TW201304035A - 修復裝置及修復方法、元件之製造方法 - Google Patents

修復裝置及修復方法、元件之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係一次處理多數之電偏壓處理，而更高效率地使不良元件回復到正常之絕緣狀態。本發明之對於元件6之洩漏缺陷部份供給電應力而將洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化之修復裝置1，包含：作為電應力源之高電壓電壓2；及對元件6分別一次且同時施加來自利用高電壓2予以充電之複數個電容器7之各電荷應力之電壓施加機構。

Description

修復裝置及修復方法、元件之製造方法
本發明係關於將對於例如LSI元件或LED元件以及雷射元件等之發光元件等之檢查及處理對象之元件進行檢查之ESD耐受性試驗之結果或通常動作試驗之結果，將不良元件回復到正常之絕緣狀態之修復裝置及修復方法，使用該修復裝置之元件之製造方法。
先前，LSI元件中於輸入電路側連接有保護二極體，而檢查保護二極體之ESD耐受性。LED元件及雷射元件等之發光元件中，發光元件本身具有二極體結構。因該二極體結構係由p型擴散層及n型擴散層之pn接合而構成，故基於根據p型擴散層及n型擴散層之情況而ESD耐受性不同，有必要全數檢查ESD之耐受性。
先前之ESD施加所必要之基本ESD電路係按照高電壓電源及ESD規格(HBM(人體模式)、MM(機器模式)等)而由使用高壓電容器、施加電阻及水銀之高耐壓繼電器構成。
ESD電路之施加輸入部份係使用將用於對元件之端子連接之接觸探針固定搭載於基板上之探針卡或將該接觸探針固定於機械臂上之機械手，而對檢查對象之元件通電。
向檢查對象之元件供給電壓之大小，於通常動作試驗中動作電壓為例如3 V或5 V之程度，但於可靠性檢查中代表性之ESD試驗(靜電放電可靠性試驗)中，則以大約1~10 KV位準之高電壓作為對象。ESD試驗係關於來自人體或機械 之靜電流至LSI晶片等之檢查對象之元件時的耐久性的試驗。
另一方面，關於將不良元件回復至正常絕緣狀態之修復技術，作為對象元件，有例如TFT、有機EL、LSI、LED元件以及雷射元件等，作為大型裝置則有太陽能電池等。作為修復技術，有例如使用冗長元件、電路方法(大多於複雜元件中)、電元件施加方法、有必要特定出缺陷處之雷射修復方法及製程步驟方法等。
針對將不良元件回復至正常絕緣狀態之修復技術，例如電元件施加方法進行說明。針對閘極氧化膜之絕緣狀態加以說明時，於閘極氧化膜上具有氧化膜針孔，閘極氧化膜之上部電極及下部矽基板通過氧化膜針孔以短路之狀態，藉由故意流通電流而將短路部份之細的上部電極材料(多晶矽或金屬等)燒斷，將該短路部份呈開放狀態(正常之絕緣狀態)，而將該閘極氧化膜回復至正常之絕緣狀態。
據此，燒斷閘極氧化膜之針孔之短路部份而回復至正常之絕緣狀態之電偏壓施加方法之一例揭示於專利文獻1中。
圖22係專利文獻1中揭示之先前光電轉換元件之逆偏壓處理裝置的概略圖。圖23係圖22之串聯連接之光電裝換元件之等價電路。
圖22及圖23中，先前之光電轉換元件之逆偏壓處理裝置100係將自電位賦予機構101輸出之3個不同電位同時賦予至光電轉換元件102之背面電極103上，且故意流通電流。 電位賦予機構101包含：具有將3個不同電位同時輸出之輸出端子104之電源105；及將各個輸出端子104連接於串聯連接之光電變換元件102之背面電極103上之導電性構件106。該導電性構件106包含電極連接部106a及配線部106b。
只要自輸出端子104分別輸出不同電位即可，例如，對輸出端子104a輸出+3 V，對輸出端子104b輸出0 V，對輸出端子104c輸出-3 V之電位。
藉由此裝置，可於2個光電轉換元件102上同時施加逆偏壓電壓3 V，且可將2個光電轉換元件102同時進行逆偏壓處理，而對不良元件故意於缺陷部份上流通電流。
雖將逆偏壓電壓設為例如3 V，但不限於此，為防止光電轉換元件102之PN接合被破壞成為短路狀態，只要為光電轉換元件102之耐電壓以下之電壓即可。光電轉換元件102之耐電壓係隨著半導體層之膜厚或層數等之構造而異，但一般為數V至20 V左右。
藉由上述構成，於使用逆偏壓處理裝置100之逆偏壓處理方法中，於背面電極103a、103b、103c上分別接觸電極連接部106a1、106a2、106a3，對輸出端子104a輸出+3 V，對輸出端子104b輸出0 V，對輸出端子104c輸出-3 V之電位時，對背面電極103a賦予+3 V，對背面電極103b賦予0 V，對背面電極103c賦予-3 V之電位。
於光電轉換元件103a及光電轉換元件103b同時施加3 V之逆偏壓電壓，對該等光電轉換元件同時進行逆偏壓處 理，對於不良元件故意於缺陷部份上流通電流，可回復至正常之絕緣狀態。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-91674號公報
專利文獻1中所揭示之進行電偏壓處理之上述先前之逆偏壓處理裝置，係以1元件對應1電源之1對1之方式構成。抑制電源容量時不僅尺寸變小亦有低成本之優點。因此，於儘可能控制電源容量之情形下，對於向元件之電流供給難以確保更充分之電流容量。何況，因每1晶圓之元件數可達例如10萬個，故於該電偏壓處理並非每2個左右進行而是以其以上之個數，例如數十個或數百個等多數個一次處理之情形下，需要將電偏壓處理多數個一次處理之多數個電源。如此，搭載過多電源就容積上(尺寸上)有其困難。何況，將對於電偏壓處理以多數個一次處理而進行修復處理之多數個元件其良否判定處理以高效率且自動進行係完全不可能。
對此，雖亦考慮對於將電偏壓處理經多數個一次處理之多數個元件並聯聯接電源之情況，但於經一次處理之元件個數並非2個左右，而是10個左右，進而數十個或數百個等較多之情形，對於多數個元件無法在相同應力(電壓)條件，且無法確保同時來自電源之充分電流容量。即使元件 為單一，於儘可能抑制電源容量之情形下，就向元件之電流供給，亦難以確保更充分之電流容量。
本發明為解決上述先前之問題，其目的為提供一種不依存於電源容量，而可確保更充分電流容量，將不良元件更高效率地回復至正常絕緣狀態之修復裝置及修復方法、使用該修復裝置之元件之製造方法。
尤其，本發明為解決上述先前之問題，其目的為提供一種進行電偏壓處理後之良否判定處理可更高效率且自動進行之修復裝置及修復方法、使用修復裝置之元件之製造方法。
本發明之修復裝置係對於元件之洩漏缺陷部份供給電應力，而將該洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化者，且包含：作為電應力源之電壓源；及將來自由該電壓源所充電之一個或複數個電壓容量機構之一個或複數個電荷應力施加於一個或複數個元件之電壓施加機構，藉此達成上述目的。
本發明之修復裝置係使一個或複數個元件之洩漏缺陷回復者，且包含：將來自由該電壓源所充電之一個或複數個電壓容量機構之各電荷應力施加於一個或複數個元件之電壓施加機構；及於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給於該電荷應力施加後之一個或複數個元件之狀態下，自動判定該一個或複數個元件是否為洩漏缺陷元件之判定機構，藉此達成上述目的。
又，較好為本發明之修復裝置中，電壓施加機構將來自 由上述電壓源所充電之複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加至複數個元件。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電流供給機構將來自上述電壓源之電流應力供給於上述一個或複數個元件之修復處理後，上述判定機構於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給於該電流應力供給後之一個或複數個元件之狀態，自動判定該一個或複數個元件中之元件是否為洩漏缺陷元件。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓施加機構具有應一次施加特定電壓進行處理之元件個數之相同電路構成。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓施加機構包含：累積來自上述電壓源之特定電壓之一電壓容量機構；將來自該一電壓容量機構之特定電壓通過電阻而輸出之一電壓輸出部；及以將該一電壓容量機構連接於該電壓源側或連接於該電壓輸出部側之方式進行切換之切換步驟。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓施加機構包含：累積來自上述電壓源之特定電壓的上述複數個電壓容量機構；將來自該複數個電壓容量機構之各特定電壓分別通過各電阻而輸出之複數個電壓輸出部；及以將該複數個電壓容量機構分別連接於該電壓源側或分別連接於該電壓輸出部側之方式進行切換之複數個切換步驟。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓施加機構包含：累積來自上述電壓源之特定電壓的上述一個或複數個 之電壓容量機構；將來自該一個或複數個電壓容量機構之各特定電壓分別通過各電阻而輸出之複數個電壓輸出部；及以將該一個或複數個電壓容量機構分別連接於該電壓源側、或分別連接於該電壓輸出部側之方式進行切換之複數個切換步驟。
進而，較好為本發明之修復裝置中，相同電路構成具有應以自上述電壓容量機構通過上述切換機構、進而通過上述電阻到達上述電壓輸出部之電路獨立進行上述一次施加處理之元件個數。
進而，較好為本發明之修復裝置中，包含複數個搭載一個或複數個相同電路構成之基板。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓源為具有對應於應一次施加處理之元件個數之上述複數個電壓容量機構之容量的充電處理能力之1個電壓源。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓源係具有對應於應一次施加處理之元件個數之上述一個或複數個電壓容量機構之容量的充電處理能力之1個電壓源。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電荷應力之電壓值，於上述元件之電壓、電流特性為非線形特性時，作為絕對值而設定為不超過崩潰電壓之值且為該崩潰電壓之9成以上之電壓值。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓源係以其輸出電壓可自如變化地構成，且可輸出對應於靜電破壞耐壓試驗之電壓位準。
進而，較好為本發明之修復裝置中，複數個電壓容量機構具有對應於靜電破壞耐壓試驗之容量值。
進而，較好為本發明之修復裝置中，一個或複數個電壓容量機構具有對應於靜電破壞耐壓試驗之容量值。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓輸出部之電阻具有對應於靜電破壞耐壓試驗之電阻值。
進而，較好為本發明之修復裝置中，電壓容量機構之充放電處理於使用自動搬送處理裝置進行修復處理之情形時，包含於由該自動搬送處理裝置進行之接觸移動期間以該電壓容量機構對於上述元件進行充電、及於由該自動搬送處理裝置進行接觸後自該電壓容量機構對上述元件進行放電之序列處理。
進而，較好為本發明之修復裝置中，更包含將來自電壓源之電流應力供給於一個或複數個元件之電流供給機構。
進而，較好為本發明之修復裝置中，包含對電荷應力及上述電流應力之2種類電應力進行選擇動作之時序控制器。
進而，較好為本發明之修復裝置中，設置有判定機構，該判定機構在由電壓施加機構及上述電流供給機構中之至少該電壓施加機構進行之修復處理後，於自上述電壓源將電流利用該電流供給步驟供給至一個或複數個元件上之狀態下，自動判定該一個或複數個元件中之元件是否為上述洩漏缺陷元件。
進而，較好為本發明之修復裝置中，判定機構係進行電 壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者。
進而，較好為本發明之修復裝置中，判定機構與上述電壓施加機構及上述電流供給機構中之至少該電壓施加機構係設置於相同基板上。
進而，較好為本發明之修復裝置中，判定步驟與上述電壓施加機構及上述電流供給機構係設置於相同基板上。
進而，較好為本發明之修復裝置中，判定機構係將對於修復處理後之一個或複數個元件進行電壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者之判定結果輸出至時序控制器。
進而，較好為本發明之修復裝置中，判定機構係將對於修復處理後之一個或複數個元件進行電壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者之判定結果作為分割為複數值之判定信號而輸出至時序控制器。
進而，較好為本發明之修復裝置中，時序控制器包含可變設定控制機構，該可變設定控制機構將上述一個或複數個電壓容量機構之容量值、及將來自該一個或複數個電壓容量機構之各特定電壓分別通過各電阻而輸出之一個或複數個電壓輸出部之該各電阻之電阻值，對應於前述判定機構之判定結果進行可變設定。
進而，較好為本發明之修復裝置中，基於來自時序控制器之控制信號控制可變設定機構，自預先搭載之容量群及電阻群中選擇而設定成特定容量值及特定電阻值。
進而，較好為本發明之修復裝置中，時序控制器係基於 上述判定機構之判定結果之良否或不良程度而決定修復處理流程。
進而，較好為本發明之修復裝置中，時序控制器係設定一次或複數次之修復處理流程。
本發明之半導體裝置之製造方法係使用本發明之上述修復裝置，對上述元件之洩漏缺陷部份供給電應力，而將該洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化者，藉此可達成上述目的。
本發明之修復方法係對元件之洩漏缺陷部份供給電應力，而將該洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化者，且包含以電壓施加機構將來自利用電壓源所充電之電壓容量機構之電荷應力施加於該元件之電壓施加步驟者，藉此可達成上述目的。
進而，較好為本發明之修復方法中，電壓施加步驟包含以上述電壓施加機構將來自利用電壓源予以充電之複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於複數個元件之電壓施加步驟。
進而，較好為本發明之修復方法中，更包含以電流供給機構將來自上述電壓源之電流應力供給於一個或複數個元件之電流供給步驟。
進而，較好為本發明之修復方法中，包含判定步驟，其於上述電壓施加步驟及上述電流供給步驟中之至少上述電壓施加步驟之修復處理後，以自該電壓源將電流利用該電流供給機構供給於修復對象之一個或複數個元件之狀態 下，以判定機構判定該修復對象之一個或複數個元件中元件是否為該洩漏缺陷元件。
本發明之修復方法係使一個或複數個元件之洩漏缺陷回復者，且包含：電壓施加步驟，其以電壓施加機構將來自利用電壓源予以充電之一個或複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於一個或複數個元件；及判定步驟，其於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給於該電荷應力施加後之一個或複數個元件之狀態下，以判定機構自動判定該一個或複數個元件是否為洩漏缺陷元件，藉此達成上述目的。
又，較好為本發明之修復方法包含：電流供給步驟，其以電流供給機構將來自上述該電壓源之電流應力供給於上述一個或複數個元件；及判定步驟，其於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給於該電流應力供給後之一個或複數個元件之狀態下，以上述判定機構自動判定該一個或複數個元件是否為洩漏缺陷元件。
根據上述構成，於下文說明本發明之作用。
本發明中，包含作為電應力源之電壓源，及將來自由電壓源所充電之一個或複數個電壓容量機構之一個或複數個電荷應力施加於一個或複數個元件之電壓施加機構。
又，電壓施加機構係將來自利用電壓源予以充電之複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於複數個元件上。
據此，由於將來自利用電壓源予以充電之一個或複數個 電壓容量機構之一個或複數個電荷應力施加於一個或複數個元件，故可不依存於電源容量，而確保更充分電流容量，且更高效率地將不良元件回復至正常絕緣狀態。
由於電壓施加機構係將來自利用電壓源予以充電之複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於複數個元件，故可以多數個一次進行電偏壓處理，且可更高效率地將不良元件回復至正常之絕緣狀態。
又，本發明中包含：將來自利用電壓源予以充電之一個或複數個電壓容量機構之各電荷應力施加於一個或複數個元件之電壓施加機構；及於自該電壓源將電流利用電流供給機構而供給於該電荷應力施加後之一個或複數個元件之狀態，自動判定該一個或複數個元件是否為洩漏缺陷元件之判定機構。
據此，由於判定機構係自動判定由電壓施加機構之修復處理後之一個或複數個元件中元件是否為洩漏缺陷元件，故可更高效率且更自動地進行以多數個一次進行電偏壓處理後之良否判定處理。
如上所述，根據本發明，因來自利用電壓源予以充電之個或複數個之電壓容量機構之一個或複數個電荷應力施加於一個或複數個元件，故可不依存於電源容量，確保更充分之電流容量，且可更高效率地將不良元件回復至正常絕緣狀態。
又，由於電壓施加機構係將來自由電壓源所充電之複數 個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於複數個元件，故可以多數個一次且同時進行電偏壓處理，且可更高效率地將不良元件回復至正常絕緣狀態。
再者，由於判定機構係自動判定由電壓施加機構之修復處理後之一個或複數個元件中元件是否為洩漏缺陷元件，故可更高效率地自動進行以多數個一次進行電偏壓處理後之良否判定判定處理。
以下，一面參照圖式一面詳細說明本發明之修復裝置及修復方法、使用該修復裝置之元件之製造方法之實施形態1。另，各圖中構成構件之厚度或長度等係基於圖式製作上之觀點，並非限於圖示之構成者。
(實施形態1)
圖1係模式性顯示本發明之實施形態1中修復裝置之單位構成例之電路方塊圖。另，該修復裝置之單位構成例之由虛線所包圍的部份包含單一之情形，或存在有複數個，尤其自3個以上或10個左右之個數至數百個，進而其以上者。
圖1中，本實施形態1之修復裝置1中，輸出電壓係可自如變化之高電壓電源2之一端子通過高耐壓繼電器3、4而連接於施加電阻5之一端。該施加電阻5之另一端連接於檢查及處理對象之元件6之一端子。該檢查及處理對象之元件6之另一端子係連接於高電壓電源2之另一端子。該等高耐壓繼電器3、4之連接點8係通過高壓電容器7，連接於檢 查及處理對象之元件6之另一端子與高電壓電源2之另一端子之連接點9上，且該連接點9係接地。又，設置有控制該等高耐壓繼電器3、4之導通/斷開之時序控制器10。另外需要用以驅動該等高耐壓繼電器3、4之電源。
該修復裝置1包含：高電壓電源2，其作為成為朝一個或複數個元件6之洩漏缺陷部份之電應力源之電壓源；一個或複數個高壓電容器7，其係作為累積來自高電壓電源2之特定電壓的一個或複數個電壓容量機構；一個或複數個電壓輸出部，其係將來自一個或複數個高壓電容器7之各特定電壓通過各施加電阻5而輸出；高耐壓繼電器3、4，其係作為以將一個或複數個高壓電容器7連接於高電壓電源2側或連接於電壓輸出部側之方式進行切換之切換機構。由該等一個或複數個高壓電容器7、一個或複數個施加電阻5、一個或複數個電壓輸出部、及高耐壓繼電器3、4構成修復處理用之電壓施加機構。
圖2係顯示圖1之修復裝置1之具體構成例之電路圖。
圖2中，本實施形態1之修復裝置1包含：可將特定電壓可自如變化地輸出之高電壓電源2，及作為將來自高電壓電源2之特定電壓依序對於複數個檢查及處理對象之元件6一次且同時地供給之電壓施加機構之電壓施加電路20，對於複數個檢查及處理對象之元件6進行電壓施加修復處理。
該電壓施加電路20包含：複數個高壓電容器7，其係作為將來自高電壓電源2之特定電壓累積之高電壓容量機 構；複數個高電壓輸出部，其將來自複數個高壓電容器7之各特定高電壓分別通過各施加電阻5而輸出；高耐壓繼電器11(等同於上述高耐壓繼電器3、4)，其係作為以將來自該高電壓電源2之特定電壓連接於高壓電容器7側或將來自高壓電容器7之特定電壓連接於高電壓輸出部側之方式進行切換之複數個切換機構，且並聯有應以自高壓電容器7通過高耐壓繼電器11進而通過施加電阻5到達高電壓輸出部之電路獨立進行一次施加處理之複數個檢查及處理對象元件6之個數，作為相同電路構成。
高電壓電源2之一端子，不透過圖1之高耐壓繼電器3、4，而係分別透過多接點(此處為8接點)之高耐壓繼電器11之各接點連接於複數個(此處為8個)高壓電容器7之各一電極上，複數個(此處為8個)高壓電容器7之各另一電極係分別連接於高電壓電源2之另一端子且接地。複數個(此處為8個)高壓電容器7之各一電極係分別自多接點(此處為8個)之高耐壓繼電器11之各接點，分別通過各施加電阻5而分別自高電壓輸出部連接於檢查及處理對象之各元件6之一端子。各元件6之另一端子分別自GND電壓輸出部連接於高電壓電源2之另一端子且接地。此處雖未圖示，但設有以特定時序控制多接點(此處為8個)之高耐壓繼電器11之同時連續切換之時序控制器10。另外需要用以驅動該多接點(此處為8個)之高耐壓繼電器11之電源。
高電壓電源2係根據應一次處理之高壓電容器7之個數之容量而選定並共用具有適當充電處理能力者。該情形下， 因自高電壓電源2向多數個高壓電容器7充電後，自多數個高壓電容器7放電而對多數個元件6供給特定電壓及電流，故對於多數個元件6之必要電流容量不直接依存於高電壓電源2之電流容量。
高電壓電源2之輸出電壓係以可自如變化地構成，於可靠性檢查之代表性ESD試驗(靜電放電可靠性試驗)中，以大約1~10 KV位準之高電壓為對象。ESD試驗係針對來自人體或機械之靜電流通於LSI晶片等之檢查對象之元件6之情形之耐久性進行試驗者。
又，亦可使用高電壓電源2以外之其他專用電源，但此處於1台高電壓電源2可自如變化地構成、並將高電壓電源2使用於元件6之通常動作試驗中之情形下，將輸出電壓於動作電壓之例如3 V或5 V左右可變地使用。
再者，進行電壓施加之修復處理之情形時，亦可使用高電壓電源2以外之其他專用電源，但此處1台高電壓電源2係可自如變化地構成。例如以不對LSI元件之保護二極體、或LED元件及雷射元件等之發光元件之二極體構造引起故障之方式，如圖3之二極體之電壓電流特性(非線形特徵)所示，由於僅於絕緣膜之針孔(上部導電材進入針孔內)等之洩漏缺陷部位通入應力電流，故對於二極體之PN接面之臨界電壓設為電流不貫通之耐電壓範圍，即二極體之崩潰電壓A以下之電壓B(未到崩潰電壓A之電壓)，且接近於崩潰電壓A之電壓B，通常為崩潰電壓A之1成左右之較高電壓(崩潰電壓A之絕對值之9成以上之電壓)。二極體或光
電轉換元件(LED或雷射)之耐電壓係隨著絕緣膜之膜厚或半導體層之膜厚或層數等之構造而不同，但高電壓電源2之輸出電壓一般設定為數十V至200 V左右之電壓範圍內。又，圖3之C係二極體之導通電壓值。該高電壓電源2之輸出電壓之設定，只要設定為測定崩潰電壓A後、自崩潰電壓A恢復電壓值而無法流通電流之電壓值，則可更正確地設定電壓施加之修復處理之施加電壓值。又，圖3之以虛線表示之D為不良二極體之電壓電流特性。
高耐壓繼電器11使用於設置上具有方向性之水銀繼電器，此處可為8接點者，但亦可為兩個4接點者，亦可為4個2接點者。亦可代替8接點之高耐壓繼電器11，而分別設置8個1接點之高耐壓繼電器3、4。高耐壓繼電器11係對於高壓電容器7，由時序控制器10使各8接點同時以高壓電容器7側為中心而於高壓電源2側與元件6側之間切換。對於自8個高壓電容器7向8個元件6之高電壓之獨立一次施加而送往高耐壓繼電器11之控制信號成為可單一同時控制。高耐壓繼電器11為複數個重疊配置時，因為是藉由線圈磁場而動作之零件，故有可能引起誤動作，因而較不理想。
高壓電容器7係於此處係使用8個，選擇具有適用於試驗電壓等之耐性者，關於容量之選定，則以符合ESD試驗規格之方式，選定由每個試驗模型所決定者。例如，若為HBM(人體模式)規格則為100 pF，若為MM(機器模式)則為200 pF。
施加電阻5於此處係使用8個，若為ESD試驗之例如為 HBM規則則使用1.5 KΩ，若為ESD試驗之MM規格則為0 KΩ(無電阻)。該等高壓電容器7與施加電阻5係以將應一次處理之元件6之個數電性獨立之狀態搭載。
元件6係例如LSI晶片之保護二極體元件，或LED元件及雷射元件等之發光元件等。
根據上述構成，對於ESD試驗後變成不良之元件6使用圖1之修復裝置1而進行修復處理之情形進行說明。
圖4係顯示圖1之修復裝置1之動作之流程圖。
如圖4所示，首先，進行步驟S1之ESD試驗。
步驟S1之ESD試驗，首先，根據時序控制器10將高壓電源2之輸出電壓設定於ESD試驗用之高電壓，同時將高耐壓繼電器11之8個接點於高電壓電源2側導通而自高電壓電源2將分支為8個電流流入高壓電容器7而均等累積高電壓電源2之ESD試驗用之高電壓。此時，高耐壓繼電器11之元件6側之8個接點係利用時序控制器10成為斷開狀態。
其後，利用時序控制器10將高耐壓繼電器11之高電壓電源2側之8個接點斷開後，以使高耐壓繼電器11之元件6側之8個接點為導通之方式進行控制。據此，於各高壓電容器7所累積之ESD試驗用之高電壓自高耐壓繼電器11之8個接點分別通過各施加電阻5而分別施加於檢查對象之各元件6之一端子。該情形下，各高壓電容器7與檢查對象之各元件6為1對1相對應，可大幅地以高效率進行明確且正確之ESD試驗。
如此，將該等高耐壓繼電器11之8個接點利用時序控制 器10自高電壓電源2側切換至檢查對象之各元件6側，使8個高壓電容器7進行充電或放電，而將來自8個高壓電容器7之特定明確且正確之ESD試驗用之高電壓分別自各電壓輸出部施加至各檢查對象之各元件6。高耐壓繼電器11之8個接點之切換動作係利用時序控制器10以規定之時序同時進行。於ESD試驗，依據數種施加模式、及對其各別決定規格而對檢查對象之各元件6施加之ESD電流波形(或ESD 電壓波形)判斷適用與否。
ESD試驗係透過以自高壓電源2通過高耐壓繼電器11之8個接點，使高壓電容器7及施加電阻5之串聯電路8個並聯連接之ESD施加電路(電壓施加電路20)，進而，除插座以外，於機械臂上固定有複數個探針(接觸構件)之機器手，固定有複數個探針(接觸構件)之探測卡等之作為接觸機構之接觸夾具，將高電壓分別施加於檢查對象之各元件6。對於檢查對象之各元件6，使高電壓等之電壓供給源側端子(1條)與GND側端子(1條)分別接觸於檢查對象之元件6之各端子而8個同時施加高電壓等之電壓。
接著，進行步驟S2之ESD試驗判定。
於特定之ESD試驗判定之結果無問題之情形(通過)則結束試驗。又，於ESD試驗判定之結果仍有不良元件之問題(失敗)情形，則進行步驟S3之修復處理以改善不良元件。
步驟S3之修復處理係，首先，利用時序控制器10將高壓電源2之輸出電壓設定為修復處理用之高壓，且高耐壓繼電器11之8個接點於高電壓電源2側導通而自高電壓電源2 分支為8個電流流入各高壓電容器7而均等地累積成高電壓電源2之修復處理用之電壓。此時，高耐壓繼電器11之元件6側之8個接點利用時序控制器10而變成斷開狀態。
其後，利用時序控制器10使高耐壓繼電器11之高電壓電源2側之8個接點斷開後，以使高耐壓繼電器11之元件6側之8個接點導通之方式進行控制。據此，於各高壓電容器7累積之修復處理用之電壓係自高耐壓繼電器11之8個接點分別通過各施加電阻5而分別施加於修復處理對象之各元件6之一端子。該情形下，各高壓電容器7與修復處理對象之各元件6為1對1相對應，可大幅度高效率進行明確且正確之修復處理。
如此，將該等高耐壓繼電器11之8個接點利用時序控制器10而自高電壓電源2側切換至修復處理對象之各元件6側，使8個高壓電容器7進行充電或放電，而使來自8個高壓電容器7之特定明確且正確之修復處理用之電壓分別自各高電壓輸出部分別施加於修復處理對象之各元件6。高耐壓繼電器11之8個接點之切換動作係利用時序控制器10以規定之時序同時進行。
其後，進行步驟S4之修復處理判定。
於特定之修復處理判定結果無問題之情形(通過)時則結束試驗。又，於修復處理判定之結果仍有不良元件之問題(失敗)情形，則於以下步驟S5判定規定次數結束與否，於規定次數結束之情形(是)，則結束修復處理。以步驟S5規定次數未結束之情形(否)，則移至步驟S2之ESD試驗判定 處理，進行修復處理及其判定處理，直至到達規定次數為止。於進行規定次數之修復處理，其判定結果為不良元件之有問題之情形，判定為不良元件且結束處理。
至此，已針對對於元件6瞬時施加CR電壓作為修復處理加以說明，但除施加該CR電壓之外，亦針對於一定期間對元件6進行定電流供給，藉此使用2種電應力施加而將元件6之電流洩漏部回復至絕緣狀態之情形進行說明。作為元件6之電流洩漏部，除了例如上部導電材料擠入絕緣膜之針孔部份而洩漏之情形以外，亦包含有因粉塵之洩漏缺陷部或因絕緣膜之膜厚差或因階差部上之絕緣膜缺損、產生裂紋引起之洩漏缺陷部等。
圖5(a)及圖5(b)係顯示修復處理之CR應力(CR電壓施加)之電壓施加波形及其電流施加波形之圖。圖5(c)及圖5(d)係顯示修復處理之定電流應力(定電流供給)之電壓施加波形及其電流施加波形之圖。
將圖5(a)所示之修復處理中之CR應力之電壓施加波形，與圖5(c)所示之修復處理中之定電流應力之電壓施加波形相比較，則電壓位準係高電壓電源2之輸出電壓而為同等，但電壓施加時間等級為μsec等級與msec~sec等級而完全不同。圖5(a)所示之電壓施加波形為μsec等級而為瞬時，相對地圖5(c)所示之電壓施加波形為msec~sec等級而為一定期間。又，將圖5(b)所示之修復處理中之CR應力之電流施加波形，與圖5(d)所示之修復處理中之定電流應力之電流施加波形相比較，因電流位準係自高壓電容器7開 始流動較多電流容量，故相對圖5(d)，圖5(b)之波形係流通瞬間較大電流而有衝擊，但電流施加時間係μsec與msec~sec等級，圖5(b)之波形比圖5(d)短至少3位數之時間。
總之，將有衝擊之CR應力(CR電壓施加)之電壓施加波形供給於元件6之洩漏部而燒斷，對於以一瞬間之電壓施加無法回復仍留有洩漏缺陷部之元件6，藉由進行總量能量較大之一定期間之定電流之供給，將留有之洩漏部燒斷，而可更確實地回復至絕緣狀態。如此，使用2種類之應力施加將元件6之電流洩漏部更確實地回復至絕緣狀態。
圖6係模式性顯示圖1之修復裝置1之其他單位構成例之電路方塊圖。另，該修復裝置為單位構成例之以虛線所包圍的部份係包含單一之情形，亦存在有複數個，尤其，自3個以上或10個左右之個數至數百個，進而其以上者。對與圖1之構成構件發揮同樣作用效果之構件附與相同構件編號，並省略其說明。
圖6中，本實施形態1之修復裝置1A，除包含上述修復裝置1之構成以外，亦將高電壓電源2之一端子連接於定電流供給用之高耐壓繼電器12之一端子，將高耐壓繼電器12之另一端子透過電流限制用之電阻13連接於施加電阻5及元件6之連接點14上。設置有控制該等高耐壓繼電器3、4及12之導通/斷開之時序控制器10A。另外需要用以驅動該等高耐壓繼電器3、4及12之電源。
圖7係顯示圖6之修復裝置1A之具體構成例之電路圖。另，對與圖2之構成構件發揮同樣作用效果之構件附與相同構件編號，並省略其說明。
圖7中，本實施形態1之修復裝置1A包含：將特定電壓可自如變化地輸出之高電壓電源2，及作為將來自高電壓電源2之特定電壓及電流依序對於複數個檢查及處理對象之元件6一次同時供給之電壓施加機構及電流供給機構之電壓施加及電流供給電路20A，並對於複數個檢查及處理對象之元件6進行電壓施加及電流供給之2種類之應力施加而進行修復處理。
該電壓施加及電流供給電路20A包含：複數個高壓電容器7，其係作為累積來自高電壓電源2之特定電壓之高電壓容量機構；複數個電壓輸出部，其係將來自複數個高壓電容器7之各特定電壓分別通過各施加電阻5而輸出；高耐壓繼電器11(等同於上述高耐壓繼電器3、4)，其係作為以將來自該高電壓電源2之特定電壓連接於高壓電容器7側或將來自高壓電容器7之特定高電壓連接於高電壓輸出部側之方式進行切換之複數個切換機構；定電流供給用之高耐壓繼電器12，其係可將高電壓電源2作為定電流源之定電流應力分別對於檢查及處理對象之各元件6透過電阻13供給定電流源之電流壓力；作為相同電路構成，並聯地具有應以自高壓電容器7通過高耐壓繼電器11進而通過施加電阻5到達高電壓輸出部之電路獨立地進行一次施加處理之複數個檢查及處理對象元件6之個數。由該等複數個高壓電容 器7、高耐壓繼電器11、複數個施加電阻5及複數個電壓輸出部構成電壓施加機構。又，由高電壓電源2、高耐壓繼電器12及電阻13構成電流供給機構。
根據上述之構成，對於ESD試驗後變成不良之元件6使用圖7之修復裝置1A而進行經由2種類之應力施加之修復處理之情形進行說明。
圖8係顯示圖7之修復裝置1A之動作之流程圖。又，圖8之流程圖係於圖4之流程圖之步驟S4與S5之間，加入定電流應力施加處理及其判定處理之步驟S6、S7者。
如圖8所示，首先，於步驟S1進行ESD試驗，其後，於步驟S2進行ESD試驗判定，再者，於ESD試驗判定之結果為不良元件之情形(失敗)，經由步驟3之特定電壓施加進行修復處理而改善不良元件。此時，高耐壓繼電器12利用時序控制器10A而成為斷開狀態。
其後，進行步驟S4之修復處理判定。於特定之修復處理判定結果無問題時(通過)結束試驗。又，於修復處理判定之結果仍有不良元件之問題(失敗)時，則經由步驟S6之定電流施加進行修復處理而改善不良元件。
經由定電流施加之修復處理係利用時序控制器10A將高耐壓繼電器11於充電側動作後，以使定電流供給用之高耐壓繼電器12成為導通之方式進行控制。據此，經由電流源之定電流應力自高電壓電源2通過高耐壓繼電器12進而通過電阻13而通電至處理對象之元件6之一端子。
如此，將該等充電及放電用之高耐壓繼電器11以及定電 流供給用之高耐壓繼電器12利用時序控制器10A進行導通/斷開切換，可將高壓電容器7進行充電或放電並施加特定電壓，且其後將定電流應力供給至處理對象之元件6。高耐壓繼電器11及12之切換動作係利用時序控制器10A以規定之時序進行。定電流應力係於高耐壓繼電器12之規定時間之間，對於處理對象之元件6實施由定電流源之通電應力。
總之，自高電壓電源2透過電壓施加及電流供給電路20A，進而透過插座臂等之接觸夾具而將特定電壓及定電流按順序供給至處理對象之元件6。將特定電壓及定電流之供給源側端子(1條)與GND側端子(1條)接觸於處理對象之元件6之各端子而對處理對象之元件6供給特定電壓及定電流。該情形下，處理對象之元件6係以單體進行特定電壓施加及定電流施加處理。
定電流施加處理後，進行步驟S7之修復處理判定。於特定之修復處理判定結果無問題時(通過)則結束試驗。又，於修復處理判定之結果仍有不良元件之問題(失敗)時，則於下述步驟S5判定規定次數結束與否，於規定次數結束時(是)，則結束修復處理。於步驟S5規定次數並未結束時(否)，則直至到達規定次數之前，進行至步驟S2之ESD試驗判定處理，按順序進行其以後之修復處理及其判定處理。按順序進行規定次數之各修復處理，於其判定結果為不良元件而有問題之情形，亦判定為不良元件且結束處理。
又，藉由對於不良元件之洩漏缺陷部同時進行特定電壓施加之修復處理及定電流施加之修復處理兩者而進行更強之應力施加，亦可燒斷洩漏缺陷部而回復至通常絕緣狀態，亦可進而增加規定次數。
圖9係模式性顯示向圖7之修復裝置1A之元件6之各端子之接觸狀態之放大影像之立體圖。圖10係模式性顯示圖7之修復裝置1A中ESD試驗、特定電壓及定電流供給處理時之構成影像例之立體圖。
圖9及圖10中，包含有：電路箱21(ESD、特定電壓及定電流供給基板箱)，其係用以安全地將圖7之修復裝置1A中搭載有1台高電壓電源2、8接點之高耐壓繼電器11、8個高壓電容器7、8個施加電阻5、定電流供給用之1個高耐壓繼電器12、1個電阻13及其他附加電路之ESD、特定電壓及定電流供給基板收容於框體內，並收容具有自高電壓電源2之定電流供給用之1個高耐壓繼電器12與1個電阻13之1電路為共通，自各高壓電容器7通過高耐壓繼電器11之接點到達施加電阻5之串聯電路之8電路之配線輸出部21a之8通道之電壓施加及電流供給電路20A；探針卡25，其係使自電路箱21之配線輸出部21a之各配線22透過設於上表面之連接器23，而分別連接於下表面側之探針24a、24b之8組上，以與各元件6之2端子6a、6b以1對1相對應之方式使探針24a、24b之8組自下表面突出而分別設置；使晶圓載置台15上之半導體晶圓16上以矩陣狀多數設置之檢查及處理對象之8個各元件6之各端子6a、6b與可分別與各高壓電容 器7連接或可與高電壓電源2連接探針24a、24b之8組以1對1相對應之方式配置。
藉由改變自電路箱21之配線輸出部21a至探針卡25之配線長度，而使ESD施加電壓波形或特定電壓施加波形及定電流供給波形產生變化。因此，將自高壓電容器7至元件6之各端子6a、6b之配線長度，或自高電壓電源2透過高耐壓繼電器12至元件6之各端子6a、6b之電流路徑之配線長全部為相同配線長度，而使施加於元件6之各端子6a，6b之ESD電壓波形及特定電壓施加波形、定電流供給波形成為相同波形。包含ESD之特定電壓及定電流供給基板亦可包含有零件交換用之插座部。
圖11係模式性顯示將圖6之修復裝置1A之複數個電壓施加及電流施加器之設置影像例作為修復裝置1B之俯視圖。
如圖11所示，修復裝置1B係將作為複數個電壓施加及電流施加器之複數個電壓施加及電流施加基板26以中央圓形部27空出而於其周圍立起以放射狀配置，複數個電壓施加及電流施加基板26中之複數個相同電路構成之各輸出端子分別朝中央圓形部27側而設置。係構成為自複數個相同電路構成之各輸出端子之複數個高電壓輸出部可分別對於設於中央圓形部27之下方側之複數個檢查及處理對象之元件6之各端子可電性連接。可將自複數個相同電路構成之各輸出端子通過各電壓輸出部之複數個檢查及處理對象之元件6為止之包含應進行一次施加處理之元件個數之獨立配線之距離設為全部相同距離，而構成為可分別同時地將來 自高電壓電源2之相同電壓及電流波形明確且確實地施加於複數個檢查及處理對象之元件6之各端子。
該修復裝置1B雖亦兼具ESD試驗裝置，但除包含有電壓施加及電流供給電路20A中之高耐壓繼電器12及電阻13之電流供給電路之外，亦包含搭載有複數個接點之高耐壓繼電器11、複數個高壓電容器7及複數個施加電阻5之複數個電壓施加電路之電壓施加及電流施加基板26，係以中央圓形部27除外之甜甜圈狀而複數個放射狀(對於中央圓形部27之中心為放射狀)配置。該耐壓繼電器11、12之厚度於4000 V耐壓用時為15 mm，於8000 V耐壓用時為30 mm。依據該厚度而決定可配置多少片之電壓施加及電流施加基板26。於該耐壓繼電器11、12之厚度為4000 V耐壓用之15 mm且中央圓形部27之內周直徑為40 cm時，可配置64片電壓施加及電流施加基板26。
又，由於係根據高耐壓繼電器11、12之厚度而決定電壓施加及電流施加基板26之厚度，故宜使用高耐壓繼電器11、12之厚度較薄者。例如1片電壓施加及電流施加基板26為4通道時，於例如搭載8個之1接點之高耐壓繼電器之情形時，高耐壓繼電器之厚度為4000 V耐壓用之13.5 mm時，具有可以放射狀搭載83片電壓施加及電流施加基板26之全部為332通道(元件6可同時332個進行ESD試驗及修復處理)之能力。該情況之電壓施加及電流施加基板26之外周直徑約為50 cm左右。
自複數個電壓施加及電流施加基板26之內周側引出配線 22並連接於探針卡25之連接器23上而設於探針卡下表面之探針24a、24b之複數組，與以矩陣狀多數個設在吸附於晶圓載置台15上之半導體晶圓16上之檢查及處理對象之各元件6之端子6a、6b係以1對1之方式連接並進行ESD試驗及修復處理。探針24a、24b與元件6之端子6a、6b之位置關係係藉由一面由自動搬送裝置之探針組正確地於晶圓載置台15側移動一面利用圖像辨識而正確地決定位置。此處，將400 μm×200 μm之尺寸之半導體晶片(元件6)，以每64個為1列之方式進行ESD試驗及修復處理並重複，可將晶圓之晶片全部(例如10萬個)依序自動進行。因相鄰列上之探針24a、24b難以立起，故較之以2列以上進行ESD試驗及修復處理，以1列更難以引起接觸錯誤而較佳。
自複數個電壓施加及電流施加基板26至各元件6為止之配線長度，作為圖13(b)之ESD施加電壓波形之規格保持較好為20 cm以下。自各複數個電壓施加及電流施加基板26至8個元件6之各端子為止之配線長度全部設為相同配線長度，除施加於元件6之各端子之圖13(b)之ESD電壓波形之外，電壓施加波形及電流施加波形亦設為相同。據此，使ESD試驗及修復處理均一化。
圖12(a)係模式性顯示將圖6之修復裝置1A之複數個電壓施加及電流施加器之其他設置影像例作為修復裝置1C之俯視圖。圖12(b)係圖12(a)之電壓施加及電流施加器與探針卡及探針組之縱向剖面圖。圖13(a)係模式性顯示圖12(a)之電壓施加及電流施加器之立體圖，圖13(b)係顯示於ESD 試驗所用之ESD施加電壓波形之圖。
圖12(a)、圖12(b)及圖13(a)中，修復裝置1C係將複數個框體即複數個電路箱21以空出中央圓形部28而以放射狀配置於該中央圓形部28周圍。複數個電路箱21內收納之複數個電壓施加及電流施加基板26之複數個相同電路構成中之各輸出端子分別朝向中央圓形部28側而設置。並構成為自複數個相同電路構成之各輸出端子將複數個電壓輸出部之各者對於設於中央圓形部28之下方側之複數個檢查及處理對象之元件6之各端子6a、6b可電連接。以自複數個相同電路構成之各輸出端子通過各電壓輸出部之各者至複數個檢查及處理對象之元件6為止之、包含應進行一次施加處理之元件個數之獨立配線22之距離設為全部相同距離，而構成為使來自高電壓電源2之相同的ESD施加電壓波形、特定電壓波形、及定電流波形之任一者分別同時施加於複數個檢查及處理對象之元件6。又，作為電壓輸出部，可為相同電路構成之輸出端子，亦可包含自其輸出端子通過配線22直至探針卡25之探針24a、24b。
作為修復裝置1C，係以放射狀配設8個電路箱21，該電路箱係於框體內收納有1台高電壓電源2、高耐壓繼電器12及電阻13、8接點之高耐壓繼電器11、8個高壓電容器7、8個施加電阻5、及搭載其他附加電路之複數個電壓施加及電流施加基板26，且具有自高壓電容器7通過高耐壓繼電器11之接點至施加電阻5之串聯電路之8電路、與自高電壓電源2至高電壓繼電器12及電阻13之配線之配線輸出部21a 之8通道以及1通道之電路箱21。將自8個電路箱21之內周側(中央圓形部)引出配線22並連接於探針卡25之連接器23、且設於探針卡25之下表面之探針24a、24b之8組，與於構成自動搬送裝置之探針組之晶圓載置台15上之半導體晶圓16上以矩陣狀設有多個之多個元件6中之檢查及處理對象之8個各元件6之各端子6a、6b，以1對1對應之方式連接而進行ESD試驗及修復處理，以此方式重複進行。
自該8通道及1通道之電路箱21之配線輸出部21a至各元件6為止之配線長度，作為圖13(b)之ESD施加電壓波形之規格保持較好為20 cm以下。自各電路箱21之各配線輸出部21a至8個各元件6之各端子為止之配線長度全部設為相同配線長度，使施加於各元件6之各端子之圖13(b)之ESD電壓波形及修復處理之應力波形設為相同。據此，使ESD試驗及其後之修復處理均一化。
至此，已說明關於將由電壓及電流之電偏壓施加產生之2種類應力(特定電壓施加及定電流施加供給)供給於洩漏缺陷之各元件6上之情形，但除此之外，關於以洩漏缺陷之有無識別良品及不良品，依據不良品之洩漏缺陷狀態將應力條件自動變化之判定驅動構成，於下文一面參照圖式一面詳細說明。
圖14係模式性顯示對圖6之修復裝置之單位構成加上判定電路之電壓位準檢測例之情形之電路圖。另，圖14中，與圖6之修復裝置之構成構件發揮相同作用效果之構件附與相同之構件編號進行說明。
圖14中，修復裝置1D係高電壓電源2之一端子通過高耐壓繼電器3、4而連接於施加電阻5之一端上。該施加電阻5之另一端連接於檢查及處理對象之元件6之一端子上。元件6之另一端子係連接於高電壓電源2之另一端子。該等高耐壓繼電器3、4之連接點8係通過高壓電容器7，連接於元件6之另一端子與高電壓電源2之另一端子之連接點9上，並使該連接點9接地。
又，高電壓電源2之一端子係連接於高耐壓繼電器12之一端子，高耐壓繼電器12之另一端子係通過電流限制用之電阻13而連接於施加電阻5與元件6之連接點14上。設置有控制該等高耐壓繼電器3、4及12之導通/斷開之時序控制器10D。且，另外需要用以驅動該等高耐壓繼電器3、4及12之電源。
再者，檢查及處理對象之元件6之兩端分別連接於運算放大器31之各輸入端子，於判定時，利用時序控制器10D將高耐壓繼電器12成為導通狀態於元件6中流通電流。該狀態下，藉由利用運算放大器31(放大率亦可為1)引起之元件6兩端間電壓差之差動放大結果，以洩漏缺陷之有無識別良品及不良品。運算放大器31之輸出端，設置有反饋電阻32，且該反饋電阻32所連接之一輸入端子係通過接地電阻33而接地。又，運算放大器31之輸出端係分別連接於比較器34、36之各一方輸入端上。於比較器34之另一方輸入端連接基準值A之電壓輸出部35之輸出端。又，於比較器36之另一輸入端連接比基準值A小之基準值B之電壓輸出 部37之輸出端。該等比較器34、36之各輸出端連接於時序控制器10D。
僅於自運算放大器31之輸出電壓值X為基準值B以上且為基準值A以下時成為無洩漏缺陷之良品元件。自運算放大器31之輸出電壓值X為比基準值B小或比基準值A大時成為有洩漏缺陷之不良品元件。於基準值B設定較小而輸出電壓值X為0 V之情形，判定為接觸不良，亦可根據探針再度進行朝元件6之各端子之接觸。
以該等運算放大器31、反饋電阻32、接地電阻33、比較器34、36、基準值A之電壓輸出部35及基準值B之電壓輸出部37構成判定機構，該判定機構係判定是否為洩漏缺陷之元件6。如此，判定機構將修復對象元件6之電壓位準檢測結果分割為3值之位準之判定信號輸出至時序控制器10D。
圖15係模式性顯示於圖6之修復裝置之單位構成另加上其他判定電路之電壓位準檢測例之情形之電路圖。另，圖15中，與圖14之修復裝置之構成構件發揮相同作用效果之構件附與相同構件編號而說明。
如圖15所示，處理裝置1E中，電流限制用之電阻13之兩端分別連接於運算放大器31之各輸入端子，於判定時，利用時序控制器10E將高耐壓繼電器12成為導通狀態並通過電阻13於元件6上流通電流。該狀態下，藉由運算放大器31產生之電阻13兩端電壓之差動放大結果，以洩漏缺陷之有無識別良品及不良品。運算放大器31之輸出端，設置有 反饋電阻32，且該反饋電阻32所連接之一輸入端子係通過接地電阻33而接地。又，運算放大器31之輸出端係分別連接於比較器34、36之各一輸入端。於比較器34之另一輸入端連接基準值A之電壓輸出部35之輸出端。又，於比較器36之另一輸入端連接比基準值A小之基準值B之電壓輸出部37之輸出端。該等比較器34、36之各輸出端連接於時序控制器10E。
預先將流過電流限制用之電阻13之電流值變換為電壓值，僅於自運算放大器31之輸出電壓值X為基準值B以上且為基準值A以下時為無洩漏缺陷之良品元件。於自運算放大器31之輸出電壓值X為比基準值B小或比基準值A大時，成為有洩漏缺陷之不良品元件。於基準值B設定較小而輸出電壓值X為0 V之情形，判定為接觸不良，亦可根據探針再度進行向元件6之各端子之接觸。
由該等運算放大器31、反饋電阻32、接地電阻33、比較器34、36、基準值A之電壓輸出部35及基準值B之電壓輸出部37構成判定機構，判定機構係判定是否為洩漏缺陷之元件6。如此，判定機構將修復對象元件6之電流位準檢測結果分割為3值之位準之判定信號輸出至時序控制器10E。
圖16係模式性顯示於圖6之修復裝置之單位構成上加上又其他判定電路之電壓位準檢測及電流位準檢測兩者之事例之情形之電路圖。另，圖16中，與圖14之修復裝置之構成構件發揮相同作用效果之構件附與相同之構件編號而說明。
如圖16所示，處理裝置1F中，檢查及處理對象之元件6之兩端及電流限制用之電阻13之兩端分別連接於運算放大器31之各輸入端子上，於判定時，利用時序控制器10F將高耐壓繼電器12成為導通狀態並通過電阻13於元件6上流通電流。該狀態下，藉由2個運算放大器31之差動放大結果，以洩漏缺陷之有無識別良品及不良品。2個運算放大器31之輸出端分別設置有反饋電阻32，且該反饋電阻32所連接之一輸入端子係通過接地電阻33而接地。又，2個運算放大器31之輸出端分別連接於比較器34、36之各一輸入端。於比較器34之另一輸入端連接基準值A之電壓輸出部35之輸出端。又，於比較器36之另一輸入端連接比基準值A小之基準值B之電壓輸出部37之輸出端。該等比較器34、36之各輸出端分別連接於2系統之時序控制器10F。
由該等運算放大器31、反饋電阻32、接地電阻33、比較器34、36、基準值A之電壓輸出部35及基準值B之電壓輸出部37分別構成電壓位準檢測及電流位準檢測之2系統之判定機構，2個判定機構各可分別更正確判定是否為洩漏缺陷之元件6。如此，判定機構將修復對象元件6之電壓位準檢測結果及電流位準檢測結果兩者分割為各3值之位準之各判定信號輸出至時序控制器10F。
又，將分割為良或不良之2值之位準的判定信號輸出至時序控制器10D、10E或10F上之情形，如圖17所示，由運算放大器31、反饋電阻32、接地電阻33、比較器34及基準值A之電壓輸出部35構成電壓位準檢測及電流位準檢測之 至少任一個之判定機構，該判定機構可判定是否為洩漏缺陷之元件6。如此，該判定機構將修復對象元件6之電壓位準檢測結果及電流位準檢測結果中至少任一個分割為2值之位準之判定信號輸出至時序控制器10D、10E或10F。
時序控制器10D、10E或10F可選擇電荷應力(電壓應力)及電流應力之2種類之應力施加。
判定機構進行修復對象之電壓位準檢測及電流位準檢測值中至少任一個，將其良否判定或其詳細判定之結果分割成2值或3值等複數值之位準之判定信號輸出至時序控制器10D、10E或10F。於該時序控制器10D、10E或10F內，基於根據判定機構之判定結果之良否或不良程度而決定處理之流程。判定結果為良之情形時結束修復，判定結果為不良之情形時，根據其不良程度進行修復處理。例如不良程度差一點為良時，減小應力而進行修復處理。例如不良程度較大時，增大應力而進行修復處理。又，於該時序控制器10D、10E或10F內，基於判定機構之判定結果之良否或不良程度而設定修復處理流程之次數。修復處理流程之次數(迴路次數)係將最低次數例如預先設定為10次。將第1次之判定資料預先記憶於時序控制器10D、10E或10F內之記憶部，將其判定資料與最低修復處理次數之處理後之判定資料相比較，未完全回復之情形結束修復處理，判定為有回復徵兆之情形時，自最低修復處理次數僅增加對應比較結果之特定修復處理次數進行修復處理。此時，應力條件亦同時設定為對應於比較結果之應力條件(應力之大小)。 應力之大小係電容器數或電容器容量越增加應力變得越大，越增加輸出電阻5之電阻則應力變得越小。
根據判定機構之判定結果，可利用時序控制器10D、10E或10F使作為可變設定機構之選擇機構，將電容器7之容量及輸出電阻5之電阻值進行可變設定。即，如圖18所示，基於自時序控制器10D、10E或10F輸出之控制信號，控制作為選擇機構之選擇器電路38、39，自預先搭載之容量機構群7A及電阻群5A選擇容量機構數及電阻數，可將電容器容量及輸出電阻5之電阻值進行可變設定。
圖19係顯示圖16之修復裝置1F之動作之流程圖。圖20係為說明圖16之修復裝置1F之動作之圖。
如圖19所示，於步驟S11進行元件6之通常動作試驗。將高電壓電源2之輸出電壓值於動作電壓之例如3 V或5 V內可變地進行。
即，如圖20所示，利用時序控制器10F使充電用之高耐壓繼電器3導通而將來自高電壓電源2之電流累積於高壓電容器7中。此時，放電用之高耐壓繼電器4係利用時序控制器10F而成為斷開狀態。
然後，利用時序控制器10F使充電用之高耐壓繼電器3斷開後，放電用之高耐壓繼電器4成為斷開之方式進行控制。據此，累積於高壓電容器7中之特定電壓係自高耐壓繼電器4通過施加電阻5而施加於檢查對象之元件6之一端子上。此時，高耐壓繼電器12係利用時序控制器10F而成為斷開狀態。
以下，進行步驟S12之ESD試驗。
利用時序控制器10F將高電壓電源2之輸出電壓設定為ESD試驗用之高電壓，且將高耐壓繼電器3之接點導通將來自高電壓電源2之電流流入各高壓電容器7藉此均等地累積高電壓電源2之ESD試驗用之高電壓。此時，高耐壓繼電器4係利用時序控制器10F成為斷開狀態。
然後，利用時序控制器10F使高耐壓繼電器3斷開後，使高耐壓繼電器4之接點導通之方式進行控制。據此，累積於各高壓電容器7之ESD試驗用之高電壓係自高耐壓繼電器4分別通過各施加電阻5而分別施加於檢查對象之各元件6之一端子。此情況下，各高壓電容器7與檢查對象之各元件6以1對1預先對應，而大幅且高效率地進行明確且正確之ESD試驗。
其後，進行步驟S13之ESD試驗判定。
於特定之ESD試驗判定之結果無問題時結束試驗。又，ESD試驗判定結果為不良元件而有問題時，進行以下之步驟S14之修復處理對不良元件進行改善處理。
由步驟S14之電壓施加進行修復處理。
該電壓施加之修復處理係利用時序控制器10F將高電壓電源2之輸出電壓設定於修復處理用之電壓，且將高耐壓繼電器3導通並將來自高電壓電源2之電流流入個高壓電容器7藉此均等地累積高電壓電源2之修復用之電壓。此時，高耐壓繼電器4之接點利用時序控制器10F成為斷開狀態。
然後，利用時序控制器10F將高耐壓繼電器3斷開後，使 高耐壓繼電器4為導通之方式進行控制。據此，累積於各高壓電容器7之修復處理用之電壓自高耐壓繼電器4分別通過各施加電阻5而分別施加於修復處理對象之各元件6之一端子上。該情形下，各高壓電容器7及修復處理對象之各元件6以1對1預先對應，而大幅且高效率地進行明確且正確之ESD試驗。
據此，該等高耐壓繼電器3、4利用時序控制器10F而自高電壓電源2側切換至修復處理對象之各元件6側，使8個高壓電容器7進行充電或放電，分別對修復處理對象之各元件6，分別自各電壓輸出部施加來自8個高壓電容器7之特定明確且正確之修復處理用之電壓。高耐壓繼電器3、4之切換動作係利用時序控制器10F以規定時序進行。
其後，進行步驟S15之修復處理判定。
此時，於將高耐壓繼電器12導通而將特定電流供給於處理對象之元件6之狀態，運算放大器31對應於處理對象之元件6兩端電位差及電阻13之電流值而檢測電壓值。來自運算放大器31之檢測信號X與輸入至比較器34之基準值A相比較，且與輸入至比較器36之基準值B相比較。將該檢測信號X分割為檢測信號X>A、A≧檢測信號X≧B、或B>檢測信號X之3值。所分割之3值輸入時序控制器10F。時序控制器10F於A≧檢測信號X≧B之情形時判定處理對象之元件6為良品，於檢測信號X>A及B>檢測信號X之情形時，判定處理對象之元件6為不良品。
處理對象之元件6為良品之情形(通過)時結束處理，處 理對象之元件6為不良品之情形(失敗)時，於以下步驟S16藉由定電流供給而進行其他修復處理。
藉由步驟S16之定電流供給之修復處理係利用時序控制器10F將高耐壓繼電器3、4斷開後，以定電流供給用之高耐壓繼電器12成為導通之方式進行控制。據此，電流源產生之定電流應力係自高電壓電源2通過高耐壓繼電器12再通過電阻13而對處理對象之元件6之一端子進行通電處理。
如此，將該等充電及放電用之高耐壓繼電器3、4及定電流供給用之高耐壓繼電器12利用時序控制器10F進行導通/斷開切換，可於步驟S14將高壓電容器7進行充電或放電並施加特定電壓，且以隨後之步驟16將定電流應力施加於處理對象之元件6上。高耐壓繼電器3、4及12之切換動作係利用時序控制器10F以規定時序進行。定電流應力係由高耐壓繼電器12於規定時間內，對於處理對象之元件6實施定電流源產生之定電流應力供給。
總之，自高電壓電源2通過電壓施加及電流供給電路20A，再通過插座臂等之接觸夾具而將特定電壓及定電流按順序供給至處理對象之元件6。將特定電壓及定電流之供給源側端子(1條)與GND側端子(1條)接觸於處理對象之元件6之各端子上而對處理對象之元件6供給特定電壓及定電流。該情形下，每個處理對象之元件6依序進行特定電壓施加及定電流施加處理。
該定電流根據處理後，進行步驟S17之修復處理判定。
此時，以將高耐壓繼電器12導通而將特定電流供給於處理對象之元件6上之狀態，運算放大器31對應於處理對象之元件6兩端電位差及電阻13之電流值而檢測電壓值。來自運算放大器31之檢測信號X與輸入於比較器34之基準值A相比較，且與輸入於比較器36之基準值B相比較。將該檢測信號X分割為檢測信號X>A、A≧檢測信號X≧B、或B>檢測信號X之3值。將分割之3值輸入時序控制器10F。時序控制器10F於A≧檢測信號X≧B之情形時判定處理對象之元件6為良品，於檢測信號X>A及B>檢測信號X之情形時，判定處理對象之元件6為不良品。
於特定之修復處理判定之結果，處理對象之元件6為良品而無問題之情形時結束試驗。又，修復處理判定之結果仍有不良元件而有問題情形時，以隨後步驟S18判定規定次數為結束與否，規定次數結束時則結束修復處理。於步驟S18規定次數未結束之情形時，直至到達規定次數之前，進行至步驟S13之ESD試驗判定處理，依序進行其以後之修復處理及其判定處理。依序進行規定次數之修復處理，於其判定結果為不良元件而有問題之情形，亦判定為不良元件且結束處理。
又，對於不良元件之洩漏缺陷部，亦可變更為較強之應力條件，亦可將由特定電壓施加之修復處理及由定電流施加之修復處理兩者同時進行更強之應力施加，而燒斷洩漏缺陷部並回復至通常絕緣狀態，亦可再增加規定次數而燒斷洩漏缺陷部並回復至通常絕緣狀態。
圖21係顯示以個人電腦PC為主體之晶圓圖及探測管理之方塊圖。
圖21中，本實施形態1之修復裝置1、1A、1B、1C、1D、1E或1F係包含：進行探測管理之個人電腦PC；1台高電壓電源2；接受來自個人電腦之指示而驅動之時序控制器10、10A、10B、10C、10D、10E或10F；電壓施加電路20或電壓施加及定電流供給電路20A(包含ESD電路)，其係以自高電壓電源2之定電流用之1個高耐壓繼電器12與1個電阻13之1電路係共通，利用時序控制器10、10A、10B、10C、10D、10E或10F，將高耐壓繼電器11之8接點(或導通高耐壓繼電器3)同時切換至高電壓電源2側而將來自高電壓電源2之特定電壓累積於8個高壓電容器7中，隨後，以特定之時序同時將高耐壓繼電器11之8接點(或導通高耐壓繼電器4)切換至8個各施加電阻5側之8個並聯電路所構成，並將來自高電壓電源2之特定電壓及定電流依序對於複數個檢查及修復處理對象之元件6進行一次且同時供給；及探針組29，其用以於使晶圓載置台15上之半導體晶圓16移動後上升，使探針卡25之探針24a、24b之8組分別接觸於8個元件6之各端子6a、6b，並藉由其探針24a、24b之8組對該各端子6a、6b施加或供給來自電壓施加電路20或電壓施加及定電流供給電路20A之施加電壓或定電流。於半導體晶圓16之10萬個多數晶片依序進行ESD試驗、特定電壓施加之修復處理及定電流供給之修復處理時，使用探針組29等之自動搬動裝置進行連續探測。
探測管理係以個人電腦PC為主體，對於將半導體晶圓16上之晶圓圖，亦即顯示半導體晶圓16上以矩陣狀配置之多數(例如10萬個)之半導體晶片(元件)之位置之位址，可將哪個位址範圍之半導體晶片(裝置)已進行ESD試驗、特定電壓施加之修復處理及定電流供給之修復處理，哪個位址之半導體晶片(元件)為ESD耐壓不良記憶於記憶部。ESD耐壓不良係於半導體晶片(元件)之二極體構造之由逆方向電壓產生之洩漏電流(洩漏缺陷)超過特定值時，以測定器將其進行測定並認定為不良元件，並將該半導體晶片(元件)之位址記憶於個人電腦PC上。
時序控制器10、10A、10B、10C、10D、10E或10F不僅對高耐壓繼電器11、12進行動作控制(時間與時序)，亦按照以程式等預先設定應施加之電壓及電流位準之設定或施加次數、施加之極性條件等之順序進行動作。
由以上所述，根據本實施形態1，對於元件6之洩漏缺陷部份供給電應力且將洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化之修復裝置1、1A、1B、1C、1D、1E或1F中，包含：作為電應力源之高電壓電源2；及將來自由高電壓電源2所充電之複數個電容器7之各電荷應力分別一次且同時施加至複數個元件6之電壓施加機構與將來自高電壓電源2之電流應力供給於複數個元件6之電流供給機構中之至少電壓施加機構。
據此，由於將來自由作為電壓源之高電壓電源2所充電之作為一個或複數個電壓容量機構之高壓電容器7之一個 或複數個電荷應力施加於一個或複數個元件6，故即使高電壓電源2之電源容量較小，亦可藉由暫時儲存於一個或複數個高壓電容器中，而不依存於電源容量，可確保更充分之電流容量，可更高效率地將不良元件回復至正常絕緣狀態。
又，大量生產時，對於檢查及修復處理對象之複數個元件6一次進行以適於規格之ESD施加電壓波形之ESD後，以均一之特定電壓波形或定電流波形明確且正確地進行電壓施加之修復處理及定電流供給之修復處理，藉此可實現多數個一次進行電偏壓處理，可更高效率地將不良元件回復至正常之絕緣狀態。
再者，對於電壓施加機構及電流供給機構中之至少電壓施加機構，因設置有自動判定元件6是否為洩漏缺陷狀態之判定機構，故可更高效率、更自動進行以多數個一次進行電偏壓處理後之良否判定處理。
又，上述實施形態1中，雖無特別詳細說明，但本發明之修復方法係對於元件6之洩漏缺陷部份供給電應力且將其洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化之修復方法，且至少包含：以電壓施加機構將來自由作為電壓源之高電壓電源2所充電之複數個電容器之各電荷應力分別一次同時施加於複數個元件之電壓施加步驟及以電流供給機構將來自高電壓電源2之電流應力供給至複數個元件6之電流供給步驟中之至少電壓施加步驟。再者，本發明之修復方法，對於該等電壓施加步驟與電流供給步驟中之至少電壓施加步驟， 更包含以判定機構判定元件6是否為洩漏缺陷元件之判定步驟。
元件之製造方法係使用上述修復裝置1、1A、1B、1C、1D、1E或1F，藉由對於元件6之洩漏缺陷部份供給電應力而將其洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化，藉此使以製造方法製造元件且成為不良之不良元件亦回復而製造元件者。
另，上述實施形態1中，除了對於例如LSI元件之保護用二極體、或LED元件及雷射元件等之發光元件等之對象元件6，於作為元件6之洩漏缺陷部份之擠入上部導電材料例如絕緣膜之針孔部份中而洩漏之情形之外，亦對於因粉塵引起之洩漏缺陷部或因絕緣膜之膜厚差、或於段差部上之絕緣膜缺損而產生裂紋所引起之洩漏缺陷部進行說明，且對於該洩漏缺陷部施加電應力而使絕緣正常化之修復處理進行說明，但不限於此，於LSI元件等之配線部中存在有洩漏缺陷部之情形，於配線間供給電壓及電流而燒斷洩漏部份之情形，亦可使用本發明之修復裝置1、1A~1F之任一者。
如以上所述，雖使用本發明之較佳實施形態1而例示本發明，但本發明不應解釋為限於該實施形態1。本發明應理解為僅可由申請專利範圍解釋其範圍。本領域技術人員由本發明之具體較佳實施形態1之記載，將可理解基於本發明之記載及技術常識可實施等價之範圍。本說明書中引用之專利、專利申請及文獻可理解為與其內容本身所具體記載於本說明書中同樣地其內容對於本說明書係作為參考 加以援用。
[產業上之可能利用性]
本發明係對於例如LSI元件、或LED元件及雷射元件等之發光元件等之檢查對象元件而檢查之ESD耐性試驗結果或通常動作試驗結果，將不良元件回復至正常絕緣狀態之修復裝置，及於使用該修復裝置之半導體裝置之製造方法之領域中，因來自由電壓源所充電之一個或複數個之電壓容量機構之一個或複數個之電荷應力施加於一個或複數個之元件上，故不依存於電源容量，可確保更充分之電流容量，且更高效率地將不良元件回復至正常之絕緣狀態。又，由於電壓施加機構係將來自由電壓源所充電之複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於複數個元件，故可以多數個一次進行電偏壓處理，且更高效率地將不良元件回復至正常之絕緣狀態。再者，由於判定機構係自動判定利用電壓施加機構之修復處理後之一個或複數個元件中之元件是否為洩漏缺陷元件，故可更高效率地自動進行以多數個一次進行電偏壓處理後之良否判定判定處理。
1‧‧‧修復裝置
1A‧‧‧修復裝置
1B‧‧‧修復裝置
1C‧‧‧修復裝置
1D‧‧‧修復裝置
1E‧‧‧修復裝置
1F‧‧‧修復裝置
2‧‧‧高壓電源
3‧‧‧高耐壓繼電器
4‧‧‧高耐壓繼電器
5‧‧‧施加電阻
5A‧‧‧電阻群
6‧‧‧元件
6a‧‧‧元件之端子
6b‧‧‧元件之端子
7‧‧‧高壓電容器
7A‧‧‧容量機構群
8‧‧‧高耐壓繼電器3、4之連接點
9‧‧‧元件6之另一端子與高電壓電源2之另一端之連接點
10‧‧‧時序控制器
10A‧‧‧時序控制器
10B‧‧‧時序控制器
10C‧‧‧時序控制器
10D‧‧‧時序控制器
10E‧‧‧時序控制器
10F‧‧‧時序控制器
11‧‧‧高耐壓繼電器
12‧‧‧高耐壓繼電器
13‧‧‧電流控制用之電阻
14‧‧‧施加電阻5與元件6之連接點
20‧‧‧電壓施加電路
20A‧‧‧電壓施加及電流供給電路
21‧‧‧電路箱(包含有ESD之特定電壓及定電流供給基板箱)
22‧‧‧配線
23‧‧‧連接器
24a‧‧‧探針
24b‧‧‧探針
25‧‧‧探測卡
26‧‧‧電壓施加及電流施加基板
27‧‧‧中央圓形部
28‧‧‧中央圓形部
29‧‧‧探針組
31‧‧‧運算放大器
32‧‧‧反饋電阻
33‧‧‧接地電阻
34‧‧‧比較器
36‧‧‧比較器
35‧‧‧基準值A之電壓輸出部
37‧‧‧基準值B之電壓輸出部
38‧‧‧選擇器電路
39‧‧‧選擇器電路
圖1係模式性顯示本發明之實施形態1中修復裝置之單位構成例之電路方塊圖。
圖2係顯示圖1之修復裝置之具體構成例之電路圖。
圖3係顯示二極體之電壓電流特性之圖。
圖4係顯示圖1之修復裝置之動作之流程圖。
圖5(a)及(b)係顯示修復處理之CR應力(CR電壓施加)之電壓施加波形及其電流施加波形之圖，(c)及(d)係顯示修復處理之定電流應力(定電流供給)之電壓施加波形及其電流施加波形之圖。
圖6係模式顯示圖1之修復裝置之其他單位構成例之電路方塊圖。
圖7係顯示圖6之修復裝置之具體構成例之電路圖。
圖8係顯示圖7之修復裝置之動作之流程圖。
圖9係模式性顯示圖7之修復裝置中朝元件之各端子之接觸狀態之放大影像之立體圖。
圖10係模式性顯示圖7之修復裝置之ESD試驗、特定電壓及定電流供給處理時之構成影像例之立體圖。
圖11係模式性顯示將圖6之修復裝置之複數個電壓施加及電流施加器之設置影像例作為其他修復裝置之俯視圖。
圖12(a)係模式性顯示將圖6之修復裝置1A之複數個電壓施加及電流施加器之其他設置影像例作為又其他修復裝置之俯視圖，(b)係(a)之電壓施加與電流施加器以及探針卡與探針組之縱向剖面圖。
圖13(a)係模式性顯示圖12(a)之電壓施加及電流施加器之立體圖，(b)顯示係ESD試驗中所用之ESD施加電壓波形之圖。
圖14係模式性顯示對圖6之修復裝置之單位構成加上判定電路之電流位準檢測例時之電路圖。
圖15係模式性顯示對圖6之修復裝置之單位構成加上其 他判定電路之電流位準檢測例時之電路圖。
圖16係模式性顯示對圖6之修復裝置之單位構成加上又其他判定電路之電壓位準檢測及電流位準檢測兩者之事例時之電路圖。
圖17係圖6之修復裝置之判定結果為2個值之判定信號時之判定機構之電路圖。
圖18為說明基於自圖14~圖16之時序控制器之任一者輸出之控制信號而控制選擇器電路並使容量及電阻值可變時之主要部份電路方塊圖。
圖19係顯示圖16之修復裝置之動作的流程圖。
圖20係為說明圖16之修復裝置之動作的圖。
圖21係顯示以個人電腦PC為主體之晶圓圖(wafer map)及探測管理之方塊圖。
圖22係專利文獻1中揭示之先前之光電轉換元件之逆偏壓處理裝置之概略圖。
圖23係圖22之串聯連接之光電變換元件之等價電路。
1‧‧‧修復裝置
2‧‧‧高壓電源
3‧‧‧高耐壓繼電器
4‧‧‧高耐壓繼電器
5‧‧‧施加電阻
6‧‧‧元件
7‧‧‧高壓電容器
8‧‧‧高耐壓繼電器3、4之連接點
9‧‧‧元件6之另一端子與高電壓電源2之另一端之連接點
10‧‧‧時序控制器
14‧‧‧施加電阻5與元件6之連接點

Claims (55)

  1. 一種修復裝置，其係對於元件之洩漏缺陷部份供給電應力，而將該洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化者，且包含：作為電應力源之電壓源；及將來自由該電壓源所充電之一個或複數個電壓容量機構之一個或複數個電荷應力施加於一個或複數個元件之電壓施加機構。
  2. 一種修復裝置，其係使一個或複數個元件之洩漏缺陷回復者，且包含：將來自由電壓源所充電之一個或複數個電壓容量機構之各電荷應力施加於一個或複數個元件之電壓施加機構；及於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給至該電荷應力施加後之一個或複數個元件之狀態下，自動判定該一個或複數個元件是否為洩漏缺陷元件之判定機構。
  3. 如請求項1之修復裝置，其中上述電壓施加機構係將來自由上述電壓源所充電之複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時地施加於複數個元件。
  4. 如請求項2之修復裝置，其中於上述電流供給機構將來自上述電壓源之電流應力供給於上述一個或複數個元件之修復處理後，上述判定機構於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給至該電流應力供給後之一個或複數個元件之狀態下，自動判定該一個或複數個元件中之元件 是否為洩漏缺陷元件。
  5. 如請求項2之修復裝置，其中上述電壓施加機構具有應一次施加特定電壓進行處理之元件個數的相同電路構成。
  6. 如請求項3之修復裝置，其中上述電壓施加機構具有應一次施加特定電壓進行處理之元件個數的相同電路構成。
  7. 如請求項1之修復裝置，其中上述電壓施加機構包含：累積來自上述電壓源之特定電壓之一電壓容量機構；將來自該一電壓容量機構之特定電壓通過電阻而輸出之一電壓輸出部；及以將該一電壓容量機構連接於該電壓源側或連接於該電壓輸出部側之方式進行切換之切換機構。
  8. 如請求項3之修復裝置，其中上述電壓施加機構包含：累積來自上述電壓源之特定電壓之上述複數個電壓容量機構；將來自該複數個電壓容量機構之各特定電壓分別通過各電阻而輸出之複數個電壓輸出部；及以將該複數個電壓容量機構分別連接於該電壓源側或分別連接於該電壓輸出部側之方式進行切換之複數個切換機構。
  9. 如請求項5之修復裝置，其中上述電壓施加機構包含：累積來自上述電壓源之特定電壓之上述一個或複數個電壓容量機構； 將來自該一個或複數個電壓容量機構之各特定電壓分別通過各電阻而輸出之複數個電壓輸出部；及以將該一個或複數個電壓容量機構分別連接於該電壓源側、或分別連接於該電壓輸出部側之方式進行切換之複數個切換機構。
  10. 如請求項8之修復裝置，其中上述相同電路構成具有應以自上述電壓容量機構通過上述切換機構、進而通過上述電阻而至上述電壓輸出部之電路獨立地進行上述一次施加處理之元件個數。
  11. 如請求項9之修復裝置，其中上述相同電路構成具有應以自上述電壓容量機構通過上述切換機構、進而通過上述電阻而至上述電壓輸出部之電路獨立地進行上述一次施加處理之元件個數。
  12. 如請求項10或11之修復裝置，其包含複數個搭載一個或複數個上述相同電路構成之基板。
  13. 如請求項3之修復裝置，其中上述電壓源為具有對應於應一次施加處理之元件個數之上述複數個電壓容量機構之容量的充電處理能力之1個電壓源。
  14. 如請求項2之修復裝置，其中上述電壓源為具有對應於應一次施加處理之元件個數之上述一個或複數個電壓容量機構之容量的充電處理能力之1個電壓源。
  15. 如請求項1或14之修復裝置，其中上述電荷應力之電壓值，於上述元件之電壓、電流特性為非線形特性時，設定為作為絕對值不超過崩潰電壓之值且為該崩潰電壓之 9成以上之電壓值。
  16. 如請求項1或2之修復裝置，其中上述電壓源係以其輸出電壓可自如變化地構成，且可輸出對應於靜電破壞耐壓試驗之電壓位準。
  17. 如請求項1、3、7及8中任一項之修復裝置，其中上述複數個電壓容量機構具有對應於靜電破壞耐壓試驗之容量值。
  18. 如請求項2或9之修復裝置，其中上述一個或複數個電壓容量機構具有對應於靜電破壞耐壓試驗之容量值。
  19. 如請求項7至9中任一項之修復裝置，其中上述電壓輸出部之電阻具有對應於靜電破壞耐壓試驗之電阻值。
  20. 如請求項1至3、7及8中任一項之修復裝置，其中上述電壓容量機構之充放電處理，於使用自動搬送處理裝置進行修復處理之情形時，包含於由該自動搬送處理裝置進行之接觸移動期間以該電壓容量機構對於上述元件進行充電、及於由該自動搬送處理裝置進行接觸後自該電壓容量機構對上述元件進行放電之序列處理。
  21. 如請求項1或3之修復裝置，其更包含將來自上述電壓源之電流應力供給於一個或複數個元件之電流供給機構。
  22. 如請求項21之修復裝置，其包含對上述電荷應力及上述電流應力之2種電應力進行選擇動作之時序控制器。
  23. 如請求項4之修復裝置，其更包含對上述電荷應力及上述電流應力之2種電應力進行選擇動作之時序控制器。
  24. 如請求項21之修復裝置，其中設置有判定機構，該判定 機構於由上述電壓施加機構及上述電流供給機構中之至少該電壓施加機構進行之修復處理後，於自上述電壓源將電流利用該電流供給機構供給至一個或複數個元件之狀態下，自動判定該一個或複數個元件中之元件是否為上述洩漏缺陷元件。
  25. 如請求項24之修復裝置，其中上述判定機構係進行電壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者。
  26. 如請求項2或4之修復裝置，其中上述判定機構係進行電壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者。
  27. 如請求項24之修復裝置，其中上述判定機構與上述電壓施加機構及上述電流供給機構中之至少該電壓施加機構係設置於相同基板上。
  28. 如請求項2或4之修復裝置，其中上述判定機構與上述電壓施加機構及上述電流供給機構係設置於相同基板上。
  29. 如請求項24之修復裝置，其中上述判定機構係將對於修復處理後之一個或複數個元件進行電壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者之判定結果輸出至時序控制器。
  30. 如請求項2或4之修復裝置，其中上述判定機構係將對於修復處理後之一個或複數個元件進行電壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者之判定結果輸出至時序控制器。
  31. 如請求項24之修復裝置，其中上述判定機構係將對於修復處理後之一個或複數個元件進行電壓位準檢測判定及 電流位準檢測判定中之至少任一者之判定結果作為分割成複數值之位準之判定信號而輸出至時序控制器。
  32. 如請求項2或4之修復裝置，其中上述判定機構係將對於修復處理後之一個或複數個元件進行電壓位準檢測判定及電流位準檢測判定中之至少任一者之判定結果作為分割成複數值之位準之判定信號而輸出至時序控制器。
  33. 如請求項29之修復裝置，其中上述時序控制器包含可變設定控制機構，該可變設定控制機構將上述一個或複數個電壓容量機構之容量值、及將來自該一個或複數個電壓容量機構之特定電壓通過電阻而輸出之一個或複數個電壓輸出部之該電阻之電阻值，對應於上述判定機構之判定結果進行可變設定。
  34. 如請求項31之修復裝置，其中上述時序控制器包含可變設定控制機構，該可變設定控制機構將上述一個或複數個電壓容量機構之容量值、及將來自該一個或複數個電壓容量機構之特定電壓通過電阻而輸出之一個或複數個電壓輸出部之該電阻之電阻值，對應於上述判定機構之判定結果進行可變設定。
  35. 如請求項30之修復裝置，其中上述時序控制器包含可變設定控制機構，該可變設定控制機構將上述一個或複數個電壓容量機構之容量值、及將來自該一個或複數個電壓容量機構之各特定電壓分別通過各電阻而輸出之一個或複數個電壓輸出部之該各電阻之電阻值，對應於上述判定機構之判定結果進行可變設定。
  36. 如請求項32之修復裝置，其中上述時序控制器包含可變設定控制機構，該可變設定控制機構將上述一個或複數個電壓容量機構之容量值、及將來自該一個或複數個電壓容量機構之各特定電壓分別通過各電阻而輸出之一個或複數個電壓輸出部之該各電阻之電阻值，對應於上述判定機構之判定結果進行可變設定。
  37. 如請求項33之修復裝置，其中基於來自上述時序控制器之控制信號控制可變設定機構，自預先搭載之容量群及電阻群中選擇而設定成特定容量值及特定電阻值。
  38. 如請求項34之修復裝置，其中基於來自上述時序控制器之控制信號控制可變設定機構，自預先搭載之容量群及電阻群中選擇而設定成特定容量值及特定電阻值。
  39. 如請求項35之修復裝置，其中基於來自上述時序控制器之控制信號控制可變設定機構，自預先搭載之容量群及電阻群中選擇而設定成特定容量值及特定電阻值。
  40. 如請求項36之修復裝置，其中基於來自上述時序控制器之控制信號控制可變設定機構，自預先搭載之容量群及電阻群中選擇而設定成特定容量值及特定電阻值。
  41. 如請求項29之修復裝置，其中上述時序控制器係基於上述判定機構之判定結果之良否或不良程度而決定修復處理流程。
  42. 如請求項31之修復裝置，其中上述時序控制器係基於上述判定機構之判定結果之良否或不良程度而決定修復處理流程。
  43. 如請求項30之修復裝置，其中上述時序控制器係基於上述判定機構之判定結果之良否或不良程度而決定修復處理流程。
  44. 如請求項32之修復裝置，其中上述時序控制器係基於上述判定步驟之判定結果之良否或不良程度而決定修復處理流程。
  45. 如請求項29之修復裝置，其中上述時序控制器係設定一次或複數次之修復處理流程。
  46. 如請求項31之修復裝置，其中上述時序控制器係設定一次或複數次之修復處理流程。
  47. 如請求項30之修復裝置，其中上述時序控制器係設定一次或複數次之修復處理流程。
  48. 如請求項32之修復裝置，其中上述時序控制器係，設定一次或複數次之修復處理流程。
  49. 一種元件之製造方法，其使用如請求項1至16中任一項之修復裝置，對上述元件之洩漏缺陷部份供給電應力，而將該洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化。
  50. 一種修復方法，其係對元件之洩漏缺陷部份供給電應力，而將該洩漏缺陷部份之絕緣狀態正常化者，且包含以電壓施加機構將來自利用電壓源予以充電之電壓容量機構之電荷應力施加於該元件之電壓施加步驟。
  51. 如請求項50之修復方法，其中上述電壓施加步驟包含以上述電壓施加機構將來自利用電壓源予以充電之複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於複數 個元件之電壓施加步驟。
  52. 如請求項50或51之修復方法，其中更包含以電流供給機構將來自上述電壓源之電流應力供給於一個或複數個元件之電流供給步驟。
  53. 如請求項52之修復方法，其中包含判定步驟，其於上述電壓施加步驟與上述電流供給步驟中之至少該電壓施加步驟之修復處理後，於自該電壓源將電流利用上述電流供給機構供給於修復對象之一個或複數個元件之狀態下，以判定機構判定該修復對象之一個或複數個元件中之元件是否為該洩漏缺陷元件。
  54. 一種修復方法，其係使一個或複數個元件之洩漏缺陷回復者，且包含：電壓施加步驟，其以電壓施加機構將來自利用電壓源予以充電之一個或複數個電壓容量機構之各電荷應力分別一次且同時施加於一個或複數個元件；及判定步驟，其於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給至該電荷應力施加後之一個或複數個元件之狀態下，以判定機構自動判定該一個或複數個元件是否為洩漏缺陷元件。
  55. 如請求項54之修復方法，其中包含：電流供給步驟，其以上述電流供給機構將來自上述電壓源之電流應力供給於上述一個或複數個元件；及判定步驟，其於自該電壓源將電流利用電流供給機構供給於該電流應力供給後之一個或複數個元件之狀態 下，以上述判定機構自動判定該一個或複數個元件是否為洩漏缺陷元件。
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