JP2011198975A - タンデム型太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1半導体層103の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第1導電形の第2半導体層104と、第2半導体層104の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第2導電形の第3半導体層105と、第3半導体層105の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第1導電形の第4半導体層106と、第4半導体層106の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第2導電形の第5半導体層107とを少なくとも備える。
【選択図】 図1
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるタンデム型太陽電池の構成を示す構成図である。図1は、本実施の形態におけるタンデム型太陽電池の一部断面を模式的に示している。このタンデム型太陽電池は、第1導電形の第1シリコン層101と、第1シリコン層101の上に形成された第2導電形の第2シリコン層102と、第2シリコン層102の上に形成されたAlNからなる第1半導体層103とを備える。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図4は、本発明の実施の形態2におけるタンデム型太陽電池の構成を示す断面図である。このタンデム型太陽電池は、n形とされたシリコン基板(第1シリコン層)401と、シリコン基板401の上に形成されたp形のシリコン層(第1シリコン層)402と、シリコン層402の上に形成されたAlNからなる層厚50nmの中間層(第1半導体層)403とを備える。
Claims (2)
- 第1導電形の第1シリコン層と、
この第1シリコン層の上に形成された第2導電形の第2シリコン層と、
この第2シリコン層の上に形成されたAlNからなる第1半導体層と、
この第1半導体層の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第1導電形の第2半導体層と、
この第2半導体層の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第2導電形の第3半導体層と、
この第3半導体層の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第1導電形の第4半導体層と、
この第4半導体層の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第2導電形の第5半導体層と
を少なくとも備えることを特徴とするタンデム型太陽電池。 - 請求項1記載のタンデム型太陽電池において、
前記第1シリコン層および前記第2シリコン層は、主表面が(111)面とされている
ことを特徴とするタンデム型太陽電池。
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2010
- 2010-03-19 JP JP2010063684A patent/JP2011198975A/ja active Pending
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