CN102789954A - 具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备 - Google Patents

具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备 Download PDF

Info

Publication number
CN102789954A
CN102789954A CN201210325466XA CN201210325466A CN102789954A CN 102789954 A CN102789954 A CN 102789954A CN 201210325466X A CN201210325466X A CN 201210325466XA CN 201210325466 A CN201210325466 A CN 201210325466A CN 102789954 A CN102789954 A CN 102789954A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tungsten electrode
tungsten
discharge end
grain
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210325466XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102789954B (zh
Inventor
朱惠冲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Foshan Ning Yu Polytron Technologies Inc
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201210325466.XA priority Critical patent/CN102789954B/zh
Publication of CN102789954A publication Critical patent/CN102789954A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102789954B publication Critical patent/CN102789954B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Discharge Lamp (AREA)

Abstract

发明涉及到气体放电灯灯丝电极领域,具体涉及到一种具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备。本发明的突出特点和有益效果为:在钨电极端部受到高频和超高频感应加热过程中,低熔点成分挥发,端部钨成为高纯度,达99.999%,杂质含量减少,在放电工作时,电极光通量维持率高;由于端部定向快速冷却结晶,端部钨晶粒大而少,且呈柱状束沿钨极轴向排列,在通电时,电子云可在单个晶粒体中无阻碍流动,在材料中不加入具有放射性元素稀土钍的情况下,仍可以实现较低电压起辉和维持正常电导通;由于电极为钨材料组成,不含有任何稀土金属,减少资源的使用,降低成本,电极对人体无害。

Description

具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备
技术领域
本发明涉及到气体放电灯灯丝电极领域,具体涉及到全新构思的一种具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备。
背景技术
钨电极广泛应用于各种特种光源灯具中作气体放电灯灯丝电极。因钨熔点高达3410℃,通常只能采用粉末冶金工艺方法生产,再经过后道工序锻造和拉拔,晶粒细小,大量晶界存在,造成杂质附集。为确保电极低电压起辉,往往还要添加具有放射性的稀土金属钍;在放电工作过程中,由于放电端部其他低熔点成份微小颗粒的蒸发,导致光通量维持率逐步下降;而随着社会环保意识的增强,含有钍的放电电极应该废除。设计制备性能良好而且不含放射性物质的电极成为照明行业的当务之急。
发明内容
本发明提出一种创新构思的气体放电灯灯丝电极,其放电关键部分即放电端部形成特殊的金相组织结构。其要点是:1)钨电极的放电端端部由高纯度钨组成,在电极工作时,有效地减少了有害物质的挥发,提高电极寿命及灯管工作后期有效光通,抑制了灯管工作后期的光衰;2)改变原有的细密多晶组织结构,在端部形成沿电极轴线定向结晶的大晶粒甚至单晶粒,电极中电子运动方向上的晶界被消除,电流导通方向无晶界阻碍,可以实现低电压起辉,避免高电压对电极的冲击,延长电极寿命。
本发明的上述两个目的通过以下技术方案和装备实现:设计一种对电极放电端部作处理的装备。首先对电极端部作高频感应加热,使其低熔点成份挥发,再超高频快速感应加热,使钨成球状熔池,即分段感应加热工艺法。在钨极的端部设置高频感应线圈,先采用频率30-80KHz的高频,感应加热30-60秒,使得原来在钨晶粒晶界之间的低熔点成份蒸发逸出,用真空泵抽出;随后用0.9-1.1MHz的超高频电继续对端部快速感应加热,时间约3秒,端部的钨熔融成熔池,原有的钨晶体全部融合,低熔点成份进一步挥发,经过本发明办法的纯化后,端部钨成为高纯度达99.999%,钨极放电端部的杂质元素Fe含量减少10%以上、Na含量减少20%-80%、K含量减少20%-80%、Si含量减少20%-80%、P含量减少20%-80%、S含量减少20%-80%、Ni含量减少20%-80%、Ac含量减少20%-80%、Ca含量减少20%-80%、Cr含量减少20%-80%。然后对钨极进行可控制的冷却,钨丝的另一端与高效导热器连接,导热器内通水,热量迅速从钨极的端部通过钨极的杆部传出,端部的钨熔池开始定向结晶,由于熔液中极少杂质,也没有受到外力的介入,成核数量少,甚至可以出现单晶体,晶粒的径向直径是钨电极杆部细晶粒直径的10-1000倍。由于熔池的热量沿轴向向钨电极杆部流动,结晶成定向,柱状晶粒相互平行且成为与钨电极轴线一致的束状。
本发明的突出特点和有益效果:
1)在端部受到高频和超高频感应加热过程中,低熔点成分挥发,
端部钨成为高纯度达99.999%,杂质含量减少,在放电工作时,电极光通量维持率高。
2)端部钨晶粒大而少,且呈柱状束沿钨极轴向排列,在通电时,电子云可在单个晶粒体中无阻碍流动。在材料中不加入具有放射性稀土钍的情况下,仍可以实现较低电压起辉和维持正常电导通,延长电极寿命。
3)由于电极为钨材料组成,不含有任何稀土金属,减少了稀有资源的使用,降低成本。电极对人体无害。
附图说明
图1为实现本发明的工艺装备,图中1为高频感应线圈,2为高频和超高频发生器,3为钨极端部,4为钨极杆部,5为真空密封玻璃罩,6为可控导热器,7为冷却水进出口,8为真空泵。可由PLC对高频发生器、真空泵和导热器的循环工作进行控制。
图2为钨电极端部的高倍金相显微照片,可以看到,少数柱状晶粒组合成束状,束状的走向与钨电极的轴线一致。
具体实施方式
一种气体放电灯钨电极的新金相组织结构的加工工艺,可采用图1所示的工艺装备实现。钨电极由钨电极端部3和钨电极杆部4组成,首先把钨电极置入高频感应线圈1的中间,关闭真空密封玻璃罩5,然后高频和超高频发生器2通电,高频感应线圈1中产生高频和超高频交流电,使钨电极端部感应加热升温,此时开启真空泵8,把真空密封玻璃罩5中的空气抽出。加热结束时,立即向冷却水进出口7通入冷却水,并控制通入水的流量,可控导热器6把钨电极端部3的热量经钨电极杆部4快速导出。
为了确保电极端部3的钨材料达到高纯度99.999%,应严格掌握高频感应线圈1通入高频电流的时间,以30-60秒为宜,应及时抽取样品,检验钨的纯度以调节高频电流工作时间。通入超高频电流时间不宜过长,一方面要确保端部金属形成熔池,另一方面要确保熔池能立在钨极端部而不坍塌,以形成良好美观有光泽的钨电极端部3,钨电极端部3轴向长度以0.5-1.5mm为宜。导热器必须与钨电极杆部4的另一端有良好的接触,使钨电极端部的热量可通过钨电极杆部快速导出。调节通入冷却水进出口7的水流量,可控制冷却速率。

Claims (12)

1.一种具有定向结晶大晶粒放电端的钨电极,其特征在于钨电极端部钨晶粒大而少,晶粒的径向尺寸是钨电极杆部细晶粒直径的10-1000倍,且呈柱状束沿钨电极轴向排列。
2.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素Fe较钨电极杆部降低10%以上。
3.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素Na较钨电极杆部降低20%-80%以上。
4.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素K较钨电极杆部降低20%-80%以上。
5.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素Si较钨电极杆部降低20%-80%以上。
6.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素P较钨电极杆部降低20%-80%以上。
7.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素S较钨电极杆部降低20%-80%以上。
8.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素Ni较钨电极杆部降低20%-80%以上。
9.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素Ac较钨电极杆部降低20%-80%以上。
10.定向结晶粒钨电极放电端的杂质元素Ca较钨电极杆部降低20%-80%以上。
11.根据权利要求1所述的一种具有定向结晶大晶粒放电端的钨电极及其制备,其特征在于对电极端部作高频感应加热,使低熔点成份蒸发,再超高频快速感应加热,使钨成球状熔池,即分段加热工艺法。
12.根据权利要求1所述的一种具有定向结晶大晶粒放电端的钨电极及其制备,其特征在于钨极的另一端与高效散热器连接,端部的钨熔融成熔池后,散热器内通水且控制流量,对钨极进行可控制的冷却,热量迅速从钨极的端部通过钨极的杆部传出,端部的钨熔池开始定向结晶成柱状大晶粒,柱状晶粒相互平行且成为与钨丝轴线一致的束状。
CN201210325466.XA 2012-09-05 2012-09-05 具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备 Active CN102789954B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210325466.XA CN102789954B (zh) 2012-09-05 2012-09-05 具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210325466.XA CN102789954B (zh) 2012-09-05 2012-09-05 具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102789954A true CN102789954A (zh) 2012-11-21
CN102789954B CN102789954B (zh) 2016-01-20

Family

ID=47155328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210325466.XA Active CN102789954B (zh) 2012-09-05 2012-09-05 具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102789954B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113790814A (zh) * 2021-08-31 2021-12-14 东南大学 一种球形尖端微纳热电偶探针及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1045277A (zh) * 1989-03-01 1990-09-12 北京科技大学 真空感应重熔制取等轴细晶锭
CN1563439A (zh) * 2004-03-25 2005-01-12 马华政 钢坯加热炉用定向凝固垫块及其制作工艺
JP2005015917A (ja) * 2003-06-05 2005-01-20 Nippon Tungsten Co Ltd 高融点金属線状材およびその製造方法
CN101266973A (zh) * 2007-03-15 2008-09-17 恩益禧电子股份有限公司 半导体器件及其制造工艺
JP2009217983A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Sanken Electric Co Ltd 電極組立体
CN101840824A (zh) * 2010-06-05 2010-09-22 周义华 一种高强度气体放电电极的制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1045277A (zh) * 1989-03-01 1990-09-12 北京科技大学 真空感应重熔制取等轴细晶锭
JP2005015917A (ja) * 2003-06-05 2005-01-20 Nippon Tungsten Co Ltd 高融点金属線状材およびその製造方法
CN1563439A (zh) * 2004-03-25 2005-01-12 马华政 钢坯加热炉用定向凝固垫块及其制作工艺
CN101266973A (zh) * 2007-03-15 2008-09-17 恩益禧电子股份有限公司 半导体器件及其制造工艺
JP2009217983A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Sanken Electric Co Ltd 電極組立体
CN101840824A (zh) * 2010-06-05 2010-09-22 周义华 一种高强度气体放电电极的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙红婵等: "化学气相沉积高纯钨的择优取向与性能研究", 《稀有金属材料与工程》, vol. 39, no. 8, 31 August 2010 (2010-08-31) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113790814A (zh) * 2021-08-31 2021-12-14 东南大学 一种球形尖端微纳热电偶探针及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102789954B (zh) 2016-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109052407A (zh) 一种硅切割废料的回收与提纯方法
CN103695825A (zh) 一种高导电率的高强度铜铬锆合金细线导体的制备方法
CN101767200B (zh) 一种微细球形Nd-Fe-B粉的制备方法
CN110385442A (zh) 一种太阳能电池银浆用超细银铋合金粉的生产方法
JPS61288044A (ja) セリウム入りタングステン電極材及びその製造方法
CN102465209A (zh) 一种高纯金属钕的制备方法及其装置
CN107523771B (zh) 一种原位增强铜铬锆合金高温耐软化性的方法
CN103170764B (zh) 一种钎料合金粉末及其制备方法
CN101302013A (zh) 低磷太阳能级多晶硅的制备方法
CN113564690B (zh) 一种提纯六硼化镧的方法
CN104711438B (zh) 一种制备高纯镓的方法及其装置
CN102789954A (zh) 具有定向结晶大晶粒放电端部的钨电极及其制备
CN207971424U (zh) 一种感应加热与射频等离子联合雾化制粉系统
CN106399721A (zh) 一种半导体靶材用高纯镍锭的制备工艺
CN101525698A (zh) 一种制备高纯镍锭的方法
RU197530U1 (ru) Устройство для сфероидизации композиционного металлсодержащего порошка для 3D-печати
CN104724710B (zh) 一种电渣重熔与合金熔析精炼同步提纯工业硅的方法
CN106636668B (zh) 一种废旧电磁线铜精炼剂及其制备方法和应用
CN105002553B (zh) 真空环境中使用的环形电子束无坩埚区域熔炼装置
CN103540775A (zh) 用于熔炼ta10铸锭的镍钼中间合金制备方法
CN107520457A (zh) 镍铜合金纳米粉的制备方法
Zhu et al. Rapid preparation of tritium breeder material Li2TiO3 pebbles by thermal plasma
CN107309408B (zh) 低成本生产高导磁非晶纳米晶合金带材的方法
Zhang et al. Research and application of rare earth tungsten electrode materials
CN106916959B (zh) 电磁复合场下固态电迁移提纯稀土金属的方法和装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FOSHAN NINGYU TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: ZHU HUICHONG

Effective date: 20140917

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20140917

Address after: 528226 Guangdong Province, Foshan City Nanhai Luocun Langsha Avenue new light industrial base in North Guangdong in the core area of C District 5 floor 1-16 axis

Applicant after: FOSHAN NINGYU TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 528226, Foshan, Guangdong Province, Nanhai District, Luo Village street, union industrial center, No. 1, Chung Chung Road, the whole building

Applicant before: Zhu Huichong

DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Ning Xiangxiang

Document name: Notification of Passing Examination on Formalities

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: The town of Nanhai District, Guangdong city of Foshan province Luo village 528226 Langsha Avenue new light industrial base in North Guangdong in the core area of C District 5 floor (1-16 axis)

Patentee after: Foshan Ning Yu Polytron Technologies Inc

Address before: 528226 Guangdong Province, Foshan City Nanhai Luocun Langsha Avenue new light industrial base in North Guangdong in the core area of C District 5 floor 1-16 axis

Patentee before: FOSHAN NINGYU TECHNOLOGY CO., LTD.

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Tungsten electrode with directional crystallization large-grain discharge end and preparation method for tungsten electrode

Effective date of registration: 20180322

Granted publication date: 20160120

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd Foshan branch

Pledgor: Foshan Ning Yu Polytron Technologies Inc

Registration number: 2018440000064

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20211102

Granted publication date: 20160120

Pledgee: Bank of China Limited Foshan branch

Pledgor: Foshan Ningyu Technology Co., Ltd

Registration number: 2018440000064