CN102775154B - 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法 - Google Patents

一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102775154B
CN102775154B CN201210271182.7A CN201210271182A CN102775154B CN 102775154 B CN102775154 B CN 102775154B CN 201210271182 A CN201210271182 A CN 201210271182A CN 102775154 B CN102775154 B CN 102775154B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
thermistor
pressure
surface electrode
improved
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210271182.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102775154A (zh
Inventor
王瑞兵
聂波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiaogan Huagong Gaoli Electron Co Ltd
Original Assignee
Xiaogan Huagong Gaoli Electron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiaogan Huagong Gaoli Electron Co Ltd filed Critical Xiaogan Huagong Gaoli Electron Co Ltd
Priority to CN201210271182.7A priority Critical patent/CN102775154B/zh
Publication of CN102775154A publication Critical patent/CN102775154A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102775154B publication Critical patent/CN102775154B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法。在Mn3O4, Co3O4, Fe2O3中微量掺杂ZnO,混合均匀经过球磨、预烧、喷雾造粒后成型,置于热压炉,通过升温时升压、恒温、恒压在1050-1150℃、10Mpa烧结、降温同时降压;再在瓷体表面用真空蒸发镀膜方式制备表面电极。本发明通过升温时升压、恒温时恒压、降温时降压的热压烧结工艺,烧结恒温温度1050-1200℃,低于1400℃,大大提高了材料的致密度、热传导系数;采用蒸发镀膜工艺制备陶瓷表面电极,表面金属电极与瓷体结合好,提高了热传导系数,进而提高了负温度系数热敏电阻的耗散系数、伏安特性值;提高了可耐受的最大直流电压,使其避免了在大的工作电压冲击下因为散热不良引起的自热现象,提高了热敏电阻温度测量和控制的准确性。

Description

一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法
技术领域
本发明涉及一种负温度系数(NTC)陶瓷热敏电阻的制造方法。
背景技术
在半导体类负温度系数热敏电阻中,常用的负温度系数(NTC)热敏电阻由锰、钴、铁、镍等过渡金属氧化物组成,该种负温度系数热敏电阻(NTC)具有电阻值随着温度上升而呈指数形式下降的特性。由于热敏电阻具备芯片体积小、尺寸与形状的变化灵活、绝对电阻大的特点,在进行温度测量时具有反应灵敏、高精度、低成本的特点,且能够使用很长的连接线和容许较大的接触电阻。由于其独特的特性,在家电、汽车、医疗、航空航天等领域的温度测量控制、温度补偿、间接测量其它参数如液体位置、液体流量、真空度等有广泛应用,
NTC热敏电阻芯片体积小、反应灵敏、组装方是它的优点,它能很快稳定,不会造成热负载。但热敏电阻是一种电阻性器件,需要使用电流源,任何电流源都会在其上因功率而造成发热。为了能够让NTC热敏电阻精确地反映出温度的高低,就必须注意避免因电流过大而引起热敏电阻“自热”的现象。NTC热敏电阻的静态伏安特性即电压-电流特性是NTC热敏电阻基本又重要的特性之一。它表示在热敏电阻器两端的电压和通过它的电流在热敏电阻器和周围介质热平衡时—即加在元件上的电功率和耗散功率相等时的关系。该特性曲线表明了在一定温度的静止介质中,随着通过NTC元件上的电流改变,元件两端电压的变化规律。
在NTC静态伏安特性曲线中,存在一个Im对应的Umax,达到Umax,NTC热敏电阻的电功率和耗散功率达到了平衡状态,由于自热带来的温升影响最小,影响测试精度最小,这个Umax通常也称为最大可耐受直流电压,提高最大可耐受直流电压即可有效避免热敏电阻产生的自热现象,真实的反映环境温度,避免产生测量误差。
传统的NTC热敏电阻材料成型后采用常压高温烧结,烧结温度高达1400℃,耗能极大,由于烧渗传热一致性欠缺,造成瓷体容易开裂,且致密度不高,热敏芯片热传导系数低;表面电极制备采用丝网印刷工艺经高温烧结,表面金属电极与瓷体之间附着力不好,接触电阻大,同样影响了材料的热传导,导致耗散系数低,通过电流时,可耐受最大直流电压低,散热能力不好,导致自热影响测量精度。
发明内容
本发明的目的是针对上述现状,旨在提供一种烧结温度低、耗能小,材料致密度高、表面金属电极与瓷体结合好,热传导性好的负温度系数(NTC)陶瓷热敏电阻的制造方法。
本发明目的的实现方式为,一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法,具体步骤如下:
1)制备粉体:将锰、钴、铁元素分别以纳米级分析纯Mn3O4,Co3O4,Fe2O3的形式引入,作为主要原料,各氧化物中Mn、Co、Fe元素比为0.6-0.9:1.0:0.3,微量掺杂ZnO,ZnO掺入量为Mn3O4,Co3O4,Fe2O3总量的2%-10%,混合均匀经过球磨、在900℃下预烧2-4小时后,喷雾,加入PVA溶液造粒,得陶瓷颗粒;
2)制备陶瓷基体:陶瓷颗粒常温等静压成型后,置于热压炉内,温度在由常温升至1050-1150℃的同时,压力由常压升至10MPa烧结6-14小时,而后在降温的同时降压至常温、常压,得热敏陶瓷基体;
3)制备表面电极:在热敏陶瓷基体表面用真空蒸发镀膜方式制备表面电极,所述表面电极为金、银、铜金属中的任意两种金属按一定比例结合,其中银的重量比为80%,金的重量比为20%或80%,铜的重量比为20%。
本发明通过升温同时升压、恒温时恒压、降温同时时降压的热压烧结工艺,烧结恒温温度1050-1150℃,低于1400℃,耗能小,大大提高了材料的致密度、热传导系数;采用蒸发镀膜工艺制备陶瓷表面电极,表面金属电极与瓷体结合好,提高了热传导系数,进而提高了负温度系数热敏电阻的耗散系数、伏安特性值;提高了可耐受的最大直流电压,使其避免了在大的工作电压冲击下因为散热不良引起的自热现象,提高了热敏电阻温度测量和控制的准确性。
具体实施方式
本发明是在纳米级分析纯Mn3O4,Co3O4,Fe2O3中微量掺杂ZnO,混合均匀,经过球磨、预烧、喷雾造粒后,通过升温时升压、恒温、恒压在1050-1150℃、10Mpa烧结、降温,降温同时降压;而后在表面用真空蒸发镀膜方式制备表面电极。
下面用具体实施例说明本发明。
例1、
1)制备粉体:将锰、钴、铁元素分别以纳米级分析纯Mn3O4,Co3O4,Fe2O3的形式引入,作为主要原料,各氧化物中Mn、Co、Fe元素比为0.6:1.0:0.3,微量掺杂ZnO,ZnO掺入量为Mn3O4,Co3O4,Fe2O3总量的2%。混合均匀经过球磨、在900℃下预烧2小时后,喷雾,加入PVA溶液造粒,得陶瓷颗粒;
2)制备陶瓷基体:陶瓷颗粒常温等静压成型后,置于热压炉内,温度在由常温升至1050的同时,压力由常压升至10MPa烧结6小时,而后在降温的同时降压至常温、常压,得热敏陶瓷基体;
3)制备表面电极:在热敏陶瓷基体表面用真空蒸发镀膜方式制备表面电极,表面电极厚度约8μm。所述表面电极为金、银。其中银、金的重量比为80%、20%。
例2,同例1,不同的是各氧化物中Mn、Co、Fe元素比为0.75:1.0:0.3,ZnO掺入量为Mn3O4,Co3O4,Fe2O3总量的5%。混合均匀经过球磨、在900℃下预烧3小时后,喷雾,加入PVA溶液造粒,得陶瓷颗粒陶瓷,颗粒成型后在1080℃,10MPa烧结8小时。所述表面电极为银、铜,其中银、铜的重量比为80%、20%。
例3,同例1,不同的是各氧化物中Mn、Co、Fe元素比为0.9:1.0:0.3,ZnO掺入量为Mn3O4,Co3O4,Fe2O3总量的10%。混合均匀经过球磨、在900℃下预烧4小时后,喷雾,加入PVA溶液造粒,得陶瓷颗粒陶瓷,颗粒成型后在1150℃,10MPa下烧结14小时。所述表面电极为金、铜,其中金、铜的重量比为80%、20%。
4)热敏芯片制备:将例1、2、3所制备的负温度系数陶瓷热敏电阻划切为尺寸1.0*1.0mm芯片;
5)制备热敏电阻:将例1、2、3所制备的热敏芯片分别取样50只,对应编号1、2、3,焊接,涂覆环氧树脂,测试其25℃阻值、85℃阻值、耗散系数、最大耐受直流电压,测试结果如下表:
Figure GDA0000424328980000031
从表中可见,采用本发明的热压烧结、蒸发镀膜方式可以提高NTC热敏电阻的耗散系数,提高伏安特性值,提高了负温度系数(NTC)陶瓷热敏电阻测温精度。

Claims (2)

1.一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法,其特征在于具体步骤如下:
1)制备粉体:将锰、钴、铁元素分别以纳米级分析纯Mn3O4, Co3O4, Fe2O3的形式引入,作为主要原料,各氧化物中Mn、Co、Fe元素比为0.6-0.9:1.0:0.3,微量掺杂ZnO,ZnO掺入量为Mn3O4, Co3O4, Fe2O3总量的2%-10%,混合均匀经过球磨、在900℃下预烧2-4小时后,喷雾,加入PVA溶液造粒,得陶瓷颗粒;
2)制备陶瓷基体:陶瓷颗粒常温等静压成型后,置于热压炉内,温度在由常温升至1050-1150℃的同时,压力由常压升至10MPa烧结6-14小时,而后在降温的同时降压至常温、常压,得热敏陶瓷基体;
3)制备表面电极:在热敏陶瓷基体表面用真空蒸发镀膜方式制备表面电极,所述表面电极为金、银、铜金属中两种金属按比例结合,其中银的重量比为80%,金的重量比为20%或80%,铜的重量比为20%。
2.根据权利要求1所述的一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法,其特征在于在热敏陶瓷基体表面用真空蒸发镀膜方式制备表面电极,表面电极厚度为8μm。
CN201210271182.7A 2012-08-01 2012-08-01 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法 Active CN102775154B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210271182.7A CN102775154B (zh) 2012-08-01 2012-08-01 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210271182.7A CN102775154B (zh) 2012-08-01 2012-08-01 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102775154A CN102775154A (zh) 2012-11-14
CN102775154B true CN102775154B (zh) 2014-06-04

Family

ID=47120292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210271182.7A Active CN102775154B (zh) 2012-08-01 2012-08-01 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102775154B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105000891B (zh) * 2015-06-01 2017-05-31 北京控制工程研究所 一种MnCoNi氧化物陶瓷红外灵敏元致密化的方法
CN106278226A (zh) * 2016-08-17 2017-01-04 中国科学院新疆理化技术研究所 一种三元系负温度系数热敏电阻材料的制备方法
CN109485402A (zh) * 2018-12-14 2019-03-19 中国科学院新疆理化技术研究所 一种改善锰钴铁基热敏陶瓷烧结性的方法
CN110111958A (zh) * 2019-06-06 2019-08-09 宁波科联电子有限公司 一种热敏芯片、一种制造装置及其制造方法
CN114455939B (zh) * 2022-01-07 2022-11-01 广东风华高新科技股份有限公司 一种高阻值高b值的ntc热敏电阻材料及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6614015A (zh) * 1966-10-05 1968-04-08
CN1044528C (zh) * 1996-09-05 1999-08-04 马开荣 薄膜热敏电阻红外探测器
CN1046049C (zh) * 1996-12-14 1999-10-27 中国科学院新疆物理研究所 氧化物半导体热敏电阻器的制造方法
CN100395849C (zh) * 2004-09-02 2008-06-18 中国科学院新疆理化技术研究所 三元系负温度系数热敏电阻材料及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102775154A (zh) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102775154B (zh) 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法
CN105967656B (zh) 一种基于氧化镍的新型ntc热敏电阻材料
CN105967655B (zh) 一种锂铁掺杂氧化镍负温度系数热敏电阻材料
CN112876232B (zh) 一种高温ntc热敏陶瓷材料及其放电等离子烧结方法
CN205017608U (zh) 一种功能膜陶瓷电阻电加热元件
CN105753474A (zh) 一种锶掺杂铬酸镧热敏电阻材料
CN108439982A (zh) 一种轴向复合负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法
CN109616268A (zh) 一种复合型高温热敏电阻的制备方法
CN108585794A (zh) 一种铬锰共占位钙钛矿型负温度系数热敏陶瓷材料
CN108329015B (zh) 一种掺杂改性氧化镍基ntc热敏电阻材料及其制备方法
CN103073267B (zh) 一种低电阻率、高b值负温度系数热敏材料及其制备方法
CN108395217A (zh) 一种铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻及其制备方法
CN112876238B (zh) 一种锡酸盐体系负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN104987059B (zh) 一种基于氧化铜的新型ntc热敏电阻材料
CN106278226A (zh) 一种三元系负温度系数热敏电阻材料的制备方法
CN107871574A (zh) 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法
CN104478426B (zh) 适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法
CN109256246B (zh) 一种含钙四元系负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN106866130A (zh) 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法
CN107140977B (zh) 钡掺杂铬酸镧包覆钇稳定氧化锆负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法
CN114773034B (zh) 一种高稳定负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法
CN108585854B (zh) 一种铁掺杂钙钛矿型负温度系数热敏陶瓷材料及其制备
CN110317045A (zh) 一种锰镍铁钴基ntc热敏电阻材料及其制备方法
CN113979728A (zh) 一种双钙钛矿型与氧化钇复合的负温度系数热敏电阻材料的制备方法
CN100415414C (zh) 用于制备高精度热敏电阻的纳米粉体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant