）的耐高压继电器11的各接点而连接到多个（这里为8个）高压电容器7的各一个电极，且多个（这里为8个）高压电容器7的各另一个电极分别连接到高压电源2的另一个端子并被接地。多个（这里为8个）的高压电容器7的各一个电极从多接点（这里为8个）的高耐压继电器11的各接点分别通过各施加电阻5而从高电压输出部分别连接到检查和处理对象的各器件6的一个端子。各器件6的另一个端子分别从GND电压输出部分别连接到高压电源2的另一个端子并被接地。这里虽然未图示，但设有用于在规定定时控制多接点（这里为8接点）的高耐压继电器11的同时连接切换的定时控制器10。用于驱动该多接点（这里为8接点）的高耐压继电器11的电源需要另外准备。
根据应一并处理的高压电容器7的个数的电容量，选定并共用具有适当的充电处理能力的高压电源2。此时，在从高压电源2对多个高压电容器7进行充电之后，从多个高压电容器7放电而对多个器件6提供规定电压以及电流，因此，对于多个器件6的必要电流容量并不直接依赖于高压电源2的电流容量。
高压电源2的输出电压被构成为自由可变。在作为可靠性检查的代表的ESD试验（静电放电可靠性试验）中，以大致1~10KV电平的高电压作为对象。ESD试验针对在来自人体或者机器的静电流过LSI芯片等的检查对象的器件6时的耐久性进行试验。
此外，除了高压电源2之外还可以使用其他的专用电源，但这里自由可变地构成一台高压电源2，当高压电源2用于器件6的通常动作试验时，使输出电压在动作电压的例如3V或者5V左右可变后使用。
而且，在进行电压施加的修补处理时，除了高压电源2之外还可以使用其他的专用电源，但这里自由可变地构成一台高压电源2。如图3的二极管的电压电流特性（非线性特性）所示那样，仅对绝缘膜的针孔（上部导电材料插入针孔内）等的漏电缺陷处通电应力电流，使得不会对例如LSI元件的保护二极管、LED元件以及激光元件等的发光元件的二极管结构带来障碍，因此对二极管的PN结面的阈值电压设定如下的电压B：电流不贯通的耐电压范围、二极管的击穿电压A以下（达不到击穿电压A）而且是更接近击穿电压A的电压B，通常设定击穿电压A的一成左右高的电压（击穿电压A的绝对值的9成以上的电压）。二极管或者光电转换元件（LED或激光）的耐电压根据绝缘膜的膜厚度或者半导体层的膜厚度或者层数等的结构而不同，但在高压电源2的输出电压中，一般设定在几十伏至200V左右的电压范围内。另外，图3的C是二极管的导通电压值。该高压电源2的输出电压的设定只要测定击穿电压A，并设定从击穿电压A返回电压值后不流过电流的电压值，就能够更准确地设定电压施加的修补处理中的施加电压值。此外，由图3的虚线表示的D是不合格二极管的电压电流特性。
高耐压继电器11使用一种对设置具有方向性的水银继电器，这里，可以是8接点的继电器，但也可以是两个4接点的继电器，也可以是四个2接点的继电器。也可以代替8接点的高耐压继电器11而分别将1接点的高耐压继电器3、4设置八个。高耐压继电器11对高压电容器7，通过定时控制器10，各个8个接点同时以高压电容器7侧为中心在高压电源2侧与器件6侧之间进行切换。设针对从8个高压电容器7对8个器件6的高电压的独立的一并施加，对高耐压继电器11的控制信号单一同时进行控制。如果重叠积累而配置多个高耐压继电器11，则由于是通过线圈磁场来工作的部件，存在引起错误动作可能性，因此并不理想。
高压电容器7这里使用8个，选择具有适于试验电压等的耐性的电容器，在电容的选定中，选定对每个试验模型决定的电容，以便符合ESD试验的规格。例如，如果是HBM（人体放电模型）规格，则选择100pF，如果是MM（机器放电模型）规格，则选定200pF。
施加电阻5这里使用8个，如果ESD试验的例如HBM规格，则使用1.5KΩ，如果是ESD试验的MM规格，则设为0KΩ（无电阻）。这些高压电容器7与施加电阻5以电性上独立的状态安装与应一并处理的器件6的个数对应的个数。
器件6例如是LSI芯片的保护二极管元件、LED元件以及激光元件等的发光元件等。
通过上述结构，说明对在ESD试验后对成为不合格的器件6，利用图1的修补装置1进行修补处理的情况。
图4是表示图1的修补装置1的动作的流程图。
如图4所示，首先，进行步骤S1的ESD试验。
步骤S1的ESD试验首先通过定时控制器10将高压电源2的输出电压设定为ESD试验用的高电压，且高耐压继电器11的8个接点导通到高压电源2侧，从而电流从高压电源2分支为8个后流入各高压电容器7，从而均匀地积累成高压电源2的ESD试验用的高电压。此时，高耐压继电器11的器件6侧的8个接点通过定时控制器10而成为截止状态。
接着，通过定时控制器10，进行控制，使得高耐压继电器11的高压电源2侧的8个接点截止后，高耐压继电器11的器件6侧的8个接点导通。由此，各高压电容器7中积累的ESD试验用的高电压从高耐压继电器11的8个接点分别通过各施加电阻5分别施加在检查对象的各器件6的一个端子。此时，各高压电容器7与检查对象的各器件6一对一对应，大幅地有效进行明确而且准确的ESD试验。
这样，将这些高耐压继电器11的8个接点通过定时控制器10从高压电源2侧切换到检查对象的各器件6侧，从而使8个高压电容器7充电或者放电，从而对检查对象的各器件6分别从8个高压电容器7将规定的明确且准确的ESD试验用的高电压分别从各电压输出部施加。高耐压继电器11的8个接点的切换动作通过定时控制器11在规定的定时同时进行。在ESD试验中，决定了几种施加模型和各自的规格，通过对检查对象的各器件6施加的ESD电流波形（或者ESD电压波形）而判断是否适合。
在ESD试验中，从高电压电源2经由高耐压继电器11的8个接点后，经由将高压电容器7与施加电阻5的串联电路并列连接了8个的ESD施加电路（电压施加电路20）以及除了插座之外的作为将支架固定于多个探测器（接触构件）上的操作器、固定了多个探测器（接触构件）的探测器卡等的接触部件的接触器具，对检查对象的各器件6分别施加高电压。对检查对象的各器件6，通过将高电压等的电压的供给源侧端子（一条）与GND侧端子（一条）分别接触到检查对象的器件6的各端子，从而将高电压等的电压同时施加8个。
接着，进行步骤S2的ESD试验判定。
规定的ESD试验判定的结果，在没有问题时（通过）结束试验。此外，ESD试验判定的结果，如果是不合格器件且有问题时（不合格），进行步骤S3的修补处理而对不合格器件进行救济处理。
步骤S3的修补处理首先通过定时控制器10将高压电源2的输出电压设定为修补处理用的电压，且高耐压继电器11的8个接点导通到高压电源侧2，电流从高压电源2分支为8个后流入各高压电容器7而均匀地积累成高压电源2的修补处理用的电压。此时，高耐压继电器11的器件6侧的8个接点通过定时控制器10而成为截止状态。
接着，在通过定时控制器10，高耐压继电器11的高压电源2侧的8个接点截止后，进行控制使得高耐压继电器11的器件6侧的8个接点导通。由此，积累在各高压电容器7中的修补处理用的电压从高耐压继电器11的8个接点分别通过各施加电阻5后，分别施加在修补处理对象的各器件6的一个端子。此时，各高压电容器7与修补处理对象的各器件6一对一对应，大幅且有效地进行明确并且正确的修补处理。
这样，通过定时控制器10将这些高耐压继电器11的8个接点从高压电源2侧切换到修补处理对象的各器件6侧，从而使8个高压电容器7充电或者放电，对修补处理对象的各器件6分别从8个高压电容器7分别施加规定的用于明确并且正确的修补处理的电压。通过定时控制器10，高耐压继电器11的8个接点的切换动作在规定的定时同时进行。
此后，进行步骤S4的修补处理判定。
规定的修补处理判定的结果，当没有问题时（通过）结束试验。此外，修补处理判定的结果，还存在不合格器件的问题时（不合格），在下一个步骤S5中判定规定次数是否结束，当规定次数结束时（是），结束修补处理。当在步骤S5中规定次数未结束时（否），转移到步骤S2的ESD试验判定处理，并进行修补处理及其判定处理，直到达到规定次数为止。进行规定次数的修补处理，在其判定结果是不合格器件且有问题时，判定为不合格器件后结束处理。
至此，作为修补处理而说明了对于器件6的瞬间CR电压施加，但还说明如下情况：通过除了该CR电压施加之外，还一定期间对器件6进行恒流供给，从而利用两种电应力施加，使器件6的漏电部分恢复至绝缘状态。作为器件6的漏电部分，除了包括例如绝缘膜的针孔部分进入上部导电材料而漏电的情况之外，还包括粉尘引起的漏电缺陷部分、由于绝缘膜的膜厚度差异或者在断坡部分上的绝缘膜中被切断或者裂璺而引起的漏电缺陷部分等。
图5（a）以及图5（b）是表示修补处理的CR应力（CR电压施加）的电压施加波形及其电流施加波形的图，图5（c）以及图5（d）是表示修补处理的恒流应力（恒流供给）的电压施加波形及其电流施加波形的图。
比较图5（a）所示的修补处理中的CR应力的电压施加波形以及图5（c）所示的修补处理中的恒流应力的电压施加波形，电压等级是高压电源2的输出电压而且是相同的，但是电压施加时间级别是μsec级别和msec~sec级别，完全不同。图5（a）所示的电压施加波形是μsec级别，是瞬间的电压施加波形，相对于此，图5（c）所示的电压施加波形是msec~sec级别，是一定期间。此外，比较图5（b）所示的修补处理中的CR应力的电流施加波形与图5（d）所示的修补处理中的恒流应力的电流施加波形，电流等级从高压电容器7开始流过较多的电流容量，因此图5（b）的波形瞬间流过比图5（d）的波形相比较大的电流而有冲击（impact），但电流施加时间是μsec与msec~sec级别，图5（b）的波形与图5（d）的波形相比，至少短三位数时间。
总而言之，对器件6的漏电部分提供有冲击的CR应力（CR电压施加）的电压施加波形而烧断，并对通过瞬间的电压施加没有恢复的残留漏电缺陷部分的器件6，进行总能量大的一定期间的恒流供给，从而烧断剩余的漏电部分，从而更加可靠地恢复至绝缘状态。这样，利用两种应力更可靠地使器件6的漏电部分恢复至绝缘状态。
图6是表示图1的修补装置1的其他的单位结构例子的电路方框图。另外，设在该修补装置中，包含作为单位结构例子而且由虚线包围的部分是一个的情况，而单位结构例子存在多个，特别地，存在三个以上或者十个左右至几百个甚至其以上。对于与图1的结构构件起到相同的作用效果的构件，赋予相同的构件标号，并省略其说明。
在图6中，本实施方式1的修补装置1A除了上述修补装置1的结构之外，高压电源2的一个端子连接到恒流供给用的高耐压继电器12的一个端子，高耐压继电器12的另一个端子经由电流限制用的电阻13连接到施加电阻5与器件6的连接点14。设有用于控制这些高耐压继电器3、4以及12的导通/截止的定时控制器10A。用于驱动这些高耐压继电器3、4以及12的电源需要另外准备。
图7是表示图6的修补装置1A的具体结构例子的电路图。另外，对于与图2的结构构件起到相同的作用效果的构件赋予相同的构件标号，并省略其说明。
在图7中，本实施方式1的修补装置1A具有高压电源2以及电压施加和电流供给电路20A，高压电源2自由可变地输出规定的电压，电压施加和电流供给电路20A作为将来自高压电源2的规定的电压以及电流依次对多个检查和处理对象的器件6一并同时提供的电压施加部件和电流供给部件，所述修补装置1A进行对多个检查和处理对象的器件6进行电压施加和电流供给的两种应力施加的修补处理。
该电压施加和电流供给电路20A具有作为用于积累来自高压电源2的规定的电压的电压电容部件的多个高压电容器7、将来自多个高压电容器7的各规定的电压分别通过施加电阻5输出的多个电压输出部、作为进行切换使得来自该高压电源2的规定的电压连接到高压电容器7侧或者来自高压电容器7的规定的高电压连接到电压输出部侧的多个作为切换部件的高耐压继电器11（等同于上述高耐压继电器3、4）、将高压电源2作为恒流源而能够将恒流应力分别对检查和处理对象的各器件6经由电阻13而提供恒流源引起的电流应力的恒流供给用的高耐压继电器12，作为相同电路结构，独立地并列持有与应一并施加处理的多个检查和处理对象器件6的数目相应数目的从高压电容器7通过高耐压继电器11并进一步通过施加电阻5而到达电压输出部的电路。由这些多个高压电容器7、高耐压继电器11、多个施加电阻5、多个电压输出部构成电压施加部件。此外，由高压电源2、高耐压继电器12、电阻13构成电流供给部件。
通过上述结构，说明在ESD试验后对成为不合格的器件6，利用图7的修补装置1A，进行基于两种应力施加的修补处理的情况。
图8是表示图7的修补装置1A的动作的流程图。另外，图8的流程图在图4的流程图的步骤S4与步骤S5之间，加入了恒流应力施加处理及其判定处理的步骤S6、S7。
如图8所示，首先，在步骤S1中进行ESD试验，接着，在步骤S2中进行ESD试验判定，然后，在ESD试验判定的结果为不合格器件时（不合格），进行步骤S3的规定电压施加的修补处理，从而救济不合格器件。此时，高耐压继电器12通过定时控制器10A成为截止状态。
此后，进行步骤S4的修补处理判定。规定的修补处理判定的结果，在没有问题时（通过）结束试验。此外，修补处理判定的结果，还不合格且有问题（不合格）的情况下，进行基于步骤S6的恒流施加的修补处理而救济不合格器件。
基于恒流施加的修补处理通过定时控制器10A使高耐压继电器11在充电侧工作后，进行控制使得恒流供给用的高耐压继电器12导通。由此，基于电流源的恒流应力从高压电源2通过高耐压继电器并进一步通过电阻13，向处理对象的器件6的一个端子通电。
这样，通过定时控制器10A对这些充电和放电用的高耐压继电器11以及恒流供给用的高耐压继电器12进行导通/截止切换，从而使高压电容器7充电或者放电而施加规定电压，且此后能够将恒流应力提供给处理对象的器件6。高耐压继电器11以及12的切换动作通过定时控制器10A在规定的定时进行。恒流应力在基于高耐压继电器12的规定时间之间，对处理对象的器件16实施基于恒流源的通电应力。
总而言之，从高压电源2经由电压施加和电流供给电路20A并进一步经由插座/支架等的接触器具对处理对象的器件6依次提供规定电压以及恒流。将规定电压和恒流的供给源侧端子（一条）与GND侧端子（一条）接触到处理对象的器件6的各端子，从而对处理对象的器件6提供规定电压和恒流。此时，处理对象的器件6以单体形式被进行规定电压施加和恒流施加处理。
恒流施加处理之后，进行步骤S7的修补处理判定。规定的修补处理判定的结果，当没有问题时（通过）结束试验。此外，修补处理判定的结果，还是不合格器件且有问题时（不合格），在下一个步骤S5中判定规定次数是否结束，在规定次数已经结束时（是）结束修补处理。在步骤S5中规定次数尚未结束时（否），转移到步骤S2的ESD试验判定处理，依次进行之后的修补处理及其判定处理，直至达到规定次数。依次进行规定次数的各修补处理，即使在其判定结果是不合格器件且有问题时，也要判定为不合格器件后结束处理。
另外，可以对不合格器件的漏电缺陷部分，同时进行基于规定电压施加的修补处理与基于恒流施加的修补处理这两者而进行更强的应力施加，从而烧断漏电缺陷部分，从而使其恢复至通常绝缘状态，也可以进一步增加规定次数。
图9是示意性地表示图7的修补装置1A中的对器件6的各端子的接触状态的放大图像的立体图。图10是示意性地表示图7的修补装置1A中的ESD试验/规定电压和恒流供给处理时的结构图像例子的立体图。
在图9和图10中，包括电路箱21（ESD/规定电压和恒流供给衬底箱）与探测器卡25，所述电路箱21为了安全而在壳体内收容安装了图7的修补装置1A中的一台高压电源2、8接点高耐压继电器11、8个高压电容器7、8个施加电阻5、恒流供给用的一个高耐压继电器12、一个电阻13以及其他附加电路的ESD/规定电压和恒流供给衬底，且收容了从高压电源2公用恒流供给用的一个高耐压继电器12与一个电阻13的一个电路且具有与从各高压电容器7通过高耐压继电器11的接点到达施加电阻5的串联电路的8个电路对应的布线输出部21a的8个通道的电压施加和电流供给电路20A，所述探测器卡25构成为来自电路箱21的布线输出部21a的各布线22经由设置在上面的连接器23分别与下面侧的探测器24a、24b的8组连接，从下面突出地分别设置8组探测器24a、24b，使得各器件6的两个端子6a、6b一对一对应，且在晶片台15上的半导体晶片16上矩阵状地设置的多个检查和处理对象的8个各器件6的各端子6a、6b与分别可连接到各高压电容器7或者可连接到高压电源2的8组探测器24a、24b被一对一对应地配置。
ESD施加电压波形与规定电压施加波形以及恒流供给波形根据从电路箱21的布线输出部21a至探测器卡25的布线长度的变化而变化。从而，将从高压电容器7至器件6的各端子6a、6b的布线长度、从高压电源2经由高耐压继电器12至器件6的各端子6a、6b的电流路径的布线长度设为完全相同的布线长度，从而使施加到器件6的各端子6a、6b上的ESD电压波形以及规定电压施加波形、恒流供给波形设为相同波形。包含ESD的规定电压以及恒流供给衬底也可以具有部件更换用的插座部。
图11是作为修补装置1B而示意性地表示图6的修补装置1A中的多个电压施加和电流施加器的设置图像例子的平面图。
如图11所示，在修补装置1B被放射状地配置成作为多个电压施加和电流施加器的多个电压施加和电流施加衬底26隔开中央圆形部27而在其周围站立，多个电压施加和电流施加衬底26中的多个相同电路结构的各输出端子分别被设置成面向中央圆形部27侧。能够从多个相同电路结构的各输出端子将多个高电压输出部的各个高电压输出部电连接到中央圆形部27的下方侧设置的多个检查和处理对象的器件6的各端子。能够构成为，从多个相同电路结构的各输出端子通过各电压输出部至多个检查和处理对象的器件6的、与应一并施加处理的器件数目对应的数目的包含独立的布线的距离全部设为相同距离，来自高压电源2的相同电压和电流波形对多个检查和处理对象的器件6的各端子分别同时明确并可靠地施加。
该修补装置1B还兼做ESD试验装置，但除了电压施加和电流供给电路20A中的高耐压继电器12以及电阻13的电流供给电路之外，具有安装了多接点的高耐压继电器11、多个高压电容器7和多个施加电阻5的多个电压施加电路的电压施加和电流施加衬底26以除了中央圆形部27之外的甜甜圈状，放射状（相对于中央圆形部27的中心，放射状地）配置多个。高耐压继电器11、12的厚度用于4000V耐压时是15mm，用于8000V耐压时是30mm。通过该厚度，决定能够配置几张电压施加和电流施加衬底26。高耐压继电器11、12的厚度是用于4000V耐压的15mm而且中央圆形部27的内周直径为40cm时，能够配置64张电压施加和电流施加衬底26。
此外，由于根据高耐压继电器11、12的厚度而决定电压施加和电流施加衬底26的厚度，因此使用高耐压继电器11、12的厚度薄的较好。例如，当一张电压施加和电流施加衬底26为4通道而且例如安装8个一个接点的高耐压继电器时，高耐压继电器的厚度为用于4000V耐压的13.5mm且能够放射状地安装83张电压施加和电流施加衬底26从而整体具有332通道（同时能够对332个器件6进行ESD试验和修补处理）的能力。此时的电压施加和电流施加衬底26的外周直径大约为50cm左右。
从多个电压施加和电流施加衬底26的内周侧引出布线22而连接到探测器卡25的连接器23，将在探测器卡25的下面设置的多组探测器24a、24b与在吸附于晶片台15上的半导体晶片16上矩阵状地设置的多个检查和处理对象的各器件6的端子6a、6b一对一对应地连接，从而进行ESD试验和修补处理。探测器24a、24b与器件6的端子6a、6b的位置关系是通过自动传送装置的探针使晶片台15侧准确地移动且通过图像识别能够准确地定位。这里，将400μm×200μm的尺寸的半导体芯片（器件6）以64个为一列地进行ESD试验以及修补处理并将其重复，并能够对晶片的全部芯片（例如10万个）依次自动地进行。由于难以将探测器24a、24b立于相邻的列，因此与以两列以上的方式进行ESD试验以及修补处理相比，以一列的方式进行难以引起接触错误从而较好。
从多个电压施加和电流施加衬底26至各器件6的布线长度为了保持图13（b）的ESD施加电压波形的标准而优选为20cm以下。各多个电压施加和电流施加衬底26至8个器件6的各端子的布线长度全部设为相同布线长度，从而除了对器件6的各端子施加的图13（b）的ESD电压波形之外，电压施加波形以及电流施加波形也相同。由此，ESD试验以及修补处理变得均匀。
图12（a）是作为修补装置1C而示意性地表示图6的修补装置1A中的多个电压施加和电流施加器的其他设置图像例子的平面图，图12（b）是图12（a）的电压施加和电流施加器与探测器卡以及探针的横截面图。图13（a）是示意性地表示图12（a）的电压施加和电流施加器的立体图，图13（b）是表示用于ESD试验的ESD施加电压波形的图。
在图12（a）、图12（b）以及图13（a）中，在修补装置1C中，作为多个壳体的多个电路箱21隔开中央圆形部28而被放射状地配置于其周围。收容于多个电路箱21内的多个电压施加和电流施加衬底26的多个相同电路结构中的各输出端子分别被设置成面向中央圆形部28侧。从多个相同电路结构的各输出端子，对在中央圆形部28的下方侧设置的多个检查和处理对象的器件6的各端子6a、6b电连接多个电压输出部的各自。从多个相同电路结构的各输出端子通过各电压输出部至多个检查和处理对象的器件6的、包含与应一并施加处理的器件数目对应的数目的独立的布线22的距离全部被设为相同距离，从而来自高压电源2的相同的ESD施加电压波形以及规定电压波形、恒流波形中的其中一个被分别同时施加到多个检查和处理对象的器件6。另外，作为电压输出部，可以是相同电路结构的输出端子，也可以包含是从该输出端子经由布线22至探测器卡25的探针24a、24b。
作为修补装置1C，将安装了一台高压电源2、高耐压继电器12以及电阻13、8接点的高耐压继电器11、8个高压电容器7以及8个施加电阻5、以及其他的附加电路的多个电压施加和电流施加衬底26收容于壳体内，将从高压电容器7通过高耐压继电器11的接点而到达施加电阻5的串联电路的8个电路、从高压电源2具有高耐压继电器12以及电阻13的布线的布线输出部21的8通道与1通道的8个电路箱21被配设为放射状。从8个电路箱21的内周侧（中央圆形部）引出布线22而连接到探测器卡25的连接器23，将设置于探测器卡25的下面的8组探测器24a、24b、与构成自动传送装置的探针的在晶片台15上的半导体晶片16上矩阵状地设置了多个的多个器件6中的、检查和处理对象的8个器件6的各器件6的各端子6a、6b一对一对应地连接，进行ESD试验以及修补处理，并重复该修补处理。
从该8通道与1通道的电路箱21的布线输出部21a至各器件6的布线长度为了保持图13（b）的ESD施加电压波形的规格，期望是20cm以下。从各电路箱21的各布线输出部21a至8个各器件6的各端子的布线长度全部设为相同布线长度，从而使对各器件6的各端子施加的图13（b）的ESD电压波形以及修补处理的应力波形相同。由此，ESD试验及其之后的修补处理变得均匀。
至此说明了将给予电压与电流的电偏压施加的两种应力（规定电压施加与恒流供给）提供给漏电缺陷的各器件6的情况，但除此之外，以下参照附图详细说明如下判定驱动结构：作为有无漏电缺陷而识别合格品与不合格品，根据不合格品的漏电缺陷状态自动地改变应力条件。
图14是示意性地表示对图6的修补装置的单位结构添加了判定电路的电压等级检测例子的情况的电路图。另外，在图14中，对与图6的修补装置的结构构件起到相同的作用效果的部件赋予相同的部件标号后进行说明。
在图14中，在修补装置1D中，高压电源2的一个端子通过高耐压继电器3、4连接到施加电阻5的一端。该施加电阻5的另一端连接到检查和处理对象的器件6的一个端子。器件6的另一端子连接到高压电源2的另一端子。这些高耐压继电器3、4的连接点8通过高压电容器7，连接到器件6的另一端子与高压电源2的另一端子的连接点9，该连接点9被接地。
此外，高压电源2的一个端子连接到高耐压继电器12的一个端子，高耐压继电器12的另一端子经由电流限制用的电阻13，连接到施加电阻5与器件6的连接点14。设置有用于控制这些高耐压继电器3、4以及12的导通/截止的定时控制器10D。此外，另外需要用于驱动这些高耐压继电器3、4以及12的电源。
而且，检查和处理对象的器件6的两端分别连接到运算放大器31的各输入端子，在判定时，通过定时控制器10D将高耐压继电器12设为导通状态，从而器件6中流过电流。在该状态下，根据器件6的两端间电压通过运算放大器31（放大率也可以是1）的差动放大结果，作为漏电缺陷的有无而实施合格与不合格的识别。运算放大器31的输出端设有反馈电阻32，且与该反馈电阻32连接的一输入端子经由接地电阻33而接地。此外，运算放大器31的输出端分别与比较器34、36的各一输入端连接。比较器34的另一输入端连接有基准值A的电压输出部35的输出端。此外，比较器36的另一输入端连接有比基准值A小的基准值B的电压输出部37的输出端。这些比较器34、36的各输出端连接到定时控制器10D。
仅在来自运算放大器31的输出电压值X是基准值B以上且基准值A以下时，设为没有漏电缺陷的合格器件。在来自运算放大器31的输出电压值X比基准值B小或者比基准值A大时，设为存在漏电缺陷的不合格品器件。当将基准值B设定地小而输出电压值X为0V的情况下，也可以判定为接触不好，从而再次将探测器接触到器件6的各端子。
由这些运算放大器31、反馈电阻32、接地电阻33、比较器34、36、基准值A的电压输出部35以及基准值B的电压输出部37来构成判定部件，该判定部件判定是否为漏电缺陷的器件6。这样，判定部件将修补对象器件6的电压等级检测结果分割为3值的等级的判定信号输出到定时控制器10D。
图15是示意性地表示对图6的修补装置的单位结构增加了其他的判定电路的电流等级检测例子的情况的电路图。另外，在图15中，对与图14的修补装置的结构构件起到相同的作用效果的构件赋予相同的构件标号后进行说明。
如图15所示，在修补装置1E中，电流限制用的电阻13的两端分别连接到运算放大器31的各输入端子，在判定时，通过定时控制器10E将高耐压继电器12设为导通状态后通过电阻13在器件6流过电流。在该状态下，根据电阻13的两端电压通过运算放大器31的差动放大结果，作为漏电缺陷的有无而实施合格品与不合格品的识别。运算放大器31的输出端设置有反馈电阻32，且与该反馈电阻32连接的一输入端子经由接地电阻33而被接地。此外，运算放大器31的输出端分别连接到比较器34、36的各一输入端。比较器34的另一输入端连接到基准值A的电压输出部35的输出端。此外，比较器36的另一输入端连接有比基准值A小的基准值B的电压输出部37的输出端。这些比较器34、36的各输出端连接到定时控制器10E。
流过电流限制用的电阻13的电流值变换为电压值，仅在来自运算放大器31的输出电压值X为基准值B以上且基准值A以下时，设为没有漏电缺陷的合格品器件。在来自运算放大器31的输出电压值X比基准值B小或者比基准值A大时，设为存在漏电缺陷的不合格品器件。当将基准值B设定地小而输出电压值X为0V的情况下，也可以判定为接触不好，从而再次将探测器接触到器件6的各端子。
由这些运算放大器31、反馈电阻32、接地电阻33、比较器34、36、基准值A的电压输出部35以及基准值B的电压输出部37构成判定部件，判定部件判定是否为漏电缺陷的器件6。这样，判定部件将修补对象器件6的电流等级检测结果分割为3值的等级的判定信号输出到定时控制器10E。
图16是示意性地表示对图6的修补装置的单位结构进一步增加了其他的判定电路的电压等级检测与电流等级检测这两者的事例的情况的电路图。另外，在图16中，对与图14的修补装置的结构构件起到相同作用效果的构件赋予相同的构件标号后进行说明。
如图16所示，在修补装置1F中，检查和处理对象的器件6的两端以及电流限制用的电阻13的两端分别连接到运算放大器31的各输入端子，在判定时，通过定时控制器10F将高耐压继电器12设为导通状态后通过电阻13在器件6中流过电流。在该状态下，通过两个运算放大器31的差动放大结果，作为漏电缺陷的有无而实施合格品与不合格品的识别。两个运算放大器31的输出端分别设置有反馈电阻32，且与该反馈电阻32连接的一输入端子经由接地电阻33而被接地。此外，两个运算放大器31的输出端分别连接有比较器34、35的各一输入端。比较器34的另一输入端连接有基准值A的电压输出部35的输出端。此外，比较器36的另一输入端连接有比基准值A小的基准值B的电压输出部37的输出端。这些比较器34、36的各输出端作为两个系统分别连接到定时控制器10F。
由这些运算放大器31、反馈电阻32、接地电阻33、比较器34、36、基准值A的电压输出部35以及基准值B的电压输出部37分别构成电压等级检测和电流等级检测的两个系统的判定部件，且两个判定部件能够分别更加准确地判定是否为漏电缺陷的器件6。这样，判定部件将修补对象器件6的电压等级检测结果和电流等级检测结果的两者各分割为3值的等级的各判定信号输出给定时控制器10F。
此外，当被分割为合格与不合格的2值的等级的判定信号输出给定时控制器10D、10E或者10F时，如图17所示，由运算放大器31、反馈电阻32、接地电阻33、比较器34以及基准值A的电压输出部35构成电压等级检测和电流等级检测中的至少一个的判定部件，该判定部件能够判定是否为漏电缺陷的器件6。这样，该判定部件将修补对象器件6的电压等级检测结果和电流等级检测结果中的至少一个的分割为2值的等级的判定信号输出给定时控制器10D、10E或者10F。
定时控制器10D、10E或者10F能够选择电荷应力（电压应力）以及电流应力的两种应力施加。
判定部件进行修补对象的电压等级检测和电流等级检测中的至少其中一个，并将其合格与否判定以及其详细判定的结果分割为2值或者3值等的多值的等级的判定信号输出给定时控制器10D、10E或者10F。在该定时控制器10D、10E或者10F内，基于判定部件的判定结果的合格不合格或者不合格的程度，决定要处理的流程。当判定结果是合格时，结束修补处理，当判定结果是不合格时，根据其不合格的程度进行修补处理。例如，如果不合格的程度稍微良好，则将应力设为较小后进行修补处理。例如，如果不合格的程度较大，则将应力设为较大后进行修补处理。此外，在该定时控制器10D、10E或者10F内，基于判定部件的判定结果的合格不合格或者其不合格的程度，设定修补处理流程的次数。修补处理流程的次数（循环次数）作为最低次数例如预先设定10次。将第一次的判定数据存储到定时控制器10D、10E或者10F内的存储部，比较该判定数据与处理最低修补处理次数后的判定数据，当完全未恢复的情况下结束修补处理，当判定为有恢复的迹象的情况下，从最低修补处理次数增加与比较结果对应的规定修补处理次数而进行修补处理。此时，应力条件也同时设定为与比较结果对应的应力条件（应力的大小）。电容器数目或者电容器电容越大，应力越大，输出电阻5的电阻值越大，应力越小。
根据判定部件的判定结果，通过定时控制器10D、10E或者10F作为可变设定部件的选择部件能够将电容器7的电容以及输出电阻5的电阻值设定为可变。即，如图18所示，基于从定时控制器10D、10E或者10F输出的控制信号，控制作为选择部件的选择器电路38、39，从而从预先安装的电容部件组7A以及电阻组5A选择电容部件的数目以及电阻的数目，从而能够将电容器电容以及输出电阻5的电阻值设定为可变。
图19是表示图16的修补装置1F的动作的流程图。图20是用于说明图16的修补装置1F的动作的图。
如图19所示，在步骤S11中进行器件6的通常动作试验。在进行时，使高压电源2输出的电压值可变为动作电压的例如3V和5V。
即，如图20所示，通过定时控制器10F将充电用的高耐压继电器3设为导通，来自高压电源2的电流积累到高压电容器7。此时，放电用的高耐压继电器4通过定时控制器10F成为截止状态。
接着，在充电用的高耐压继电器3通过定时控制器10F而截止后，实施控制使得放电用的高耐压继电器4导通。由此，积累在高压电容器7中的规定电压从高耐压继电器4通过施加电阻5而施加到检查对象的器件6的一端子。此时，高耐压继电器12通过定时控制器10F而成为截止状态。
接着，进行步骤S12的ESD试验。
通过定时控制器10F将高压电源2的输出电压设定为ESD试验用的高电压，并导通高耐压继电器3的接点，从而来自高压电源2的电流流入各高压电容器7后均匀地积累在高压电源2的ESD试验用的高电压。此时，高耐压继电器4通过定时控制器10F而成为截止状态。
接着，在高耐压继电器3通过定时控制器10F而截止后，实施控制使得高耐压继电器4的接点导通。由此，积累在各高压电容器7中的ESD试验用的高电压从高耐压继电器4分别通过各施加电阻5后分别施加到检查对象的各器件6的一端子。此时，各高压电容器7与检查对象的各器件6一对一对应，大幅有效地进行明确且准确的ESD试验。
此后，进行步骤S13的ESD试验判定。
在规定的ESD试验判定的结果没有问题时结束试验。此外，当ESD试验判定的结果是不合格器件且有问题时，进行下一个步骤S14的修补处理而救济处理不合格器件。
进行步骤S14的基于电压施加的修补处理。
在该基于电压施加的修补处理中，通过定时控制器10F将高压电源2的输出电压设定为修补处理用的电压，并导通高耐压继电器3后来自高压电源2的电流流入各电压电容器7而均匀地积累成高压电源2的修补处理用的电压。此时，高耐压继电器4的接点通过定时控制器10F而成为截止状态。
接着，在高耐压继电器3通过定时控制器10F而截止后，实施控制使得高耐压电容器4导通。由此，积累在各高压电容器7中的修补处理用的电压从高耐压继电器4分别通过各施加电阻5而分别施加到修补处理对象的各器件6的一端子。此时，各高压电容器7与修补处理对象的各器件6一对一对应，大幅有效地进行明确且准确的修补处理。
这样，通过定时控制器10F将这些高耐压继电器3、4从高压电源2侧切换到修补处理对象的各器件6侧，从而使8个高压电容器7充电或者放电，对修补处理对象的各器件6分别从8个高压电容器7使规定的明确且准确的修补处理用的电压分别从各电压输出部施加。高耐压继电器3、4的切换动作通过定时控制器10F在规定的定时进行。
此后，进行步骤S15的修补处理判定。
此时，在使高耐压继电器12导通后对处理对象的器件6提供规定电流的状态下，运算放大器31检测处理对象的器件6的两端电位差以及与电阻13的电流值对应的电压值。来自运算放大器31的检测信号X输入到比较器34与基准值A进行比较，且输入到比较器36与基准值B进行比较。该检测信号X被分为检测信号X>A、A≥检测信号X≥B、或者B>检测信号X的3值。被区分的3值输入到定时控制器10F。定时控制器10F在A≥检测信号X≥B时判定处理对象的器件6是合格品，在检测信号X>A以及B>检测信号X时判定处理对象的器件6为不合格品。
在处理对象的器件6是合格品时（通过）结束处理，在处理对象的器件6是不合格品时（不合格），在下一个步骤S16中进行基于恒流供给的其他的修补处理。
在步骤S16的基于恒流供给的修补处理中，通过定时控制器10F使高耐压继电器3、4截止后，实施控制使得恒流供给用的高耐压继电器12导通。由此，基于电流源的恒流应力从高压电源2通过高耐压继电器12且进一步通过电阻13，通电处理至处理对象的器件6的一端子。
这样，通过定时控制器10F对这些充电以及放电用的高耐压继电器3、4以及恒流供给用的高耐压继电器12进行导通/截止切换，从而在步骤S14中使高压电容器7充电或者放电而施加规定电压，并在此后的步骤S 16中能够将恒流应力提供给处理对象的器件6。高耐压继电器3、4以及12的切换动作通过定时控制器10F在规定的定时进行。恒流应力在基于高耐压继电器12的规定时间期间，对处理对象的器件6实施基于恒流源的恒流应力供给。
总而言之，从高压电源2经由电压施加和电流供给电路20A且进一步经由插座/支架等的接触器具对处理对象的器件6依次提供规定电压和恒流。使规定电压和恒流的供给源侧端子（一条）与GNC侧端子（一条）接触到处理对象的器件6的各端子，从而对处理对象的器件6提供规定电压和恒流。此时，对每个处理对象的器件6依次进行规定电压施加和恒流施加处理。
在该恒流供给处理之后，进行步骤S17的修补处理判定。
此时，在将高耐压继电器12导通而对处理对象的器件6提供了规定电流的状态下，运算放大器31检测处理对象的器件6的两端电位差以及与电阻13的电流值对应的电压值。来自运算放大器31的检测信号X输入到比较器34与基准值A进行比较，并输入到比较器36与基准值B进行比较。该检测信号X被分为检测信号X>A、A≥检测信号X≥B、或者B>检测信号X的3值。被区分的3值输入到定时控制器10F。定时控制器10F在A≥检测信号X≥B时判定处理对象的器件6是合格品，在检测信号X>A以及B>检测信号X时判定处理对象的器件6为不合格品。
规定的修补处理判定的结果，当处理对象的器件6是合格品且没有问题时，结束处理。此外，修补处理判定的结果，尚且是不合格器件且存在问题时，在下一个步骤S18中判定是否结束了规定次数，当已经结束规定次数时结束修补处理。当在步骤S18中尚未结束规定次数时，转移到步骤S13的ESD试验判定处理，依次进行此后的修补处理及其判定处理，直至达到规定次数。依次进行规定次数的各修补处理，即使在其判定结果为不合格器件且有问题的情况下，也判定为不合格器件后结束处理。
另外，可以对不合格器件的漏电缺陷部变更较强应力条件，也可以将给予规定电压施加的修补处理与基于恒流施加的修补处理这两者同时进行更强应力施加，从而烧断漏电缺陷部而恢复至通常绝缘状态，也可以进一步增加规定次数，从而烧断漏电缺陷部而恢复至通常绝缘状态。
图21是表示以个人计算机PC为主体的晶片图与探测管理的方框图。
在图21中，本实施方式1的修补装置1、1A、1B、1C、1D、1E或者1F具有：个人计算机PC，进行探测管理；一台高压电源2；定时控制器10、10A、10B、10C、10D、10E或者10F，接受来自个人计算机PC的指示而驱动；电压施加电路20或者电压施加和恒流供给电路20A（包含ESD电路），由8个并联电路构成，将来自高压电源2的规定的电压和恒流依次一并同时提供给多个检查和修补处理对象的器件6，所述8个并联电路从高压电源2公用用于供给恒流的一个高耐压继电器12与一个电阻13的一个电路，通过定时控制器10、10A、10B、10C、10D、10E或者10F，将高耐压继电器11的8接点（或者导通高耐压继电器3）同时切换到高压电源2侧，从而对8个高压电容器7积累来自高压电源2的规定电压，此后，在规定的定时将高耐压继电器11的8接点（或者导通高耐压继电器4）同时切换到8个各施加电阻5侧；以及探针29，用于使晶片台15上的半导体晶片16移动后上升，从而使探测器卡25的8组探测器24a、24b分别接触到8个器件6的各端子6a、6b，从而通过8组该探测器24a、24b将来自电压施加电路20或者电压施加和恒流供给电路20A的施加电压和恒流施加或者提供给该各端子6a、6b。在将半导体晶片16的达到10万个的多个芯片依次进行ESD试验、规定电压施加的修补处理和恒流供给的修补处理的情况下，利用探针29等的自动传送装置连续进行探测。
探测管理以个人计算机PC作为主体，能够针对半导体晶片16上的晶片图即用于表示在半导体晶片16上以矩阵状配置的多个（例如10万个）的半导体芯片（器件）的位置的地址，在存储部存储对哪个地址范围的半导体芯片（器件）进行ESD试验、规定电压施加的修补处理和恒流供给的修补处理，哪个地址的半导体芯片（器件）是ESD耐压不合格的芯片。ESD耐压不合格在半导体芯片（器件）的二极管结构的反向电压的漏电电流（漏电缺陷）超过规定值的情况下通过测定器测定该情况，从而认定为不合格器件，并将该半导体芯片（器件）的地址存储在个人计算机PC中。
定时控制器10、10A、10B、10C、10D、10E或者10F，不仅控制高耐压继电器11、12的动作（时间与定时），还根据预先通过程序等设定的时序控制应施加的电压和电流等级的设定、施加次数、施加的极性条件而动作。
通过以上说明，根据本实施方式1，对器件6的漏电缺陷部分提供电应力，从而在使漏电缺陷部分的绝缘状态正常化的修补装置1、1A、1B、1C、1D、1E或者1F中，具有：作为电应力源的高压电源2；以及将来自被高压电源2充电的多个电容器7的各电荷应力分别一并同时施加给多个器件6的电压施加部件、将来自高压电源2的电流应力提供给多个器件6的电流供给部件中的至少电压施加部件。
由此，由于将来自作为被作为电压源的高压电源2充电的一个或者多个电压电容部件的高压电容器7的一个或者多个电荷应力施加给多个器件6，因此即使高压电源2的电源容量小，通过临时积累到一个或者多个高压电容器，从而不依赖于电源容量，能够确保充分的电流容量，从而能够更有效地将不合格器件恢复到正常的绝缘状态。
此外，在批量生产时，对检查和修补处理对象的多个器件6一并进行基于符合标准的ESD施加电压波形的ESD后，以均匀的规定电压波形和恒流波形明确且准确地进行电压施加的修补处理和恒流供给的修补处理，从而对一并进行多个电偏置处理，从而使不合格器件更有效地恢复到正常的绝缘状态。
此外，由于对电压施加部件和电流供给部件中的至少电压施加部件设置用于自动判定器件6是否为漏电缺陷器件的判定部件，因此能够更有效地自动地进行一并进行了多个电偏置处理后的合格不合格判定处理。
另外，在上述实施方式1中，虽然没有特别详细进行说明，但本发明的修补方法对器件6的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，所述修补方法具有电压施加步骤与电流供给步骤中的至少电压施加步骤，在所述电压施加步骤中，电压施加部件将来自被作为电压源的高压电源2充电的多个电容器电容的各电荷应力分别一并同时施加给多个器件，在电流供给步骤中，电流供给部件将来自高压电源2的电流应力提供给多个器件6。而且，本发明的修补方法对这些电压施加步骤与电流供给步骤中的至少电压施加步骤进一步具有判定步骤，所述判定步骤中，判定部件判定器件6是否为漏电缺陷器件。
器件的制造方法利用上述修补装置1、1A、1B、1C、1D、1E或者1F，对器件6的漏电缺陷部分提供电应力，使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，从而通过制造方法来制造器件，恢复成为不合格的不合格器件，从而制造器件。
另外，在上述实施方式1中，例如对LSI元件的保护用的二极管、LED元件以及激光元件等，发光元件等的对象器件6，作为器件6的漏电缺陷部分，说明例如在绝缘膜的针孔部分插入上部导电材料而漏电的情况之外，还说明粉尘引起的漏电缺陷部、由于绝缘膜的膜厚度差异或者在断坡部上的绝缘膜中被切断或者裂璺而引起的漏电缺陷部，并说明了对该漏电缺陷部施加电应力而使其在绝缘性上正常化的修补处理，但并不限定于次，当在LSI元件等的布线部中存在漏电缺陷部的情况下，在对布线之间提供电压和电流而烧断漏电部分时，也能够使用本发明的修补装置1、1A~1F中的其中一个。
如以上说明那样，利用本发明的优选的实施方式1例示了本发明，但并不应该将本发明限定解释成该实施方式1。本发明的范围应仅通过权利要求书来解释。本领域技术人员从本发明的具体的优选实施方式1的记载，基于本发明的记载以及技术常识能够理解可以实施等价的范围。在本说明书中引用的专利、专利申请以及文献能够理解成等同于其内容本身具体地记载于本说明书中，应将其内容作为对于本说明书的参考而引用。
本发明在例如对LSI元件、LED元件以及激光元件等发光元件等的检查对象器件进行检查的耐ESD性试验的结果和通常动作试验的结果，使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补装置以及利用了该修补装置的半导体装置的制造方法的领域中，由于将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加到一个或者多个器件，因此不依赖于电源容量，能够确保更充分的电流容量，能够更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。此外，由于电压施加部件将来自被电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别一并同时施加到多个器件，因此能够一并同时进行多个电应力处理，能够更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。此外，由于判定部件自动判定基于电压施加部件的修补处理后的一个或者多个器件中的器件是否为漏电缺陷器件，因此能够更有效地自动地进行在一并进行了多个电偏置处理之后的合格不合格判定处理。

Claims (55)

1.一种修补装置，对器件的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，具有：
作为电应力源的电压源；以及电压施加部件，将来自被该电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加到一个或者多个器件。
2.一种修补装置，用于恢复一个或者多个器件的漏电缺陷，包括：
电压施加部件，将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的各电荷应力施加到一个或者多个器件；以及
判定部件，在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给施加了该电荷应力之后的一个或者多个器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件。
3.如权利要求1所述的修补装置，其中，
所述电压施加部件将来自被所述电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别一并同时施加给多个器件。
4.如权利要求2所述的修补装置，其中，
在所述电流供给部件将来自所述电压源的电流应力提供给所述一个或者多个器件的修补处理之后，在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给该电流应力供给后的一个或者多个器件的状态下，所述判定部件自动地判定该一个或者多个器件中的器件是否为漏电缺陷器件。
5.如权利要求2所述的修补装置，其中，
所述电压施加部件具有与应将规定电压一并施加处理的器件的数目对应数目的相同电路结构。
6.如权利要求3所述的修补装置，其中，
所述电压施加部件具有与应将规定电压一并施加处理的器件的数目对应数目的相同电路结构。
7.如权利要求1所述的修补装置，其中，
所述电压施加部件具有：一个电压电容部件，用于积累来自所述电压源的规定的电压；一个电压输出部，用于通过电阻输出来自该一个电压电容部件的规定的电压；以及切换部件，进行切换，以便将该一个电压电容部件连接到该电压源侧或者连接到该电压输出侧。
8.如权利要求3所述的修补装置，其中，
所述电压施加部件具有：多个电压电容部件，用于积累来自所述电压源的规定的电压；多个电压输出部，将来自该多个电压电容部件的各规定的电压分别通过各电阻而输出；以及多个切换部件，进行切换，以便将该多个电压电容部件各自分别连接到该电压源侧或者分别连接到该电压输出部侧。
9.如权利要求5所述的修补装置，其中，
所述电压施加部件具有：一个或者多个电压电容部件，用于积累来自所述电压源的规定的电压；多个电压输出部，将来自该一个或者多个电压电容部件的规定的电压分别通过各电阻而输出；以及多个切换部件，进行切换，以便将该一个或者多个电压电容部件各自分别连接到该电压源侧或者分别连接到该电压输出部侧。
10.如权利要求8所述的修补装置，其中，
所述相同电路结构独立地持有与所述应一并施加处理的器件的数目对应数目的、从所述电压电容部件通过所述切换部件并进一步通过所述电阻到达所述电压输出部的电路。
11.如权利要求9所述的修补装置，其中，
所述相同电路结构独立地持有与所述应一并施加处理的器件的数目对应数目的、从所述电压电容部件通过所述切换部件并进一步通过所述电阻到达所述电压输出部的电路。
12.如权利要求10或者11所述的修补装置，其中，
具有多个衬底，所述衬底安装一个或者多个所述相同电路结构。
13.如权利要求3所述的修补装置，其中，
所述电压源设为具有对应于所述多个电压电容部件的电容的充电处理能力的一个电压源，所述多个电压电容部件的数目与应一并施加处理的器件的数目对应。
14.如权利要求2所述的修补装置，其中，
所述电压源设为具有对应于所述一个或者多个电压电容部件的电容的充电处理能力的一个电压源，所述一个或者多个电压电容部件的数目与应一并施加处理的器件的数目对应。
15.如权利要求1或14所述的修补装置，其中，
所述电荷应力的电压值在所述器件的电压/电流特性是非线性特性时，作为绝对值而设定不超过击穿电压而且是该击穿电压的9成以上的电压值。
16.如权利要求1或2所述的修补装置，其中，
所述电压源被设为，其输出电压构成为自由可变，且能够输出与静电破坏耐压试验对应的电压等级。
17.如权利要求1、3、7、8的任一项所述的修补装置，其中，
所述多个电压电容部件具有与静电破坏耐压试验对应的电容值。
18.如权利要求2或9所述的修补装置，其中，
所述一个或者多个电压电容部件具有与静电破坏耐压试验对应的电容值。
19.如权利要求7至9的任一项所述的修补装置，其中，
所述电压输出部的电阻具有与静电破坏耐压试验对应的电阻值。
20.如权利要求1至3、7以及8中的任一项所述的修补装置，其中，
所述电压电容部件的充放电处理具有如下的时序处理：在利用自动传送处理装置进行修补处理时，在对所述器件通过该自动传送处理装置的接触移动期间该电压电容部件被充电，在对该器件通过该自动传送处理装置接触后从该电压电容部件放电。
21.如权利要求1或3所述的修补装置，其中，
还包括用于将来自所述电压源的电流应力提供给一个或者多个器件的电流供给部件。
22.如权利要求21所述的修补装置，其中，
具有用于选择动作所述电荷应力以及所述电流应力这两种电应力的定时控制器。
23.如权利要求4所述的修补装置，其中，
还具有用于选择动作所述电荷应力以及所述电流应力这两种电应力的定时控制器。
24.如权利要求21所述的修补装置，其中，
设有判定部件，所述判定部件在至少基于所述电压施加部件以及所述电流供给部件中的该电压施加部件的修补处理之后，从所述电压源通过该电流供给部件将电流提供给一个或者多个器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件中的器件是否为所述漏电缺陷器件。
25.如权利要求24所述的修补装置，其中，
所述判定部件进行电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个。
26.如权利要求2或4所述的修补装置，其中，
所述判定部件进行电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个。
27.如权利要求24所述的修补装置，其中
所述判定部件、以及所述电压施加部件与所述电流供给部件中的至少该电压施加部件设置于相同衬底上。
28.如权利要求2或4所述的修补装置，其中，
所述判定部件、所述电压施加部件以及所述电流供给部件设置于相同衬底上。
29.如权利要求24所述的修补装置，其中，
所述判定部件将对于修补处理后的一个或者多个器件的电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个判定结果输出给定时控制器。
30.如权利要求2或4所述的修补装置，其中，
所述判定部件将对于修补处理后的一个或者多个器件的电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个判定结果输出给定时控制器。
31.如权利要求24所述的修补装置，其中，
所述判定部件将对于修补处理后的一个或者多个器件的电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个判定结果作为分割为多值的等级的判定信号而输出给定时控制器。
32.如权利要求2或4所述的修补装置，其中，
所述判定部件将对于修补处理后的一个或者多个器件的电压等级检测判定与电流等级检测判定中的至少其中一个判定结果作为分割为多值的等级的判定信号而输出给定时控制器。
33.如权利要求29所述的修补装置，其中，
所述定时控制器具有可变设定控制部件，所述可变设定控制部件将所述一个或者多个电压电容部件的电容值、以及通过电阻而输出来自该一个或者多个电压电容部件的规定的电压的一个或者多个电压输出部的该电阻的电阻值，根据所述判定部件的判定结果而进行可变设定。
34.如权利要求31所述的修补装置，其中，
所述定时控制器具有可变设定控制部件，所述可变设定控制部件将所述一个或者多个电压电容部件的电容值、以及通过电阻而输出来自该一个或者多个电压电容部件的规定的电压的一个或者多个电压输出部的该电阻的电阻值，根据所述判定部件的判定结果而进行可变设定。
35.如权利要求30所述的修补装置，其中，
所述定时控制器具有可变设定控制部件，所述可变设定控制部件将所述一个或者多个电压电容部件的电容值、以及分别通过各电阻而输出来自该一个或者多个电压电容部件的各规定的电压的一个或者多个电压输出部的该各电阻的电阻值，根据所述判定部件的判定结果而进行可变设定。
36.如权利要求32所述的修补装置，其中，
所述定时控制器具有可变设定控制部件，所述可变设定控制部件将所述一个或者多个电压电容部件的电容值、以及分别通过各电阻而输出来自该一个或者多个电压电容部件的各规定的电压的一个或者多个电压输出部的该各电阻的电阻值，根据所述判定部件的判定结果而进行可变设定。
37.如权利要求33所述的修补装置，其中，
基于来自所述定时控制器的控制信号而控制可变设定部件，从而从预先安装的电容组以及电阻组中选择而设定为规定的电容值以及规定的电阻值。
38.如权利要求34所述的修补装置，其中，
基于来自所述定时控制器的控制信号而控制可变设定部件，从而从预先安装的电容组以及电阻组中选择而设定为规定的电容值以及规定的电阻值。
39.如权利要求35所述的修补装置，其中，
基于来自所述定时控制器的控制信号而控制可变设定部件，从而从预先安装的电容组以及电阻组中选择而设定为规定的电容值以及规定的电阻值。
40.如权利要求36所述的修补装置，其中，
基于来自所述定时控制器的控制信号而控制可变设定部件，从而从预先安装的电容组以及电阻组中选择而设定为规定的电容值以及规定的电阻值。
41.如权利要求29所述的修补装置，其中，
所述定时控制器基于所述判定部件的判定结果的合格不合格或者不合格的程度来决定修补处理流程。
42.如权利要求31所述的修补装置，其中，
所述定时控制器基于所述判定部件的判定结果的合格不合格或者不合格的程度来决定修补处理流程。
43.如权利要求30所述的修补装置，其中，
所述定时控制器基于所述判定部件的判定结果的合格不合格或者不合格的程度来决定修补处理流程。
44.如权利要求32所述的修补装置，其中，
所述定时控制器基于所述判定部件的判定结果的合格不合格或者不合格的程度来决定修补处理流程。
45.如权利要求29所述的修补装置，其中，
所述定时控制器设定一次或者多次的修补处理流程。
46.如权利要求31所述的修补装置，其中，
所述定时控制器设定一次或者多次的修补处理流程。
47.如权利要求30所述的修补装置，其中，
所述定时控制器设定一次或者多次的修补处理流程。
48.如权利要求32所述的修补装置，其中，
所述定时控制器设定一次或者多次的修补处理流程。
49.一种器件的制造方法，利用如权利要求1至16的任一项所述的修补装置，对所述器件的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化。
50.一种修补方法，对器件的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，包括：
电压施加步骤，电压施加部件将来自被电压源充电的电压电容部件的电荷应力施加到该器件。
51.如权利要求50所述的修补方法，其中，
所述电压施加步骤具有所述电压施加部件将来自被电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别对多个器件一并同时施加的电压施加步骤。
52.如权利要求50或者51所述的修补方法，其中，
还包括电流供给步骤，电流供给部件将来自所述电压源的电流应力提供给一个或者多个器件。
53.如权利要求52所述的修补方法，其中，
具有判定步骤，在所述电压施加步骤以及所述电流供给步骤中的至少该电压施加步骤的修补处理之后，从该电压源通过电流供给部件将电流提供给修补对象的一个或者多个器件的状态下，判定部件判定该修补对象的一个或者多个器件中的器件是否为该漏电缺陷器件。
54.一种修补方法，使一个或者多个器件的漏电缺陷恢复，包括：
电压施加步骤，电压施加部件将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的各电荷应力分别对一个或者多个器件一并同时施加；以及判定步骤，在从该电压源通过电流供给部件对该电荷应力施加之后的一个或者多个器件提供了电流的状态下，判定部件自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件。
55.如权利要求54所述的修补方法，包括：
电流供给步骤，所述电流供给部件将来自所述电压源的电流应力提供给所述一个或者多个器件；以及判定步骤，在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给了该电流应力供给后的一个或者多个器件的状态下，自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103646878A (zh) * 2013-12-25 2014-03-19 鲁东大学 一种利用电场清除薄膜电致发光器件发光层中缺陷的方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102345307B1 (ko) * 2015-01-21 2021-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 이의 구동 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145170U (zh) * 1986-03-07 1987-09-12
JPS6341081A (ja) * 1986-08-07 1988-02-22 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPH05249180A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Nec Corp 静電破壊試験装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145170U (zh) * 1986-03-07 1987-09-12
JPS6341081A (ja) * 1986-08-07 1988-02-22 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPH05249180A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Nec Corp 静電破壊試験装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103646878A (zh) * 2013-12-25 2014-03-19 鲁东大学 一种利用电场清除薄膜电致发光器件发光层中缺陷的方法
CN103646878B (zh) * 2013-12-25 2017-01-25 鲁东大学 一种利用电场清除薄膜电致发光器件发光层中缺陷的方法

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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