CN102738196A - 显示装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示装置以及一种包括所述显示装置的电子设备。所述显示装置包括：多个发光元件和滤色器，该滤色器具有面向多个发光元件的透色区以及在透色区的一部分处设置的半透射区。根据本发明，即便当发光元件尺寸小时，仍能抑制由透过滤色器的相邻透色区的光的衍射所引起的混色、改善色纯度并扩大颜色再现范围。

Description

显示装置和电子设备

相关申请的交叉引用

本申请包含与2011年3月30日向日本专利局提交的日本专利申请JP2011-075470中公开的相关主题并要求其优先权，将其全部内容通过引用并入此处。

技术领域

本发明涉及使用有机电致发光(EL)、无机EL等的自发光型显示装置以及设有所述显示装置的电子设备。

背景技术

在全色显示装置中，当使用白光发光元件时，通过使用滤色器而生成红、绿、蓝三原色的光，从而显示彩色图像。而且，在使用红、绿、蓝三原色的发光元件的情况下，也可使用滤色器以提高色纯度。而且，为了提高对比度，在滤色器的边界处设有遮光性黑矩阵。

在将滤色器和遮光性黑矩阵一起使用的情况下，黑矩阵成为衍射光栅，且透过相邻滤色器的光发生衍射，从而导致混色。为了抑制由黑矩阵引起的衍射现象，有人提议了设置从黑矩阵的边缘到开口的光密度梯度(例如，参照日本未审查专利申请2010-8861号公报)。

发明内容

然而，存在这样的问题，即，在发光元件尺寸小的情况下，在黑矩阵的边缘处设置光密度梯度是极其困难的。

鉴于以上情况，期望提供即使当发光元件尺寸小时仍能抑制由透过相邻滤色器的光的衍射所引起的混色的一种显示装置以及一种设有所述显示装置的电子设备。

根据本发明的一个实施方式，提供了一种显示装置，该显示装置包括多个发光元件和滤色器，该滤色器具有面向多个发光元件的透色区(transmission color region)以及在透色区的一部分处设置的半透射区。

在本发明的实施方式的显示装置中，每个所述多个发光元件中发出的光在透过面向所述发光元件的透色区后被提取，但所发出的光的一部分入射至相邻透色区。此处，在透色区的一部分处设置有半透射区，于是，入射至相邻透色区的这一部分光通过半透射区。因此，在透过相邻透色区的光与透过相邻透色区和半透射区的光之间产生相位差，使得它们互相抵消。这降低了由透过相邻透色区的光的衍射所引起的混色。

根据本发明的一个实施方式，提供了一种包括显示装置的电子设备，所述显示装置具有多个发光元件和滤色器，该滤色器具有面向多个发光元件的透色区和在透色区的一部分处设置的半透射区。

在根据本发明的实施方式的电子设备中，由所述显示装置来显示图像。

根据本发明的实施方式的显示装置或电子设备，在滤色器的透色区的一部分处设置有半透射区。因此，即便在发光元件尺寸小的情况下，仍可抑制由透过滤色器的相邻透色区的光的衍射所引起的混色。

应当理解，以上一般性描述和以下详细说明均为示例性的，并且旨在对所要求保护的本发明作进一步的解释。

附图说明

本申请包括了附图以便于人们进一步理解本发明，且将附图并入以构成本申请文件的一部分。附图图示了各实施方式，并且与申请文件一起用于说明本发明的原理。

图1为表示了本发明的一个实施方式的显示装置的配置图。

图2为表示了图1所示的像素驱动电路的例子的图。

图3为表示了图1所示的显示区的概略配置且还表示了半透射区的第一示例的横截面图。

图4为表示了半透射区的第二示例的图。

图5为表示了半透射区的第三示例的图。

图6为表示了第三示例的另一例子的图。

图7为表示了半透射区的第四示例的图。

图8为表示了第四示例的另一例子的图。

图9为表示了半透射区的第五示例的图。

图10为表示了第五示例的另一例子的图。

图11为表示了半透射区的第六示例的图。

图12为表示了第六示例的另一例子的图。

图13为表示了由衍射所引起的混色的原理的图。

图14为表示了透过相邻透色区的光的辉度的图。

图15为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、使各第一示例～第四示例中的半透射区的混色率降低的效果的图。

图16为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、设有第一示例的半透射区的情况下的透过相邻透色区的光的辉度的图。

图17为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、设有第三示例的半透射区的情况下的透过相邻透色区的光的辉度的图。

图18为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、设有各第一示例～第四示例的半透射区的情况下的颜色再现范围。

图19为表示了图3所示的发光元件的配置的横截面图。

图20为表示了包含上述实施方式的显示装置的模块的概略配置的平面图。

图21A和图21B分别为表示上述实施方式的显示装置的应用示例1的外观的正面图和背面图。

图22为表示了应用示例2的外观的立体图。

具体实施方式

下面，参照附图详述本发明的实施方式。

图1表示本发明的一个实施方式的显示装置的配置。该显示装置为用于单反数码相机的取景器、头戴式显示器等的小型高清晰度有机EL显示装置，并且例如在由玻璃等制成的基板11上具有显示区110，在显示区110中以矩阵的形式布置有后述的多个像素10R、10G、10B。在显示区110周围，设有作为图像显示用驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130。

在显示区110中，设有像素驱动电路140。图2表示了像素驱动电路140的例子。像素驱动电路140为设在后述的第一电极32下方的有源型驱动电路。像素驱动电路140例如具有驱动晶体管Tr1、写晶体管Tr2、电容器(保持电容)Cs以及有机EL元件10，有机EL元件10与驱动晶体管Tr1在第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间串联连接。电容器Cs的一个电极连接于驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2之间，而另一电极连接于驱动晶体管Tr1和有机EL元件10之间。

在像素驱动电路140中，以列方向布置有多个信号线120A，且以行方向布置有多个扫描线130A。每个信号线120A和每个扫描线130A的交叉点对应于有机EL元件10中的任一个(子像素)。每个信号线120A连接于信号线驱动电路120，并且将图像信号从信号线驱动电路120经由信号线120A而提供至写晶体管Tr2的源极。每个扫描线130A连接于扫描线驱动电路130，并且将扫描信号依次从扫描线驱动电路130经由扫描线130A而提供至写晶体管Tr2的栅极。

图3表示了图1所示的显示区110的一部分的横截面配置。每个像素10R、10G、10B例如为基于发出白光的多个有机EL元件10和滤色器20的组合而发出三原色(红、绿和蓝)光中的任一种颜色的像素。各有机EL元件10的间距p(中心间的距离)例如为30μm以下，具体来说，例如约为2μm～3μm。换言之，该显示装置为所谓的微显示器，其中的有机EL元件10的尺寸极小。注意，在显示装置上设有目镜(未图示)，且使用者观察到显示装置上所显示的通过目镜放大后的图像。因此，使用者可见的仅为显示装置上显示的图像在目镜的接受角(acceptance angle)范围内的部分。

有机EL元件10以行列状布置于基板11上，并且被保护膜12覆盖。在保护膜12上，由玻璃等制成的密封基板14隔着粘接层13而粘合于整个表面上方。该密封基板14的基板11侧的表面上设有滤色器20。因此，在有机EL元件10和滤色器20的顶面(密封基板14侧的表面)之间有例如约为7μm的距离(间隙)G。

保护膜12例如为0.5μm～10μm(包括端值)厚，并且由氮化硅(SiN)制成。粘接层13例如由紫外线(UV)固化树脂或热固树脂制成。密封基板14位于有机EL元件10的第二电极35(后述)侧，并通过粘接层13来密封有机EL元件10。例如，密封基板14由诸如玻璃等对有机EL元件10发出的光而言透明的材料制成。

滤色器20具有面向有机EL元件10的红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B(以下，可总称为“透色区21”)。在透色区21的一部分中设有半透射区22。因此，在该显示装置中，即使在有机EL元件10尺寸小的情况下，仍可抑制由透过相邻透色区21的光的衍射所引起的混色。

透色区21设置为将有机EL元件10发出的白光提取为红、绿或蓝的彩色光，并且具有上述的红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B。红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B对应于有机EL元件10而依次布置。红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B各由着色层构成，所述着色层由混有颜料的树脂制成，并且取决于颜料的选择，红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B调整为分别在期望的红光波长区、绿光波长区或蓝光波长区中的透光率高且在其他波长区中的透光率低。

半透射区22是这样的区域，其中，通过在透色区21的一部分处设置后述的半透射膜而使透色区21的一部分的透光率可变。可根据半透射膜的材料、厚度等而调整透光率。

期望将半透射区22设置在允许从有机EL元件10之一入射至与面向该有机EL元件10的透色区21邻接的透色区21(以下，简称为“相邻透色区21”)的光的一部分透过半透射区22的位置。具体来说，优选地，半透射区22设置为面向多个有机EL元件10间的边界。这样，使透色区21的开口宽度w1大，可在不干扰以垂直于发光面的方向(以0度视角方向)提取光的情况下，抑制由光的衍射所引起的混色。

而且，半透射区22还具有通过吸收从密封基板14侧入射的外部光以提高对比度的功能、即类似于现有黑矩阵的功能。

(半透射区22的第一示例)

如图3所示，所述半透射区22例如由设置在透色区21的着色层的远离有机EL元件10侧的表面(即密封基板14侧的表面)处的半透射膜22A构成。半透射膜22A例如为90nm厚，且线宽为1.2μm，并且由氮化钛(TiN)制成。在此情况中，在制造工艺中，通过在密封基板14上直接形成由氮化钛制成的半透射膜22A，可容易地形成半透射区22。

(半透射区22的第二示例)

此外，如图4所示，半透射区22可由设置在透色区21的着色层的靠近有机EL元件10侧的表面(即基板11侧的表面)处的半透射膜22A构成。半透射膜22A例如为90nm厚，且线宽为1.2μm，并且由氮化钛或光密度减小的黑色树脂制成。

(半透射区22的第三示例)

而且，如图5所示，半透射区22可具有：第一半透射膜22B，其设置于透色区21的着色层的远离有机EL元件10侧的表面(即密封基板14侧的表面)处；和第二半透射膜22C，其覆盖第一半透射膜22B的表面(底面和侧面)。第二半透射膜22C在第一半透射膜22B周围的着色层的表面处具有凸出部22D。第一半透射膜22B例如为90nm厚，且线宽为1.2μm，并且由氮化钛制成。第二半透射膜22C例如为30nm厚，且线宽为1.8μm，并且由氮化钛制成。凸出部22D在透色区21的一侧的凸出量d1为0.3μm，即两侧总计为0.6μm。

期望使凸出部22D在透色区21两侧的凸出量d1合计起来等于或小于第一半透射膜22B的开口宽度d2的1/4(四分之一)。这是因为，当凸出量d1大于上述情况时，透色区21的开口率下降。

需要注意，第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的层叠顺序不限于图5所示的例子。例如，如图6所示，半透射区22可具有：第二半透射膜22C，其设置于透色区21的着色层的远离有机EL元件10侧的表面(即密封基板14侧的表面)处；和第一半透射膜22B，其设置于第二半透射膜22C的表面(底面)的一部分上。第二半透射膜22C在第一半透射膜22B周围的着色层的表面处具有凸出部22D。

(半透射区22的第四示例)

或者，如图7所示，半透射区22可具有：半透射膜22E，其设置于透色区21的着色层的远离有机EL元件10侧的表面(即密封基板14侧的表面)处；和遮光膜22F，其设置于半透射膜22的表面(底面)的一部分上。半透射膜22E在遮光膜22F周围的着色层的表面处具有凸出部22G。半透射膜22E例如为30nm厚，且线宽为1.8μm，并且由氮化钛制成。遮光膜22F例如为160nm厚，且线宽为1.2μm，并且由钛(Ti)制成。凸出部22G在透色区21的一侧的凸出量d1为0.3μm，即两侧总计为0.6μm。

期望使凸出部22G在透色区21两侧的凸出量d1合计起来等于或小于遮光膜22F的开口宽度d2的1/4(四分之一)。这是因为，当凸出量d1大于上述情况时，透色区21的开口率下降。

需要注意，半透射膜22E和遮光膜22F的层叠顺序不限于图7所示的例子。例如，如图8所示，半透射区22可具有：遮光膜22F，其设置于透色区21的着色层的远离有机EL元件10侧的表面(即密封基板14侧的表面)处；和半透射膜22E，其覆盖遮光膜22F的表面(底面和侧面)。半透射膜22E在遮光膜22F周围的着色层的表面处具有凸出部22G。

(半透射区22的第五示例)

注意，如图9或图10所示，包括第三示例中的第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的半透射区22可设置于透色区21的着色层的靠近有机EL元件10侧的表面(即基板11侧的表面)处。

(半透射区22的第六示例)

此外，如图11或图12所示，包括第四示例中的半透射膜22E和遮光膜22F的半透射区22可设置于透色区21的着色层的靠近有机EL元件10侧的表面(即基板11侧的表面)处。

在显示装置中，来自扫描线驱动电路130的扫描信号经由写晶体管Tr2的栅极而提供至每个像素，并且来自信号线驱动电路120的图像信号通过写晶体管Tr2而保持在电容器Cs中。换言之，根据电容器Cs所保持的信号来控制驱动晶体管Tr1的导通/截止，从而将驱动电流Ids注入每个有机EL元件10中，这会导致电子空穴复合，从而引起发光。所述光在透过保护膜12、粘接层13、滤色器20和密封基板14(顶出射)后被提取。

这里，每个有机EL元件10发出的光在透过面向有机EL元件10的透色区21后被提取，但是所发出的光的一部分入射至相邻透色区21。此处，因为半透射区22设置于透色区21的一部分处，故光的入射至相邻透色区21的一部分经过半透射区22。因此，在透过相邻透色区21的光h1和透过相邻透色区21与半透射区22的光h2之间产生相位差，这使得它们互相抵消。这降低了由透过相邻透色区21的光h1和光h2的衍射所引起的混色。

具体来说，在图4所示的第二示例中，半透射区22由半透射膜22A构成，该半透射膜22A设置于透色区21的着色层的靠近有机EL元件10侧的表面(即基板11侧的表面)处。因此，半透射区22和有机EL元件10之间的距离小，且即使当光h1的入射角与光h2的入射角相等时，仍然增加了透过透色区21和半透射区22的光h2的量。因此，增强了抑制由光h1和光h2的衍射所引起的混色的效果。

而且，具体来说，在图5或图6所示的第三示例中，半透射区22具有：第一半透射膜22B，其设置于透色区21的着色层的远离有机EL元件10侧的表面(即密封基板14侧的表面)处；和第二半透射膜22C，其覆盖第一半透射膜22B的表面(底面和侧面)。第二半透射膜22C在第一半透射膜22B周围的着色层的表面处具有凸出部22D。因此，在透过透色区21和半透射区22的光h2中的光h3和光h4之间可产生相位差，所述光h3透过其中第一半透射膜22B和第二半透射膜22C相互重叠的部分，而所述光h4透过凸出部22D。因此，在仅透过透色区21的光h1和透过透色区21与半透射区22的光h2之间可产生相位差，同时，在光h3和光h4之间也可产生相位差。因此，可进一步抑制由光h1～h4的衍射所引起的混色。

而且，具体来说，在图7或图8所示的第四示例中，半透射区22具有：半透射膜22E，其设置于透色区21的着色层的远离有机EL元件10侧的表面(即密封基板14侧的表面)处；和遮光膜22F，其设置于半透射膜22E的表面(底面)的一部分上。半透射膜22E在遮光膜22F周围的着色层的表面处具有凸出部22G。因此，可通过半透射膜22E的凸出部22G抑制由光h1和光h2的衍射所引起的混色，并且还可通过用遮光膜22F吸收外部光而获得黑矩阵的原本效果、即提高对比度。

而且，具体来说，在图9或图10所示的第五示例中，包括第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的半透射区22设置于透色区21的着色层的靠近有机EL元件10侧的表面(即基板11侧的表面)处。而且，在图11或图12所示的第六示例中，包括半透射膜22E和遮光膜22F的半透射区22设置于透色区21的着色层的靠近有机EL元件10侧的表面(即基板11侧的表面)处。因此，半透射区22和有机EL元件10之间的距离小，于是，即使当光h1的入射角与光h2的入射角相等时，仍增加了既透过透色区21又透过半透射区22的光h2的量。因此，可增强抑制由光h1和光h2的衍射所引起的混色的效果。

图13表示以现有的黑矩阵BM来替代半透射区22的显示装置的横截面配置。黑矩阵BM为200nm厚，且线宽w2为1.2μm，并且由钛(Ti)制成。注意，在图13中，为与图3相同的元件设有在图3中的对应附图标记基础上加上200而得的附图标记。

在图13中，例如，中央有机EL元件210所发出的光在透过面向该有机EL元件210的透色区221(红色透色区221R)后被提取，但是所发出的光的一部分入射至相邻透色区221(绿色透色区221G或蓝色透色区221B)，从而产生透射光h5以及由黑矩阵BM引起的一次衍射光h6。

图14表示了对于具有图13所示的现有黑矩阵BM的显示装置通过检查透过相邻透色区221(绿色透色区221G)的光强度而获得的仿真结果。注意，在图14中，角度为在空气中的值。从图14中显然可见，透过相邻透色区221的光在视角θ约为32度处具有最大峰值。这相当于图13所示的透射光h5。而且，在视角约为10度处具有第二峰值，这相当于图13所示的一次衍射光h6。而且，在视角约为-5度和视角约为-20度处分别有第三峰值和第四峰值。它们相当于二次衍射光和三次衍射光(图13中未图示)。

另一方面，上述目镜(未图示)的接受角α例如为-10度～+10度(包括端值)。因此，如图13和图14所示，透射光h5不是在-10度～+10度(包括端值)的范围内入射，但是有一次衍射光h6和二次衍射光(参照图14)在-10度～+10度(包括端值)的范围内入射，从而引起混色。

图15表示通过制造具有图3、图4、图5和图7所示的各第一示例～第四示例中的半透射区22的显示装置并对所制造的显示装置检查目镜范围内(±10度)的混色率而得到的仿真结果。注意，图15的混色率是将设有图13所示的现有黑矩阵BM的显示装置的混色率作为基准值而表示出的混色率。如图15所示，混色率在第一示例中为-48％、在第二示例中为-63％、在第三示例中为-66％并且在第四示例中为-44％，在任一所述示例中，都比具有现有黑矩阵BM的情况(比较示例)显著地抑制了混色率。

当将第一示例和第二示例相互比较时，第二示例中比第一示例中进一步抑制了混色率。据信这可能是因为在第二示例中，半透射区22和有机EL元件10之间的距离变小，且即使当光h1的入射角和光h2的入射角相等时，透过透色区21和半透射区22的光h2的量仍然增加。

此外，当将第一示例和第三示例相互比较时，第三示例中比第一示例中进一步抑制了混色率。据信这可能是因为在第三示例中，在透过透色区21和半透射区22的光h2中，在透过其中第一半透射膜22B和第二半透射膜22C相互重叠的部分的光h3与透过凸出部22D的光h4之间可产生相位差。

图16和图17分别表示在第一示例和第三示例中通过检查透过相邻透色区21的光的强度而得到的结果。注意，在图16和图17中还各图示了具有图14所示的现有黑矩阵BM的情况以作为比较示例。从图16和图17中可见，相比于比较示例，在第一示例和第三示例之任一个中，均抑制了在目镜的接受角α(-10度～+10度)范围内的一次衍射光和二次衍射光。此外，显然，第三示例中比第一示例中进一步抑制了衍射光的强度。

而且，当在图15中将第一示例和第四示例相互比较时，第四示例中的混色率与第一示例中大致相同。据信这可能是因为在第四示例中存在由钛制成的遮光膜22F的反射所造成的影响。

图18为其中与设有图13所示的现有黑矩阵BM的比较示例相比而言的、图示了在图3、图4、图5和图7所示的各第一示例～第四示例中的半透射区22的颜色再现范围的色度图(CIE1976u’v’色度图)。从图18中可见，在第一示例～第四示例之任一个中，都比比较示例扩大了颜色再现范围(尤其是就红光和蓝光而言)。

换言之，发现在透色区21的一部分处设置半透射区22可抑制由透过相邻透色区21的光的衍射所引起的混色、改善色纯度并扩大颜色再现范围。

图19表示了图3所示的有机EL元件10的具体配置。在基板11上，设有具备上述驱动晶体管Tr1的像素驱动电路140。基板11的设有像素驱动电路140的表面由第一绝缘膜31覆盖。在第一绝缘膜31上设有有机EL元件10。

驱动晶体管Tr1例如具有底栅型(反向交错型)配置，其中，在基板11上依次层叠有栅极11A、栅极绝缘膜11B、半导体膜11C、沟道保护膜11D、层间绝缘膜11E以及布线11F。注意，图2所示的写晶体管Tr2的配置类似于驱动晶体管Tr1的配置。

设有第一绝缘膜31以使基板11的形成有像素驱动电路140的表面平坦化，且第一绝缘膜31例如为100nm～1,000nm(包括端值)厚，并且由氮氧化硅(SiON)或硅的氧化物(SiO₂或SiO)制成。而且，第一绝缘膜31可约为2.0μm厚，并且由例如聚酰亚胺等感光性绝缘材料制成。第一绝缘膜31具有连接孔31A，以便在驱动晶体管Tr1和有机EL元件10之间建立电连接。

有机EL元件10设在第一绝缘膜31上，并具有这样的配置，其中，从基板11侧依次层叠有第一电极32、第二绝缘膜33、包括发光层的有机层34以及第二电极35。

为每个有机EL元件10设有第一电极32。第一电极32例如约为100nm厚，且由作为高反射率材料的铝(Al)或包含铝(Al)的合金制成，并且从第二电极35侧提取发光层中发出的光(顶出射)。所期望的是，第一电极32的厚度处于其中不允许发光层中发出的光透过第一电极32且可保持光提取效率的范围内、即例如30nm～200nm的范围内。作为第一电极32的构成材料，不仅有铝(Al)或其合金，还有由诸如金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或银(Ag)等金属元素的单质或合金制成的反射电极。

此外，第一电极32可具有粘接层(未图示)以作为反射电极的基体，该粘接层约为20nm厚且由钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、钽(Ta)、钼(Mo)等制成。该粘接层还具有作为反射辅助层的功能，即便当第一电极32的厚度减小时，其仍能将反射率保持在高水平。在设有这种粘接层的情况下，15nm以上的厚度足以作为第一电极32的厚度。

而且，第一电极32可具有三层结构，所述三层结构包括用作粘接层或反射辅助层的钛层、由铝或其合金制成的上述反射电极以及钛层或钽层。或者，第一电极32可由复合膜构成，所述复合膜包括上述反射电极以及由ITO(铟锡氧化物)、IZO(注册商标)(铟锌氧化物)、SnO₂等制成的透明电极。

设有第二绝缘膜33以确保第一电极32和第二电极35间的绝缘性，并且使发光区准确地具备期望的形状。第二绝缘膜33具有对应于第一电极32的发光区的开口部33A。第二绝缘膜33例如为100nm～200nm厚，且由SiON制成。而且，第二绝缘膜33可由诸如聚酰亚胺等感光性绝缘材料制成。

在第一电极32和第二绝缘膜33上设有被多个有机EL元件10共用的有机层34。有机层34例如具有这样的配置，其中，从第一电极32侧依次层叠有空穴注入层、空穴输送层、发光层以及电子输送层。

空穴注入层用于提高空穴注入效率，且该空穴注入层还是用于防止泄漏的缓冲层。空穴注入层例如为2nm～10nm(包括端值)厚，并且由通过化学式(1)表示的六甲苯基氮杂苯并菲制成。

化学式(1)

空穴输送层用于提高对发光层的空穴注入效率。空穴输送层例如为30nm厚，并且由通过化学式(2)表示的材料制成。

化学式(2)

发光层例如为用于发射白光的层，其中，从第一电极32侧依次层叠有10nm厚的红光发射层、10nm厚的发光隔离层、10nm厚的蓝光发射层以及10nm厚的绿光发射层(均未图示)。通过施加电场，从第一电极32经由空穴注入层和空穴输送层而注入的一部分空穴以及从第二电极35经由电子输送层而注入的一部分电子发生复合，从而红光发射层发出红光。发光隔离层用于降低提供给红光发射层的电子的量。通过施加电场，从第一电极32经由空穴注入层、空穴输送层和发光隔离层而注入的一部分空穴以及从第二电极35经由电子输送层而注入的一部分电子发生复合，从而蓝光发射层发出蓝光。通过施加电场，从第一电极32经由空穴注入层、空穴输送层和发光隔离层而注入的一部分空穴以及从第二电极35经由电子输送层而注入的一部分电子发生复合，从而绿光发射层发出绿光。红光发射层、绿光发射层和蓝光发射层各配置为在对应于第二绝缘膜33的开口部33A的区域中发光。

红光发射层例如包括红光发射材料、空穴输送材料、电子输送材料以及双载流子输送材料中的至少一种。红光发射材料可以是荧光性的或磷光性的。具体来说，红光发射层例如约为5nm厚，并且由4，4-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)混合有30wt％的2，6-双[(4’-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(BSN)而制成。

发光隔离层例如由通过化学式(3)表示的材料制成。

化学式(3)

绿光发射层例如包括绿光发射材料、空穴输送材料、电子输送材料以及双载流子输送材料中的至少一种。绿光发射材料可以是荧光性的或磷光性的。具体来说，绿光发射层例如约为10nm厚，并且由DPVBi混合有5wt％的香豆素6而制成。

蓝光发射层例如包括蓝光发射材料、空穴输送材料、电子输送材料以及双载流子输送材料中的至少一种。蓝光发射材料可以是荧光性的或磷光性的。具体来说，蓝光发射层例如约为30nm厚，并且由DPVBi混合有2.5wt％的4，4’-双[2-{4-(N，N-二苯基氨基)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)制成。

电子输送层用于提高发光层的电子注入效率。电子输送层例如约为20nm厚，并且由8-羟基喹啉铝(Alq3)制成。

在有机层34上设有由多个有机EL元件10共用的第二电极35。第二电极35例如具有这样的配置，其中，从第一电极32侧依次层叠有厚度约为0.3nm且由氟化锂(LiF)制成的第一层、厚度约为3nm且由钙(Ca)制成的第二层以及厚度约为5nm且由Mg-Ag合金制成的第三层。在显示区110外侧的区域中，第二电极35连接于辅助布线(未图示)。其原因在于，由于设有有机层34以被多个有机EL元件10共用，故难以为每一个有机EL元件10而分别建立第二电极35和辅助布线之间的连接。

例如，该显示装置可制造如下。

首先，在由上述材料制成的基板11上形成像素驱动电路140，并且形成具有连接孔31A的第一绝缘膜31。

接下来，例如，在第一绝缘膜31上例如通过溅射法而形成钛膜和铝合金膜(未图示)。随后，例如通过光刻法和干式蚀刻法而将这些钛膜和铝合金膜模制成预定形状，从而为每一个有机EL元件10分别形成第一电极32。

随后，例如，在第一电极32和第一绝缘膜31上，例如通过PECVD而形成厚度为10nm～200nm(包括端值)的SiON膜。例如通过光刻法和干式蚀刻法，将该SiON膜模制成预定形状，从而形成具有开口部33A的第二绝缘膜33。

随后，在第一电极32和第二绝缘膜33上，例如通过气相沉积法形成有机层34，然后，例如通过真空沉积法形成第二电极35。于是，形成图3和图19所示的有机EL元件10。

接下来，如图3所示，在有机EL元件10上，例如通过CVD或溅射法形成由上述材料制成的保护膜12。

而且，例如，制备由上述材料制成的密封基板14，并且在密封基板14处，形成设有具备图3～图12所示的第一示例～第六示例中的任一示例中的配置的半透射区22的滤色器20。

在制造具有图3所示的第一示例的半透射区22的滤色器20的情况下，首先，在密封基板14上形成厚度为90nm的氮化钛膜。随后，对氮化钛膜进行光致抗蚀剂图形化和湿法蚀刻，从而形成设有线宽为1.2μm且由氮化钛制成的半透射膜22A的半透射区22。

随后，通过旋转涂敷等，以红色透色区21R的着色层的材料涂敷形成有半透射膜22A的密封基板14，并且在以光刻技术图形化之后，进行烧制，从而形成红色透色区21R。随后，以与红色透色区21R类似的方式，依次形成蓝色透色区21B和绿色透色区21G，从而形成具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B的透色区21。

在形成具有图4所示的第二示例的半透射区22的滤色器20的情况下，首先，在密封基板14上，以与第一示例类似的方式，形成具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B的透色区21。

随后，以与第一示例类似的方式，在透色区21上形成设有厚度为90nm且线宽为1.2μm并由氮化钛制成的半透射膜22A的半透射区22。或者，在透色区21上，形成设有厚度为90nm且线宽为1.2μm且由黑色树脂制成的半透射膜22A的半透射区22。

在形成具有图5所示的第三示例的半透射区22的滤色器20的情况下，首先，以与第一示例类似的方式，在密封基板14上，形成厚度为90nm且线宽为1.2μm且由氮化钛制成的第一半透射膜22B。

随后，在形成有第一半透射膜22B的密封基板14上，形成厚度为30nm的氮化钛膜，之后，对该氮化钛膜进行光致抗蚀剂图形化和湿法蚀刻，从而形成线宽为1.8μm的第二半透射膜22C。凸出部22D在透色区21的一侧的凸出量d1为0.3μm，并且两侧总计为0.6μm。于是，形成具有第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的半透射区22。

随后，以与第一示例类似的方式，形成具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B的透色区21。

在形成具有图7所示的第四示例的半透射区22的滤色器20的情况下，形成厚度为30nm的氮化钛膜，然后，对该氮化钛膜进行光致抗蚀剂图形化和湿法蚀刻，从而形成线宽为1.8μm的半透射膜22E。

接下来，在形成有半透射膜22E的密封基板14上，形成厚度为200nm的钛膜。然后，对该钛膜进行光致抗蚀剂图形化和湿法蚀刻，使所述钛膜的线宽与半透射膜22E同样为1.8μm。氮化钛与钛之间的蚀刻选择比不同，且钛的蚀刻速率高，于是，可在保持半透射膜22E的线宽w4的情况下，在半透射膜22E的表面上形成线宽为1.2μm的遮光膜22F。凸出部22G在透色区21的一侧的凸出量d1为0.3μm，并且两侧总计为0.6μm。于是，形成具有半透射膜22E和遮光膜22F的半透射区22。

随后，以与第一示例类似的方式，形成具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B的透色区21。

在形成具有图8所示的第四示例的半透射区22的滤色器20的情况下，形成厚度为200nm的钛膜，然后，对该钛膜进行光致抗蚀剂图形化和湿法蚀刻，从而形成线宽为1.2μm的遮光膜22F。

随后，在形成有遮光膜22F的密封基板14上，形成厚度为30nm的氮化钛膜。对该氮化钛膜进行光致抗蚀剂图形化和湿法蚀刻，从而在遮光膜22F的表面上形成线宽为1.8μm的半透射膜22E。凸出部22G在透色区21的一侧的凸出量d1为0.3μm，并且两侧总计为0.6μm。于是，形成具有半透射膜22E和遮光膜22F的半透射区22。

随后，以与第一示例类似的方式，形成具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B的透色区21。

在形成具有图9或图10所示的第五示例的半透射区22的滤色器20的情况下，首先，以与第一示例类似的方式，形成具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B的透色区21。随后，以与第三示例类似的方式，形成具有第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的半透射区22。

在形成具有图11或图12所示的第六示例的半透射区22的滤色器20的情况下，首先，以与第一示例类似的方式，形成具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B的透色区21。随后，以与第四示例类似的方式，形成具有半透射膜22E和遮光膜22F的半透射区22。

在密封基板14上形成滤色器20之后，以与图3同样的方式，在保护膜12上形成粘接层13，并且隔着粘接层13而粘合密封基板14。这样，完成了图1～图3所示的显示装置。

如上所述，在本实施方式中，在滤色器20的透色区21的一部分中设置有半透射区22，于是，即使在有机EL元件10尺寸小的情况下，仍可抑制由透过滤色器20的相邻透色区21的光h1和光h2的衍射所引起的混色。

(模块和应用示例)

下面，说明上述实施方式中的显示装置的应用示例。所述实施方式中的显示装置适用于将外部输入的图像信号或内部生成的图像信号显示为静止图像或动态图像的所有领域的电子设备，例如电视接收器、数码相机、膝上型计算机、诸如便携电话的便携式终端设备以及摄像机。

(模块)

例如，将上述实施方式中的显示装置作为如图20所示的模块而并入诸如后述的应用示例1和应用示例2的电子设备中。例如，通过在基板11的一侧设置从密封基板14露出的区域310，并通过将信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的布线延长至所露出的区域310而形成外部连接端子(未图示)，从而形成该模块。外部连接端子可设有柔性印刷电路板(FPC)320以输入和输出信号。

(应用示例1)

图21A和图21B各表示应用了上述实施方式的显示装置的摄像装置(镜头可互换的单反数码相机)的外观。例如，该摄像装置在相机主体部(相机机身)411的正面具有互换式摄像镜头单元(可互换镜头)412和由摄影者把持的抓握部413。从前面看进去时，摄像镜头单元412在右侧而抓握部413在左侧。在相机主体部411的背面的大约中央处设有监视器414。在监视器414上方，设有取景器(目镜窗)415。摄影者可通过取景器415而在视觉上识别出从摄像镜头单元412导出的对象的光学图像并确定构图。该取景器415由上述实施方式的显示装置构成。

(应用示例2)

图22表示应用了上述实施方式的显示装置的头戴式显示器的外观。该头戴式显示器例如具有设于眼镜形显示部421的两侧的耳挂部422。耳挂部422用于将头戴式显示器置于使用者的头部。显示部421由上述实施方式的显示装置构成。

以上，利用实施方式说明了本发明，但本发明不限于上述实施方式，并且可有各种变型。例如，上述实施方式说明了将半透射区22设置为面向多个有机EL元件10间的边界的情况。然而，半透射区22的位置不具体限定，只要将半透射区22设置在使得从有机EL元件10之一入射至与面向该有机EL元件10邻接的有机EL元件10的透色区21的光的一部分可通过该半透射区22的位置处即可。例如，半透射区22可布置在透色区21的中央(红色透色区21R的中央、绿色透色区21G的中央以及蓝色透色区21B的中央)。

此外，例如，上述实施方式说明了其中透色区21具有红色透色区21R、绿色透色区21G和蓝色透色区21B这三种不同颜色的着色层的情况。然而，透色区21可具有两种不同颜色或四种以上不同颜色的着色层。两种颜色的情况例如包括使用蓝色和黄色。而且，四种颜色的情况例如包括使用红色、绿色、蓝色以及黄色(或青色、或品红色)。

而且，例如，上述实施方式说明了将滤色器20设置于密封基板14上的情况，然而滤色器20例如可设置于基板11上的保护膜12和粘接层13之间。

此外，例如，虽然上述实施方式说明了例如从密封基板14侧提取发光层中所发出的光(顶出射)的情况，但是也可从基板11侧提取发光层中所发出的光(底出射)。在此情况中，在基板11上，例如可将滤色器20设置于像素驱动电路140和第一绝缘膜31之间。而且，在底出射的情况中，第一电极32由以ITO、IZO(注册商标)、SnO₂等制成的透明电极构成，并且第二电极35由反射电极构成，该反射电极由诸如金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)、铝(Al)、钼(Mo)或银(Ag)等金属元素的单质或合金制成。而且，第二电极35可由包括上述反射电极和透明电极的复合膜构成。

而且，例如，上述实施方式中的各层的材料和厚度、成膜方法和成膜条件等不受限制，而可采用其他材料和厚度或者其他成膜方法和成膜条件。例如，上述实施方式说明了这样的情况，其中，半透射膜22A、半透射膜22E、第一半透射膜22B以及第二半透射膜22C由氮化钛制成，并且遮光膜22F由钛制成。然而，作为构成各层半透射区22的材料，不仅可使用氮化钛和钛，还可使用诸如氮化铬(CrN)、铬(Cr)或感光性黑色树脂等反射率低且光吸收率高的材料。

此外，例如，上述实施方式说明了发光元件为有机EL元件10的情况，但是本发明的显示装置可包括诸如无机EL元件等其他发光元件。

从本发明的上述示例性实施方式中至少可实现以下配置。

(1)一种显示装置，其包括：

多个发光元件；和

滤色器，其具有面向多个发光元件的透色区以及在透色区的一部分处设置的半透射区。

(2)根据(1)所述的显示装置，其中，所述半透射区设置在使得从多个发光元件之一入射至面向与所述多个发光元件之一邻接的发光元件的透色区的光的一部分可通过所述半透射区的位置处。

(3)根据(2)所述的显示装置，其中，所述半透射区设置为面向多个发光元件之间的边界。

(4)根据(1)～(3)之任一所述的显示装置，其中，所述透色区包括两种以上不同颜色的着色层，并且

所述半透射区包括设置于着色层的表面处的半透射膜。

(5)根据(4)所述的显示装置，其中，所述半透射膜设置于着色层的远离所述多个发光元件的表面处。

(6)根据(4)所述的显示装置，其中，所述半透射膜设置于着色层的靠近所述多个发光元件的表面处。

(7)根据(1)～(3)之任一所述的显示装置，其中，所述透色区包括两种以上不同颜色的着色层，并且

所述半透射区包括：

第一半透射膜；和

第二半透射膜，其在第一半透射膜周围的着色层的表面处具有凸出部。

(8)根据(1)～(3)之任一所述的显示装置，其中，所述透色区包括两种以上不同颜色的着色层，并且

所述半透射区包括：

遮光膜；和

半透射膜，其在遮光膜周围的着色层的表面处具有凸出部。

(9)根据(1)～(8)之任一所述的显示装置，其中，所述发光元件为有机电致发光元件，该有机电致发光元件中依次层叠有第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极。

(10)根据(9)所述的显示装置，其中，所述有机电致发光元件发出白光，并且

所述着色层包括用于将所述白光提取为红光、绿光或蓝光的红光着色层、绿光着色层和蓝光着色层。

(11)根据(9)或(10)所述的显示装置，其中，所述多个有机电致发光元件为在一个方向上长的矩形形状，并且以平行于短边的行方向和平行于长边的列方向而布置，并且

所述多个有机电致发光元件在行方向上的间距等于或小于30μm。

(12)一种电子设备，其包括根据(1)至(11)中的任一项所述的显示装置。

本领域的技术人员应当明白，在不脱离所附权利要求及其等同物的范围内，取决于设计需要和其它因素可出现各种变化、组合、子组合和替代。

Claims (12)

1.一种显示装置，其包括：

多个发光元件；和

滤色器，其具有面向所述多个发光元件的透色区以及在所述透色区的一部分处设置的半透射区。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述半透射区设置于使得从所述多个发光元件之一入射至面向与所述多个发光元件之一邻接的发光元件的所述透色区的光的一部分可通过所述半透射区的位置处。

3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述半透射区设置为面向所述多个发光元件之间的边界。

4.如权利要求1至3之任一项所述的显示装置，其中，所述透色区包括两种以上不同颜色的着色层，并且

所述半透射区包括设于所述着色层的表面处的半透射膜。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述半透射膜设置于所述着色层的远离所述多个发光元件的一侧的表面处。

6.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述半透射膜设置于所述着色层的靠近所述多个发光元件的一侧的表面处。

7.如权利要求1至3之任一项所述的显示装置，其中，所述透色区包括两种以上不同颜色的着色层，并且所述半透射区包括：

第一半透射膜；和

第二半透射膜，其在所述第一半透射膜周围的所述着色层的表面处具有凸出部。

8.如权利要求1至3之任一项所述的显示装置，其中，所述透色区包括两种以上不同颜色的着色层，并且所述半透射区包括：

遮光膜；和

半透射膜，其在所述遮光膜周围的所述着色层的表面处具有凸出部。

9.如权利要求1至3之任一项所述的显示装置，其中，所述发光元件为有机电致发光元件，所述有机电致发光元件中依次层叠有第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极。

10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述有机电致发光元件发出白光，并且

所述着色层包括分别用于将所述白光提取为红光、绿光或蓝光的红光着色层、绿光着色层和蓝光着色层。

11.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个有机电致发光元件呈在一个方向上长的矩形形状，并且以平行于短边的行方向和平行于长边的列方向而布置，并且

所述多个有机电致发光元件在所述行方向上的间距等于或小于30μm。

12.一种电子设备，其包括如权利要求1至11之任一项所述的显示装置。

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