CN102751368A - InGaN/Si双结太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层、p-InxGa1-xN层、正电极，其特点是：成核层和衬底之间有p-Si层，与n-Si衬底形成Si底电池；p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底下面。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层，与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池的总转换效率高；通过蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池的使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。

Description

InGaN/Si双结太阳能电池
技术领域
本发明属于太阳电池技术领域，特别是涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池。
背景技术
目前公知的能源都是不可再生的，经过多年的开采之后，这些能源的储量都在一天天地减少，而且使用后会造成严重的环境问题，于是人们对太阳能这种取之不尽用之不竭的绿色能源越来越重视，长期以来，都在孜孜不倦地寻找太阳能高转换效率的材料。近年来，以GaN及InGaN，AlGaN为代表的第三代半导体材料——Ⅲ族氮化物是人们研究的热点，它主要应用于光电器件和高温、高频、大功率器件。2002年的研究结果表明，InN的禁带宽度不是之前报道的1.89eV而是0.7eV，这就意味着通过调节InGaN材料中In组分，可使其禁带宽度从3.4eV（GaN）到0.7eV（InN）连续可调，也就是其对应吸收光谱的波长从紫外部分（365nm）可以一直延伸到近红外部分（1770nm），几乎完整地覆盖了整个太阳光谱，除此之外，还有吸收系数高、电子迁移率高、抗辐射能力强等优点，于是InGaN材料在太阳能电池领域中的应用引起了人们的密切关注。
蓝宝石和碳化硅衬底是目前生长InGaN使用最多的材料，使用蓝宝石衬底的制备工艺已经很成熟了，但是其硬度高、导电及导热差，限制了InGaN器件的性能；碳化硅衬底相比蓝宝石衬底具有更优良的性能，但其价格昂贵，限制了它的应用；而硅衬底不仅硬度和价格低，而且具有易解理、易得到大面积高质量商业化衬底以及硅基器件易于集成，带隙为1.12eV等优点，被认为是最有希望取代以上两种衬底生长InGaN的一种理想材料，但是硅衬底存在晶格失配和热膨胀失配的问题。
经过检索发现，人们开始研究如何采用Si衬底生长InGaN材料制备太阳能电池，并克服晶格失配和热膨胀失配的问题。如：申请号为200810240351.4，名称为“p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法”的发明专利，结构包括：一衬底，其上依次为低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层；申请号为201110300096.X，名称为“含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池”的发明专利，结构包括：一衬底，其上依次为高温AlN成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、InGaN/GaN超晶格和p型掺杂GaN层，而且p型GaN层表面有Ni/Au电极，n型GaN层表面有Al/Au电极。
上述检索到的专利均采用Si作为衬底制备InGaN系太阳能电池，解决了晶格失配和热膨胀失配的问题，但由于增加了外延工艺的复杂度，降低了电池的总转换效率，提高了生产成本。
发明内容
本发明为解决现有技术存在的问题，提供了一种易于制备、总转换效率高、抗辐射能力强、使用寿命长，并且生产成本低的一种InGaN/Si双结太阳能电池。
本发明InGaN/Si双结太阳能电池采用如下技术方案：
一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，n-Si衬底上面自下至上依次有AlN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-InxGa1-xN层、Mg掺杂的p-InxGa1-xN层和正电极，其特点是：所述AlN成核层和n-Si衬底之间制有p-Si层，p-Si层与n-Si衬底形成Si底电池；所述Mg掺杂的p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底的下面。
本发明InGaN/Si双结太阳能电池还可以采用如下技术措施：
所述的半透明电流扩展层为ITO薄膜；半透明电流扩展层上光刻出正电极区域，半透明电流扩展层的其余部分被光刻胶保护形成保护区；所述正电极蒸镀于正电极区域。
所述的正电极为自下至上蒸镀成一体、厚度为20nm/60nm的Ni/Au电极。
所述的负电极为自上至下蒸镀成一体、厚度为15nm/15nm/400nm的Ti/Pd/Ag电极。
所述的正电极区域的深度为50-100nm。
本发明具有的优点和积极效果：
1、本发明采用n-Si衬底，通过生长AlN成核层时Al原子的扩散，在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层，p-Si层与n-Si衬底形成了Si底电池，不仅易于制备，而且制备成电池的总转换效率高；
2、本发明通过蒸镀半透明电流扩展层，加强了正电极对载流子的收集，提高了电池的抗辐射能力，延长了电池的使用寿命；
3、本发明由于在n-Si衬底的下面直接蒸镀负电极，简化了工艺，降低了成本，并且这样蒸镀的负电极还可以当做反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。
附图说明
图1是本发明InGaN/Si双结太阳能电池结构示意图；
图2为在图1中半透明电流扩展层上光刻出的正电极区域和保护区。
图中，1-n-Si衬底，2-p-Si层，3-AlN成核层，4-GaN缓冲层，5-n-InxGa1-xN层，6-p-InxGa1-xN层，7-半透明电流扩展层，8-正电极，9-负电极，10-正电极区域，11-保护区。
具体实施方式
为能进一步公开本发明的发明内容、特点及功效，特例举以下实例并结合附图进行详细说明如下：
InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，n-Si衬底上面自下至上依次有AlN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-InGaN层、Mg掺杂的p-InxGa1-xN层和正电极。
本发明的创新点是：所述AlN成核层和n-Si衬底之间制有p-Si层，p-Si层与n-Si衬底形成Si底电池；所述Mg掺杂的p-InxGa1-xN层上面蒸镀有ITO薄膜作为半透明电流扩展层，半透明电流扩展层上光刻出正电极区域，半透明电流扩展层的其余部分被光刻胶保护形成保护区；所述正电极蒸镀于正电极区域，正电极为自下至上蒸镀成一体、厚度为20nm/60nm的Ni/Au电极；负电极蒸镀于n-Si衬底的下面，负电极为自上至下蒸镀成一体、厚度为15nm/15nm/400nm的Ti/Pd/Ag。
实施例：参照附图1-图2，对本发明InGaN/Si双结太阳能电池的制作过程进行描述：
步骤1、选用超声清洗后的n-Si作为衬底；
步骤2、采用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD），将n-Si衬底1置于反应室中，通入TMAl流量30mL/min和NH3流量3L/min，在600℃条件，Al原子开始扩散到n-Si层中替代Si原子，形成表面高掺杂，然后升温至1000℃，Al原子进一步扩散，与n-Si衬底形成结深0.1um的p-Si层2，p-Si层上面生长出60nm厚的AlN成核层3；其中p-Si层和n-Si层即构成了Si底电池，不仅易于制备，而且制备成电池的总转换效率可达到30%以上；
步骤3、采用金属有机化学气相沉积技术在AlN成核层上生长GaN缓冲层4，生长温度为1000℃，厚度为1μm，本层可减少外延层的缺陷密度，从而提高晶体质量；
步骤4、在GaN缓冲层上生长Si掺杂的n-InxGa1-xN层5，生长温度为1000℃，其中x为0.46，掺杂浓度5×1018，厚度200nm，保证了光的吸收以及空穴的扩散；
步骤5、在n-InxGa1-xN层上生长Mg掺杂的p-InxGa1-xN层6，生长温度为1000℃，其中x为0.46，掺杂浓度5×1018，厚度范围为100nm，可提供足够的电荷，以及合适的顶部金属接触条件；
步骤6、在p-InxGa1-xN层上蒸镀半透明电流扩展层7：
将步骤5生长后的材料和ITO材料置于电子束蒸发设备中，其真空度为10-4Pa以下，同时通入流量为3.5sccm的氧气，温度为200℃，蒸镀2小时，p-InxGa1-xN层上形成200nm厚的ITO膜；取出蒸镀后的材料，再放入退火炉中，450℃的N2环境下，退火15分钟，随炉冷却至常温，p-InxGa1-xN层上的ITO膜即为半透明电流扩展层，加强了正电极对载流子的收集，提高了电池的抗辐射能力，延长了电池的使用寿命；
步骤7、光刻半透明电流扩展层
采用光刻机，在半透明电流扩展层上光刻出如图2所示，深度为80nm的正电极区域10，半透明电流扩展层的其余部分被光刻胶覆盖包围形成保护区11；
步骤8、蒸镀正电极8：
将步骤7光刻后的材料和Au、Ni置于电子束蒸发设备中，其真空度为10-4Pa以下时开始蒸镀，正电极区域蒸镀出一层厚度20nm的Ni，在Ni上蒸镀出一层厚度60nm Au，整个蒸镀过程中温度为100℃、蒸镀时间为2小时；在550℃的N2环境下，退火5分钟，随炉自然冷却至常温后，半透明电流扩展层的正电极区域即蒸镀出自下至上成为一体、厚度为20nm/60nm的Ni/Au正电极；
步骤9、蒸镀负电极9：
将步骤8蒸镀正电极后材料的n-Si衬底背面朝上，置于电子束蒸发设备中，并将Ti、Pd和Ag一同置于电子束蒸发设备中，其真空度为10-4Pa以下时开始蒸镀，在n-Si衬底的底面依次蒸镀出厚度15nm的Ti、15nm（的Pd和400nm的Ag，整个蒸镀过程中温度为100℃、蒸镀2小时；750℃的N2环境下，退火5分钟，随炉自然冷却至常温后，n-Si衬底的背面蒸镀出图1所示电池位置自上至下成为一体、厚度15nm/15nm/400nm的Ti/Pd/Ag负电极，即完成本发明InGaN/Si双结太阳能电池的制作。该负极的制备过程简化了工艺，降低了成本，并可以当做反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。
尽管上面结合附图对本发明的优选实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以作出很多形式。这些均属于本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，n-Si衬底上面自下至上依次有AlN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-InxGa1-xN层、Mg掺杂的p-InxGa1-xN层和正电极负电极，其特征在于：所述AlN成核层和n-Si衬底之间制有p-Si层，p-Si层与n-Si衬底形成Si底电池；所述Mg掺杂的p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底的下面。
2.根据权利要求1所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述的半透明电流扩展层为ITO薄膜；半透明电流扩展层上光刻出正电极区域，半透明电流扩展层的其余部分被光刻胶保护形成保护区；所述正电极蒸镀于正电极区域。
3.根据权利要求1或2所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述正电极为自下至上蒸镀成一体、厚度为20nm/60nm的Ni/Au电极。
4.根据权利要求1所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述负电极为自上至下蒸镀成一体、厚度为15nm/15nm/400nm的Ti/Pd/Ag电极。
5.根据权利要求2所述的InGaN/Si双结太阳能电池，其特征在于：所述正电极区域的深度为50-100nm。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103928539A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 国际商业机器公司 多结iii-v太阳能电池及其制造方法
CN104347753A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 中国电子科技集团公司第十八研究所 InGaN/Si三结太阳能电池的制备方法
CN113594028A (zh) * 2021-07-27 2021-11-02 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050102298A (ko) * 2004-04-21 2005-10-26 한국전기연구원 광감응형 및 ｐ-ｎ접합 복합구조를 갖는 태양전지 및 그제조방법
CN101866967A (zh) * 2010-04-30 2010-10-20 华中科技大学 太阳能电池
CN102290478A (zh) * 2011-09-05 2011-12-21 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池
CN102403377A (zh) * 2011-11-01 2012-04-04 宁波市鑫友光伏有限公司 N型衬底硅太阳能电池及其生产方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050102298A (ko) * 2004-04-21 2005-10-26 한국전기연구원 광감응형 및 ｐ-ｎ접합 복합구조를 갖는 태양전지 및 그제조방법
CN101866967A (zh) * 2010-04-30 2010-10-20 华中科技大学 太阳能电池
CN102290478A (zh) * 2011-09-05 2011-12-21 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池
CN102403377A (zh) * 2011-11-01 2012-04-04 宁波市鑫友光伏有限公司 N型衬底硅太阳能电池及其生产方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103928539A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 国际商业机器公司 多结iii-v太阳能电池及其制造方法
CN104347753A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 中国电子科技集团公司第十八研究所 InGaN/Si三结太阳能电池的制备方法
CN113594028A (zh) * 2021-07-27 2021-11-02 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用

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