CN102729137A - 距离监控装置 - Google Patents

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Abstract

一种距离监控装置，适用于化学机械研磨机，化学机械研磨机的研磨头包括框架及薄膜，薄膜装设于框架上，且薄膜与框架于研磨头中形成多个气囊。距离监控装置包括多个距离检测器，分别设置于气囊所对应的框架上，将各个距离检测器位于框架上的位置设为基准点，各个距离检测器用以测量各个基准点与薄膜之间的距离。本发明可使经研磨后的基材具有较佳的表面平坦度。

Description

距离监控装置
技术领域
本发明涉及一种距离监控装置，尤其涉及一种用于化学机械研磨机的距离监控装置。
背景技术
随着元件尺寸持续缩减，微影曝光解析度相对增加，伴随着曝光景深的缩减，对于晶片表面的高低起伏程度的要求更为严苛。因此在进入深亚微米的制程时，晶片的平坦化就依赖化学机械研磨制程来完成，它独特的非等向性磨除性质除了用于晶片表面轮廓的平坦化之外，亦可应用于垂直及水平金属内连线的镶嵌结构的制作、前段制程中元件浅沟渠隔离制作及先进元件的制作、微机电系统平坦化和平面显示器制作等。
化学机械研磨主要是利用研浆中的化学助剂(reagent)，在晶圆的正面上产生化学反应，形成易研磨层，再配合晶圆在研磨垫上，藉由研浆中的研磨粒(abrasive particles)辅助的机械研磨，将易研磨层的突出部分研磨，反复上述化学反应与机械研磨，即可形成平坦的表面。
然而，晶圆的刚性(rigidity)越低会导致晶圆的弯曲(bending)程度越高。当晶圆产生弯曲时，会使得晶圆在进行化学机械研磨时各区域的研磨速率不同，进而产生晶圆表面平坦度不佳的问题。
发明内容
本发明提供一种距离监控装置，其可即时得知基材在研磨时的表面平坦度。
本发明提出一种距离监控装置，适用于化学机械研磨机，化学机械研磨机的研磨头包括框架及薄膜，薄膜装设于框架上，且薄膜与框架于研磨头中形成多个气囊。距离监控装置包括多个距离检测器，分别设置于气囊所对应的框架上，将各个距离检测器位于框架上的位置设为基准点，各个距离检测器用以测量各个基准点与薄膜之间的距离。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，还包括气体供应器及距离控制器。气体供应器连通至气囊。距离控制器耦接至距离检测器与气体供应器，以依据距离检测器所反馈的数据，而决定气体供应器输送至气囊中的气体流量，以控制气囊中的气压。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，气体供应器例如是泵浦。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，还包括多条气体管路，分别连通气体供应器与气囊。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，距离检测器例如是非接触式距离检测器或接触式距离检测器。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，非接触式距离检测器例如是电磁阻抗检测装置、雷射发射与接收装置或超音波发送与接收装置。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，接触式距离检测器例如是探针装置。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，气囊例如是同轴设置。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，框架的材料例如是钢性材料
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，薄膜例如是弹性膜。
依照本发明的一实施例所述，在上述的距离监控装置中，各个距离例如是进行制程条件设定时的参数。
基于上述，由于本发明所提出的距离监控装置可用以即时测量各个基准点与薄膜之间的距离，且在进行研磨时薄膜会紧贴着基材而反应出基材的表面平坦度，因此藉由距离监控装置可即时得知基材在进行研磨时的表面平坦度。
为让本发明的上述特征能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一实施例的距离监控装置的剖面图。
图2为图1中的薄膜的正视图，其中并显示出气囊及距离监控装置的设置关系。
附图标记：
100：距离监控装置
102：距离检测器
104：气体供应器
106：距离控制器
108：气体管路
110：信号线
200：研磨头
202：框架
204：薄膜
206a、206b、206c、206d：气囊
208：开口
210：研磨垫
A、B、C、D：区域
D1、D2、D3、D4：距离
P1、P2、P3、P4：基准点
W：晶圆
具体实施方式
图1为本发明的一实施例的距离监控装置的剖面图。图2为图1中的薄膜的正视图，其中并显示出气囊及距离监控装置的设置关系。
请同时参照图1及图2，距离监控装置100适用于化学机械研磨机。在此实施例中，进行研磨的基材例如是以晶圆W为例进行说明。化学机械研磨机的研磨头200包括框架202及薄膜204，薄膜204装设于框架202上，且薄膜204与框架202于研磨头200中形成气囊206a、206b、206c、206d。框架202的材料例如是钢性材料。薄膜204例如是弹性膜。薄膜204的材料例如是橡胶。薄膜204上例如是具有开口208，有助于对晶圆W进行真空吸附。气囊206a、206b、206c、206d例如是同轴配置。在此实施例中，气囊的数量是以4个为例进行说明，然而气囊的数量只要是在2个以上即属于本发明的距离监控装置100所保护的范围。
距离监控装置100包括多个距离检测器102，分别设置于气囊206a、206b、206c、206d所对应的框架202上。将距离检测器102位于框架202上的位置设为基准点P1、P2、P3、P4，距离检测器102分别用以测量基准点P1、P2、P3、P4与薄膜204之间的距离D1、D2、D3、D4。各个距离D1、D2、D3、D4例如是进行制程条件设定时的参数。各个气囊206a、206b、206c、206d至少对应一个距离检测器102。各个气囊206a、206b、206c、206d可对应一个或多个距离检测器102。距离检测器102例如是非接触式距离检测器或接触式距离检测器。其中，非接触式距离检测器例如是电磁阻抗检测装置、雷射发射与接收装置或超音波发送与接收装置。接触式距离检测器例如是探针装置。
距离监控装置100还可选择性地包括气体供应器104及距离控制器106，以控制气囊206a、206b、206c、206d中的气压。
气体供应器104连通至气囊206a、206b、206c、206d。气体供应器104例如是泵浦。此外，距离监控装置100还可选择性地包括多条气体管路108，分别连通气体供应器104与气囊206a、206b、206c、206d。
距离控制器106耦接至距离检测器102与气体供应器104，以依据距离检测器102所反馈的数据，而决定气体供应器104输送至气囊206a、206b、206c、206d中的气体流量，以控制气囊206a、206b、206c、206d中的气压。距离控制器106例如是藉由信号线110耦接至距离检测器102与气体供应器104。
以下，举例说明距离监控装置100的作动机制。其中，用以进行化学机械研磨的基材是以晶圆W为例进行说明，但并不用以限制本发明的范围。
请参照图1，首先，在对晶圆W进行研磨时，会利用研磨头200例如是以真空吸附等方式将晶圆W置放于化学机械研磨机的研磨垫210上。晶圆W对应于气囊206a、206b、206c、206d而可区分为区域A、B、C、D。
接着，利用研磨头200的薄膜204将晶圆W压置于研磨垫210上进行研磨，同时会利用气体供应器104在气囊206a、206b、206c、206d中通入气体，而藉由薄膜204对晶圆W进行加压，以利于研磨的进行。
在利用研磨垫210对晶圆W进行研磨的过程中，距离监控装置100的距离检测器102可即时测量基准点P1、P2、P3、P4与薄膜204之间的距离D1、D2、D3、D4。由于薄膜204紧贴着晶圆W，因此藉由气囊206a、206b、206c、206d中的距离D1、D2、D3、D4的变动关系可得知整个晶圆W的表面平坦度。
然后，距离检测器102会将所测量的数据反馈到距离控制器106，再由距离控制器106依据所接收到的数据，决定气体供应器104输送至气囊206a、206b、206c、206d中的气体流量，以控制气囊206a、206b、206c、206d中的气压。举例来说，当气囊206a所对应的距离检测器102测量到的距离D1大于设定值时，可得知区域A中的晶圆W受到过度研磨，此时距离控制器106会减少气体供应器104输送至气囊206a中的气体流量，以降低气囊206a中的气压，进而降低区域A中的研磨速率。当气囊206d所对应的距离检测器102测量到的距离D4小于设定值时，可得知区域D中的晶圆W研磨不足，此时距离控制器106会增加气体供应器104输送至气囊206d中的气体流量，以提高气囊206d中的气压，进而加快区域D中的研磨速率。
基于上述实施例可知，由于距离监控装置100中的距离检测器102可用以即时测量基准点P1、P2、P3、P4与薄膜204之间的距离D1、D2、D3、D4，因此藉由距离检测器102可即时得知晶圆W在进行研磨时的表面平坦度。
此外，当距离监控装置100具有距离控制器106时，距离控制器106可依据距离检测器102所反馈的数据，而决定气体供应器104输送至气囊206a、206b、206c、206d中的气体流量，以分别调整区域A、B、C、D的研磨速率，因此在进行研磨制程后可获得具有较佳表面平坦度的晶圆W。
综上所述，上述实施例至少具有下列特征：
1、上述实施例的距离监控装置可即时得知基材在进行研磨时的表面平坦度。
2、当距离监控装置具有距离控制器时，在进行研磨制程后，可获得具有较佳表面平坦度的基材。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的普通技术人员，当可作些许更动与润饰，而不脱离本发明的精神和范围。

Claims (11)

1.一种距离监控装置，适用于一化学机械研磨机，该化学机械研磨机的一研磨头包括一框架及一薄膜，该薄膜装设于该框架上，且该薄膜与该框架于该研磨头中形成多个气囊，该距离监控装置包括：
多个距离检测器，分别设置于该些气囊所对应的该框架上，其特征在于将各该距离检测器位于该框架上的位置设为一基准点，各该距离检测器用以测量各该基准点与该薄膜之间的距离。
2.根据权利要求1所述的距离监控装置，其特征还包括：
一气体供应器，连通至该些气囊；以及
一距离控制器，耦接至该些距离检测器与该气体供应器，以依据该些距离检测器所反馈的数据，而决定该气体供应器输送至该些气囊中的气体流量，以控制该些气囊中的气压。
3.根据权利要求2所述的距离监控装置，其特征在于该气体供应器包括泵浦。
4.根据权利要求2所述的距离监控装置，其特征还包括多条气体管路，分别连通该气体供应器与该些气囊。
5.根据权利要求1所述的距离监控装置，其特征在于该距离检测器包括一非接触式距离检测器或一接触式距离检测器。
6.根据权利要求5所述的距离监控装置，其特征在于该非接触式距离检测器包括电磁阻抗检测装置、雷射发射与接收装置或超音波发送与接收装置。
7.根据权利要求5所述的距离监控装置，其特征在于该接触式距离检测器包括探针装置。
8.根据权利要求1所述的距离监控装置，其特征在于该些气囊为同轴设置。
9.根据权利要求1所述的距离监控装置，其特征在于该框架的材料包括钢性材料
10.根据权利要求1所述的距离监控装置，其特征在于该薄膜包括弹性膜。
11.根据权利要求1所述的距离监控装置，其特征在于各该距离为进行制程条件设定时的一参数。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106425833A (zh) * 2015-08-07 2017-02-22 精工半导体有限公司 研磨头、cmp研磨装置以及导体集成电路的制造方法
CN108015668A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 株式会社荏原制作所 基板保持装置、弹性膜、研磨装置以及弹性膜的更换方法
CN109746823A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 株式会社荏原制作所 研磨方法及研磨装置
US11179823B2 (en) 2016-10-28 2021-11-23 Ebara Corporation Substrate holding apparatus, elastic membrane, polishing apparatus, and method for replacing elastic membrane
CN113829233A (zh) * 2021-08-21 2021-12-24 浙江晶盛机电股份有限公司 一种抛光载体

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014223684A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 研磨装置および研磨方法
JP6430177B2 (ja) * 2014-08-26 2018-11-28 株式会社荏原製作所 バフ処理モジュール、及び、処理装置
JP6713377B2 (ja) * 2016-08-10 2020-06-24 エイブリック株式会社 研磨ヘッド、研磨ヘッドを有するｃｍｐ研磨装置およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
US10872874B2 (en) * 2018-02-26 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonding apparatus and method of bonding substrates
KR20200133634A (ko) * 2019-05-20 2020-11-30 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
US11623320B2 (en) * 2019-08-21 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Polishing head with membrane position control
WO2024142725A1 (ja) * 2022-12-27 2024-07-04 株式会社荏原製作所 基板吸着部材、トップリング、および基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1435297A (zh) * 2002-01-31 2003-08-13 旺宏电子股份有限公司 化学机械研磨的监控测量方法
CN1626313A (zh) * 2003-12-05 2005-06-15 株式会社东芝 研磨头及研磨装置
JP2006263903A (ja) * 2005-02-25 2006-10-05 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
US20080139087A1 (en) * 2003-06-18 2008-06-12 Ebara Corporation Substrate Polishing Apparatus And Substrate Polishing Method
US20080188162A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Itsuki Kobata Electrochemical mechanical polishing apparatus conditioning method, and conditioning solution

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3341601B2 (ja) * 1996-10-18 2002-11-05 日本電気株式会社 研磨剤の回収再利用方法および装置
JP3705670B2 (ja) * 1997-02-19 2005-10-12 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
US6398621B1 (en) * 1997-05-23 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate sensor
US6966816B2 (en) * 2001-05-02 2005-11-22 Applied Materials, Inc. Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring
JP2003057027A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Ebara Corp 測定装置
KR100421445B1 (ko) * 2001-09-28 2004-03-09 삼성전자주식회사 연마 헤드 조립 방법 및 연마 헤드 조립 시의 공기 누설검사장치
US6945845B2 (en) * 2003-03-04 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with non-conductive elements
JP4718107B2 (ja) * 2003-05-20 2011-07-06 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び研磨装置
JP4108023B2 (ja) * 2003-09-09 2008-06-25 株式会社荏原製作所 圧力コントロールシステム及び研磨装置
US20050070205A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Speedfam-Ipec Corporation Integrated pressure control system for workpiece carrier
JP2007523264A (ja) * 2004-02-23 2007-08-16 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 膜式電解研磨向け装置
CN1972780B (zh) * 2004-06-21 2010-09-08 株式会社荏原制作所 抛光设备和抛光方法
DE102004040429B4 (de) * 2004-08-20 2009-12-17 Peter Wolters Gmbh Doppelseiten-Poliermaschine
TWI386989B (zh) * 2005-02-25 2013-02-21 Ebara Corp 研磨裝置及研磨方法
JP2006231471A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Speedfam Co Ltd 両面ポリッシュ加工機とその定寸制御方法
JP4814677B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
WO2008028512A1 (de) * 2006-09-08 2008-03-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bolometer und verfahren zum herstellen eines bolometers
US7402098B2 (en) * 2006-10-27 2008-07-22 Novellus Systems, Inc. Carrier head for workpiece planarization/polishing
US8152594B2 (en) * 2007-01-30 2012-04-10 Ebara Corporation Polishing apparatus
DE102007056628B4 (de) * 2007-03-19 2019-03-14 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben
JP5080933B2 (ja) * 2007-10-18 2012-11-21 株式会社荏原製作所 研磨監視方法および研磨装置
JP2009131920A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Ebara Corp 研磨装置及び方法
US20090181475A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Novellus Systems, Inc. Detecting the presence of a workpiece relative to a carrier head
JP5390807B2 (ja) * 2008-08-21 2014-01-15 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
US8388408B2 (en) * 2008-10-10 2013-03-05 Ebara Corporation Method of making diagram for use in selection of wavelength of light for polishing endpoint detection, method for selecting wavelength of light for polishing endpoint detection, and polishing endpoint detection method
US9073169B2 (en) * 2008-11-07 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Feedback control of polishing using optical detection of clearance
US8657644B2 (en) * 2009-07-16 2014-02-25 Ebara Corporation Eddy current sensor and polishing method and apparatus
WO2011111427A1 (ja) * 2010-03-12 2011-09-15 株式会社 日立メディコ 超音波トランスデューサおよびそれを用いた超音波診断装置
JP5511600B2 (ja) * 2010-09-09 2014-06-04 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP5980476B2 (ja) * 2010-12-27 2016-08-31 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置およびポリッシング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1435297A (zh) * 2002-01-31 2003-08-13 旺宏电子股份有限公司 化学机械研磨的监控测量方法
US20080139087A1 (en) * 2003-06-18 2008-06-12 Ebara Corporation Substrate Polishing Apparatus And Substrate Polishing Method
CN1626313A (zh) * 2003-12-05 2005-06-15 株式会社东芝 研磨头及研磨装置
JP2006263903A (ja) * 2005-02-25 2006-10-05 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
US20080188162A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Itsuki Kobata Electrochemical mechanical polishing apparatus conditioning method, and conditioning solution

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106425833A (zh) * 2015-08-07 2017-02-22 精工半导体有限公司 研磨头、cmp研磨装置以及导体集成电路的制造方法
CN106425833B (zh) * 2015-08-07 2019-07-19 艾普凌科有限公司 研磨头、cmp研磨装置以及导体集成电路的制造方法
CN108015668A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 株式会社荏原制作所 基板保持装置、弹性膜、研磨装置以及弹性膜的更换方法
US11179823B2 (en) 2016-10-28 2021-11-23 Ebara Corporation Substrate holding apparatus, elastic membrane, polishing apparatus, and method for replacing elastic membrane
US11958163B2 (en) 2016-10-28 2024-04-16 Ebara Corporation Substrate holding apparatus, elastic membrane, polishing apparatus, and method for replacing elastic membrane
CN109746823A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 株式会社荏原制作所 研磨方法及研磨装置
TWI780253B (zh) * 2017-11-06 2022-10-11 日商荏原製作所股份有限公司 研磨方法及研磨裝置
US11478893B2 (en) 2017-11-06 2022-10-25 Ebara Corporation Polishing method and polishing apparatus
CN113829233A (zh) * 2021-08-21 2021-12-24 浙江晶盛机电股份有限公司 一种抛光载体
CN113829233B (zh) * 2021-08-21 2023-07-18 浙江晶盛机电股份有限公司 一种抛光载体

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