CN102795854B - 一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102795854B
CN102795854B CN2012103108343A CN201210310834A CN102795854B CN 102795854 B CN102795854 B CN 102795854B CN 2012103108343 A CN2012103108343 A CN 2012103108343A CN 201210310834 A CN201210310834 A CN 201210310834A CN 102795854 B CN102795854 B CN 102795854B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power density
hour
piezoceramic material
high power
wet ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2012103108343A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102795854A (zh
Inventor
盖学周
汪跃群
胡望峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Resound Marine Instruments Co., Ltd.
Original Assignee
HANGZHOU RUILI ULTRASONIC DEVICE FACTORY
715th Research Institute of CSIC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HANGZHOU RUILI ULTRASONIC DEVICE FACTORY, 715th Research Institute of CSIC filed Critical HANGZHOU RUILI ULTRASONIC DEVICE FACTORY
Priority to CN2012103108343A priority Critical patent/CN102795854B/zh
Publication of CN102795854A publication Critical patent/CN102795854A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102795854B publication Critical patent/CN102795854B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明涉及一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法,组成式为:Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3 Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03+p mol%Pb0,式中:0.02<x<0.1;0<y<0.1;0<z<0.1;0.47<m<0.53;0.90<n<0.98;0<p<0.5;x、y、z、m、n、p为摩尔分数,且x+n=1,p是以Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03为基准外加的摩尔百分数。本发明的优点在于:采用本发明的材料配方和制备工艺,可以获得介电常数在1250±12.5%,平面机电耦合系数Kp为0.59±6.0%,机械品质因数Qm在700以上,瓷体密度ρ≥7.8g/cm3,居里温度Tc≥340℃,20度温升下最高振动速度(v20℃)可以达到1.0m/s的压电陶瓷材料。

Description

一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明属于电子元器件制造技术领域,主要是一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法。
技术背景
压电陶瓷的发现是从上世纪40年代中期发现BaTi03开始的,进而开发出具有更优异压电性能的Pb(Zr,Ti)03,然后在Pb(Zr,Ti)03基础上引入第三组元,开发出三组分体系复合钙钛矿化合物。如今压电陶瓷已广泛应用在陶瓷谐振器、陶瓷滤波器等频率器件和超声清洗、超声焊接和超声马达等功率器件中。用在大功率场合下的压电陶瓷材料,经常出现发热严重、非线性、压电性能衰减和机械强度不够等问题。为了解决这个问题:首先,即使在大功率输出下机械品质因数和机电耦合系数也必须是高的,从而能量转换效率高,可以降低内耗进而降低热辐射;其次,介电损耗必须是足够低以降低内部发热;再次,压电陶瓷颗粒尺寸必须是精细的,以增加机械强度和瓷体密度;因而,为了适应大功率输出的要求,压电陶瓷必须具有优异的机械品质因数Qm和机电耦合系数、低介电损耗tgδ。本发明正是为了解决上述问题而进行的。
发明内容
本发明的目的是提供一种功率密度高,机械品质因数Qm、机电耦合系数优异和介电损耗低的高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法,主要用于超声清洗、超声焊接和压电马达等方面。
本发明的目的是通过如下技术方案来完成的。本发明旨在通过Pb(Mn1/3 Nb2/3)、Sr、Mg和Pb0的掺杂取代改性,为功率超声提供一种高功率密度、机械品质因数和机电耦合系数优异的压电陶瓷材料配方及其制备方法。这种高功率密度压电陶瓷材料,组成式为:Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3 Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03+p mol% Pb0,式中:0.02<x<0.1;0<y<0.1;0<z<0.1;0.47<m<0.53;0.90<n<0.98;0<p<0.5;x、y、z、m、n、p为摩尔分数,且x+n=1,p是以Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3 Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03为基准外加的摩尔百分数。
所述的材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01(Mn1/3 Nb2/3)0.045(Ti0.48 Zr0.52)0.95503+0.2mol%Pb0。
所述的材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01(Mn1/3 Nb2/3)0.048(Ti0.48 Zr0.52)0.95203+0.2mol%Pb0。
所述的材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01(Mn1/3 Nb2/3)0.05(Ti0.48 Zr0.52)0.9503+0.2mol%Pb0。
所述的材料组成,进一步包含下列物质中的一种:0.3wt%Fe203或0.25wt%Ce02
本发明所述的这种高功率密度压电陶瓷材料的制备方法,工艺步骤是:
①根据上述配方组成,按化学计量比进行配料;
②用玛瑙球作为研磨介质,湿法球磨混料15-25小时,烘干后进行预烧合成,合成条件为650℃保温1-2小时,800~900℃保温2-3小时;
③预烧好的料块经粗碎后,用玛瑙球作为球磨介质,经湿法球磨30-50小时,料浆烘干后加入重量百分比为3~7%聚乙烯醇PVA粘结剂造粒,聚乙烯醇粘结剂的加入量是以合成的压电陶瓷料块经湿法球磨后烘干粉料重量为基准的,通过单轴成型方法制得坯体;
④成型后的坯体在750~850℃保温2-5小时排胶;
⑤然后将素坯置于Al203承烧板(坩埚)上,用Al203坩埚罩住素坯,形成密闭环境,然后在氧化气氛中于1230~1280℃保温2-3小时烧结;将烧结瓷体加工成Φ20×1、Φ50×Φ23×7.5两种尺寸;
⑥上好电极的试样放入150~160℃硅油中,施加直流电场极化15-30分钟。即上电极极化和性能测试;采用阿基米德排水法测量机加工后瓷体的密度。
作为优选,烧结时的升温速度为2~3℃/分钟,即氧化气氛中以2~3℃/分钟的速率升温至1230~1280℃,保温2-3小时烧结。
作为优选,极化时的电场强度为2~3KV/mm。
本发明的压电陶瓷材料配方包括以下组分,即向Pb(Zr,Ti)03双组分体系中添加:
a)用于增长机械品质因数Qm和机电耦合系数Kp的Pb(Mn1/3 Nb2/3);
b)添加Sr以代替一部分Pb用量,可以防止谐振频率的温度特性退化,提高介电常数,改善高压下物理性能的恶化;
c)添加Mg以代替一部分Pb用量,可以增加矫顽场Ec,降低介电损耗tgδ,促进烧结,增加瓷体密度和机械强度;
d)掺杂Fe203可以提高压电材料的矫顽电场Ec和居里温度Tc,提高压电材料的功率密度;
e)掺杂Ce02,它将沉淀成颗粒边界以使得颗粒变细,增加机械强度和瓷体密度;现在描述限制本发明压电陶瓷材料组分含量的原因。
在本发明的三组分体系压电陶瓷组合物中,组分Sry,y应优选限制为0<y<0.1,理由如下。即,如果y超过0.1,居里温度和矫顽场降低;
另外,在组分Mgz中,z应优选限制为0<z<0.1,原因是如果z超过0.1,介电损耗增大,介电常数降低;
而且,(Mn1/3 Nb2/3x中,x应优选限制为0.02<x<0.1,且理由如下。即,如果超出上述范围,则对机械品质因数Qm和机电耦合系数Kp没有改进效果。
另外,(TimZr1-m)中,m应优选限制为0.47<m<0.53,且理由如下。即,在该范围附近,有准同型相界,而且如果采纳所述范围,压电性能优异,且谐振频率的温度特性变得更佳。
同时,用于补偿Pb0蒸发损失的p mol%Pb0中,p应优选限制为0<p<0.5,理由如下。即,如果p超过0.5,Pb0就变得过量,容易造成烧结后颗粒变大,瓷体密度降低;
在本发明的压电陶瓷材料中,如果Fe203以0.3wt%或更低的量掺杂,则矫顽电场和居里温度可以进一步提高。而且,如果掺杂Ce02,它将沉淀成颗粒边界以使得颗粒变细。如果这个效果没有实现,则Ce02的添加量优选为0.25wt%或更低。
本发明的优点在于:采用本发明的材料配方和制备工艺,可以获得介电常数在1250±12.5%,平面机电耦合系数Kp为0.59±6.0%,机械品质因数Qm在700以上,瓷体密度ρ≥7.8g/cm3,居里温度Tc≥340℃,20度温升下最高振动速度(v20℃)可以达到1.0m/s的压电陶瓷材料。
具体实施方式
下面将基于实际的实例对本发明进行更详细的描述。
这种高功率密度压电陶瓷材料,组成式为:Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3 Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03+pmol%Pb0,式中:0.02<x<0.1;0<y<0.1;0<z<0.1;0.47<m<0.53;0.90<n<0.98;0<p<0.5;x、y、z、m、n、p为摩尔分数,且x+n=1,p是以Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3 Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03为基准外加的摩尔百分数。
所述的材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01(Mn1/3 Nb2/3)0.045(Ti0.48Zr0.52)0.95503+0.2mol%Pb0。
所述的材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01(Mn1/3 Nb2/3)0.048(Ti0.48Zr0.52)0.95203+0.2mol%Pb0。
所述的材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01(Mn1/3 Nb2/3)0.05(Ti0.48Zr0.52)0.9503+0.2mol%Pb0。
实施例1
材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01[(Mn1/3 Nb2/3)0.045(Ti0.48Zr0.52)0.955]03+0.2mol%Pb0+0.25wt%Ce02,根据上述配方组成,按化学计量比进行配料4000克,用玛瑙球作为球磨介质,湿法球磨混料20小时,出浆烘干后压块预烧,预烧好的料块经粗碎后用玛瑙球作为球磨介质,湿法球磨40小时,粉料烘干后加入5%PVA(聚乙烯醇)粘结剂造粒,粘结剂的加入量是以预烧的压电陶瓷料块经湿法球磨后烘干粉料重量为基准加入的。
通过单轴成型法制得坯体,成型后坯体在空气中800℃保温2小时排胶,冷却后将素坯置于Al203坩埚中,在氧化气氛中以2~3℃/分钟的速率升温至1260℃,保温2小时烧结,随后将烧结瓷体加工成Φ20×1、Φ50×Φ23×7.5两种尺寸,然后上电极极化和性能测试,采用阿基米德排水法测量机加工后瓷体的密度。Φ20×1、Φ50×Φ23×7.5两种元件的压电性能和瓷体密度见表一和表二。
表一Φ20×1压电性能和瓷体密度
  介电常数   tgδ%   Kp   Qm   Nd   ρ
  1107   0.35   0.592   810   2130   7.82
表一Φ50×Φ23×7.5压电性能和瓷体密度
  介电常数   tgδ%   Kr   Qm   Nr   ρ
  1194   0.24   0.521   969   1640   7.80
表中:Kp:平面机电耦合系数;
Kr:径向机电耦合系数;
tgδ:介电损耗;
Qm:机械品质因数;
Nd:圆片径向伸缩模频率常数;
Nr:中空薄圆片径向伸缩模频率常数;
ρ:瓷体密度;
实施例2
材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01[(Mn1/3 Nb2/3)0.048(Ti0.48Zr0.52)0.952]03+0.2mol%Pb0+0.3wt%Fe203,根据上述配方组成,按化学计量比进行配料4000克,用玛瑙球作为球磨介质,湿法球磨混料20小时,出浆烘干后压块预烧,预烧好的料块经粗碎后用玛瑙球作为球磨介质,湿法球磨40小时,粉料烘干后加入5%PVA(聚乙烯醇)粘结剂造粒,粘结剂的加入量是以预烧的压电陶瓷料块经湿法球磨后烘干粉料重量为基准加入的。
通过单轴成型法制得坯体,成型后坯体在空气中800℃保温2小时排胶,然后将素坯置于Al203坩埚中,在氧化气氛中以2~3℃/分钟的速率升温至1260℃,保温2小时烧结,随后将烧结瓷体加工成Φ20×1、Φ50×Φ23×7.5两种尺寸,然后上电极极化和性能测试,采用阿基米德排水法测量机加工后瓷体的密度。Φ20×1、Φ50×Φ23×7.5两种元件的压电性能和瓷体密度见表三和表四。
表三Φ20×1压电性能和瓷体密度
  介电常数   tgδ%   Kp   Qm   Nd   ρ
  1130   0.32   0.595   800   2130   7.81
表四Φ50×Φ23×7.5压电性能和瓷体密度
  介电常数   tgδ%   Kr   Qm   Nr   ρ
  1141   0.23   0.532   1050   1640   7.80
实施例3
材料组成为:Pb0.97Sr0.02Mg0.01[(Mn1/3 Nb2/3)0.05(Ti0.48Zr0.52)0.95]03+0.2mol%Pb0+0.3wt%Fe203,根据上述配方组成,按化学计量比进行配料4000克,用玛瑙球作为球磨介质,湿法球磨混料20小时,出浆烘干后压块预烧,预烧好的料块经粗碎后用玛瑙球作为球磨介质,湿法球磨40小时,粉料烘干后加入5%PVA(聚乙烯醇)粘结剂造粒,粘结剂的加入量是以预烧的压电陶瓷料块经湿法球磨后烘干粉料重量为基准加入的。
通过单轴成型法制得坯体,成型后坯体在空气中800℃保温2小时排胶,然后将素坯置于Al203坩埚中,在氧化气氛中以2~3℃/分钟的速率升温至1260℃,保温2小时烧结,随后将烧结瓷体加工成Φ20×1、Φ50×Φ23×7.5两种尺寸,然后上电极极化和性能测试,采用阿基米德排水法测量机加工后瓷体的密度。Φ20×1、Φ50×Φ23×7.5两种元件的压电性能和瓷体密度见表五和表六。
表五Φ20×1压电性能和瓷体密度
  介电常数   tgδ%   Kp   Qm   Nd   ρ
  1190   0.32   0.590   838   2120   7.80
表六Φ50×Φ23×7.5压电性能和瓷体密度
  介电常数   tgδ%   Kr   Qm   Nr   ρ
  1243   0.21   0.523   1170   1630   7.79

Claims (4)

1.一种高功率密度压电陶瓷材料,其特征在于:组成式为:Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03+pmol%Pb0,式中:0.02﹤x﹤0.1;0﹤y﹤0.1;0﹤z﹤0.1;0.47﹤m﹤0.53;0.90﹤n﹤0.98;0﹤p﹤0.5;x、y、z、m、n、p为摩尔分数,且x+n=1,p是以Pb1-y-zSryMgz[(Mn1/3Nb2/3)x(TimZr1-m)n]03为基准外加的摩尔百分数;上述组成式中,进一步包含下列物质中的一种:0.3wt%Fe203或0.25wt%Ce02
2.一种制备如权利要求1所述高功率密度压电陶瓷材料的方法,其特征在于:工艺步骤是:
①按所述的组成式进行配料;
②湿法球磨混料15-25小时,烘干后进行合成,合成条件为650℃保温1-2小时,800~900℃保温2-3小时;
③预烧好的料块经粗碎后,经湿法球磨30-50小时,烘干后加入重量百分比为3~7%聚乙烯醇粘结剂造粒,聚乙烯醇粘结剂是以湿法球磨后烘干粉料重量为基准的,通过单轴成型方法制得坯体;
④成型后的坯体在750~850℃保温2-5小时排胶;
⑤然后将素坯置于Al203承烧板上,用Al203坩埚罩住素坯,形成密闭环境,然后在氧化气氛中于1230~1280℃保温2-3小时烧结;
⑥上好电极的试样放入150~160℃硅油中,施加直流电场极化15-30分钟。
3.根据权利要求2所述的高功率密度压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于:烧结时的升温速度为2~3℃/分钟。
4.根据权利要求2所述的高功率密度压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于:极化时的电场强度为2~3KV/mm。
CN2012103108343A 2012-08-28 2012-08-28 一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法 Active CN102795854B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012103108343A CN102795854B (zh) 2012-08-28 2012-08-28 一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012103108343A CN102795854B (zh) 2012-08-28 2012-08-28 一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102795854A CN102795854A (zh) 2012-11-28
CN102795854B true CN102795854B (zh) 2013-12-11

Family

ID=47195197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012103108343A Active CN102795854B (zh) 2012-08-28 2012-08-28 一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102795854B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105272234B (zh) * 2015-10-14 2019-01-08 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 一种高灵敏度中功率“收/发”两用型压电陶瓷材料及其制备方法
JPWO2020017325A1 (ja) * 2018-07-17 2021-04-30 株式会社村田製作所 圧電セラミックス、セラミックス電子部品、及び、圧電セラミックスの製造方法
CN109336593A (zh) * 2018-10-19 2019-02-15 海鹰企业集团有限责任公司 一种耐高温压电陶瓷及其制备工艺
CN111875378A (zh) * 2020-07-14 2020-11-03 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 一种pzt基高居里温度压电陶瓷及制备方法
CN114133243A (zh) * 2021-12-17 2022-03-04 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 一种高介电常数高压电应变发射型压电陶瓷材料及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1557775A (zh) * 2004-02-13 2004-12-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 掺杂铌锰酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备工艺
CN1958509A (zh) * 2006-11-27 2007-05-09 浙江嘉康电子股份有限公司 一种纳米粉体直接添加的改性pzt压电陶瓷及其制备方法
US20120172194A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Dielectric ceramic and method of manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1025703C (zh) * 1990-10-29 1994-08-17 湖北大学 一种大功率压电陶瓷材料
JP4100847B2 (ja) * 1999-12-28 2008-06-11 Tdk株式会社 圧電セラミック組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1557775A (zh) * 2004-02-13 2004-12-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 掺杂铌锰酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备工艺
CN1958509A (zh) * 2006-11-27 2007-05-09 浙江嘉康电子股份有限公司 一种纳米粉体直接添加的改性pzt压电陶瓷及其制备方法
US20120172194A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Dielectric ceramic and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN102795854A (zh) 2012-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102795854B (zh) 一种高功率密度压电陶瓷材料及其制备方法
TWI272735B (en) Piezoelectric ceramic composition
CN111302797B (zh) 一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
WO2017181912A1 (zh) 无铅压电陶瓷材料和无铅压电元件
CN109796205B (zh) 一种铋层状结构钛钽酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法
CN101215168B (zh) 镁钽酸锆钛酸铅陶瓷的掺杂改性方法
CN111548156A (zh) 一类高储能密度和温度稳定性的铌酸银基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法
CN107840655B (zh) 准同型相界的钛酸铋钾基无铅弛豫铁电陶瓷的制备方法
CN109320244B (zh) 一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法
CN102775142B (zh) 一种无铅电致伸缩陶瓷材料及其制备方法
CN103408303A (zh) 一种高稳定高压电性能压电陶瓷材料
Wang et al. Enhanced dielectric and piezoelectric properties of aurivillius‐type potassium bismuth titanate ceramics by cerium modification
CN108409321B (zh) 一种掺杂LaMnO3的钛酸铋铁高温压电陶瓷及其制备方法
CN102718483B (zh) 应用于倒车雷达传感器的压电陶瓷材料及制备方法
CN104311004A (zh) Ptc陶瓷材料及提高ptc陶瓷材料居里点以下电阻温度稳定性的方法
CN113582692A (zh) 低温烧结的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法
WO2006093043A1 (ja) 積層型圧電体素子
CN106187165B (zh) 一种高储能密度介质陶瓷材料及其制备方法
CN112645709A (zh) 一种pzt基压电陶瓷及其制备方法
WO2007039971A1 (ja) 圧電磁器組成物及び圧電部品
CN115417670B (zh) 一种在b位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法
CN105732029A (zh) 一种玻璃相掺杂的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷材料及其低温烧结制备工艺
CN113683410B (zh) 具有负电卡效应的钛酸铋基铋层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法
CN101747038B (zh) 一种高性能K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷
CN110078508B (zh) 一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20181011

Address after: 310023 96 Huaxing Road, Xihu District, Hangzhou, Zhejiang

Co-patentee after: Hangzhou Ruili Ultrasonic Device Factory

Patentee after: Hangzhou Resound Marine Instruments Co., Ltd.

Address before: 310012 96 Huaxing Road, Xihu District, Hangzhou, Zhejiang

Co-patentee before: Hangzhou Ruili Ultrasonic Device Factory

Patentee before: No.715 Inst., China Ship Heavy Industry Group Corp.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191204

Address after: Room 3002, No. 136, Yuanpu street, Shuangpu Town, Xihu District, Hangzhou City, Zhejiang Province

Patentee after: Hangzhou Resound Marine Instruments Co., Ltd.

Address before: 310023 No. 96 Huaxing Road, Hangzhou, Zhejiang, Xihu District

Co-patentee before: Hangzhou Ruili Ultrasonic Device Factory

Patentee before: Hangzhou Resound Marine Instruments Co., Ltd.