CN102760844B

CN102760844B - 有机电致发光显示装置的制造方法和包括由该制造方法制造的有机电致发光显示装置的电子设备

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Publication number: CN102760844B
Application number: CN201210132278.5A
Authority: CN
Inventors: 远藤太郎; 佐藤信彦; 高谷格; 广木知之; 石毛刚一; 盐原悟; 镰谷淳; 西出洋祐
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2011-04-27
Filing date: 2012-04-27
Publication date: 2016-04-06
Anticipated expiration: 2032-04-27
Also published as: US20120274239A1; JP5995477B2; US9155160B2; CN102760844A; JP2012238577A

Abstract

本发明提供包括有机电致发光元件的有机电致发光显示装置的制造方法，其具有与以真空原位法形成的有机电致发光元件的那些相当的元件特性，同时利用基于光刻法的图案化方法。有机电致发光显示装置的制造方法包括：至少在第一电极上形成有机化合物层的有机化合物层形成步骤；在该有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；加工该剥离层的剥离层加工步骤；和将没有被在该剥离层加工步骤中已被加工的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤，并且该剥离层中的至少最下层是由在极性溶剂中可溶的材料形成的沉积膜。

Description

有机电致发光显示装置的制造方法和包括由该制造方法制造的有机电致发光显示装置的电子设备

技术领域

本发明涉及有机电致发光(EL)显示装置的制造方法和包括由该制造方法制造的有机EL显示装置的电子设备。

背景技术

通常已知的其上安装了有机EL元件的显示装置是将均具有单个或多个有机EL元件的像素以预定的图案排列的装置。通过这些像素，将显示装置的显示区域两维并且精细地分割。像素中包括的有机EL元件是输出例如红光、绿光和蓝光的任一种的电子元件。其上安装了有机EL元件的显示装置通过以所需的发光强度驱动用于输出所需颜色的有机EL元件而得到全色图像。

顺便提及，作为显示装置的部件的有机EL元件中，该元件中的有机化合物层是通过采用气相沉积等形成由有机材料制成的薄膜而形成的薄膜层。采用气相沉积对每个元件形成显示装置的有机EL元件中的有机化合物层时，精细图案化(finepatterning)技术是必须的。进行图案化时，其精细度(fineness)对应图案化的精细度的精细金属掩模是必须的。但是，气相沉积中反复使用金属掩模时附着的气相沉积膜可能使掩模中的开口变窄或者应力可能使掩模中的开口变形。因此，必须在固定次数的成膜后清洁使用的掩模，从制造成本的观点出发，这是不利的因素。此外，部分由于对掩模的加工精度的制约，像素尺寸具有约100μm的极限，这对于更精细尺寸是不利的。此外，关于基板尺寸，使精细金属掩模的尺寸增加时，为了确保掩模中的开口的位置精度，必须提高掩模框的刚性。但是，提高掩模的刚性时，相应地引起掩模自身重量的增加。因此，从加工性和处理性两者的观点出发，制备第四代及其后的大版式显示装置时，精细有机EL元件和其上安装了该有机EL元件的显示装置的最佳制备方法目前尚未具体化。

在这些情况下，提出了不使用金属掩模来制造具有精细有机EL元件的显示装置的方法。

日本专利No.3839276中提出的方法中，在发光层上直接形成光致抗蚀剂。采用该方法时，通常使用的光致抗蚀剂含有大量的光引发剂、交联剂等。其中，光引发剂、交联剂等均为用于使至少在显像剂中的不溶性变化的材料。在日本专利No.4507759中提出的方法中，在有机化合物层上设置由水溶性材料形成的中间层，并且在该中间层上通过进行光刻法(photolithography)来将有机化合物层图案化。其中，用于构成在发光层上形成的中间层的水溶性聚合物通常为绝缘性的。此外，日本专利No.4544811提出了如下的技术：将水溶性聚合物用作剥离层并且与剥离层一起将光致抗蚀剂剥离。

抗蚀剂、中间层、剥离层等通常是绝缘性的。因此，这些层的任一个残留在有机EL元件的发光层等的表面上时，该层作为电阻显著地使有机EL元件的元件特性劣化。因此，需要将抗蚀剂、中间层、剥离层等除去以致这些层的任一个都不可能残留在发光层等的表面上。但是，难以将均由聚合物材料形成的抗蚀剂、中间层、剥离层等完全除去，因此，不能完全除去的残渣在某种程度上残留于装置内。此外，由于例如以下内容，对元件特性的劣化产生担心。抗蚀剂、中间层、剥离层等中的痕量的杂质或者涂布抗蚀剂、中间层、剥离层等时使用的溶剂扩散到构成有机化合物层的发光层等以引起有机化合物层的结晶。因此，以往产生了以下问题。通过包括采用光刻法的图案化制备的有机EL显示装置中的有机EL元件的元件特性劣于使用金属掩模等以真空原位(vacuumin-situ)方式以图案状形成的有机EL元件的元件特性。

发明内容

本发明为了解决上述问题而完成，并且本发明的目的在于提供包括有机EL元件的有机EL显示装置的制造方法，其具有与用金属掩模等以真空原位方式形成的有机EL元件的那些相当的元件特性，同时利用基于光刻法的图案化方法。

本发明的有机EL显示装置的制造方法是制造有机EL显示装置的方法，该有机EL显示装置具有有机EL元件，该有机EL元件包括第一电极和第二电极以及配置在该第一电极和该第二电极之间的有机化合物层，将该有机化合物层图案化为所需的形状，该方法包括：至少在第一电极上形成有机化合物层的有机化合物层形成步骤；在有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；将剥离层加工为所需形状的剥离层加工步骤；将没有被在剥离层加工步骤中加工过的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤；和剥离层除去步骤，其中剥离层的至少最下层是由在极性溶剂中可溶的材料形成的沉积膜。

根据本发明，能够提供包括有机EL元件的有机EL显示装置的制造方法，其具有与以真空原位方式使用金属掩模等形成的有机EL元件的那些相当的元件特性，同时利用基于光刻法的图案化方法。

由以下参照附图对例示实施方案的说明，本发明进一步的特点将变得清楚。

附图说明

图1是表示通过本发明的制造方法制造的有机EL显示装置的实例的截面示意图。

图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I、2J、2K、2L、2M、2N和2O均为表示本发明的有机EL显示装置的制造方法中的实施方案1的截面示意图。

图3是表示化合物1和化合物A2中的对于蚀刻时间的厚度变化的坐标图。

图4是表示预定的芳族烃化合物和预定的杂环化合物在异丙醇的水溶液中的溶解度的坐标图。

图5A、5B、5C、5D和5E均为表示本发明的有机EL显示装置的制造方法中的实施方案2的截面示意图。

图6A、6B、6C、6D、6E和6F均为表示本发明的有机EL显示装置的制造方法中的实施方案3的截面示意图。

图7是表示使用由本发明的有机EL显示装置的制造方法形成的有机EL显示装置的数码相机系统的方块图。

具体实施方式

本发明的有机EL显示装置的制造方法是制造具有有机EL元件的有机EL显示装置的方法，该有机EL元件包括第一电极和第二电极以及配置在该第一电极和该第二电极之间的有机化合物层，将该有机化合物层图案化为所需的形状。

本发明的制造方法至少包括以下步骤(A)-(E)：

(A)在第一电极上形成有机化合物层的有机化合物层形成步骤；

(B)在有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；

(C)将剥离层加工为所需形状的剥离层加工步骤；

(D)将没有被在剥离层加工步骤中加工过的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤；和

(E)用极性溶剂除去剥离层的步骤。

此外，本发明中，剥离层的至少最下层是可溶于极性溶剂中的沉积膜。此外，作为本发明中的优选模式，在步骤(E)后还包括在有机化合物层上形成含有碱金属成分的层的步骤。

以下，参照附图对本发明的实施方案进行说明。应指出的是，下述说明中，本技术领域中公知的技术或已知的技术可应用于没有具体图示或说明的部分。此外，以下说明的实施方案均只是本发明的一个实施方案，本发明并不限于此。此外，只要组合不偏离本发明的主旨，可将下述的实施方案适当地组合。

(实施方案1)

(有机EL显示装置)

图1是表示通过本发明的制造方法制造的有机EL显示装置的实例的截面示意图。图1的有机EL显示装置1在支撑基板10上设置有三种副像素，即，第一副像素20a、第二副像素20b和第三副像素20c。其中，像素由第一副像素20a、第二副像素20b和第三副像素20c构成。尽管在图1的有机EL显示装置1中示出由第一副像素20a、第二副像素20b和第三副像素20c形成的一组像素，但在实际的有机EL显示装置中在支撑基板10上以矩阵方式配置多个像素。

此外，图1的有机EL显示装置1中，各副像素(20a、20b或20c)具有第一电极21(21a、21b、21c)、有机化合物层22(22a、22b、22c)、电荷注入/传输层23和第二电极24。

第一电极21a、21b或21c是在支撑基板10上设置的电极层(下部电极)，并且对于每个副像素分别地设置。此外，第一电极21a、21b和21c均与开关元件(未图示)例如TFT电连接。

有机化合物层22a、22b或22c是由预定的有机化合物形成的单层或者多个这种层形成的层叠体。应指出的是，有机化合物层22a、22b或22c至少具有用于将包括红色、绿色和蓝色的任一种颜色的光输出的发光层(未图示)。

为了将从第二电极24注入的空穴或电子注入或传输到有机化合物层22中而设置电荷注入/传输层23。尽管在图1的有机EL显示装置1中作为各副像素(20a、20b和20c)共同的层设置电荷注入/传输层23，但本发明并不限于此。换言之，可对于每个副像素分别设置电荷注入/传输层23。

尽管在图1的有机EL显示装置1中如电荷注入/传输层23中那样作为各副像素(20a、20b和20c)共同的层设置第二电极24(上部电极)，但本发明并不限于此。换言之，可对于每个副像素分别设置第二电极24。

(制造有机EL显示装置的方法)

接下来，作为根据本发明的图1的有机EL显示装置的制造方法的具体实例，对包括用于显示彼此不同的颜色的三种副像素的有机EL显示装置的制造方法进行说明。

如上所述，本发明的有机EL显示装置的制造方法至少包括下述步骤(A)-(E)：

(B)在有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；

(C)将剥离层加工为所需形状的剥离层加工步骤；

(D)将没有被在剥离层的剥离层加工步骤中加工过的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤；和

(E)用极性溶剂除去剥离层的步骤。

图2A-2O均为表示图1的有机EL显示装置的制造工序的实例的截面示意图。图2A-2O也均为表示本发明的有机EL显示装置的制造方法中的实施方案1的截面示意图。制造图1的有机EL显示装置时，通过例如以下步骤制造有机EL显示装置：

(1)形成第一电极的步骤(图2A)；

(2)形成有机化合物层的步骤(图2B)；

(3)形成剥离层的步骤(图2C)；

(4)形成感光树脂层的步骤(图2D)；

(5)加工感光树脂层的步骤(图2E)；

(6)加工剥离层的步骤(图2F)；

(7)加工有机化合物层的步骤(图2G)；

(8)除去感光树脂层的步骤(图2L)；

(9)除去剥离层的步骤(形成电荷传输层的步骤)(图2M)；

(10)形成电荷注入/传输层的步骤(图2N)；和

(11)形成第二电极的步骤(图2O)。

应指出的是，步骤(1)-(11)只是具体实例，并且本发明并不限于该模式。由于图1的有机EL显示装置1需要制备具有不同发光色的三种副像素20a、20b和20c的每一个，因此在进行步骤(1)后进行步骤(8)前步骤(2)-(7)需要进行合计三次。例如，首先，通过步骤(2)-(7)形成第一副像素20a中的有机化合物层22a(图2G)。然后，通过步骤(2)-(7)形成第二副像素20b中的有机化合物层22b(图2H-图2I)。然后，通过步骤(2)-(7)形成第三副像素20c中的有机化合物层22c(图2J-图2K)。

接下来，对步骤(1)-(11)的每一个具体地说明。

(形成第一电极的步骤)

首先，在支撑基板10上形成第一电极21a、21b和21c。能够选择已知的基板例如玻璃基板作为支撑基板10。第一电极21a、21b和21c是均由已知的电极材料形成的电极层，并且对应光取出方向来适当选择构成材料。制备顶部发光型有机EL显示装置时，第一电极21a、21b和21c是反射电极，后述的第二电极24是光透过性电极。另一方面，制备底部发光型有机EL显示装置时，第一电极21a、21b和21c是光透过性电极，第二电极24是反射电极。

形成第一电极21a、21b和21c作为反射电极时，第一电极21a、21b和21c的每一个的构成材料优选为金属材料例如Cr、Al、Ag、Au或Pt。这些金属材料中，更优选具有高反射率的材料，原因在于该材料能够进一步改善光取出效率。通过例如采用已知的方法例如溅射形成金属材料的薄膜并且通过光刻法等将该薄膜加工为所需的形状，从而对各副像素分别形成反射电极。应指出的是，出于例如薄膜的保护或者功函数的调节的原因，可在由任何这样的金属材料形成的薄膜上进一步设置由具有光透过性的氧化物半导体例如ITO或IZO形成的层。形成第一电极21a、21b和21c时也可利用使用了金属掩模的气相沉积。即使进行使用了金属掩模的气相沉积时，对各副像素也分别形成第一电极21a、21b或21c。

形成第一电极21a、21b和21c作为光透过性电极时，第一电极21a、21b和21c的每一个的构成材料的实例包括具有光透过性的氧化物半导体例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌。

(形成有机化合物层的步骤)

有机化合物层22(22a、22b或22c)是有机EL显示装置的构成部件，并且是至少包括发光层的单层或者多层形成的层叠体。有机化合物层22中发光层以外的层是例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层，条件是本发明并不限于此。其中，与发光层接触的层可以是电荷传输层(空穴传输层或电子传输层)，或者可以是电荷阻挡层(电子阻挡层或空穴阻挡层)。

此外，只需根据从第一电极21向有机化合物层22注入的载流子的种类来适当地设定相对于第一电极21的有机化合物层22的具体构成。即，从第一电极21注入空穴时，在第一电极21侧设置用于注入或传输空穴的层(空穴注入层或空穴传输层)，在第二电极24侧设置用于注入或传输电子的层(电子注入层或电子传输层)。另一方面，从第一电极21注入电子时，在第一电极21侧设置用于注入或传输电子的层(电子注入层或电子传输层)，在第二电极24侧设置用于注入或传输空穴的层(空穴注入层或空穴传输层)。

应指出的是，从发光效率的观点出发，有机化合物层22优选为无定形膜。此外，优选取决于发光波长以适当的方式设计各有机层的厚度以致可获得光学干涉效应。

设置空穴注入层和空穴传输层中的一者或者两者时，对作为空穴注入层或空穴传输层的构成材料的空穴注入性/传输性材料并无特别限制，但优选使用具有至少比发光层的构成材料的功函数小的功函数并且具有高空穴传输性的材料。此外，空穴注入层或空穴传输层可设置有阻挡从发光层流入的电子的功能以及传输空穴的功能。或者，与空穴注入层或空穴传输层独立地，可在空穴传输层(或空穴注入层)和发光层之间插入具有阻挡从发光层流入的电子的功能的层(电子阻挡层)。

例如，芳基胺衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物、聚亚芳基(polyarylene)、稠多环烃化合物、杂环芳族化合物、杂环稠多环化合物和有机金属络合物、以及它们的均低聚物和杂低聚物均能够用作发光层中的各色(红色/绿色/蓝色)的有机发光材料，条件是本发明中的发光材料并不限于这些材料。

应指出的是，制造图1的有机EL显示装置时，对下部电极21a、21b和21c分别设置的三种有机化合物层22a、22b和22c中的发光层的发光色分别为蓝色、红色和绿色，即，发光色彼此不同。此外，对发光色的组合并无特别限制。

对空穴阻挡层的构成材料并无特别限制，只要该材料具有防止空穴从发光层向阴极泄漏的能量壁垒并且具有电子传输性。

本发明中，在形成有机化合物层的步骤中形成的有机化合物层22的最上层优选为由在极性溶剂中的溶解度比剥离层(尤其是剥离层的最下层)低的材料形成的层。其中，有机化合物层22的最上层是发光层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电荷传输层(空穴传输层或电子传输层)或电荷注入层(电子注入层或空穴注入层)。此外，在极性溶剂中的溶解度低的材料具体为具有间-三联苯基团(m-terphenylgroup)的化合物以外的稠多环烃化合物。

其中，稠多环烃化合物是只由烃构成的环状不饱和有机化合物。更具体地，该化合物是含有通过芳环例如苯环的至少一边的稠合而得到的稠环的化合物。稠多环烃化合物的具体实例包括萘、芴、荧蒽、、蒽、并四苯、菲、芘和苯并[9，10]菲(triphenylene)。

但是，难以使用稠多环烃化合物作为有机化合物层的构成材料，原因在于原样使用该化合物时其具有低热稳定性。因此，将通过将取代基引入这样的稠多环烃化合物中而得到的化合物用作有机化合物层的构成材料。

其中，作为尤其是有机化合物层的最上层的构成材料的化合物优选为通过用单键将具有间-三联苯基团的化合物以外的多个稠多环烃化合物键合而得到的有机化合物。该有机化合物包括通过用烷基例如甲基或乙基适当地将作为主骨架的稠多环烃化合物取代而得到的化合物。应指出的是，这样的有机化合物不包括任何在其主链或其取代基中具有杂原子(例如N或O)的化合物。

由稠多环烃化合物形成的层具有电荷传输性。

应指出的是，现有的方法例如真空沉积法、旋涂法、浸涂法或喷墨法能够用作形成由芳族烃化合物形成的层的方法。考虑到有机EL显示装置的发光特性，成膜法更优选为真空沉积法。

(形成剥离层的步骤)

有机化合物层22上设置的剥离层30可以是单层，或者可以是由多层形成的层叠体。本发明中，剥离层30由单层形成时，该层是由可溶于极性溶剂中的材料形成的沉积膜。或者，剥离层30是由多层形成的层叠体时，构成该层叠体的层中至少最下层是采用真空沉积法形成为膜的由低分子量材料形成的层。更具体地，剥离层30的最下层是由可溶于极性溶剂中的材料形成的沉积膜。有机化合物层的最上层由在极性溶剂中的溶解度低的材料形成时，该层上的剥离层的最下层由沉积膜形成，该沉积膜由在极性溶剂中可溶的材料形成，将剥离层除去时使用极性溶剂，能够选择性地除去剥离层30。本文中使用的术语“极性溶剂”是指由一种极性溶剂形成的液体或者多种极性溶剂的混合液，并且不包含极性溶剂和非极性溶剂(例如甲苯或苯)的混合液。这是因为，用于除去剥离层的液体含有非极性溶剂时，该液体溶解有机化合物层的可能性高。此外，本发明中的剥离层30优选为无定形膜。

在此，对剥离层30(或至少其最下层)是采用真空沉积法形成的沉积膜的理由进行说明。通过真空沉积法形成的沉积膜是经过气体状态至少一次后已凝固的膜。其中，气体状态的材料与有机化合物层22的表面接触时有机化合物层22受到的损伤较小。因此，可以说通过真空沉积法的成膜是对有机化合物层22的损伤小的成膜方法。此外，采用真空沉积法形成为膜的材料自然限于能够在真空状态下蒸发的低分子量化合物，原因在于真空沉积法是应用于具有高升华性的化合物的薄膜形成法。此外，沉积膜中的化合物的分子量与聚合物材料的分子量相比小，因此构成沉积膜的分子之间的相互作用(分子间力)弱并且它们对有机化合物层22的吸附力也弱。此外，在无定形状态下形成的沉积膜中的分子的状态例如分子彼此之间的取向是无规的。结果，与固体状态和结晶状态下的那些相比，分子间距离变大，因此实现使分子铺展开并且溶剂分子容易进入的状态，即，容易将分子溶解的状态。因此，将采用真空沉积法形成的(有机化合物的)沉积膜用作剥离层30时，通过与极性溶剂接触能够容易地将剥离层30除去。

极性溶剂的具体实例包括水、具有杂原子(例如N、O或S)的有机化合物和通过将水和具有杂原子(例如N、O或S)的有机化合物混合而得到的混合溶剂。

其中，作为极性溶剂列举的溶剂或混合溶剂中的分子必然含有杂原子，并且该杂原子作为极性溶剂中的分子的极性部位发挥功能。这样，该极性部位与剥离层的构成材料中的极性部位相互作用，因此使剥离层的构成材料溶解于极性溶剂中。此外，极性部位之间的相互作用影响各种化合物在极性溶剂中的溶解度。考虑到上述内容，通过在考虑用作剥离层30的构成材料的化合物的结构的同时适当地选择极性溶剂，与有机化合物层的最上层在其中的溶解性相比，能够改善剥离层的最下层在极性溶剂中的溶解性。

在极性溶剂中溶解的化合物是，例如，具有极性部位(杂原子)的化合物或具有间-三联苯基团的化合物。该化合物更具体为杂环化合物、或者具有给电子或吸电子取代基的有机化合物。

(1)杂环化合物

本发明中，杂环化合物可用作剥离层30的构成材料。本文中使用的术语“杂环化合物”是指，例如，均含有杂环化合物例如吡啶、联吡啶、三嗪、菲绕啉、喹啉、咪唑、唑、噻唑、二唑和噻二唑作为基本骨架的化合物组。应指出的是，这样的化合物含有喹啉作为基本骨架时，该化合物可以是羟基喹啉络合物(quinolinatecomplex)。杂环化合物的化合物组中包括的化合物为例如下述化合物。

(2)均具有间-三联苯基团的化合物组

本发明中，具有间-三联苯基团的化合物可用作剥离层30的构成材料。此外，从其热稳定性例如玻璃化转变温度的观点出发，优选通过从气相共沉积具有间-三联苯基团的化合物和杂环化合物而形成剥离层30。具有间-三联苯基团的化合物的实例包括下述化合物。

(3)均具有吸电子基团的化合物组

本发明中，具有吸电子基团的化合物可用作剥离层30的构成材料。具有吸电子基团的化合物的实例包括下述化合物。

(4)均具有有机酸部位或有机酸衍生物部位的化合物组

本发明中，具有有机酸或有机酸的衍生物例如酯作为取代基的化合物可用作剥离层30的构成材料。具有有机酸部位或有机酸衍生物部位的化合物的实例包括下述化合物。

这四种化合物组中，可单独使用一种，或者从改善在极性溶剂中的溶解性的观点出发，可将其两种或更多种适当地组合使用。

杂环化合物中，在碳以外的杂元素(例如N、O或S)上电荷定域。例如，在其环中具有氮原子的吡啶的情况下，负电荷在氮原子上的定域产生整个分子的极性。其中，含有正电荷在其上定域的羟基(-OH)等的氢原子的极性溶剂介于其间时，在杂环化合物具有且负电荷在其上定域的部位(N原子)与正电荷在其上定域的极性溶剂分子中的氢原子之间形成氢键。如上所述形成氢键时，杂环化合物溶解或者变得容易溶解于极性溶剂中。

同样地，与稠多环烃化合物相比，由化合物至少含有杂原子(例如N、O或S)的事实产生极性的化合物具有改善的在极性溶剂中的溶解性。

例如，通过将吸电子基团或给电子基团引入芳环中而得到的化合物中产生∏-电子的偏移，由此产生极化。其中，引入吸电子取代基时，负电荷在该取代基上定域以产生极性。引入给电子取代基时，正电荷在该取代基上定域以产生极性。极性的产生使得能够与极性溶剂的溶剂分子相互作用，由此改善在极性溶剂中的溶解性。分子结构含有有机酸或有机酸衍生物(例如酯)时也能够改善在极性溶剂中的溶解性。

由如上所述取代基含有杂原子的事实产生极性的取代基是例如羟基、硫醇基、烯醇、碳酸酯、硫酸酯、硼烷酸(boronicacid)酯或磷酸酯。化合物具有任何这样的取代基时，根据质子部的酸度的酸-碱反应、氢键、极性部位之间的相互作用、水合等发生，因此化合物在极性溶剂中溶解。用上述的官能团取代芳环时，该官能团也作为吸电子基团发挥作用。

另一方面，不含任何稠环的芳族烃化合物，具体地，用单键将苯环彼此连接的化合物的分子自身的尺寸比稠多环烃化合物小。结果，与稠多环烃化合物相比，前者的化合物具有改善的在极性溶剂中的溶解性。均具有间-三联苯结构的分子具有特别难以结晶的结构，原因在于这些分子具有难以相互之间取向的结构。结果，进一步使极性溶剂中的溶解度改善。

与其相比，由于以下原因，稠多环烃化合物在极性溶剂中具有极差的溶解度。化合物显示极小的其环上的∏-电子的偏移，不具有能够与极性溶剂的溶剂分子相互作用的部位，并且作为一个单元(基本骨架)大。因此，在有机化合物层的最上层中使用这样的材料能够保护任何其他有机化合物层免受用于除去剥离层的极性溶剂。

在此，对有机化合物层的构成材料和剥离层的构成材料在极性溶剂中的溶解度之差进行说明。以下述化合物的蚀刻速率作为具体实例进行说明：用作有机化合物层的构成材料的作为具有稠多环烃的化合物的下述化合物1；和用作剥离层的构成材料的下述化合物A2。

本发明中，较大的蚀刻速率意味着较高的溶解速率。此外，较大的蚀刻速率意味着具有对象材料的层在溶剂(极性溶剂)中的溶解度较高。

图3是表示化合物1和化合物A2中的相对于蚀刻时间的厚度变化的坐标图。其中，图3表示通过将异丙醇(IPA)与水混合以致IPA可占60wt％而得到的混合溶剂(以下，有时称为“IPA/水混合溶剂”)用作极性溶剂时各层的蚀刻的结果。

由图3可以看到，由作为稠多环烃化合物的化合物1形成的层(层A)，即使蚀刻时间延长，也几乎不显示厚度减少。另一方面，由作为杂环化合物的化合物A2形成的层(层B)的厚度随时间而减少。在使它们的蚀刻条件彼此相同的情况下计算各层的蚀刻速率时，层A的蚀刻速率为0.008nm/秒，而层B的蚀刻速率为0.87nm/秒，即，后者与前者之比为约100。

其中，在相同的温度条件下由剥离层的除去时使用的极性溶剂产生的有机化合物层的最上层(层A)和剥离层的最下层(层B)的蚀刻速率之比(n)能够如下式所示。

本发明中，n需要至少大于1。n优选大于10(n＞10)。其中，将化合物1用于有机化合物层的最上层并且将化合物A2用于剥离层的最下层时，n成为约100。因此，考虑各材料在极性溶剂中的溶解性来选择有机化合物层的最上层的构成材料和剥离层的最下层的构成材料时，能够增加两层之间的蚀刻速率比(溶解度之比)。结果，能够用极性溶剂选择性地除去剥离层。

IPA/水混合溶剂中作为各层的构成材料的化合物的溶解度取决于混合溶剂中IPA的重量比而变化。图4是表示IPA/水混合溶剂(极性溶剂)中化合物1(稠多环烃化合物)和化合物A2(杂环化合物)的溶解度的坐标图。其中，图4的坐标图中，横轴表示IPA/水混合溶剂中IPA的重量百分比浓度，纵轴表示1g溶剂中溶解的稠多环烃化合物或杂环化合物的量。由图4可以看到，在具有80wt％的IPA浓度的IPA/水混合溶剂1g中溶解的化合物1(稠多环烃化合物)的量为5μg，而化合物A2(杂环化合物)的溶解量为73μg。

图4也是证明以下项目(a)和(b)的坐标图：(a)IPA/水混合溶剂中IPA的浓度过高时，剥离层的构成材料和有机化合物层的构成材料都以太高的速率溶解于IPA/水混合溶剂中以致形成蚀刻速率比(n)接近1的状况；和(b)在项目(a)的情况下，添加水以降低IPA的浓度能够增大蚀刻速率比(n)，同时降低各材料的溶解速率。

如上所述，考虑支配在极性溶剂中的溶解度的因素例如极性部位之间的相互作用、氢键和分子大小来选择剥离层30的构成材料。与构成邻接的有机化合物层的任何层在其中的溶解度相比，这样的选择能够增加剥离层30在极性溶剂中的溶解度，条件是水以外的极性溶剂涉及以下可能性。取决于溶剂的种类和浓度，溶解度之差没有变得太大，因此蚀刻速率比接近1。

在这样的情况下，优选将溶剂用作与水混合的极性溶剂。具体地，优选以适当的方式调节水含量以致剥离层的蚀刻速率可大于有机化合物层。更优选以适当的方式调节水含量以致剥离层与位于有机化合物层中的最上层的层的蚀刻速率比(n)可超过10。结果，能够更有选择性地除去剥离层，因此能够防止有机EL显示装置的特性的降低。

(加工剥离层的步骤)

本发明中，光刻法能够适合用作用于将剥离层30图案化(加工)为所需形状的手段。其中，对包括采用光刻法的剥离层的加工工序进行说明。

(i)形成和加工感光树脂层的步骤

采用光刻法时，需要首先在剥离层30上设置感光树脂层40。能够将已知的材料用作作为感光树脂层40的构成材料的感光树脂。此外，现有的方法例如旋涂法、浸涂法或喷墨法能够用作形成感光树脂层40的方法。在一些情况下能够采用真空沉积法。

感光树脂层40的形成后，加工感光树脂层40。其中，将加工感光树脂层40的步骤分为感光树脂层的曝光(曝光步骤)和感光树脂层的显像(显像步骤)。

其中，曝光步骤中能够使用现有的光照射装置。应指出的是，只需使用根据图案的精细度的曝光装置。此外，进行曝光步骤时，在要曝光的区域中使用具有开口的光掩模50。应指出的是，通常使用的在光透过性基底基板上具有根据要形成的图案的由Cr薄膜形成的遮光区域的光掩模能够用作光掩模。同时，紫外光或可见光能够用作在曝光步骤中照射感光树脂层40的光。

顺便提及，进行曝光步骤时，希望考虑作为感光树脂层40的构成材料的感光树脂的性质来确定感光树脂层40的曝光区域。具体地，使用正型感光树脂时，将希望在接下来的显像步骤中将感光树脂层40除去的区域定义为曝光区域。另一方面，使用负型感光树脂时，将希望在进行接下来的显像步骤时使感光树脂层40残留的区域定义为曝光区域。其中，图2E表示使用正型感光树脂的情形。图2E中，在接下来的显像步骤中将感光树脂层40中用紫外光51照射的区域42除去。同时，用光掩模50遮蔽紫外光的区域41用于在后面进行的加工剥离层的步骤或加工有机化合物层的步骤中保护在预定区域(第一副像素20)设置的有机化合物层22a。

进行显像步骤时，只需使用对作为感光树脂层40的构成材料的感光树脂适合的显像剂。

(ii)加工剥离层的步骤

接下来，通过将剥离层30中没有被感光树脂层40覆盖的区域选择性地除去来加工剥离层30。尽管选择性地除去剥离层30的方法并无特别限制，具体地，能够采用现有的薄膜加工方法例如湿蚀刻或干蚀刻，条件是优选由溶剂产生的侧蚀刻的影响小于任何其他方法的干蚀刻，原因在于能够抑制图案精度的降低。

在以上说明中，包括使用光致抗蚀剂的光刻法用作加工剥离层30的手段，但加工剥离层30的方法并不限于此。例如，可通过采用喷墨模式、印刷、激光加工等将剥离层图案化为所需的形状。这种情况下，能够在没有形成任何光致抗蚀剂的情况下形成图案化为所需形状的剥离层。因此，建议在接下来的步骤(加工有机化合物层的步骤)中将剥离层30用作加工有机化合物层时的蚀刻掩模。应指出的是，使用剥离层30作为蚀刻掩模时，优选剥离层30的厚度至少大于有机化合物层的厚度。

(加工有机化合物层的步骤)

接下来，将有机化合物层22中没有用剥离层30覆盖的区域中的有机化合物层22选择性除去。对加工有机化合物层22的方法并无特别限制，并且能够采用现有的方法例如湿蚀刻或干蚀刻，条件是优选干蚀刻，原因在于不必担心溶剂产生的侧蚀刻。

通过上述方法，能够形成有机化合物层以只对预定的副像素选择性地设置。此外，通过反复进行与副像素的种类数对应的次数的上述的从形成有机化合物层的步骤至加工有机化合物层的步骤的步骤，能够在副像素中选择性地形成只对各副像素所需的有机化合物层。

(除去感光树脂层的步骤)

本发明的制造方法中，进行了有机化合物层22的加工后，将有机化合物层22上层叠的剥离层30和感光树脂层41均除去。

除去感光树脂层40时，能够采用现有的方法例如湿蚀刻或干蚀刻。本发明中，由于能够抑制图案精度的降低，因此优选不用担心溶剂引起的侧蚀刻的干蚀刻。

(除去剥离层的步骤)

用极性溶剂将剥离层30除去。特别优选有机化合物层22a、22b和22c的图案化已完成后并且已将剥离层上的层除去后将剥离层30除去。这是因为，能够避免由于工艺过程中例如剥离层上形成的层例如光致抗蚀剂或光致抗蚀剂的显像剂或剥离液中的杂质混入有机化合物层中而导致的元件特性的降低。此外，溶剂更优选为含有水的溶剂。应指出的是，可将一种极性溶剂引入溶剂中，或者可将多种极性溶剂的混合物引入溶剂中。

其中，术语“极性溶剂”是指具有极性的有机溶剂。其实例包括醇类、多元醇类、酮类、酯类、吡啶类和醚类，条件是优选选择具有至少低于有机化合物层22中的有机化合物的分解温度或玻璃化转变温度的沸点的溶剂，原因在于溶剂在后述的步骤中需要通过挥发而除去。在例如醇类的情况下，可适合使用甲醇、乙醇、异丙醇等。

剥离层30的除去使有机化合物层22的最上层露出。此时，由于有机化合物层22的最上层的构成材料是稠多环烃化合物，因此与剥离层30相比，有机化合物层22的最上层的蚀刻速率慢。结果，除去剥离层的步骤中，基本上没有将有机化合物层22的最上层溶解，因此在基本上防止有机化合物层22的端部损伤的情况下能够选择性地除去剥离层30。此外，该步骤中，基本上没有将有机化合物层的最上层溶解，因此有机化合物层保持几乎完整无缺。因此，能够以更严格的方式管理其厚度。在通过空腔效应控制发光色时厚度特别重要。因此，能够以更严格的方式管理厚度导致显示装置内或显示装置间的特性变动的减小，由此能够使收率增加。

除去剥离层30后，优选通过加热支撑基板10，将设置有有机化合物层22的支撑基板10上或有机化合物层22上残留的溶剂除去。更优选在真空条件下在约80℃下加热支撑基板10。通过如上所述加热支撑基板10来除去溶剂时，能够在溶剂不影响形成的状态下在接下来的步骤中形成电荷注入层或电荷传输层。应指出的是，可在进行接下来的步骤前在真空中加热支撑基板10。真空加热也能够减少影响例如大气中的水、氧或异物的附着。

(形成电荷注入/传输层的步骤)

剥离层30的除去后，在有机化合物层22上形成电荷注入/传输层23。应指出的是，电荷注入/传输层23优选形成为各副像素共同的层。此外，本发明的制造方法是形成含有碱金属组分或碱土金属组分的层作为电荷注入层时适合的方法。

形成电子注入层作为电荷注入/传输层23时，作为电子注入层的构成材料的电子注入材料优选具有高功函数。这样的材料的实例包括碱金属、碱土金属、通过用碱金属掺杂电子传输材料而得到的材料、碱金属化合物(氧化物、碳酸盐或卤化盐)和碱土金属化合物(氧化物、碳酸盐或卤化盐)。其中，作为碱金属的具体实例，可给出铯、钾和锂。此外，碱土金属的具体实例包括钙和钡。

另一方面，形成空穴注入层作为电荷注入/传输层23时，作为空穴注入层的构成材料的空穴注入材料的实例，可适当地给出具有小的功函数的有机化合物和具有极深的功函数的吸电子材料。作为具有小的功函数的有机化合物的实例，可给出芳基胺化合物和酞菁。此外，作为具有深的功函数的吸电子材料的实例，可给出F4-TCNQ、氮杂苯并[9，10]菲(azatriphenylene)化合物(例如PPDN或六氰基-六氮杂苯并[9，10]菲)、氧化钼和氧化钨。

(形成第二电极的步骤)

制备顶部发光型有机EL显示装置时，对应于上部电极的第二电极24是由透明导电材料形成的透明电极。具有光透过性的透明导电材料优选为具有高光透射率的材料。这样的材料的实例包括：透明导电材料例如ITO、氧化铟锌和ZnO；和有机导电材料例如聚乙炔。应指出的是，通过将金属材料例如Ag或Al形成为具有约10nm-30nm的厚度的膜而得到的半透过性膜可用作第二电极24。其中，光透过性电极由透明导电材料例如ITO、氧化铟锌或ZnO形成时，为了电力消耗的减少，满足电极中使用的组成所需的低电阻特性和改善光取出效率所需的高透射率特性两者的组成是优选的。用作光透过性电极的薄膜能够采用已知的方法例如溅射形成。制备同时带来低电阻特性和高透射率特性的透明导电膜时，需要适当地调节成膜装置的容量、靶、装置内的压力和成膜时的输出电压。应指出的是，将第二电极24与开关元件例如晶体管(未图示)电连接。如上所述，本发明的制造方法是没有使用精细金属掩模的制造方法。因此，能够实现具有约10μm的精细的像素尺寸和第五代及其后的大支撑基板尺寸的有机EL显示装置的制造。

(有机EL显示装置的驱动方法)

通过本发明的制造方法制造的有机EL显示装置能够通过在各副像素(20a、20b或20c)具有的第一电极21和第二电极24之间施加电压而驱动。其中，施加电压时，例如，使用通过晶体管与各电极电连接的电源手段(未图示)。

(实施方案2)

图5A-5E均为表示本发明的有机EL显示装置的制造方法中的实施方案2的截面示意图。其中，实施方案2不同于实施方案1在于在形成剥离层30的步骤后在剥离层30上形成保护层60(图5A)。以下尤其着重其与实施方案1的不同，对实施方案2进行说明。

(形成保护层的步骤)

本发明的制造方法中，如图5A中所示，可在形成剥离层30的步骤后在剥离层30上形成保护层60。其中，在剥离层30上形成的保护层60是在水和有机溶剂中不溶的膜，并且优选是具有防湿性和气体阻隔性的膜。其中，保护层60更优选具有这样的特性以致吸收光刻法时施加的光。本发明的制造方法中形成的保护层60优选是使用氮化硅(SiN)作为主要材料的无机化合物的薄膜层。

顺便提及，在剥离层30上形成保护层60消除了如下的可能性：在接下来的步骤中形成感光树脂层40时使用的溶剂渗透剥离层30以与有机化合物层22接触。因此，选择感光树脂层40的溶剂时，排除了溶剂不应溶解有机化合物层22的制约，因此也能够选择更便宜的材料。

(加工保护层的步骤)

在感光树脂层40和剥离层30之间设置保护层60时，在进行剥离层30的加工前需要进行保护层60的加工。其中，保护层60的加工具体地是将保护层60中没有被感光树脂层41(曝光步骤中没有曝光的感光树脂)覆盖的区域选择性除去(图5B)。尽管对选择性除去保护层60的方法并无特别限制，能够采用已知的技术例如湿蚀刻或干蚀刻。例如，保护层60的构成材料为SiN时，能够采用包括使用CF₄作为反应气体的干蚀刻。

(除去保护层的步骤等)

进行了上述的加工保护层60的步骤后，以与实施方案1中相同的方式进行剥离层30和有机化合物层22a的加工(图5C)。应指出的是，进行有机化合物层22a的加工时可同时除去感光树脂层41。

然后，在各副像素中进行从形成有机化合物层(22b或22c)至加工有机化合物层的步骤(图5D)，然后将保护层60和剥离层30除去(图5E)。如本实施方案那样，在剥离层30与感光树脂层40之间设置保护层60时，将感光树脂层40除去后，通过在加工保护层的步骤过程中采用的方法(例如干蚀刻或湿蚀刻)将保护层60除去。然后，用极性溶剂将剥离层30除去。或者，在没有除去保护层60的状态下，通过用极性溶剂选择性地将剥离层30除去，可将保护层60与剥离层30一起除去。

(实施方案3)

图6A-6F均为表示本发明的有机EL显示装置的制造方法中的实施方案3的截面示意图。其中，实施方案3不同于实施方案2在于保护层60由多层(第一保护层61和第二保护层62)形成(图6A)。以下尤其着重其与实施方案2的不同，对实施方案3进行说明。

(形成保护层的步骤)

如图5A和图6A中所示，保护层60可以是单层，或者可以是多层。保护层是由两层形成的层叠体时，首先形成的第一保护层61优选由水溶性材料形成。此外，在第一保护层61之后形成的第二保护层62优选为使用在水和有机溶剂中不溶的材料例如氮化硅作为主要材料的无机化合物的膜。

作为第一保护层61的构成材料的水溶性材料的实例包括已知的水溶性聚合物材料例如聚乙烯醇、聚乙二醇和聚乙烯基吡咯烷酮。此外，第一保护层的形成时能够采用现有的方法例如已知的旋涂法、浸涂法或喷墨法。其中，由于有机化合物层22是由在水中不溶解的材料形成的层，因此第一保护层61的形成时有机化合物层22不会被溶剂蚀刻。此外，形成保护层60以具有大厚度时，能够进一步减轻影响例如有机化合物层22被感光树脂层40的溶剂溶解、有机化合物层22的厚度的减小或发光材料的洗脱。

(加工保护层的步骤)

此外，保护层60由多层构成时，需要对各保护层进行加工。例如，保护层60是通过将由水溶性聚合物形成的第一保护层61和由SiN形成的第二保护层62从基板10侧以所述顺序层叠而得到的层叠体时，通过以下方法对各保护层进行加工。首先，对作为上层的第二保护层进行包括使用CF₄作为反应气体的干蚀刻(图6B)，然后对作为下层的第一保护层进行包括使用CF₄作为反应气体的干蚀刻(图6C)。

(除去保护层的步骤等)

进行了上述的加工保护层60的步骤后，以与实施方案2中相同的方式进行剥离层30和有机化合物层22a的加工(图6D)。应指出的是，如图6D中所示，进行有机化合物层22a的加工时可同时进行感光树脂层41的除去。

然后，在各副像素中进行从形成有机化合物层(22b或22c)至加工有机化合物层的步骤(图6E)，然后将保护层60和剥离层除去(图6F)。如本实施方案那样，在剥离层30与感光树脂层40之间设置保护层60时，将感光树脂层40除去后，通过在加工保护层的步骤过程中采用的方法(例如干蚀刻或湿蚀刻)将保护层60除去。然后，用极性溶剂将剥离层30除去。或者，可采用以下方法。在没有将感光树脂层40除去的情况下，通过与水接触来将第一保护层61选择性地溶解以致可将第一保护层61上形成的第二保护层62和感光树脂层40一起除去。然后，用极性溶剂将剥离层30除去。或者，可采用以下方法。在没有将感光树脂层40和保护层60除去的情况下，用极性溶剂将剥离层30除去以致可将这些层与剥离层一起除去。

接下来，通过实施例对本发明进行说明。但是，本发明并不限于下述的实施例。例如，以它们的发光色形成副像素的顺序并不限于顺序“蓝色、绿色和红色”。例如，有机化合物层的构成和厚度也并不限于实施例中记载的信息。例如，从第一电极注入电子时，只需采用根据注入来层叠有机化合物层的各层的顺序。下述的实施例的组合也包括在本发明中。本技术领域中公知或已知的技术应用于说明书中没有具体图示或说明的部分。

(实施例1)

根据图2A-2O中所示的方法制备图1中所示的有机EL显示装置。

(1)形成第一电极的步骤

首先，通过溅射法，在支撑基板10上将铝合金(AlNd)形成膜以致形成AlNd膜(反射电极)。此时，将AlNd膜的厚度设定为100nm。然后，通过溅射法，在AlNd膜上将ITO形成为膜以致形成ITO膜。此时，将ITO膜的厚度设定为10nm。应指出的是，由AlNd膜和ITO膜形成的层叠体作为第一电极21发挥功能。接下来，通过基于光刻法进行第一电极21的图案化来均制备分别构成第一副像素、第二副像素和第三副像素的第一电极21a、21b和21c(图2A)。

(2)形成蓝色有机化合物层的步骤

通过包括采用真空沉积法的连续成膜，在其上已形成了图案化的第一电极(21a、21b和21c)的支撑基板10上形成蓝色有机化合物层22a。首先，形成空穴传输层以具有120nm的厚度，然后形成含有蓝色发光材料的发光层以具有30nm的厚度。接下来，将由下式[1]表示的稠多环烃化合物形成为膜以致形成空穴阻挡层。此时，将空穴阻挡层的厚度设定为10nm。于是，形成了有机化合物层22a(蓝色有机化合物层)(图2B)

(3)形成剥离层的步骤

接下来，通过真空沉积法将由下式[2]表示的菲绕啉衍生物形成为膜以致形成剥离层30。此时，将剥离层30的厚度设定为500nm(图2C)。

(4)形成和加工感光树脂层的步骤

接下来，通过旋涂法将正型光致抗蚀剂(可由AZElectronicMaterials以制品名“AZ1500”获得)形成为膜以致形成感光树脂层40(图2D)。此时，感光树脂层的厚度为1,000nm。接下来，在用光掩模50将设置于第一副像素20a的区域的感光树脂层41遮蔽以致使感光树脂层41残留的状态下使用曝光装置(由CanonInc.制造的MaskAlignerMPA600)进行采用紫外光51的曝光(图2E)。此时，曝光时间为40秒。曝光后，使用显像剂(通过用水将可由AZElectronicMaterials以制品名“312MIF”得到的制品稀释以使其浓度为50％而制备)进行显像1分钟。通过显像处理将曝光于紫外光51的感光树脂层42除去。

(5)加工剥离层和蓝色有机化合物层的步骤

接下来，在20sccm的流量、8Pa的压力、150W的输出和2分钟的反应时间的条件下使用氧作为反应气体将没有用感光树脂层41覆盖的剥离层30除去并图案化。于是，在第一副像素20a的区域中形成了图案化的剥离层30(图2F)。进而，在相同的条件下通过干蚀刻将在第一副像素20a的区域以外的区域设置的蓝色有机化合物层22a选择性地除去。于是，在第一副像素20a的区域中形成了有机化合物层22a(蓝色有机化合物层)(图2G)。

(6)形成和加工红色有机化合物层的步骤

接下来，通过包括采用真空沉积法的连续成膜形成红色有机化合物层22b。首先，形成空穴传输层以具有200nm的厚度，然后形成含有红色发光材料的发光层以具有30nm的厚度。接下来，将由式(1)表示的稠多环烃化合物形成为膜以致形成空穴阻挡层。此时，将空穴阻挡层的厚度设定为10nm。于是，形成了有机化合物层22b(红色有机化合物层)。接下来，通过真空沉积法将由式(2)表示的菲绕啉衍生物形成为膜以致形成了剥离层30。此时，将剥离层30的厚度设定为500nm。接下来，通过旋涂法将步骤(4)中使用的正型光致抗蚀剂形成为膜以致形成了感光树脂层40(图2H)。此时，感光树脂层的厚度为1,000nm。接下来，通过与步骤(4)中的方法相同的方法加工感光树脂层40，然后通过与步骤(5)中的那些相同的方法加工剥离层30和有机化合物层22b。于是，在第二副像素20b的区域中形成了有机化合物层22b(红色有机化合物层)(图2I)。

(7)形成和加工绿色有机化合物层的步骤

接下来，通过包括采用真空沉积法的连续成膜形成绿色有机化合物层22c。首先，形成空穴传输层以具有160nm的厚度，然后形成含有绿色发光材料的发光层以具有30nm的厚度。接下来，将由式(1)表示的稠多环烃化合物形成为膜以致形成空穴阻挡层。此时，将空穴阻挡层的厚度设定为10nm。于是，形成了有机化合物层22c(绿色有机化合物层)。接下来，通过真空沉积法将由式(2)表示的菲绕啉衍生物形成为膜以致形成了剥离层30。此时，将剥离层30的厚度设定为500nm。接下来，通过旋涂法将步骤(4)中使用的正型光致抗蚀剂形成为膜以致形成了感光树脂层40(图2J)。此时，感光树脂层的厚度为1,000nm。接下来，通过与步骤(4)中的方法相同的方法加工感光树脂层40，然后通过与步骤(5)中的那些相同的方法加工剥离层30和有机化合物层22b。于是，在第三副像素20c的区域中形成了有机化合物层22c(绿色有机化合物层)(图2K)。

(8)除去感光树脂层和剥离层的步骤

接下来，通过在20sccm的流量、8Pa的压力和150W的输出的条件下使用氧作为反应气体进行干蚀刻来将感光树脂层41除去(图2L)。接下来，用通过将水与IPA混合以致IPA浓度为60wt％而得到的混合溶剂将剥离层30的除去(图2M)。应指出的是，由于本实施例中构成剥离层30的化合物(式(2)所示的菲绕啉衍生物)的蚀刻速率为0.9nm/秒，因此通过在该混合溶剂中浸渍600秒而将剥离层30除去。接下来，在80℃下进行真空加热以致将有机化合物层上残留的溶剂除去。应指出的是，对于用于除去剥离层的极性溶剂，作为在各副像素中配置的有机化合物层的最上层的式(1)所示的化合物的蚀刻速率为约0.0045nm/秒，与剥离层30的蚀刻速率相比足够小。

(9)制备第二电极的步骤等

接下来，将式(2)所示的化合物(化合物A2)形成为膜以致形成了电荷传输层(电子传输层)。此时，将电荷传输层的厚度设定为20nm。接下来，由气相将式(2)所示的化合物和碳酸铯(Cs₂CO₃)共沉积以致形成了电子注入层。此时，将电子注入层的厚度设定为20nm(图2N)。

接下来，通过溅射形成了具有16nm的厚度的Ag膜以致形成了半透明第二电极(图2O)。

接下来，在氮气氛下将密封玻璃(未图示)与基板粘接以致形成了防止元件劣化的结构。于是，制备得到有机EL显示装置。

通过与下述有机EL显示装置进行比较来评价这样制备的有机EL显示装置1：除了将PVP用作剥离层以外，以与本实施例中相同的方式通过采用光刻法制备的有机EL显示装置；和除了使用金属掩模以真空原位方式形成图案状的各有机化合物层以外，同样制备的有机EL显示装置。装置1具有优于通过使用PVP作为剥离层制备的有机EL显示装置的电流效率和驱动耐久寿命，并且得到的参数值与以真空原位方式形成有机化合物层的装置的那些相当。这可能产生于：实现了归因于下述事实的效率降低和寿命劣化的避免。由真空沉积法形成的沉积膜用作剥离层，因此与PVP的情形相比，在减少残渣量的同时实现其除去。关于精细度的增加，采用光刻法能够使像素尺寸减小到9μm见方，而通过包括使用精细金属掩模的气相沉积法得到的最小像素尺寸为约100μm见方。

(实施例2)

除了以下内容外，以与实施例1中相同的方式制造有机EL显示装置。实施例1中，将下述化合物A7(蚀刻速率：1.6nm/秒)用作剥离层30的构成材料。此外，剥离层30的除去时将在具有与实施例1中相同的混合比的IPA/水混合溶剂中的浸渍时间设定为330秒。

通过与实施例1中的那些相同的方法对得到的有机EL显示装置进行了评价。结果，在其电流效率、驱动寿命和精细度方面该装置提供与实施例1中的那些相当的结果。

(实施例3)

除了以下内容外，以与实施例1中相同的方式制造有机EL显示装置。实施例1中，将下述化合物B1(蚀刻速率：1.3nm/秒)用作剥离层30的构成材料。此外，剥离层30的除去时将在具有与实施例1中相同的混合比的IPA/水混合溶剂中的浸渍时间设定为400秒。

(实施例4)

除了以下内容外，以与实施例1中相同的方式制造有机EL显示装置。实施例1中，将下述化合物C1(蚀刻速率：1.5nm/秒)用作剥离层30的构成材料。此外，剥离层30的除去时将在具有与实施例1中相同的混合比的IPA/水混合溶剂中的浸渍时间设定为340秒。

(实施例5)

除了以下内容外，以与实施例1中相同的方式制造有机EL显示装置。实施例1中，将下述化合物D6(蚀刻速率：2.5nm/秒)用作剥离层30的构成材料。此外，剥离层30的除去时将在具有与实施例1中相同的混合比的IPA/水混合溶剂中的浸渍时间设定为220秒。

(实施例6)

除了以下内容外，以与实施例1中相同的方式制造有机EL显示装置。实施例1中，将下述化合物D8(蚀刻速率：3.0nm/秒)用作剥离层30的构成材料。此外，剥离层30的除去时将在具有与实施例1中相同的混合比的IPA/水混合溶剂中的浸渍时间设定为180秒。

(实施例7)

除了以下内容外，以与实施例1中相同的方式制造有机EL显示装置。实施例1中，在有机化合物层(22a、22b或22c)的加工时进行的形成剥离层30的步骤和形成感光树脂层40的步骤之间增加形成保护层60的步骤。此外，在加工感光树脂层40的步骤和加工剥离层30的步骤之间增加加工保护层60的步骤。此外，在除去感光树脂层41的步骤和除去剥离层30的步骤之间增加除去保护层60的步骤。以下，参照图5A-5E对本实施例中的制造方法进行说明，尤其强调形成保护层的步骤、加工保护层的步骤和除去保护层的步骤。

(1)形成保护层的步骤等

首先，通过与实施例1中的那些相同的方法在支撑基板10上形成了直至剥离层30的层。接下来，在剥离层30上通过CVD法将氮化硅(SiN)形成为膜以致形成了保护层60。此时，将保护层60的厚度设定为1,000nm。接下来，通过与实施例1中相同的方法在保护层60上形成了感光树脂层40(图5A)。

(2)加工保护层的步骤

接下来，将感光树脂层40图案化。然后，在30sccm的流量、150W的输出、10Pa的压力和7分钟的处理时间的条件下使用CF₄作为反应气体将没有用感光树脂层41覆盖的保护层60除去(图5B)。即，该步骤中加工保护层60以致与各副像素的区域对应地设置保护层60。

(3)加工有机化合物层的步骤

然后，通过与实施例1中的那些相同的方法进行加工剥离层30和有机化合物层22a的步骤(图5C)。接下来，在第二副像素20b和第三副像素20c的每一个中进行步骤(1)和(2)以致分别形成和加工对于第二副像素20b和第三副像素20c设置的有机化合物层22b和22c(图5D)。

(4)除去保护层的步骤

接下来，通过与实施例1中相同的方法将感光树脂层41除去。然后，在30sccm的流量、150W的输出、10Pa的压力和7分钟的处理时间的条件下使用CF₄作为反应气体将保护层60除去。接下来，通过与实施例1中相同的方法将剥离层30的除去(图5E)。然后，通过与实施例1中的那些相同的方法以所述的顺序形成了电荷注入/传输层23和第二电极24。于是，得到了有机EL显示装置。

(实施例8)

本实施例中，除了将实施例7中的形成保护层的步骤、加工保护层60的步骤和除去保护层60的步骤变为下述的方法以外，以与实施例7中相同的方式制造有机EL显示装置。以下，参照图6A-6F进行说明，尤其强调形成保护层的步骤、加工保护层的步骤和除去保护层的步骤。

(1)形成保护层的步骤

首先，通过与实施例7中的那些相同的方法在支撑基板10上形成了直至剥离层30的层。接下来，通过将PVP和水混合以致PVP的重量浓度为5wt％来制备作为水溶性聚合物材料的聚乙烯基吡咯烷酮(PVP，分子量：360,000)的水溶液。接下来，通过旋涂法将制备的PVP的水溶液涂布到剥离层30上，然后干燥以致形成了第一保护层61。此时，第一保护层61的厚度为500nm。接下来，在第一保护层61上通过CVD法将氮化硅(SiN)形成为膜以致形成了第二保护层62。此时，将第二保护层62的厚度设定为1,000nm。接下来，通过与实施例7中相同的方法在保护层60上形成了感光树脂层40(图6A)。

(2)加工保护层的步骤

将感光树脂层40图案化以在第一副像素的区域中残留后，在与实施例7的步骤(2)的那些相同的条件下进行第二保护层62的加工(第二保护层62的选择性除去)(图6B)。接下来，在20sccm的流量、8Pa的压力、150W的输出和5分钟的条件下使用氧作为反应气体将没有用感光树脂层40覆盖的第一保护层61除去。即，在该步骤中加工由第一保护层61和第二保护层62形成的保护层60以致与各副像素的区域对应地设置保护层60(图6C)。

(3)加工有机化合物层的步骤

以与实施例1中相同的方式使用感光树脂层40和保护层60作为掩模来加工剥离层30和有机化合物层22a(图6D)。在第二副像素20b和第三副像素20c的每一个中进行步骤(1)和(2)以致分别形成和加工对于第二副像素20b和第三副像素20c设置的有机化合物层22b和22c(图6E)。

(4)除去保护层的步骤

将感光树脂层40除去后，以与实施例7的步骤(4)中相同的方式将第二保护层62除去。接下来，在20sccm的流量、8Pa的压力、150W的输出和5分钟的条件下使用氧作为反应气体将第一保护层61除去。接下来，通过与实施例7中相同的方法将剥离层30除去(图6F)。然后，通过与实施例7中的那些相同的方法以所述顺序形成了电荷注入/传输层23和第二电极24。于是，得到了有机EL显示装置。

如上所述，通过根据本发明的制造方法形成的有机EL显示装置能够用于各种电子设备的显示部分，原因在于该装置的电流效率、驱动寿命和精细度优异。电子设备的实例包括数码相机、便携设备例如个人数字助理、个人电脑、电视和各种打印机。

对作为电子设备的实例的数码相机进行说明。图7表示数码相机系统的方块图。数码相机系统71包括摄像部72、图像信号处理电路73、根据本发明的显示装置74、存储器75、CPU76和操作部77。在图像信号处理电路73中对通过摄像部72拍摄的图像或存储器75中记录的图像信息进行信号处理以致可产生图像信号。能够将图像信号显示在显示装置74上。控制器具有用来自操作部77的输入控制，例如，摄像部72、存储器75和图像信号处理电路73的CPU76，进行适合环境的拍摄、记录、复制和显示。

尽管已参照例示实施方案对本发明进行了说明，但应理解本发明并不限于所公开的例示实施方案。下述权利要求的范围应给予最宽泛的解释以包括所有这样的变形以及等同的结构和功能。

Claims

1.有机电致发光显示装置的制造方法，该有机电致发光显示装置包括有机电致发光元件，该有机电致发光元件包括第一电极和第二电极以及配置在该第一电极和该第二电极之间的有机化合物层，将该有机化合物层图案化，该方法包括：

至少在该第一电极上形成该有机化合物层的有机化合物层形成步骤；

在该有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；

在该剥离层上形成第一保护层的第一保护层形成步骤；

在该第一保护层上形成第二保护层的第二保护层形成步骤；

加工该剥离层、该第一保护层和该第二保护层的加工步骤；

将没有被已被加工的该剥离层、该第一保护层和该第二保护层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤；和

用极性溶剂将已被加工的该剥离层、该第一保护层和该第二保护层除去的除去步骤，

其中：

该有机化合物层形成步骤包括由具有间-三联苯基团的化合物以外的稠多环烃化合物形成该有机化合物层的最上层的步骤；

采用真空沉积法由低分子量材料形成在极性溶剂中可溶的剥离层的步骤，该剥离层与该有机化合物层接触，

采用旋涂法在剥离层上由聚合物材料形成在极性溶剂中可溶的第一保护层的步骤，并且

该第二保护层形成步骤包括形成包括无机化合物的膜的步骤，该膜在水和极性溶剂中不溶，

其中极性溶剂包括具有极性的有机溶剂，水，或具有极性的有机溶剂与水的混合溶剂。

2.根据权利要求1的有机电致发光显示装置的制造方法，其中该剥离层包括具有极性部位的化合物和具有间-三联苯基团的化合物中的一者。

3.根据权利要求1的有机电致发光显示装置的制造方法，其中将该剥离层、该第一保护层和该第二保护层除去的除去步骤中使用的极性溶剂含有水。

4.根据权利要求1的有机电致发光显示装置的制造方法，其中在该剥离层除去步骤中下式成立：

其中n为蚀刻速率之比。

5.根据权利要求1的有机电致发光显示装置的制造方法，其还包括在将该剥离层、该第一保护层和该第二保护层除去的除去步骤后在该有机化合物层上形成含有碱金属成分的层的步骤。

6.电子设备，包括：

显示装置；

存储器；

CPU；和

操作部，

其中该显示装置包括由根据权利要求1的有机电致发光显示装置的制造方法制造的有机电致发光显示装置。