CN102820208B - 快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法 - Google Patents
快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102820208B CN102820208B CN201110151782.5A CN201110151782A CN102820208B CN 102820208 B CN102820208 B CN 102820208B CN 201110151782 A CN201110151782 A CN 201110151782A CN 102820208 B CN102820208 B CN 102820208B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- temperature control
- control curve
- rtp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110151782.5A CN102820208B (zh) | 2011-06-08 | 2011-06-08 | 快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110151782.5A CN102820208B (zh) | 2011-06-08 | 2011-06-08 | 快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102820208A CN102820208A (zh) | 2012-12-12 |
CN102820208B true CN102820208B (zh) | 2015-04-22 |
Family
ID=47304255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110151782.5A Active CN102820208B (zh) | 2011-06-08 | 2011-06-08 | 快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102820208B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111430234B (zh) * | 2019-06-13 | 2023-01-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种晶圆控片的快速热处理方法 |
CN113405683A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-09-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶片温度测量方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1695229A (zh) * | 2002-11-05 | 2005-11-09 | 马特森技术公司 | 用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法 |
CN101123170A (zh) * | 2006-08-11 | 2008-02-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 进行rta控温测量的方法及其所用的测控晶片 |
CN101286043A (zh) * | 2007-04-13 | 2008-10-15 | 东京毅力科创株式会社 | 热处理装置、控制常数的自动调整方法和存储介质 |
TW200847227A (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-01 | Ushio Electric Inc | Filament lamp and light irradiation type heat treatment device |
CN101399163A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 校正外延反应腔温度的方法 |
CN101452818A (zh) * | 2007-11-30 | 2009-06-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种可提高电极烧结机台烧结温度测量精准度的测量方法 |
-
2011
- 2011-06-08 CN CN201110151782.5A patent/CN102820208B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1695229A (zh) * | 2002-11-05 | 2005-11-09 | 马特森技术公司 | 用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法 |
CN101123170A (zh) * | 2006-08-11 | 2008-02-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 进行rta控温测量的方法及其所用的测控晶片 |
CN101286043A (zh) * | 2007-04-13 | 2008-10-15 | 东京毅力科创株式会社 | 热处理装置、控制常数的自动调整方法和存储介质 |
TW200847227A (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-01 | Ushio Electric Inc | Filament lamp and light irradiation type heat treatment device |
CN101399163A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 校正外延反应腔温度的方法 |
CN101452818A (zh) * | 2007-11-30 | 2009-06-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种可提高电极烧结机台烧结温度测量精准度的测量方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102820208A (zh) | 2012-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10943771B2 (en) | Methods for thermally calibrating reaction chambers | |
US9297705B2 (en) | Smart temperature measuring device | |
CN101399163B (zh) | 校正外延反应腔温度的方法 | |
JP5766647B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
CN109385623B (zh) | 一种薄膜沉积方法和沉积薄膜 | |
US9698065B2 (en) | Real-time calibration for wafer processing chamber lamp modules | |
CN102820208B (zh) | 快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法 | |
US7358162B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
CN101740432B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
JP2004063863A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN102623366B (zh) | 监测退火过程温度的方法 | |
CN103972139A (zh) | 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法 | |
JP3269463B2 (ja) | 薄膜成長温度の補正方法 | |
JP7230877B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2008098214A (ja) | 熱処理温度の補正方法及び熱処理方法 | |
CN103594392A (zh) | 一种晶片快速热处理机台 | |
JP6564689B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
CN102738027A (zh) | 热处理设备及其温度校准方法和装置 | |
Granneman | Conduction Heating in RTP Fast, and Pattern-independent | |
TWI287249B (en) | Rapid thermal process | |
JP5447111B2 (ja) | Soiウェーハの熱処理温度を求める方法及びランプ加熱型の気相成長装置における反応炉の温度管理方法 | |
JP4208995B2 (ja) | 基板温度の測定方法 | |
JPH09167774A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2008147371A (ja) | 温度測定方法および熱処理装置の温度管理方法 | |
JPH09232241A (ja) | エピタクシーリアクターの温度の校正法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: WUXI HUARUN SHANGHUA TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: WUXI CSMC SEMICONDUCTOR CO., LTD. Effective date: 20140403 Free format text: FORMER OWNER: WUXI HUARUN SHANGHUA TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20140403 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20140403 Address after: 214028 Xinzhou Road, Wuxi national hi tech Industrial Development Zone, Jiangsu, China, No. 8 Applicant after: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd. Address before: 214028 Wuxi provincial high tech Industrial Development Zone, Hanjiang Road, No. 5, Jiangsu, China Applicant before: Wuxi CSMC Semiconductor Co., Ltd. Applicant before: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |