CN102693954B - 一种超薄非接触模块用载带 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种超薄非接触模块用载带，该载带采用蚀刻与冲压工艺结合的方式制作，并且其厚度为0.075-0.085mm；所述载带采用蚀刻工艺将芯片承载区域设置成凹陷结构；芯片承载区域厚度为0.025-0.045mm。本发明的载带所制成的非接触模块在总体厚度上可达到0.26mm，既能够与现有非接触模块标签达到通用标准，又能够满足特殊的应用需要，如护照电子标签、签证电子标签等应用。

Description

一种超薄非接触模块用载带

技术领域

本发明涉及微电子半导体封装技术领域，特别涉及用于非接触智能卡模块封装技术领域。

背景技术

随着集成电路封装技术的不断进步，集成电路的集成度日益提高，功能越来越丰富。对于不断出现的新应用需求，要求集成电路封装企业能设计出新型的封装形式来配合新的需求。

目前，传统的载带采用常规的蚀刻制作工艺或者冲压制作工艺完成，采用此载带所制成的非接触模块的厚度为300um-400um，其无法满足特殊的应用需要，如护照电子标签、签证电子标签等应用，传统的非接触模块不能有效发挥其作用，势必需要通过新的超薄的非接触模块形式来实现。因此，超薄的非接触模块载带的开发迫在眉睫。

目前的非接触模块所应用的领域局限于智能卡及普通的智能标签中，而对于超薄的非接触模块可以克服厚度超标的问题，应用于各种高要求的、苛刻的环境中，目前在国际上都是空白。

发明内容

本发明针对现有载带由于厚度过厚所制成的非接触模块无法满足特殊的应用需求的问题，而提供一种超薄非接触模块用载带。基于该载带能够形成超薄的非接触模块，以满足特殊的应用需求。

为了达到上述目的，本发明采用如下的技术方案：

一种超薄非接触模块用载带，所述载带上具有芯片承载区域和若干焊线区域，所述载带的厚度为0.075-0.085mm。

在本发明的优选实例中，所述载带上的芯片承载区域相对载带表面内凹，其厚度为0.025-0.045mm。

进一步的，所述若干焊线区域对称分布在芯片承载区域两端。

再进一步的，所述芯片承载区域两端的焊线区域呈连续台阶状结构。

进一步的，所述芯片承载区域的四周分布有若干封装用通孔。

再进一步的，所述通孔上近芯片承载区的边缘为半蚀刻结构。

再进一步的，所述通孔上半蚀刻结构的厚度为0.025-0.045mm。

根据上述方案形成的超薄非接触模块用载带，可广泛应用于各类超薄型电子标签等，极大地推动全球超薄型电子标签的发展，适合各个不同使用领域的需求，具有更好的应用前景。

本发明提供的载带采用特殊的结构有效解决了由于载带厚度过薄，无法直接封装形成非接触模块的问题。

同时，利用本发明提供的载带所制成的非接触模块在总体厚度上可达到0.26mm，既能够与现有非接触模块标签达到通用标准，又能够满足特殊的应用需要，如护照电子标签、签证电子标签等应用。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本发明。

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明的A-A剖面示意图；

图3为本发明的B-B剖面示意图；

图4为本发明封装示意图；

图5为本发明封装后的截面图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。

参见图1，本发明提供的超薄非接触模块用载带100采用蚀刻与冲压工艺结合的方式制作，并且其厚度为0.075-0.085mm。其上设置有芯片承载区域101和若干焊线区域102。

为了减少后道总体封装厚度，载带采用蚀刻工艺将芯片承载区域101设置成凹陷结构，并芯片承载于此凹陷结构中，并且此芯片承载区域经过蚀刻后的厚度为0.025-0.045mm。

对于芯片承载区域101的设置位置，可根据实际的需求而定。如图1所示，本发明中将芯片承载区域101设置在载带100的中间位置，但并不限于此。

本发明将芯片承载区域101设置为上半部分蚀刻，这样既能够在贴芯片时减少其总厚度，又可以在模塑封装时模塑料与载带结合部分，用模塑料将载带扣住。

在本发明中，若干焊线区域102对称分布在芯片承载区域101的上下两端，但是并不限于此。

由于载带整体较薄，在封装时与模塑料的结合力不够，无法正常封装。如图3所示，为了增强后道封装时的模塑料与载带的结合力，本发明将载带采用冲压工艺将焊线区域设置为连续的桥式台阶状结构。

为了能够便于采用常规的工艺进行封装模块，本发明在芯片承载区域101的四周设置若干封装用通孔103。这些封装用通孔103主要包括四个T型通孔和两个台阶型通孔，其中两个台阶型通孔分布在芯片承载区域101两端，并位于焊线区域102和芯片承载区域101之间；四个T型通孔对比分布在芯片承载区域101两侧。本发明采用T型通孔和台阶型通孔的相配合，能够提高采用常规设备和工艺进行封装模块的稳定性。

如图2所示，为了增加载带在后道封装时的模塑料与载带的结合力，本发明采用蚀刻工艺将所有封装用通孔103上靠近芯片承载区域101的边缘设置成半蚀刻结构103c，并且该蚀刻的方向与芯片承载区域101的蚀刻方向相对。

为了保证载带的整体厚度以及后续封装的稳定性，本发明中封装用通孔103边缘经过蚀刻后的厚度为0.025-0.045mm。

如图1所示，本发明还在芯片承载区域101的外围设置有若干冲切孔104，这些冲切空104由八个方形冲切孔和四个弧形冲切孔组成，其中八个方形冲切孔对称分布在芯片承载区域101的两侧，而四个弧形冲切孔对称分布在芯片承载区域101的两端，并位于焊线区域102外侧。这些冲切孔104与T型通孔的突出部103a和台阶型通孔的两端103b共同组成冲切部106（如图4所示）。

冲切部106在载带封装形成模块后，将由冲切刀切除。在本发明中冲切部106都是由漏空结构的通孔组成，并且上、下，左、右的漏空均为对称，这样有效减少在冲切时冲切刀与金属载带接触时的拉力（拉力越大越容易产生金属载带边缘的毛刺），大量的漏空大大减少冲切刀与金属载带冲切时的接触面积。

根据上述方案形成的超薄载带可以利用现有的生产设备和工艺进行封装形成超薄模块，能够以相同的生产成本进行薄非接触模的封装，并获得高可靠性的产品。

参见图4，本发明在具体实施时，芯片承载区域101设置在中间位置，其设置为上半部分蚀刻，目的是既为了在贴芯片时减少其总厚度，又可以在模塑封装时模塑料与载带结合部分，用模塑料将载带扣住。

T型通孔和台阶型通孔与芯片承载区域101和焊线区域102相互配合形成模塑料封装区域105，该区域在封装时直接由模塑料覆盖封装。同时封装通孔103采用半蚀刻结构，有效增加封装时模塑料与载带结合部分，用模塑料将载带扣住。

参见图5，其所示为封装后的模块切面示意图，封装时，模塑料107将填入到芯片承载区域的蚀刻部分和封装通孔（T型通孔和台阶型通孔）的蚀刻部分。

在封装完成后模块冲切部分106（虚线内的为需要冲下来的产品），其中冲切空104（上下左右的漏空均为对称）设置较多是为了在冲切时减少冲切刀与金属载带接触时的拉力（拉力越大越容易产生金属载带边缘的毛刺），大量的冲切空104有效减少了冲切刀与金属载带冲切时的接触面积，从而大大降低冲切刀与金属载之间的拉力，有效提高产品的成品率。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.一种超薄非接触模块用载带，所述载带上具有芯片承载区域和若干焊线区域，其特征在于，所述载带的厚度为0.075-0.085mm；所述芯片承载区域两端的焊线区域呈连续的桥式台阶状结构，所述芯片承载区域的四周分布有若干封装用通孔，所述封装用通孔包括四个T型通孔和两个台阶型通孔，其中两个台阶型通孔分布在芯片承载区域两端，并位于焊线区域和芯片承载区域之间；四个T型通孔对比分布在芯片承载区域两侧。

2.根据权利要求1所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述载带上的芯片承载区域相对载带表面内凹，其厚度为0.025-0.045mm。

3.根据权利要求1所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述若干焊线区域对称分布在芯片承载区域两端。

4.根据权利要求1所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述通孔上近芯片承载区的边缘为半蚀刻结构。

5.根据权利要求4所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述通孔上半蚀刻结构的厚度为0.025-0.045mm。