CN102745985A - 高居里点无铅ptc陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高居里点无铅PTC陶瓷材料及其制备方法。该材料的主要组成为：Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3，其中0.08≤x≤0.3。本发明提供的高居里点PTC陶瓷材料不含铅，避免了电阻元器件在制造和使用过程中对人体和环境产生危害。采用氧化再还原的工艺，实现了材料在不进行施主掺杂的情况下的半导化。并能通过对NBT掺杂量的控制，以实现不同居里点的PTC热敏材料的制备。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体材料，特别涉及一种符合无铅、低阻的Na0.5Bi0.5TiO3（NBT）高浓度掺杂BaTiO3（BT）高居里点无铅PTC热敏电阻陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
BaTiO3基正温度系数电阻（positive temperature coefficient resistance，简称PTCR）陶瓷材料是一种铁电半导体材料，是近年来发展迅速的新型电子材料之一。由于PTCR陶瓷材料具有温敏、限流、延时等自动“开关”功能，已广泛的应用于电子通讯、航空航天、汽车工业、家用电器等各个领域。
然而，当前的可实用化的压电和铁电材料主要是以Pb作为居里点的移动剂，以Pb置换Ba的晶格位置来实现的。此类产品由于其良好的稳定性、可重复性和较高的居里点得到了广泛的应用。但是含Pb氧化物不可避免的因为各种原因流入生活环境和自然环境，从而对人体和自然环境造成危害。由于当前各国对环保要求的不断提高，PTCR材料的无铅化已经成为一种必然趋势。环境友好型的PTCR热敏陶瓷材料具有深远的社会意义和经济意义。
目前各国研究人员研究最多的系统之一是BT-NBT，但多集中于NBT（Na0.5Bi0.5TiO3）对BT（BaTiO3）的低浓度掺杂（一般不超过8%）。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高居里点无铅PTC陶瓷材料及其制备方法。
为达到上述目的，本发明采用了以下技术方案。
一种高居里点无铅PTC陶瓷材料，该陶瓷材料包括以下组分：
Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3，其中0.08≤x≤0.3。
上述高居里点无铅PTC陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
1）首先将Na2CO3、Bi2O3以及TiO2按照Na2CO3∶Bi2O3∶TiO2=1∶1∶4的摩尔比混合得混合物A，然后将BaCO3以及TiO2按照1∶1的摩尔比混合得混合物B，向混合物A以及混合物B中加入去离子水后分别在350-500r/min的转速下球磨4h，球磨后在80-100℃下烘干；
2）经过步骤1）后，将混合物A在800-850℃下保温2-3h合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体，将混合物B在1100-1150℃下保温2-3h合成BaTiO3粉体；
3）将Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体和M按照下面的配方进行配料得混合物C：
Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3+yM，其中0.08≤x≤0.3，0≤y≤0.05，y取0时，烧结温度会较高，M为作为助烧剂、玻璃相和增强材料温度系数的微量化合物添加物，向混合物C中加入去离子水后在350-500r/min的转速下球磨4h，球磨后在80-100℃下烘干，然后造粒、成型得胚体；
4）将胚体在通入氮气的气氛炉中于1300℃保温2h，得到半导化的陶瓷样品；
5）将半导化的陶瓷样品在混合有微量氧气的氮气中、800-1100℃下保温1-2h，得到高居里点无铅PTC陶瓷材料。
所述M为含Si、Al、Ti或者Mn的氧化物中的一种或者几种的混合物。
所述混合有微量氧气的氮气中氧气的体积分数为0.5-4%。
本发明制备得到的高居里点无铅PTC陶瓷材料经电阻材料特性检测可以达到以下的参数要求：Tc=150-230℃；R25≤3.5kΩ；lg(Rmax/Rmin)≥3.0。特性检测采用In-Ga合金作为电极，测得元器件的室温电阻和电阻-温度曲线。实际生产中可以选用其他电极材料（如铝电极、镍电极等）。
本发明所述高居里点无铅PTC陶瓷材料的制备方法具有以下优点：①采用传统固相法制备粉体，颗粒无团聚、填充性好、成本低、产量大、制备工艺简单，反应条件容易控制。②通过NBT对BT的高浓度（8%~30%）掺杂以实现居里点的提高。③样品在氮气气氛中进行烧结，在未进行施主掺杂的情况下实现样品的低阻化、半导化。④还原后的样品在N2和O2的混合气体中，进行再氧化。通过控制混合气体中各组分的比例，施氧温度，施氧时间等条件，以控制材料的升阻比。⑤本发明制备的高居里点PTC陶瓷材料不含铅，避免了电阻元器件在制造和使用过程中对人体和环境产生危害。采用还原再氧化的工艺，实现了材料在不进行施主掺杂的情况下的半导化。并能通过对NBT掺杂量的控制，以实现不同居里点的PTC热敏材料的制备。⑥本发明所述高居里点无铅PTC陶瓷材料的制备方法能够获得高纯相组成、性能稳定、可靠性高的高居里点PTC热敏电阻，主成分的配方中NBT的掺杂范围广，实际应用过程中可以根据生产工艺进行相应的调整，灵活性大。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
1）首先将Na2CO3、Bi2O3以及TiO2按照Na2CO3∶Bi2O3∶TiO2=1∶1∶4的摩尔比混合得混合物A，然后将BaCO3以及TiO2按照1∶1的摩尔比混合得混合物B，向混合物A以及混合物B中加入去离子水后分别在500r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在80℃下烘干；
2）经过步骤1）后，将混合物A在850℃下保温2h合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体，将混合物B在1120℃下保温3h合成BaTiO3粉体；
3）将Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体和SiO2按照配方Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3+ySiO2进行配料得到混合物C，其中x=0.08，y=0.05，向混合物C中加入一定量的去离子水后在500r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在100℃下经过4h烘干，烘干后加入一定量的PVA造粒、成型得胚体，胚体为圆片型，圆片的直径为12mm，厚度为3.5-4.0mm；
4）将胚体在通入氮气的气氛炉中于1300℃保温2h，得到半导化的陶瓷样品；
5）将半导化的陶瓷样品在混合有微量氧气的氮气中（氧气的体积分数为0.5%）、900℃下保温2h进行再氧化，以使晶界氧化而形成晶界势垒得到高居里点无铅PTC陶瓷材料；
6）将无铅PTC陶瓷材料的两面磨平，涂以In-Ga合金作为电极；
7）步骤6）后将得到PTC陶瓷材料进行电阻温度曲线测量，所得到的陶瓷材料的性能：Tc（居里点）=150℃；R25=3.5kΩ；lg(Rmax/Rmin)=3.25。
实施例2
1）首先将Na2CO3、Bi2O3以及TiO2按照Na2CO3∶Bi2O3∶TiO2=1∶1∶4的摩尔比混合得混合物A，然后将BaCO3以及TiO2按照1∶1的摩尔比混合得混合物B，向混合物A以及混合物B中加入去离子水后分别在350r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在100℃下烘干；
2）经过步骤1）后，将混合物A在830℃下保温2h合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体，将混合物B在1135℃下保温3h合成BaTiO3粉体；
3）将Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体和SiO2按照配方Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3+ySiO2进行配料得到混合物C，其中x=0.10，y=0.05，向混合物C中加入一定量的去离子水后在350r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在90℃下经过5h烘干，烘干后加入一定量的PVA造粒、成型得胚体，胚体为圆片型，圆片的直径为12mm，厚度为3.5-4.0mm；
4）将胚体在通入氮气的气氛炉中于1300℃保温2h，得到半导化的陶瓷样品；
5）将半导化的陶瓷样品在混合有微量氧气的氮气中（氧气的体积分数为2%）、1100℃下保温1h进行再氧化，以使晶界氧化而形成晶界势垒得到高居里点无铅PTC陶瓷材料；
6）将无铅PTC陶瓷材料的两面磨平，涂以In-Ga合金作为电极；
7）步骤6）后将得到PTC陶瓷材料进行电阻温度曲线测量，所得到的陶瓷材料的性能：Tc=170℃；R25=2.5kΩ；lg(Rmax/Rmin)=3.10。
实施例3
1）首先将Na2CO3、Bi2O3以及TiO2按照Na2CO3∶Bi2O3∶TiO2=1∶1∶4的摩尔比混合得混合物A，然后将BaCO3以及TiO2按照1∶1的摩尔比混合得混合物B，向混合物A以及混合物B中加入去离子水后分别在400r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在90℃下烘干；
2）经过步骤1）后，将混合物A在800℃下保温3h合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体，将混合物B在1150℃下保温2h合成BaTiO3粉体；
3）将Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体和TiO2按照配方Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3+yTiO2进行配料得到混合物C，其中x=0.20，y=0.05，向混合物C中加入一定量的去离子水后在400r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在80℃下经过6h烘干，烘干后加入一定量的PVA造粒、成型得胚体，胚体为圆片型，圆片的直径为12mm，厚度为3.5-4.0mm；
4）将胚体在通入氮气的气氛炉中于1300℃保温2h，得到半导化的陶瓷样品；
5）将半导化的陶瓷样品在混合有微量氧气的氮气中（氧气的体积分数为4%）、1100℃下保温1h进行再氧化，以使晶界氧化而形成晶界势垒得到高居里点无铅PTC陶瓷材料；
6）将无铅PTC陶瓷材料的两面磨平，涂以In-Ga合金作为电极；
7）步骤6）后将得到PTC陶瓷材料进行电阻温度曲线测量，所得到的陶瓷材料的性能：Tc=178℃；R25=2.9kΩ；lg(Rmax/Rmin)=3.15。
实施例4
1）首先将Na2CO3、Bi2O3以及TiO2按照Na2CO3∶Bi2O3∶TiO2=1∶1∶4的摩尔比混合得混合物A，然后将BaCO3以及TiO2按照1∶1的摩尔比混合得混合物B，向混合物A以及混合物B中加入去离子水后分别在450r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在95℃下烘干；
2）经过步骤1）后，将混合物A在820℃下保温3h合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体，将混合物B在1100℃下保温2h合成BaTiO3粉体；
3）将Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体和SiO2按照配方Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3+ySiO2进行配料得到混合物C，其中x=0.30，y=0.05，向混合物C中加入一定量的去离子水后在450r/min的转速下球磨4h，球磨后过滤去除球石，然后在90℃下经过5h烘干，烘干后加入一定量的PVA造粒、成型得胚体，胚体为圆片型，圆片的直径为12mm，厚度为3.5-4.0mm；
4）将胚体在通入氮气的气氛炉中于1300℃保温2h，得到半导化的陶瓷样品；
5）将半导化的陶瓷样品在混合有微量氧气的氮气中（氧气的体积分数为3%）、800℃下保温2h进行再氧化，以使晶界氧化而形成晶界势垒得到高居里点无铅PTC陶瓷材料；
6）将无铅PTC陶瓷材料的两面磨平，涂以In-Ga合金作为电极；
7）步骤6）后将得到PTC陶瓷材料进行电阻温度曲线测量，所得到的陶瓷材料的性能：Tc=201℃；R25=2.8kΩ；lg(Rmax/Rmin)=3.30。
实施例1-4中，球磨中去离子水、球石的用量比例为：
料∶球∶水=1∶（1~1.4）∶（0.8~1.2）这个比例可以酌情变化，对最终的结果的影响很微弱。
Claims (4)
1.一种高居里点无铅PTC陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料包括以下组分：
Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3，其中0.08≤x≤0.3。
2.一种制备如权利要求1所述高居里点无铅PTC陶瓷材料的方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）首先将Na2CO3、Bi2O3以及TiO2按照Na2CO3∶Bi2O3∶TiO2=1∶1∶4的摩尔比混合得混合物A，然后将BaCO3以及TiO2按照1∶1的摩尔比混合得混合物B，向混合物A以及混合物B中加入去离子水后分别在350-500r/min的转速下球磨4h，球磨后在80-100℃下烘干；
2）经过步骤1）后，将混合物A在800-850℃下保温2-3h合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体，将混合物B在1100-1150℃下保温2-3h合成BaTiO3粉体；
3）将Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体和M按照下面的配方进行配料得混合物C：
Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xTiO3+yM，其中0.08≤x≤0.3，0≤y≤0.05，M为作为助烧剂、玻璃相和增强材料温度系数的微量化合物添加物，向混合物C中加入去离子水后在350-500r/min的转速下球磨4h，球磨后在80-100℃下烘干，然后造粒、成型得胚体；
4）将胚体在通入氮气的气氛炉中于1300℃保温2h，得到半导化的陶瓷样品；
5）将半导化的陶瓷样品在混合有微量氧气的氮气中、800-1100℃下保温1-2h，得到高居里点无铅PTC陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述一种制备高居里点无铅PTC陶瓷材料，其特征在于：所述M为含Si、Al、Ti或者Mn的氧化物中的一种或者几种的混合物。
4.根据权利要求2所述一种制备高居里点无铅PTC陶瓷材料，其特征在于：所述混合有微量氧气的氮气中氧气的体积分数为0.5-4%。
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|---|---|
| CN (1) | CN102745985B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104609853A (zh) * | 2015-01-28 | 2015-05-13 | 陕西科技大学 | 一种添加SiO2的BaTiO3基无铅高居里点PTC热敏电阻陶瓷材料及其制备方法 |
| CN104844196A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-08-19 | 江苏大学 | 一种高居里温度ptc热敏陶瓷材料 |
| CN107010944A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-04 | 句容市博远电子有限公司 | 一种ptc热敏电阻及其制备方法 |
| CN107082637A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-22 | 句容市博远电子有限公司 | 一种正温度系数热敏电阻及其制备方法 |
| CN116344130A (zh) * | 2023-04-20 | 2023-06-27 | 丹东国通电子元件有限公司 | 一种106高升阻比的130度无铅热敏电阻及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN85100513A (zh) * | 1985-04-01 | 1986-08-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 钛酸铋钠钡系超声用压电陶瓷材料 |
| CN101213155A (zh) * | 2005-04-28 | 2008-07-02 | 日立金属株式会社 | 半导体陶瓷组合物及其制备方法 |
| CN101276659A (zh) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 太阳诱电株式会社 | 电介质陶瓷及层合陶瓷电容器 |
| CN101830698A (zh) * | 2010-03-15 | 2010-09-15 | 华中科技大学 | 一种高居里点低电阻率无铅ptcr陶瓷材料及其制备方法 |
| CN102177105A (zh) * | 2008-10-16 | 2011-09-07 | 韩国Ceramic技术院 | 无铅系ptc热敏电阻陶瓷组合物及ptc陶瓷热敏电阻 |
-
2012
- 2012-07-26 CN CN201210261385.8A patent/CN102745985B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN85100513A (zh) * | 1985-04-01 | 1986-08-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 钛酸铋钠钡系超声用压电陶瓷材料 |
| CN101213155A (zh) * | 2005-04-28 | 2008-07-02 | 日立金属株式会社 | 半导体陶瓷组合物及其制备方法 |
| CN101276659A (zh) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 太阳诱电株式会社 | 电介质陶瓷及层合陶瓷电容器 |
| CN102177105A (zh) * | 2008-10-16 | 2011-09-07 | 韩国Ceramic技术院 | 无铅系ptc热敏电阻陶瓷组合物及ptc陶瓷热敏电阻 |
| CN101830698A (zh) * | 2010-03-15 | 2010-09-15 | 华中科技大学 | 一种高居里点低电阻率无铅ptcr陶瓷材料及其制备方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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