CN102830742B - 一种低压差线性稳压器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低压差线性稳压器,包括:偏置电压产生电路、误差放大器、输出管和快速响应电路;快速响应电路通过采集输出管的输出电压来感应负载瞬态阶跃,进而根据输出电压经耦合、反向放大以及电平移位,向误差放大器提供一对控制信号;误差放大器通过分压网络采集输出管的反馈电压,使其与基准电压比较以对输出管的输出电压进行直流稳压;且误差放大器具有瞬态开关管的结构,其根据控制信号瞬态开关其自身的输出级电流,从而生成驱动信号以控制输出管响应负载瞬态阶跃。故本发明稳压器明显改善了负载瞬态阶跃情况下输出电压的上冲和下冲,满足了高性能稳压电源的工业级设计要求。
Description
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种低压差线性稳压器。
背景技术
低压差线性稳压器LDO(low-dropout regulator)广泛的应用于各种模拟、混合信号及射频集成电路系统中,比如植入式医疗电子设备,移动式通信设备,或消费类电子产品的电源管理模块。其用于提供具备带负载能力的稳定输出电压,拥有低静态功耗,低噪声,电路规模小的优点。早期的低压差线性稳压器通常要在输出加一个uF级以上的外接电容,用来保证良好的输出负载阶跃响应。不过针对上述电子设备越来越多采用全集成芯片系统(system-on-chip)来缩小体积及节省成本,无需外接电容的低压差线性稳压器已经成为线性稳压器中的优先选择。
图1为传统无外接电容型低压差线性稳压器的电路框图,其包括误差放大器OP、第二级缓冲放大器Buffer、输出管Mp、电阻R1和R2组成的分压网络、及补偿电容Cc。输出电压Vout经电阻分压网络按比例反馈给误差放大器的正输入端,同时和误差放大器负输入端的基准电压Vref比较,从而构成直流稳压反馈环路,最终使的输出电压Vout和基准电压Vref为稳定的倍数关系Vout=Vref*(R1+R2)/R2,实现直流稳压。该稳压器的主极点位于第一级放大器输出,通过级联米勒电容补偿将主极点设在非常低的频率,实现了大电流负载范围的交流稳定性。但是因为该稳压器输出没有外接大电容,当负载瞬态变化时,没有足够的电容能提供瞬态负载跳变时所需的瞬态电流,同时整个稳压反馈环路的响应时间缓慢,导致输出电压Vout会随着负载电流的变化而产生很大的上冲(overshoot)或下冲(undershoot),无法满足高性能稳压电源(线性电源或驱动电源)设计的工业级指标。
图2为现有无外接电容型低压差线性稳压器的电路框图,其在传统的误差放大器稳压反馈环路之外,又添加了两个比较器环路来快速控制输出电压使其具备快速的负载瞬态响应,从而可以改善输出Vout的上冲和下冲。但是其增加的两个比较器环路在明显增加电路级设计规模的同时加大了静态功耗和电路中的低频噪声。而且,该稳压器还需要产生两个额外的基准电压VH、VL用于上述比较器,这就进一步增加了电路复杂性和成本。
发明内容
针对现有技术所存在的上述技术缺陷,本发明提供了一种低压差线性稳压器,无需外接电容,能够快速响应负载变化,改善负载阶跃响应的上冲和下冲,缩小所需集成电路版图面积。
一种低压差线性稳压器,包括:偏置电压产生电路、误差放大器、输出管和快速响应电路;
所述的偏置电压产生电路用于向误差放大器和快速响应电路提供偏置电压;
所述的快速响应电路用于通过采集输出管的输出电压来感应负载瞬态阶跃,进而根据所述的输出电压经耦合、反向放大以及电平移位,生成一对控制信号;
所述的误差放大器通过分压网络采集输出管的反馈电压,使其与给定的基准电压比较以对输出管的输出电压进行直流稳压;同时误差放大器还根据所述的控制信号瞬态开关其自身的输出级电流,从而生成驱动信号以控制输出管响应负载瞬态阶跃。
优选地,所述的快速响应电路和误差放大器通过补偿电容连接,能够进一步增加系统的稳定性。
优选地,所述的误差放大器由十一个MOS管M1~M11组成;其中,MOS管M1的源极与MOS管M7的源极和MOS管M8的源极相连并接输入电压Vin,MOS管M1的栅极接收偏置电压产生电路提供的偏置电压Vb1,MOS管M1的漏极与MOS管M2的源极和MOS管M3的源极相连,MOS管M2的栅极接收外部设备提供的基准电压,MOS管M3的栅极接收所述的反馈电压,MOS管M2的漏极与MOS管M6的栅极、MOS管M4的漏极和MOS管M4的栅极相连,MOS管M3的漏极与MOS管M11的栅极、MOS管M5的漏极和MOS管M5的栅极相连,MOS管M8的栅极与MOS管M7的栅极、MOS管M7的漏极和MOS管M6的漏极相连,MOS管M8的漏极与MOS管M9的源极相连,MOS管M9的漏极与MOS管M10的漏极和输出管的控制端相连,MOS管M10的源极与MOS管M11的漏极相连,MOS管M11的源极与MOS管M5的源极、MOS管M4的源极和MOS管M6的源极相连并接地;MOS管M9的栅极和MOS管M10的栅极分别接收快速响应电路提供的控制信号VG1和控制信号VG2。本误差放大器中,MOS管M4~M6以及M10~M11均为NMOS管,其余MOS管均为PMOS管。
优选地,所述的误差放大器由七个MOS管M1~M7组成;其中,MOS管M6的源极与MOS管M7的源极相连并接输入电压Vin,MOS管M6的栅极与MOS管M7的栅极、MOS管M7的漏极和MOS管M2的漏极相连,MOS管M6的漏极与MOS管M5的源极相连,MOS管M5的漏极与MOS管M4的漏极和输出管的控制端相连,MOS管M4的源极与MOS管M3的漏极相连,MOS管M3的栅极接收外部设备提供的基准电压,MOS管M3的源极与MOS管M2的源极和MOS管M1的漏极相连,MOS管M2的栅极接收所述的反馈电压,MOS管M1的栅极接收偏置电压产生电路提供的偏置电压Vb2,MOS管M1的源极接地,MOS管M5的栅极和MOS管M4的栅极分别接收快速响应电路提供的控制信号VG1和控制信号VG2。本误差放大器中,MOS管M1~M4均为NMOS管,其余MOS管均为PMOS管。
这两种误差放大器特有瞬态开关管的结构。在直流稳压状态,瞬态开关管处于饱和区,构成了放大器的共源共栅输出级,提升了稳压器的环路增益而实现精准的直流稳压;而在负载瞬态阶跃时,瞬态开关管工作为瞬态开关,其在短时间内的导通和关闭可以控制输出管栅极电压,从而快速响应负载瞬态变化。同时,该误差放大器采用了单级放大器的结构,功耗低而且利于系统稳定性。
优选地,所述的快速响应电路由三个MOS管M12~M14和三个电阻R3~R5组成;其中,MOS管M12的源极接输入电压Vin,MOS管M12的栅极接收偏置电压产生电路提供的偏置电压Vb1,MOS管M12的漏极与电阻R3的一端相连并生成控制信号VG1,电阻R3的另一端与电阻R4的一端相连并生成控制信号VG2,电阻R4的另一端与电阻R5的一端和MOS管M13的漏极相连,MOS管M13的源极接地,MOS管M13的栅极与电阻R5的另一端和MOS管M14的栅极相连,MOS管M14的源极与漏极共连并接输出管的输出端。
该快速响应电路中,MOS管M12和M14均为PMOS管,其余MOS管均为NMOS管。其中M14为MOS电容,在直流稳压状态,偏置电压Vb1开通M12所引入的偏置电流经R3、R4、R5、M13到地的通路,会产生一对直流偏置电压,该偏置电压可以使瞬态开关管工作在饱和区。当负载瞬态阶跃时,MOS电容可以耦合负载变化至M13的栅级,M13和R5组成放大级,可以对输入交流信号进行反向放大,M13的漏极输出反相放大信号,该反向放大信号经过R3和R4实现电平移位,产生一对控制信号来在短时间内打开或关闭瞬态开关管,从而快速的响应负载电压的变化。该快速响应电路只需要一路静态电流,故其可以低于微安的级别。而且该电路只用了两个有源MOS管M12,M13,尽可能的减小了该电路中MOS管产生的低频噪声。
在本发明稳压器处于直流稳压状态下,快速响应电路给误差放大器中的两个瞬态开关管提供一对直流偏置电压,使瞬态开关管工作在饱和区。此时,两个瞬态开关管构成误差放大器的共源共栅输出级,可以提供很高的环路增益,保证了直流稳压精度,实现了很好的直流稳压。
在本发明稳压器处于负载瞬态响应状态下,快速响应电路通过对负载变化的耦合,反向放大及电平移位,提供给两个瞬态开关管一对控制信号,通过瞬态开关管在短时间内的导通和关闭,可以控制误差放大器输出级的电流,进而拉高或拉低输出管的栅极电压,从而达到快速的响应负载的变化。
本发明的有益技术效果为:
(1)本发明引入快速响应电路及瞬态开关管,当负载瞬态阶跃时,快速响应电路通过对负载变化的耦合,反向放大及电平移位,提供给两个瞬态开关管一对控制信号,该控制信号用来快速开关瞬态开关管,从而控制误差放大器输出级的上拉或下拉电流通路,调节输出管的栅极电压来抑制负载的阶跃,显著改善了无外接电容低压差线性稳压器负载瞬态阶跃的上冲和下冲,满足了高性能稳压电源的工业级设计要求。
(2)本发明的快速响应电路及瞬态开关管的电路规模简单,仅使用了几个有源MOS管,最小化了电路的低频噪声;快速响应电路采用MOS电容来实现大容值的耦合电容,所占芯片面积仅为集成电路工艺中普遍使用的相同容值的金属电容或双多晶电容的四分之一,可以节省大量版图面积,同时系统整体功耗低,所以非常适合应用在低成本要求的全集成芯片系统。
(3)本发明中快速响应电路只需很小的静态电流,维持了低压差线性稳压器的低静态电流优点;同时瞬态开关管可以提高单级误差放大器的直流增益,进而提升了稳压器的环路增益,保证了直流稳压精度。
附图说明
图1为传统无外接电容型低压差线性稳压器的电路示意图。
图2为现有无外接电容型低压差线性稳压器的电路示意图。
图3为本发明低压差线性稳压器的一种实施电路示意图。
图4为本发明低压差线性稳压器的另一种实施电路示意图。
图5为负载电流在1~10mA之间瞬态切换下本发明稳压器输出电压的波形示意图。
图6为负载电流在1~40mA之间瞬态切换下本发明稳压器输出电压的波形示意图。
具体实施方式
为了更为具体地描述本发明,下面结合附图及具体实施方式对本发明的技术方案及其相关原理进行详细说明。
实施例1
如图3所示,一种低压差线性稳压器,包括:偏置电压产生电路31、误差放大器11、输出管Mp、补偿电容C和快速响应电路2;输出管Mp采用PMOS管,其源极接输入电压Vin;其中:
偏置电压产生电路31用于向误差放大器11和快速响应电路2提供偏置电压Vb1;本实施方式中,偏置电压产生电路31由PMOS管M15和电流源E组成;其中,PMOS管M15的源极接输入电压Vin,PMOS管M15的栅极和漏极与电流源E的一端相连并产生偏置电压Vb1,电流源E的另一端接地。
快速响应电路2用于通过采集输出管Mp的输出电压Vout来感应负载瞬态阶跃,进而根据输出电压Vout经耦合、反向放大以及电平移位,生成一对控制信号VG1~VG2;本实施方式中,快速响应电路2由三个MOS管M12~M14和三个电阻R3~R5组成;其中,MOS管M12的源极接输入电压Vin,MOS管M12的栅极接收偏置电压产生电路31提供的偏置电压Vb1,MOS管M12的漏极与电阻R3的一端相连并生成控制信号VG1,电阻R3的另一端与电阻R4的一端相连并生成控制信号VG2,电阻R4的另一端与电阻R5的一端和MOS管M13的漏极相连,MOS管M13的源极接地,MOS管M13的栅极与电阻R5的另一端和MOS管M14的栅极相连,MOS管M14的源极与漏极共连并接输出管的输出端。本快速响应电路中,MOS管M12和M14均为PMOS管,其余MOS管均为NMOS管。
误差放大器11通过分压网络采集输出管Mp的反馈电压Vf,使其与基准电压Vref比较以对输出管Mp的输出电压Vout进行直流稳压;同时误差放大器11还根据控制信号VG1~VG2瞬态开关其自身的输出级电流,从而生成驱动信号以控制输出管Mp响应负载瞬态阶跃;本实施方式中,分压网络由两个电阻R1~R2组成,电阻R1的一端与输出管Mp的漏极相连,电阻R1的另一端与电阻R2的一端相连并产生反馈电压Vf,电阻R2的另一端接地;误差放大器11由十一个MOS管M1~M11组成;其中,MOS管M1的源极与MOS管M7的源极和MOS管M8的源极相连并接输入电压Vin,MOS管M1的栅极接收偏置电压产生电路31提供的偏置电压Vb1,MOS管M1的漏极与MOS管M2的源极和MOS管M3的源极相连,MOS管M2的栅极接收外部设备提供的基准电压Vref,MOS管M3的栅极接收反馈电压Vf,MOS管M2的漏极与MOS管M6的栅极、MOS管M4的漏极和MOS管M4的栅极相连,MOS管M3的漏极与MOS管M11的栅极、MOS管M5的漏极和MOS管M5的栅极相连,MOS管M8的栅极与MOS管M7的栅极、MOS管M7的漏极和MOS管M6的漏极相连,MOS管M8的漏极与MOS管M9的源极相连,MOS管M9的漏极与MOS管M10的漏极和输出管Mp的栅极相连,MOS管M10的源极与MOS管M11的漏极相连,MOS管M11的源极与MOS管M5的源极、MOS管M4的源极和MOS管M6的源极相连并接地;MOS管M9的栅极和MOS管M10的栅极分别接收快速响应电路2提供的控制信号VG1和控制信号VG2。本误差放大器中,MOS管M4~M6以及M10~M11均为NMOS管,其余MOS管均为PMOS管。
补偿电容C的一端与快速响应电路2中MOS管M14的栅极相连,另一端与误差放大器11中MOS管M10的源极相连。
当本实施方式稳压器处于直流稳压状态下;快速响应电路2中的M12的偏置电流经过R3、R4、R5和M13到地的电流通路,产生两个直流偏置电压VG1和VG2提供给误差放大器11中瞬态开关管M9、M10,使M9和M10工作在饱和区。此时,M9和M10构成误差放大器的共源共栅输出级,可以提供很高的环路增益,保证了直流稳压精度。
当本实施方式稳压器处于负载瞬态响应状态下;快速响应电路2通过对负载变化的耦合,反向放大及电平移位,产生两个控制电压VG1和VG2提供给误差放大器11中瞬态开关管M9、M10,通过瞬态开关管在短时间内的导通或关闭会相应的拉高或拉低输出管的栅极电压,从而达到快速的响应负载瞬态阶跃;具体过程原理如下:
负载电流在短时间内由小变大时,输出电压Vout会下冲,快速响应电路2中MOS电容M14将Vout的下冲耦合至M13的栅极,该信号经过由M13和R5构成的放大级的反向放大,该反向放大信号由M13的漏极输出,然后经R4和R3电平移位,最终转换成两个放大后的上冲电压信号VG1~VG2分别输到瞬态开关管M9和M10的栅极。M9为PMOS管,其栅极的上升电平会使M9的栅源电压在短时间内减小致低于阈值电压的范围,从而瞬态关闭M9管,即关断到输入电压Vin的上拉电流通路,而M10为NMOS管,所以M10会维持导通;此时输出管Mp的栅电压被M10到地的电流通路快速拉低,使得输出管Mp的导通电流快速变大,抑制输出电压Vout的下冲,使其迅速回到稳定状态。
负载电流在短时间内由大变小时,输出电压Vout会上冲,快速响应电路2中MOS电容M14将Vout的上冲耦合至M13的栅极,该信号经过由M13和R5构成的放大级的反向放大,然后由R4和R3进行电平移位,最终转换成两个放大后的下冲电压信号VG1~VG2分别输到瞬态开关管M9和M10的栅极。M10为NMOS管,其栅极的下降电平会使M10的栅源电压在短时间内减小致低于阈值电压的范围,从而瞬态关闭M10管,即关断到地的下拉电流通路,而M9为PMOS管,则M9会维持导通;此时输出管Mp的栅电压被M9到输入电压Vin的电流通路快速拉高,使得输出管Mp的导通电流快速变小,抑制输出电压Vout的上冲,使其迅速回到稳定状态。
实施例2
如图4所示,一种低压差线性稳压器,包括:偏置电压产生电路32、误差放大器12、输出管Mp、补偿电容C和快速响应电路2;输出管Mp采用PMOS管,其源极接输入电压Vin;其中:
偏置电压产生电路32用于向快速响应电路2和误差放大器12分别提供偏置电压Vb1和Vb2;本实施方式中,偏置电压产生电路32由PMOS管M15、NMOS管M16和电流源E组成;其中,PMOS管M15的源极接输入电压Vin,PMOS管M15的栅极和漏极与电流源E的一端相连并产生偏置电压Vb1,电流源E的另一端与NMOS管M16的漏极和栅极相连并产生偏置电压Vb2,NMOS管M16的源极接地。
快速响应电路2用于通过采集输出管Mp的输出电压Vout来感应负载瞬态阶跃,进而根据输出电压Vout经耦合、反向放大以及电平移位,生成一对控制信号VG1~VG2;本实施方式中,快速响应电路2由三个MOS管M12~M14和三个电阻R3~R5组成;其中,MOS管M12的源极接输入电压Vin,MOS管M12的栅极接收偏置电压产生电路32提供的偏置电压Vb1,MOS管M12的漏极与电阻R3的一端相连并生成控制信号VG1,电阻R3的另一端与电阻R4的一端相连并生成控制信号VG2,电阻R4的另一端与电阻R5的一端和MOS管M13的漏极相连,MOS管M13的源极接地,MOS管M13的栅极与电阻R5的另一端和MOS管M14的栅极相连,MOS管M14的源极与漏极共连并接输出管的输出端。本快速响应电路中,MOS管M12和M14均为PMOS管,其余MOS管均为NMOS管。
误差放大器12通过分压网络采集输出管Mp的反馈电压Vf,使其与基准电压Vref比较以对输出管Mp的输出电压Vout进行直流稳压;同时误差放大器12还根据控制信号VG1~VG2瞬态开关其自身的输出级电流,从而生成驱动信号以控制输出管Mp响应负载瞬态阶跃;本实施方式中,分压网络由两个电阻R1~R2组成,电阻R1的一端与输出管Mp的漏极相连,电阻R1的另一端与电阻R2的一端相连并产生反馈电压Vf,电阻R2的另一端接地;误差放大器12由七个MOS管M1~M7组成;其中,MOS管M6的源极与MOS管M7的源极相连并接输入电压Vin,MOS管M6的栅极与MOS管M7的栅极、MOS管M7的漏极和MOS管M2的漏极相连,MOS管M6的漏极与MOS管M5的源极相连,MOS管M5的漏极与MOS管M4的漏极和输出管Mp的栅极相连,MOS管M4的源极与MOS管M3的漏极相连,MOS管M3的栅极接收外部设备提供的基准电压Vref,MOS管M3的源极与MOS管M2的源极和MOS管M1的漏极相连,MOS管M2的栅极接收反馈电压Vf,MOS管M1的栅极接收偏置电压产生电路32提供的偏置电压Vb2,MOS管M1的源极接地,MOS管M5的栅极和MOS管M4的栅极分别接收快速响应电路2提供的控制信号VG1和控制信号VG2。本误差放大器中,MOS管M1~M4均为NMOS管,其余MOS管均为PMOS管。
补偿电容C的一端与快速响应电路2中MOS管M14的栅极相连,另一端与误差放大器12中MOS管M4的源极相连。
图5所示了本实施方式的仿真结果,当稳压器的负载电流Iload在1~10mA之间瞬态切换(如在植入式医疗电子设备或移动式通信设备的线性电源应用中),本实施方式可以快速将Vout的上冲和下冲均减小至输出稳定电压的±1%的范围内。而当负载电流Iload在1~40mA之间瞬态切换(如在消费类电子产品的大范围驱动电流应用中),本实施方式可以快速将Vout的上冲和下冲均减小至输出稳定电压的±5.5%的范围内,如图6所示。
Claims (8)
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括:偏置电压产生电路、误差放大器、输出管和快速响应电路;
所述的偏置电压产生电路用于向误差放大器和快速响应电路提供偏置电压;
所述的快速响应电路用于通过采集输出管的输出电压来感应负载瞬态阶跃,进而根据所述的输出电压经耦合、反向放大以及电平移位,生成一对控制信号;
所述的误差放大器通过分压网络采集输出管的反馈电压,使其与给定的基准电压比较以对输出管的输出电压进行直流稳压;同时误差放大器还根据所述的控制信号瞬态开关其自身的输出级电流,从而生成驱动信号以控制输出管响应负载瞬态阶跃。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述的快速响应电路和误差放大器通过补偿电容连接。
3.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述的误差放大器由十一个MOS管M1~M11组成;其中,MOS管M4~M6以及M10~M11均为NMOS管,其余MOS管均为PMOS管;
MOS管M1的源极与MOS管M7的源极和MOS管M8的源极相连并接输入电压Vin,MOS管M1的栅极接收偏置电压产生电路提供的偏置电压Vb1,MOS管M1的漏极与MOS管M2的源极和MOS管M3的源极相连,MOS管M2的栅极接收外部设备提供的基准电压,MOS管M3的栅极接收所述的反馈电压,MOS管M2的漏极与MOS管M6的栅极、MOS管M4的漏极和MOS管M4的栅极相连,MOS管M3的漏极与MOS管M11的栅极、MOS管M5的漏极和MOS管M5的栅极相连,MOS管M8的栅极与MOS管M7的栅极、MOS管M7的漏极和MOS管M6的漏极相连,MOS管M8的漏极与MOS管M9的源极相连,MOS管M9的漏极与MOS管M10的漏极和输出管的控制端相连,MOS管M10的源极与MOS管M11的漏极相连,MOS管M11的源极与MOS管M5的源极、MOS管M4的源极和MOS管M6的源极相连并接地;MOS管M9的栅极和MOS管M10的栅极分别接收快速响应电路提供的控制信号VG1和控制信号VG2。
4.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述的误差放大器由七个MOS管M1~M7组成;其中,MOS管M1~M4均为NMOS管,其余MOS管均为PMOS管;
MOS管M6的源极与MOS管M7的源极相连并接输入电压Vin,MOS管M6的栅极与MOS管M7的栅极、MOS管M7的漏极和MOS管M2的漏极相连,MOS管M6的漏极与MOS管M5的源极相连,MOS管M5的漏极与MOS管M4的漏极和输出管的控制端相连,MOS管M4的源极与MOS管M3的漏极相连,MOS管M3的栅极接收外部设备提供的基准电压,MOS管M3的源极与MOS管M2的源极和MOS管M1的漏极相连,MOS管M2的栅极接收所述的反馈电压,MOS管M1的栅极接收偏置电压产生电路提供的偏置电压Vb2,MOS管M1的源极接地,MOS管M5的栅极和MOS管M4的栅极分别接收快速响应电路提供的控制信号VG1和控制信号VG2。
5.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述的快速响应电路由三个MOS管M12~M14和三个电阻R3~R5组成;其中,MOS管M12和M14均为PMOS管,其余MOS管均为NMOS管;
MOS管M12的源极接输入电压Vin,MOS管M12的栅极接收偏置电压产生电路提供的偏置电压Vb1,MOS管M12的漏极与电阻R3的一端相连并生成控制信号VG1,电阻R3的另一端与电阻R4的一端相连并生成控制信号VG2,电阻R4的另一端与电阻R5的一端和MOS管M13的漏极相连,MOS管M13的源极接地,MOS管M13的栅极与电阻R5的另一端和MOS管M14的栅极相连,MOS管M14的源极与漏极共连并接输出管的输出端。
6.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述的偏置电压产生电路由PMOS管M15和电流源E组成;其中,PMOS管M15的源极接输入电压Vin,PMOS管M15的栅极和漏极与电流源E的一端相连并产生偏置电压Vb1,电流源E的另一端接地。
7.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述的偏置电压产生电路由PMOS管M15、NMOS管M16和电流源E组成;其中,PMOS管M15的源极接输入电压Vin,PMOS管M15的栅极和漏极与电流源E的一端相连并产生偏置电压Vb1,电流源E的另一端与NMOS管M16的漏极和栅极相连并产生偏置电压Vb2,NMOS管M16的源极接地。
8.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述的分压网络由两个电阻R1~R2组成,电阻R1的一端与输出管的输出端相连,电阻R1的另一端与电阻R2的一端相连并产生所述的反馈电压,电阻R2的另一端接地。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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