CN102770958A - 通过压铸件上的自由段对平坦度的改善 - Google Patents

通过压铸件上的自由段对平坦度的改善 Download PDF

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S.帕内比安科
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Abstract

本发明涉及一种用于产生导体线路结构的模块化金属带，其在接触区域中包含下部切口并且没有通过在产生下部切口时的张力引起的不平坦。与此相对应地，本发明提供一种模块化金属带，其中单个模块（11）包含：用于施加电子元件（30）的载体区域（60），所述载体区域具有至少两个相互平行的、通过角（64）限制的侧面（62）；接触区域（70），其完全包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）和载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64），其中接触区域（70）在包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的区域中是倒圆的；以及冲孔（80），其将载体区域（60）与接触区域（70）分离，其中至少接触区域（70）具有与冲孔（80）连接的下部切口（50），其特征在于，接触区域（70）在倒圆区域中具有与冲孔（80）连接的缝隙（90）。

Description

通过压铸件上的自由段对平坦度的改善
技术领域
本发明涉及一种模块化的金属带、一种用于制造该模块化的金属带的方法、以及一种包括该模块化金属带的模块的器件。
背景技术
在制造无接触的芯片卡时，通常冲压出由金属箔制成的导体线路。在此还形成载体区域（也称为岛区域），稍后将芯片施加在该载体区域上，以及形成接触区域（也称为天线区域），稍后芯片与所述接触区域导电连接。载体区域与接触区域通过冲孔在空间上尽可能远地分离开并且通过两个由金属箔构成的窄桥形接片（接地桥形接片）与其余金属箔连接。
通过将金属箔构成为具有相同导体线路图案的周期性模块化装置的长距离膜带，可以借助自动机施加芯片并且通常借助接合线与接触区域电接触。在接触之后用浇注料覆盖所述芯片。既通过用接合线接触又通过用浇注料覆盖来将载体区域固定在金属箔上。接着将具有环绕的导体线路图案的芯片冲压成由膜带制成的部件并且用在芯片卡的相应部分中。
在过程技术上可能期望当芯片还位于金属箔上时就测试该芯片的电子设备。当载体区域被保持在桥形接片的合适位置处时进行若干测试。但是对于特定的测试必须断开芯片和金属箔之间的所有导电连接。通过切断包括两个桥形接片在内的连接，载体区域失去其支撑物。
为了在冲压之后将载体区域保持在合适的位置，EP1329952A2建议在芯片上施加由浇注料制成的绝缘的载体层，该载体层穿过芯片并且与周围的金属箔连接。已经证明特别有利的是，附加地在接触区域上设置浇注料可以流入的下部切口，以强化支撑物。从而在硬化之后，硬化的、包围芯片的浇注料与载体区域通过下部切口固定。
下部切口通常通过在接触区域上压铸金属箔来完成。这必然会导致金属箔的被冲压的材料被挤压出来。金属尤其是被挤压到接触区域的方向上，由此产生导致在金属箔的该区域中的不平坦的张力。特别令人注意的是，该效应在接触区域的以下位置上出现，这些位置围绕载体区域的角。在这种情况下，由于压铸位置的非线性分布而导致所压铸的金属朝着相邻接触区域的方向强烈挤压并导致更高的张力。在此形成的不平坦极大地影响了所产生的结构的质量。
发明内容
因此根据本发明的任务在于，提供一种用于产生导体线路结构的模块化金属带，该金属带在接触区域中包含下部切口并且没有通过在产生所述下部切口时的张力而引起的不平坦。
另一个任务在于，提供一种用于制造该模块化金属带的方法。
根据本发明，另一个任务在于提供一种包括上述模块化金属带的模块和电子元件的器件。
这些任务通过独立权利要求的主题解决。
因此提供一种模块化金属带，其中单个模块包含：用于施加电子元件的载体区域，所述载体区域具有至少两个相互平行的、通过角限制的侧面；接触区域，所述接触区域完全包围载体区域的至少两个相互平行的侧面和载体区域的至少两个相互平行的侧面的角，其中所述接触区域在包围载体区域的至少两个相互平行的侧面的角的区域中是倒圆的；以及冲孔，所述冲孔将载体区域与接触区域分离，其中至少接触区域具有与冲孔连接的下部切口，并且接触区域在倒圆的区域中具有与冲孔连接的缝隙。
此外提供一种用于制造模块化金属带的方法，其中
(i)提供金属箔，
(ii)在金属箔中冲压出包括载体区域、接触区域、冲孔和缝隙的模块，
其中载体区域具有至少两个相互平行的、通过角限制的侧面，
接触区域完全包围载体区域的至少两个相互平行的侧面和载体区域的至少两个相互平行的侧面的角，其中所述接触区域在包围载体区域的至少两个相互平行的侧面的角的区域中是倒圆的，
所述冲孔将载体区域与接触区域分离，以及
缝隙被设置在接触区域的倒圆的区域中并且与冲孔连接，以及
(iii)接触区域配备有压铸件，以实现与冲孔连接的下部切口。
此外提供一种器件，包括
(i)模块化金属带的模块，该模块具有用于施加电子元件的载体区域，所述载体区域具有至少两个相互平行的、通过角限制的侧面；接触区域，所述接触区域完全包围载体区域的至少两个相互平行的侧面和载体区域的至少两个相互平行的侧面的角，其中所述接触区域在包围载体区域的至少两个相互平行的侧面的角的区域中是倒圆的；以及冲孔，所述冲孔将载体区域与接触区域分离，其中至少接触区域具有与冲孔连接的下部切口，并且接触区域在倒圆的区域中具有与冲孔连接的缝隙，以及
(ii)电子元件，所述电子元件被施加在所述模块的载体区域上，其中该电子元件被浇注料覆盖并且浇注料位于下部切口中，以实现包围电子元件的浇注料与接触区域的固定。
附图说明
下面参照附图描述本发明，但是附图不应当限制本发明。其中示出：
图1：本发明的模块化金属带的模块的俯视图。
图2：穿过根据图1的模块化金属带的模块的截面。该截面沿着通过图1中的两个箭头标记的平面进行。附加地还示出芯片和包围该芯片的浇注料。图2由此仅示出穿过本发明器件的截面。
图3：本发明的模块化金属带的模块的将载体区域与接触区域分离的冲孔。
图4：在本发明模块化金属带的模块的接触区域中的下部切口。
具体实施方式
根据本发明提供金属带。
根据本发明，金属带的概念包括具有金属或金属合金的金属箔（20）。
金属箔（20）或金属合金的金属可以是贵重的或非贵重的。根据一种优选的实施方式，该金属是铜，而该金属合金是铜合金。根据一种特别优选的实施方式，作为金属合金使用CuSn6合金。
所述金属或金属合金可以有涂层或没有涂层。例如，该金属或金属合金可以是被电镀的。电镀可以用贵重金属或非贵重金属进行，其中锌、银和金是特别优选的。
优选的，金属箔（20）包含金属或金属合金的至少90重量百分比，更优选的是至少95重量百分比，还要优选的是至少99重量百分比，以及特别优选的是100重量百分比。
金属箔（20）优选是环状带。金属箔（20）的长度因此没有特别限制。
金属带包括多个模块（11）。在本发明的范围中，模块（11）应被理解为设置在金属带上的、具有相同或类似特性的结构。根据一种优选的实施方式，各个模块（11）均匀地设置在金属带上。尤其是多个模块（11）可以并排地沿着金属带的宽度和沿着金属带的长度设置。
根据本发明，各个模块（11）包括载体区域（60）。载体区域（60）适用于施加电子元件（30）。电子元件（30）优选是集成电路，特别优选的是芯片。因此载体区域（60）被实现为，使得载体区域可以优选完全地容纳电子元件（30）。
载体区域（60）具有至少两个相互平行的、通过角（64）限制的侧面（62）。两个相互平行的侧面（62）优选是平坦的。角（64）根据本发明也可以是倒圆的。根据一种优选的实施方式，载体区域（60）具有4个侧面，这4个侧面具有两个分别相互平行的侧面对。载体区域（60）优选是矩形的。根据一种特别优选的实施方式，该矩形的所有角都是倒圆的。
各个模块（11）还包括接触区域（70）。根据一种优选的实施方式，每个模块（11）具有至少两个、优选恰好两个直接邻接与载体区域（60）相邻的冲孔（80）的接触区域（70）。
接触区域（70）在使用时与电子元件（30）通过合适的接合工具电连接。所述接合工具优选是接合线。
接触区域（70）完全包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）以及载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）。根据本发明，完全包围优选应当理解为可以设想在载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）之间存在与这些侧面（62）平行延伸的假想直线，这些直线与接触区域（70）相交。
此外，接触区域（70）在包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的区域中是倒圆的。根据本发明，倒圆应理解为与线性形状的任何不同。
此外，设置将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80）。因此，冲孔（80）应理解为载体区域（60）与接触区域（70）之间的、无金属箔（20）的空隙。
除了将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔(80)，可以设置其它的产生期望的导体线路图案的冲孔。所述其它冲孔的形状和设计不进一步受限制。
此外，模块（11）具有桥形接片（110）。这些桥形接片（110）优选整体地与载体区域（60）连接。整体地连接在上下文中应理解为，载体区域（60）和桥形接片（110）没有通过空隙相互分离。但是这不排除在桥形接片（110）本身中可以存在开口形式的空隙。桥形接片（110）本身由冲孔（80）形成。将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80）围绕载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）和载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）地分布。优选的，包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）之一和该侧面（62）的角（54）的冲孔（80）不与包围载体区域（60）的与该侧面（62）平行的侧面（62）和该侧面（62）的角的冲孔（80）连接。更确切地说，这两个冲孔（80）释放本发明的桥形接片（110）。由此桥形接片（110）将接触区域（70）相互分离。优选的，接触区域（70）既通过本发明的桥形接片（110）又通过空隙相互分离。但是这不排除接触区域（70）可以通过环绕的金属箔（20）相互导电连接。
接触区域（70）具有与冲孔（80）连接的下部切口（50）。
作为下部切口（50），根据本发明应当理解为在接触区域（70）的表面区域中的凹陷，所述表面区域稍后背向电子元件（30）。下部切口（50）与冲孔（80）流动连接。这使得浇注料（40）既可以流动到冲孔（80）中也可以流动到下部切口（50）中。因此在用浇注料（40）覆盖电子元件（30）以及在浇注料硬化之后由于接触区域（70）中的下部切口（50）导致电子元件（30）与接触区域（70）通过浇注料（40）固定。
除了接触区域（70），载体区域（60）还可以具有与冲孔（80）连接的下部切口（50）。在这种情况下，下部切口（50）也与冲孔（80）流动连接。这使得浇注料（40）可以流动到冲孔（80）中以及流动到接触区域（70）和载体区域（60）的下部切口（50）中。根据该实施方式，在用浇注料（40）覆盖电子元件（30）以及在浇注料硬化之后由于接触区域（70）和载体区域（60）中的下部切口（50）导致电子元件（30）与接触区域（70）和载体区域（60）通过浇注料（40）固定。
此外，桥形接片（110）还可以具有与将载体区域（60）和接触区域（70）分离的冲孔（80）连接的下部切口（50）。如果桥形接片（110）本身具有开口形式的空隙，则这些桥形接片还可以具有与这些空隙连接的下部切口。
接触区域（70）至少在倒圆的区域中具有与冲孔（80）连接的缝隙（90）。设置在接触区域（70）的倒圆的区域中的缝隙（90）与冲孔（80）流动连接。根据本发明，缝隙（90）应理解为例如可以被冲压出并且可以容纳在压铸过程中被挤压出的材料的凹陷。
根据一种特别优选的实施方式，本发明的在接触区域中的下部切口（50）还与接触区域（70）的缝隙（90）连接。
各个缝隙（90）优选具有在0.00025至0.00055mm3的范围中的体积，更优选的是在0.0003至0.0005mm3的范围中的体积，以及还更优选的是在0.00035至0.00045mm3的范围中的体积。
各个缝隙（90）具有在0.30至0.50mm范围内中的周长，以及更优选的是在0.35至0.45mm范围内的周长。根据本发明，缝隙（90）的周长表示金属带的接触区域（70）的形成缝隙（90）轮廓的片段的长度。
各个缝隙（90）还具有在0.20-0.40mm范围中以及更为优选的在0.25-0.35mm范围中的缝隙宽度。根据本发明，缝隙宽度应理解为形成缝隙（90）的空隙的宽度。
根据另一种优选实施方式，缝隙（90）占接触区域（70）的下部切口（50）的总体积的体积份额处于1.0-2.5%的范围中，以及更优选地处于1.5-2%的范围中。通过该附加的体积，可以容纳在对下部切口（50）压铸时挤压出的材料并且有效防止张力的形成。
根据另一种优选实施方式，接触区域（70）的周长由于缝隙（90）的存在而增大0.5-2%并且更优选地增大0.9-1.5%。如果接触区域（70）的下部切口（50）与缝隙（90）连接，则由于缝隙（90）的存在具有与冲孔（80）连接的下部切口（50）的接触区域（70）的棱边长度增加，从而在注入浇注料（40）之后提供更多的下部切口（50）面积以用于将包围电子元件（30）的浇注料（40）与接触区域（70）固定。
优选的，在接触区域（70）的、包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的每个倒圆区域中，存在至少一个缝隙（90），更优选的是恰好存在一个缝隙（90）。
根据一种优选的实施方式，如果在包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）之一和该侧面（62）的角（64）的接触区域（70）中包含未相互平行延伸的缝隙（90），则接触区域（70）具有至少在倒圆区域中的缝隙（90）。
根据一种特别优选的实施方式，如果缝隙（90）具有含有与接触区域（70）的表面平行延伸的轴的几何形状，其中该轴不是恰好垂直于载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62），则接触区域（70）至少在倒圆区域中具有缝隙（90）。优选的，该轴与载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）所成的角度大于90度，更优选地大于95度，还要更优选地大于100度以及特别优选地大于105度。
根据另一个特别优选的实施方式，如果（i）载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）具有长度I，（ii）接触区域（70）具有与冲孔（80）邻接的直线片段，以及（iii）缝隙（90）具有含有与接触区域（70）的表面平行延伸的轴的几何形状，其中该轴不是恰好垂直于载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62），则接触区域（70）至少在倒圆区域中具有缝隙（90），其中包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）和载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的接触区域（70）的直线片段具有至少为(I-I/2) 、优选(I-I/4)、更优选的是(I-I/5)并且特别优选的是(I-I/10)的长度，以及在该直线片段内不存在其平行于接触区域（70）的表面延伸的轴不是恰好垂直于载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）延伸的缝隙（90）。
此外，接触区域（70）也可以在非倒圆区域中具有缝隙（100）。在此优选的可以是，非倒圆区域的缝隙（100）分别恰好位于同一个接触区域（70）的倒圆区域的缝隙（90）之间的中央。
令人惊讶地已经展示了，通过缝隙（90）的特殊设置可以避免在模块化金属带中由于制造而出现的不平坦。这要归因于：由于本发明的设置，在压铸下部切口（50）时被挤压出的材料可以通过缝隙（90）被容纳为使得可以消除恰好在接触区域（70）的临界的倒圆区域中的张力。
根据一种优选的实施方式，金属带具有在0.03-0.15mm范围中、更优选的在0.04-0.10mm范围中以及特别优选地在0.05-0.07mm范围中的厚度。
根据另一种优选的实施方式，接触区域（70）的下部切口（50）和必要时载体区域（60）的下部切口（50）具有在0.005-0.05mm范围中以及更优选地在0.02-0.05mm范围中的深度。
根据另一种优选的实施方式，载体区域（60）具有在8-20mm2范围中以及特别优选地在9-16mm2范围中的面积。
根据另一种优选的实施方式，载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）具有在2.5-4.5mm范围中以及特别优选地在3.0-4.0mm范围中的长度。
根据另一种优选的实施方式，将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80）具有在0.3-0.5mm范围中的宽度。
本发明还涉及一种用于制造上述模块化金属带的方法。
为此首先提供金属箔（20）。金属箔（20）优选是前面定义的金属箔（20）。
根据本发明，在金属箔（20）中冲压出包括载体区域（60）、接触区域（70）、冲孔（80）和缝隙（90）的模块（11）。
各个模块（11）还可以包括释放出其它区域的其它冲孔（80），以实现期望的导体线路图案。
此外，模块（11）还可以包括桥形接片（110），所述桥形接片（110）优选整体地与载体区域（60）连接，由将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80）形成，并且将接触区域（70）相互分离。
至于模块（11）的其它特性及其部件，参见上面的实施方式。
因此，载体区域（60）具有至少两个相互平行的、通过角（64）限制的侧面（62）。接触区域（70）完全包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）和载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64），其中接触区域（70）在包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的区域中是倒圆的。冲孔（80）如下实现，即这些冲孔将载体区域（60）与接触区域（70）分离。此外接触区域（70）在倒圆区域中具有与冲孔（80）连接的缝隙（90）。
至于载体区域（60）、接触区域（70）、冲孔（80）和缝隙（90或（100））的特性参见上述实施方式。
冲压可以在一个或多个步骤中进行。对于冲压过程优选可以使用常规的冲压工具。
例如可以采用在冲压过程中在一个步骤中产生将载体区域（60）与接触区域（70）释放的冲孔（80）以及缝隙（90或100）和必要时其它冲孔的冲压工具。
但是替换于此地，还可以使用两个或更多个冲压工具，其中第一冲压工具产生将载体区域（60）与接触区域（70）释放的冲孔（80），而第二冲压工具产生本发明的缝隙（90）。
冲压出金属带中的模块的技术是已知的。在上下文中可以参照开头所述的专业文献。
紧接着冲压过程地产生下部切口（50）。下部切口（50）至少位于接触区域（70）中，但是附加地还可以位于载体区域（60）中。这些下部切口（50）与冲孔（80）流动连接。
为了实现这些下部切口（50），用压铸工具处理接触区域（70）和必要时处理载体区域（60）。该压铸工具将下部切口（50）压铸到接触区域（70）的区域中并且必要时压铸到载体区域（60）的区域中，所述区域背向稍后在采用模块（11）时容纳电子元件（30）的表面。
在金属带中压铸出下部切口的技术是已知的。在该上下文中也可以参照开头所述的专业文献。
在压铸过程中挤压出金属箔（20）的材料。所挤压出的材料只能流到没有金属箔（20）的区域中。对此尤其是可以考虑将载体区域（60）和接触区域（70）相互分离并且与压铸出的下部切口（50）流动连接的冲孔（80）。
根据现有技术已知的方法，被挤压出的材料导致张力。尤其是被挤压出的材料不仅流动到冲孔（80）中而且还沉淀到接触区域（70）的下方，并且导致在金属带的该区域中的不平坦。这些效应尤其是出现在其中压铸件分布不是直线而是弯曲的区域中。
由于根据本发明设置的缝隙（90），在压铸过程中可以尤其是在接触区域（70）的特别涉及张力以及由此涉及不平坦的倒圆区域中完全避免被挤压的材料。这要归因于缝隙（90）被提供给容纳在压铸时被挤压出的材料并且从而负责张力消除的冲孔，所述张力消除有效地防止在金属带中形成不平坦。
根据本发明还可以规定，冲孔（80）的冲压以及下部切口（50）的压铸在使用组合的冲压和压铸工具的情况下仅在一个工作步骤中进行。
本发明还涉及一种包括上述金属带的模块（11）以及电子元件（30）的器件（10）。
模块（11）具有：用于施加电子元件（30）的载体区域（60），所述载体区域具有至少两个相互平行的、通过角（64）限制的侧面（62）；完全包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）和载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的接触区域（70），其中接触区域（70）在包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的区域中是倒圆的；以及将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80），其中至少接触区域（70）具有与冲孔（80）连接的下部切口（50），并且接触区域（70）在倒圆区域中具有与冲孔（80）连接的缝隙（90）。
至于模块（11）和模块（11）的部件的特性可以参照上面的实施方式。
器件（10）还包括电子元件（30）。电子元件（30）优选是集成电路，尤其是芯片。
根据本发明，电子元件（30）被施加在模块（11）的载体区域（60）上。电子元件（30）被固定在那里。该固定根据本发明通过浇注料（40）进行。
浇注料（40）优选是可聚合的单体混合物。这样的浇注料（40）从现有技术已知。
因此用浇注料（40）覆盖电子元件（30）。浇注料（40）还位于接触区域（70）的下部切口（50）中以及必要时位于载体区域（60）的下部切口（50）中。在此导致包围电子元件（30）的浇注料（40）与接触区域（70）以及必要时与载体区域（60）的固定。
根据一种优选的实施方式，器件（10）还包含接合线，其中每个接合线的一端设置在电子元件（30）上，而另一端设置在接触区域（70）之一上。这些接合线主要用于电子元件（30）与接触区域（70）的电接触。

Claims (10)

1.模块化金属带，其中单个模块（11）包含
用于施加电子元件（30）的载体区域（60），所述载体区域具有至少两个相互平行的、通过角（64）限制的侧面（62），
完全包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）和载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的接触区域（70），其中接触区域（70）在包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的区域中是倒圆的，以及
将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80），
其中至少接触区域（70）具有与冲孔（80）连接的下部切口（50），
其特征在于，
接触区域（70）在倒圆区域中具有与冲孔（80）连接的缝隙（90）。
2.根据权利要求1的模块化金属带，其特征在于，载体区域（60）也具有下部切口（50）。
3.根据权利要求1或2的模块化金属带，其特征在于，模块（11）具有桥形接片（110），所述桥形接片（110）整体地与载体区域（60）连接，由将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80）形成，并且将接触区域（70）相互分离。
4.根据权利要求1-3之一的模块化金属带，其特征在于，金属带具有在0.03-0.15mm范围中的厚度。
5.根据权利要求1-4之一的模块化金属带，其特征在于，接触区域（70）的下部切口（50）以及必要时载体区域（60）的下部切口（50）具有在0.005-0.05mm范围中的深度。
6.用于制造根据权利要求1-5之一的模块化金属带的方法，其中
(i)提供金属箔(20)，
(ii)在金属箔(20)中冲压出包括载体区域(60)、接触区域(70)、冲孔(80)和缝隙(90)的模块(11)，
     其中载体区域(60)具有至少两个相互平行的、通过角(64)限制的侧面(62)，
     接触区域(70)完全包围载体区域(60)的至少两个相互平行的侧面(62)和载体区域(60)的至少两个相互平行的侧面(62)的角(64)，其中所述接触区域(70)在包围载体区域(60)的至少两个相互平行的侧面(62)的角(64)的区域中是倒圆的，
     冲孔(80)将载体区域(60)与接触区域(70)分离，以及
     缝隙(90)被设置在接触区域(70)的倒圆的区域中并且与冲孔(80)连接，以及
(iii)接触区域(70)配备有压铸件，以实现与冲孔(80)连接的下部切口(50)。
7.器件(10)，包括
(i)模块化金属带的模块（11），具有
     用于施加电子元件（30）的载体区域（60），所述载体区域具有至少两个相互平行的、通过角（64）限制的侧面（62），
     完全包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）和载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的接触区域（70），其中接触区域（70）在包围载体区域（60）的至少两个相互平行的侧面（62）的角（64）的区域中是倒圆的，以及
     将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80），
         其中至少接触区域（70）具有与冲孔（80）连接的下部切口（50），
其特征在于，
         接触区域（70）在倒圆区域中具有与冲孔（80）连接的缝隙（90），以及
(ii)电子元件（30），所述电子元件被施加在所述模块（11）的载体区域（60）上，其中该电子元件（30）被浇注料（40）覆盖并且浇注料（40）位于下部切口（50）中，以实现包围电子元件（30）的浇注料（40）与接触区域（70）的固定。
8.根据权利要求7的器件（10），其特征在于，载体区域（60）也具有下部切口（50）。
9.根据权利要求7或8的器件（10），其特征在于，模块（11）具有桥形接片（110），所述桥形接片（110）整体地与载体区域（60）连接，由将载体区域（60）与接触区域（70）分离的冲孔（80）形成，并且将接触区域（70）相互分离。
10.根据权利要求7-9之一的器件（10），其特征在于，金属带具有在0.04-0.08mm范围中的厚度，并且接触区域（70）的下部切口（50）以及必要时载体区域（60）的下部切口（50）具有在0.002-0.035mm范围中的深度。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012103583B4 (de) * 2012-02-29 2017-06-22 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Substrat mit vergrößerter Chipinsel und Verfahren zu dessen Herstellung
CN104508816B (zh) * 2012-07-30 2017-08-01 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 用于为电子装置布线的布线设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0236557A (ja) * 1988-07-27 1990-02-06 Hitachi Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体装置
WO1999035611A1 (de) * 1998-01-09 1999-07-15 Siemens Aktiengesellschaft Trägerelement für einen halbleiterchip
CN1434497A (zh) * 2002-01-21 2003-08-06 W.C.贺利氏股份有限及两合公司 固定芯片载体的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1095885B (it) * 1978-05-16 1985-08-17 Ates Componenti Elettron Contenitore in metallo e resina ad elevata ermeticita'per dispositivo a semiconduttore
JP2966126B2 (ja) * 1991-02-14 1999-10-25 新光電気工業株式会社 リードフレーム
ATE383620T1 (de) * 1998-03-27 2008-01-15 Nxp Bv Datenträger mit einem auf leiterrahmen basierten modul mit doppelseitiger chip-abdeckung
JP2004234593A (ja) * 2003-02-03 2004-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非接触型ｉｃカード
JP4451298B2 (ja) * 2004-12-20 2010-04-14 大日本印刷株式会社 Ｉｃカードモジュール体
DE102007033369A1 (de) * 2006-09-14 2008-04-10 BROSE SCHLIEßSYSTEME GMBH & CO. KG Verfahren zur Blechbearbeitung und Blechteil für ein Kraftfahrzeug

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0236557A (ja) * 1988-07-27 1990-02-06 Hitachi Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体装置
WO1999035611A1 (de) * 1998-01-09 1999-07-15 Siemens Aktiengesellschaft Trägerelement für einen halbleiterchip
CN1434497A (zh) * 2002-01-21 2003-08-06 W.C.贺利氏股份有限及两合公司 固定芯片载体的方法

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