CN102683618A - 沉积掩模 - Google Patents

沉积掩模 Download PDF

Info

Publication number
CN102683618A
CN102683618A CN2011104612094A CN201110461209A CN102683618A CN 102683618 A CN102683618 A CN 102683618A CN 2011104612094 A CN2011104612094 A CN 2011104612094A CN 201110461209 A CN201110461209 A CN 201110461209A CN 102683618 A CN102683618 A CN 102683618A
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening
mask
mask frame
deposition mas
interface channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011104612094A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102683618B (zh
Inventor
李相信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN102683618A publication Critical patent/CN102683618A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102683618B publication Critical patent/CN102683618B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
    • B05C21/005—Masking devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种沉积掩模，所述沉积掩模包括：掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；掩模片，放置在所述掩模框架上；其中，所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域，其中，第一开口位于所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。

Description

沉积掩模
本申请参考于2011年3月15日先前提交到韩国知识产权局并由此指定的序号为10-2011-0023058的申请，将该申请包含于此并且要求该申请的所有权益。
技术领域
本发明涉及一种沉积掩模，更具体地讲，涉及一种在制造显示装置的过程中使用的沉积掩模。
背景技术
电致发光元件作为自发光显示元件，由于它们宽的视角、高的对比度以及高的响应速度而作为下一代显示元件备受关注。
根据形成发光层的材料，这些电致发光元件被分为无机电致发光元件和有机电致发光元件。有机电致发光元件具有比无机电致发光元件高的亮度和响应速度，并且能够显示彩色图像。由于这些优点，正在积极开发有机电致发光元件。
通过各种沉积工艺来制造采用有机电致发光元件的显示装置，并且在制造工艺的一部分中采用沉积掩模。
沉积掩模包括掩模框架和掩模片。通过将分开的或未分开的掩模片拉紧并且固定到掩模框架上来制造沉积掩模。例如，可以通过将掩模框架的固定区域焊接到掩模片来将掩模框架和掩模片彼此固定。然而，在这种情况下，虽然掩模框架的除了固定区域之外的区域与掩模片彼此非常靠近，但是掩模框架的除了固定区域之外的区域通常不完全地附于掩模片。因此，如果杂质被引入到掩模框架的这些区域与掩模片之间的空间中，则可能在沉积掩模和基底之间形成间隙。所述间隙会阻碍图案的精确沉积并且产生由于掩模缺陷导致的阴影。
发明内容
本发明提供了一种沉积掩模，其中，可以从所述沉积掩模容易地去除杂质。
然而，本发明的方面不限于这里提出的方面。通过参照下面给出的对本发明的详细描述，本发明的以上和其它方面对于本发明所属领域的普通技术人员来说将变得更加清楚。
根据本发明的一方面，一种沉积掩模包括：掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；掩模片，放置在所述掩模框架上，其中，所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域，第一开口位于所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。
根据本发明的另一方面，一种沉积掩模包括：掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且所述掩模框架包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；掩模片，放置在所述掩模框架上，其中，所述掩模框架的表面包括第一表面、第二表面以及连接第一表面和第二表面的台阶表面，其中，第一表面和第二表面面对所述掩模片，第一表面包括固定到所述掩模片的固定区域，第一开口位于所述台阶表面中。
附图说明
通过参照下面的结合附图考虑时的详细描述，对本发明的更完整的理解以及本发明的许多附加优点将变得更加清楚以及更好理解，在附图中，相同的标号始终表示相同或相似的组件，其中：
图1是根据本发明示例性实施例的沉积掩模的分解透视图；
图2是图1中示出的沉积掩模的平面图；
图3是沿着图2中的线III-III截取的剖视图；
图4是用于解释清洁图3中示出的沉积掩模的方法的剖视图；
图5和图6是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图；
图7至图9是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图；
图10是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图；
图11是用于解释清洁图10中示出的沉积掩模的方法的剖视图；
图12和图13是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图；
图14是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图；
图15是用于解释清洁图14中示出的沉积掩模的方法的剖视图；
图16是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图；
图17是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图；
图18是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的分解透视图；
图19是图18中示出的沉积掩模的平面图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，而不应该被解释为限于这里提出的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在整个说明书中，相同的标号表示相同的组件。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。
还将理解的是，当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接位于所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
图1是根据本发明示例性实施例的沉积掩模的分解透视图，图2是图1中示出的沉积掩模的平面图。
参照图1和图2，沉积掩模包括掩模框架110和掩模片120。
掩模框架110可以为在其中心具有开放窗口111的框架。例如，如图1中所示，掩模框架110可以成型为类似中空的六棱柱。
如图1中所示，掩模片120放置在掩模框架110上。掩模片120可以被分为多个单元掩模片121。单元掩模片121可以彼此相邻地布置。然而，本发明不限于此，单元掩模片121中的每两个相邻的单元掩模片121可以分开预定间隙。
如图2中所示，每个单元掩模片121可以包括多个掩模图案。掩模图案可以为多个开口部分122。开口部分122可以按照矩阵形式布置在每个单元掩模片121中。可选地，开口部分122可以线性地布置在每个单元掩模片121中。即使当开口部分122线性地布置在每个单元掩模片121中时，如果单元掩模片121彼此相邻地布置，则整个开口部分122也可以看起来按照矩阵形式布置，如图1中所示。在一些实施例中，当掩模片120用来形成有机发光元件的有机膜时，每个开口部分122可以对应于有机发光元件的每个像素。
掩模框架110的外表面中的至少一个(例如，图1中示出的掩模框架110的顶表面)包括固定区域115。固定区域115位于掩模框架110的外围部分中。当掩模框架110的顶表面是多边形时，固定区域115可以形成在多边形的至少一条边上。在图1和图2中，掩模框架110的顶表面是正方形，并且固定区域115形成在正方形的两条面对的边上。然而，本发明不限于此，固定区域115也可以形成在正方形的一条边、三条边或者全部四条边上。
固定构件130形成在每个固定区域115中。固定构件130置于掩模框架110和掩模片120之间，并且将它们彼此固定。
固定构件130可以包括例如焊接件。例如，在掩模框架110的每个固定区域115中限定多个焊点，并且在焊点处分别放置待焊接的材料。然后，将掩模片120放置在所述材料上方。在这种情况下，如果执行焊接，则所述材料变为焊接件，并且焊接件作为将掩模框架110和掩模片120彼此固定的固定构件130。图2中示出的焊接件为线性布置的点的形状。然而，焊接件也可以形成为连续的线。
单元掩模片121的开口部分122设置在掩模框架110的开放窗口111内。
掩模框架110包括形成在其外表面中的第一开口112和第二开口180。每个第一开口112可以通过至少一个连接通道140空间连接到对应的第二开口180，现在将参照图3以及图1和图2更详细地描述连接通道140。
图3是沿着图2中的线III-III截取的剖视图。
参照图1至图3，第一开口112和第二开口180被限定为掩模框架110的开放表面，第一开口112和第二开口180中的每个分别作为至少一个连接通道的起点。连接通道140穿透掩模框架110。每个第一开口112通过至少一个连接通道140物理连接并空间连接到对应的第二开口180。
第一开口112和/或第二开口180位于掩模框架110的外表面中的面对掩模片120的表面中。在图3中，第一开口112位于掩模框架110的面对掩模片120的顶表面114中。
第一开口112位于固定区域115的靠近窗口111的侧部(在下文中称作窗口侧)上。尽管第一开口112比固定区域115靠近窗口111，但是第一开口112设置为与其中放置有掩模片120的开口部分122的窗口111相对。因此，第一开口112可以设置在外围部分中，而不是掩模片110的开口部分122中。
第二开口180可以位于掩模框架110的外表面中的除了具有第一开口112的顶表面114之外的表面中。例如，如图3中所示，第二开口180可以形成在掩模框架110的外侧表面118中。由于每个第一开口112通过第一连接通道140空间连接到对应的第二开口180，所以面对并接触掩模片120的每个第一开口112通过第一连接通道140和对应的第二开口180空间连接到掩模框架110的外部。
可以使用第一开口112、第一连接通道140和第二开口180来清洁掩模框架110的面对并接触掩模片120的表面中的比固定区域115靠近窗口111的区域116。更具体地讲，掩模框架110的顶表面114放置为面对掩模片120，并且通过每个固定区域115中的焊接件(即，固定构件130)固定到掩模片120。因此，掩模框架110的顶表面114与掩模片120彼此非常近地设置。然而，尽管顶表面114和掩模片120通过固定区域115中的焊接件彼此完全贴合，但是它们在固定区域115之外的区域中没有如此贴合。因此，在固定区域115之外的区域中，在掩模框架110的顶表面114和掩模片120之间会形成间隙。
如果杂质150引入到所述间隙中，则会需要清洁工艺来去除杂质150。关于这一点，沿着从顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116朝向顶表面114的位于固定区域115的与窗口侧相对侧上的区域117的方向执行清洁工艺可能是不容易的。这是因为区域116与区域117被焊接件(即，固定构件130)空间分开，或者从顶表面114的区域117向窗口111的通道被焊接件部分地阻挡。
掩模框架110的顶表面114面对并接触掩模片120，第一开口112位于顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中。因此，位于固定区域115的窗口侧上的区域116通过第一开口112空间连接到掩模框架110的外侧表面118中的暴露的第二开口180。在这种结构中，清洁溶液或者处理气体可以从每个第二开口180经过第一连接通道140提供到对应的第一开口112。因此，可以容易地去除位于顶表面114的比固定区域115靠近窗口111的区域116中的杂质150。
图4是用于解释清洁图3中示出的沉积掩模的方法的剖视图。
参照图4，可以在多个清洁槽160中清洁沉积掩模。当从清洁槽160中取出沉积掩模时，可以通过沉积掩模的每个第二开口180和第一连接通道140向每个第一开口112提供清洁溶液161，如图4中的箭头所示。在清洁工艺之后，一些清洁溶液161会保留在掩模框架110和单元掩模片121之间。在一些实施例中，第一连接通道140可以便于在清洁工艺之后可能保留在单元掩模片121和掩模框架110之间的清洁溶液161的蒸发。
在一些其它实施例中，可以向第一连接通道140中注入适当的清洁气体，以去除清洁溶液161或杂质。注入到第一连接通道140中的清洁气体可以是干燥空气或者氮气。
图5是根据本发明另一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图5，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于：第二开口181形成在掩模框架190的外表面中的掩模框架190的底表面119中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道141将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口181。在图5中，掩模框架190的底表面119与掩模框架190的顶表面114相对，并且与掩模框架190的外侧表面118相接。
在图5中，尽管第二开口181形成在掩模框架190的底表面119中，但是由于第一开口112位于顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中，所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到掩模框架190的暴露的底表面119。因此，从每个第二开口181延伸到对应的第一开口112的第一连接通道141可以用作清洁溶液或者处理气体的通道，因此可以容易地去除杂质150等。
图6是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图6，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于：第二开口182形成在掩模框架191的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3中的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道142将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口182。第一连接通道142的剖面可以为弯曲的形状或者可以具有通过将沿着不同方向延伸的两条或更多条线或曲线连接而形成的形状。
在图6中，尽管第二开口182形成在表面114的位于固定区域151的与开放窗口相对的侧部上的区域117中，但是由于第一开口112位于表面114的位于固定区域115的窗口侧的区域116中，所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117。因此，从每个第二开口182延伸到对应的第一开口112的第一连接通道142可以用作清洁溶液或者处理气体的通道，从而可以容易地去除杂质150等。
图7是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图7，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于：沿着第一连接通道143延伸的方向，第一连接通道143的竖直剖面的面积保持不变或者从每个第一开口112朝向对应的第二开口183增加(如标号170所示)；以及单元掩模片121和掩模框架192的第一开口112之间的距离小于单元掩模片121与表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的距离。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于“第一连接通道142将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口183。
在当前示例性实施例中，通过其提供清洁溶液的第一连接通道143的面积增加，以更容易地去除杂质150。更具体地讲，当通过第二开口183提供清洁溶液时，更大量的清洁溶液可以穿过第二开口183。当通过第二开口183去除杂质150时，更多杂质150可以穿过第二开口183。另外，当通过单元掩模片121和表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的空间提供清洁溶液时，更大量的清洁溶液可以穿过所述空间，并且更大量的杂质150可以通过所述空间。因此，可以更容易地去除位于掩模框架192和单元掩模片121之间的杂质150。
图8是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图8，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于：第二开口184形成在掩模框架193的外表面中的掩模框架193的底表面119中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道144将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口184；沿着第一连接通道144延伸的方向，掩模框架193的第一连接通道144的竖直剖面的面积保持不变或者从每个第一开口112朝向对应的第二开口184增加(如标号171所示)；以及单元掩模片121与掩模框架193的第一开口112之间的距离小于单元掩模片121与顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的距离。在图8中，掩模框架193的底表面119与掩模框架193的顶表面114相对，并且与掩模框架193的外侧表面118相接。
在图8中，尽管第二开口184形成在掩模框架193的底表面119中，但是由于第一开口112位于顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中，所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到掩模框架190的暴露的底表面119。另外，可以增加清洁溶液和/或杂质150所穿过的第一连接通道144的面积。因此，更大量的清洁溶液可以穿过第一连接通道144，并且可以更容易地去除杂质150。
图9是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图9，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于：第二开口185形成在掩模框架194的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道145将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口185；沿着第一连接通道145延伸的方向，掩模框架194的第一连接通道145的竖直剖面的面积保持不变或者从每个第一开口112朝向对应的第二开口185增加(如标号172所示)；单元掩模片121与掩模框架194的第一开口112之间的距离小于单元掩模片121与表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的距离。
在图9中，尽管第二开口185形成在掩模框架194的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中，但是由于第一开口112位于掩模框架194的面对并接触掩模片120的表面114中的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中，所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117。另外，可以增加清洁溶液和/或杂质150所穿过的第一连接通道145的面积。因此，更大量的清洁溶液可以穿过第一连接通道145，并且可以更容易地去除杂质150。
图10是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图10，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图5的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于：掩模框架195还包括形成在掩模框架195的外表面中的第三开口186，以及形成在掩模框架195的内部并且将每个第三开口186空间连接到第一连接通道141的第二连接通道146。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图5的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道141将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口181。
每个第三开口186被限定为掩模框架195的开放表面，并且作为至少一个连接通道的起点。连接通道穿透掩模框架195。每个第三开口186物理连接并且空间连接到第一连接通道141。
第三开口186可以位于掩模框架195的除了具有第一开口112的顶表面114之外的表面中。例如，如图10中所示，第三开口186可以形成在掩模框架195的外侧表面118中。由于每个第三开口186通过第二连接通道146空间连接到第一连接通道141，所以面对并接触掩模片120的每个第一开口112通过第一连接通道141和对应的第二开口181以及通过第二连接通道146和对应的第三开口186空间连接到掩模框架195的外部。
图11是用于解释清洁图10中示出的沉积掩模的方法的剖视图。
参照图11，可以在多个清洁槽160中清洁沉积掩模。当从清洁槽160中取出沉积掩模时，清洁溶液161可以分别穿过沉积掩模的第一连接通道141和第二连接通道146，如图11中所示。
连接到每个第三开口186的第二连接通道146可以用作向第一连接通道141提供另外的清洁溶液以及排放杂质150的附加通道。更具体地讲，在清洁工艺过程中，可以通过对应的第二开口181以及连接到对应的第二开口181的第一连接通道141提供穿过位于掩模框架195的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口112的清洁溶液，并且可以通过对应的第三开口186以及连接到对应的第三开口186的第二连接通道146提供穿过位于掩模框架195的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口112的清洁溶液。因此，更大量的清洁溶液可以穿过每个第一开口112。另外，可以通过对应的第二开口181经由第一连接通道141以及通过对应的第三开口186经由第二连接通道146排放穿过每个第一开口112的杂质150。因此，可以更容易地去除杂质150。
图12是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图12，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于：第二开口182形成在掩模框架196的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中；以及第三开口187形成在掩模框架196的外侧表面118中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道142将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口182；以及第二连接通道147将每个第三开口187空间连接到第一连接通道142。
在图12中，尽管掩模框架196的形成有第二开口182和第三开口187的表面与图10中的掩模框架195的形成有第二开口181和第三开口186的表面不同，但是连接到每个第三开口187的第二连接通道147可以用作向第一连接通道142提供另外的清洁溶液以及排放杂质150的附加通道。因此，更大量的清洁溶液可以穿过每个第一开口112，并且穿过每个第一开口112的杂质150可以通过第一连接通道142和第二连接通道147两者排出。因此，可以更容易地去除杂质150。
图13是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图13，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于：第二开口182形成在掩模框架197的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中；以及第三开口188形成在掩模框架197的底表面119中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道142将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口182；以及第二连接通道148将每个第三开口188空间连接到第一连接通道142。
在图13中，尽管掩模框架197的形成有第二开口182和第三开口188的表面与图10中的掩模框架195的形成有第二开口181和第三开口186的表面不同，但是连接到每个第三开口188的第二连接通道148可以用作向第一连接通道142提供另外的清洁溶液以及排放杂质150的附加通道。因此，更大量的清洁溶液可以通过每个第一开口112，并且穿过每个第一开口112的杂质150可以通过第一连接通道142和第二连接通道148两者排放。因此，可以更容易地去除杂质150。
图14是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图14，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图12的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于：掩模框架198还包括形成在掩模框架198的外表面中的第四开口189，以及形成在掩模框架198的内部并且将每个第四开口189空间连接到第一连接通道142的第三连接通道149。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图12的前面的示例性实施的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道142将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口182；以及第二连接通道147将每个第三开口187连接到第一连接通道142。
每个第四开口189被限定为掩模框架198的开放表面，并且作为至少一个连接通道的起点。第三连接通道149穿透掩模框架198。每个第四开口189物理连接并且空间连接到第一连接通道142。
第四开口189可以位于掩模框架198的除了具有第一开口112的顶表面114之外的表面中。例如，如图14中所示，第四开口189可以形成在掩模框架198的底表面119中。掩模框架198的底表面119与掩模框架198的顶表面114相对，并且与掩模框架198的外侧表面118相接。
由于每个第四开口189通过第三连接通道149空间连接到第一连接通道142，面对并接触掩模片120的每个第一开口112通过第一连接通道142和对应的第二开口182、第二连接通道147和对应的第三开口187、第三连接通道149和对应的第四开口189空间连接到掩模框架198的外部。
图15是用于解释清洁图14中示出的沉积掩模的方法的剖视图。
参照图15，可以在多个清洁槽160中清洁沉积掩模。当从清洁槽160中取出沉积掩模时，清洁溶液161可以分别穿过沉积掩模的第一连接通道142、第二连接通道147和第三连接通道149，如图15中的箭头所示。
连接到每个第四开口189的第三连接通道149可以用作向第一连接通道142提供另外的清洁溶液并且排放杂质150的附加通道。更具体地讲，在清洁工艺过程中，可以通过对应的第二开口182和连接到对应的第二开口182的第一连接通道142提供穿过掩模框架198的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口112的清洁溶液，可以通过对应的第三开口187和连接到对应的第三开口187的第二连接通道147提供穿过掩模框架198的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口112的清洁溶液，以及可以通过对应的第四开口189和连接到对应的第四开口189的第三连接通道149提供穿过掩模框架198的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口112的清洁溶液。因此，更大量的清洁溶液可以通过每个第一开口112。另外，可以通过对应的第二开口182经由第一连接通道142、通过对应的第三开口187经由第二连接通道147、以及通过对应的第四开口189经由第三连接通道149排放穿过每个第一开口112的杂质150。因此，可以更容易地去除杂质150。
图16是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图16，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于：单元掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116之间的距离大于单元掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117之间的距离。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于：第一连接通道142将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口180。
掩模框架199的顶表面114设置为面对单元掩模片121，并且通过每个固定区域115中的焊接件(例如，固定构件130)固定到单元掩模片121。因此，掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117非常靠近单元掩模片121。另一方面，由于单元掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116之间的距离大于单元掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117之间的距离，因此即使当掩模框架199和单元掩模片121之间存在杂质151和152时，如果杂质151和152是小尺寸的，在沉积掩模和基底之间也可以不形成间隙。
当将沉积掩模放到清洁槽中时，由于杂质151和152中较小的杂质151没有固定在掩模片120和掩模框架199之间，所以可以在清洁工艺中更容易地去除较小的杂质151。另外，当从清洁槽中取出沉积掩模时，由于清洁溶液可以穿过沉积掩模的第一连接通道142，所以也可以通过清洁溶液的流动更容易地去除杂质151和152中较大的杂质152，如图4中所示。
图17是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图17，掩模框架210和掩模片220彼此固定。掩模框架210具有表面214，其中，表面214面对掩模片220并且掩模片220固定到表面214。在一些实施例中，掩模片220可以包括多个单元掩模片。
进一步参照图17，根据当前示例性实施例的沉积掩模200与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于：掩模框架210的接触掩模片220的表面214包括第一表面215、第二表面216以及连接第一表面215和第二表面216的台阶表面217；以及第一开口211位于台阶表面217中。
具体地讲，掩模框架210的表面214包括第一表面215、第二表面216以及连接第一表面215和第二表面216的台阶表面217。另外，掩模框架210的表面214包括掩模框架210和掩模片220彼此固定的固定区域218。在一些实施例中，固定区域218可以包括在第一表面215中。
第一表面215和第二表面216面对掩模片220。在一些实施例中，台阶表面217可以不面对掩模片220。在一些其它实施例中，台阶表面217可以与第一表面215和第二表面216垂直。
如以上参照图3所述，由于图17中的掩模框架210和掩模片220在固定区域218中彼此固定，所以掩模框架210和掩模片220在固定区域218中彼此非常靠近。因此，掩模框架210的包括固定区域218的第一表面215也非常靠近掩模片220。另一方面，通过台阶表面217连接到第一表面215的第二表面216与掩模片220分离。在一些实施例中，第一表面215和掩模片220之间的距离可以小于第二表面216和掩模片220之间的距离。
因此，即使当掩模框架210和掩模片220之间存在杂质时，如果杂质是小尺寸的，则在沉积掩模和基底之间可以不形成间隙。另外，当将沉积掩模200放在清洁槽中时，由于较小的杂质没有固定在掩模片220和掩模框架210之间，所以较小的杂质可以在清洁工艺中容易地去除。
进一步参照图17，掩模框架210包括形成在掩模框架210的外表面中的第一开口211和第二开口212。掩模框架210包括将每个第一开口211空间连接到对应的第二开口212的第一连接通道240。在一些实施例中，第一开口211位于台阶表面217中。
由于第一开口211位于台阶表面217中，所以通过每个第二开口212注入并且穿过第一连接通道240的清洁溶液可以通过掩模框架210的第二表面216和掩模片220之间的空间直接排出。
当通过第一连接通道240的清洁溶液通过第二表面216和掩模片220之间的空间直接排放时，通过掩模片220和掩模框架210之间的空间的清洁溶液流可以是强的。因此，可以更容易地去除位于掩模片220和掩模框架210之间的杂质。
图18是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的分解透视图，图19是图18中示出的沉积掩模的平面图。
参照图18和图19，沉积掩模300包括掩模框架310和掩模片320。
进一步参照图18和图19，根据当前示例性实施例的沉积掩模300与图1和图2的沉积掩模的区别在于：掩模片320是未分开的掩模片。因此，掩模片320可以是未分开的掩模片，并且未分开的掩模片320放置在掩模框架310上。
未分开的掩模片320可以包括多个掩模图案，并且掩模图案可以是开口部分322。开口部分322可以按照矩阵形式布置在未分开的掩模片320中。在一些实施例中，当掩模片320用来形成有机发光元件的有机膜时，每个开口部分322可以对应于有机发光元件的每个像素。
根据详细的描述，本领域技术人员将理解，在基本不脱离本发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，仅以总体的和描述性的目的使用本发明的所公开的优选实施例，而不是出于限制的目的。
本发明的示例性实施例提供了至少一种下面的优点。
在根据本发明示例性实施例的沉积掩模中，可以在清洁工艺中容易地去除存在于掩模框架和掩模片之间的杂质、清洁溶液的残余物等。这种杂质、清洁溶液的残留物等的去除使得沉积掩模紧密地附于基底，从而能够精确地沉积图案并且防止沉积阴影。
在根据本发明示例性实施例的沉积掩模中，由于去除了掩模框架和掩模片之间的清洁溶液的残余物，所以避免了有害气体的排放，因此防止诸如驱动电流增大的缺陷。
根据本发明示例性实施例的沉积掩模包括连接通道，所述连接通道便于在完成清洁工艺之后保留在掩模片和掩模框架之间的清洁溶液的蒸发，适当的清洁气体可以注入到连接通道中，以去除清洁溶液、杂质等。
然而，本发明的效果不限于这里提出的情况。通过参照以上描述、相关附图和权利要求，本发明的以上和其它效果对于本发明所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。

Claims (36)

1.一种沉积掩模，所述沉积掩模包括：
掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；
掩模片，放置在所述掩模框架上，
其中，所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域，其中，第一开口位于所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，第二开口形成在所述掩模框架的除了掩模框架的所述表面之外的外表面上。
3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
4.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
5.根据权利要求4所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
6.根据权利要求3所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
7.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，第二开口位于所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的与所述开放窗口相对的侧部上的区域中。
8.根据权利要求7所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
9.根据权利要求7所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
10.根据权利要求9所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与所述表面的第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
11.根据权利要求8所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与所述表面的第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
12.根据权利要求1所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括形成在所述固定区域中用于将所述掩模框架和所述掩模片彼此固定的固定构件。
13.根据权利要求12所述的沉积掩模，其中，所述固定构件包括线性布置的点形状的多个焊接件。
14.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个开口部分。
15.根据权利要求14所述的沉积掩模，其中，所述开口部分按照矩阵形式布置。
16.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述掩模片是未分开的掩模片。
17.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个单元掩模片。
18.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第三开口以及形成在所述掩模框架中用于将第三开口空间连接到第一连接通道的第二连接通道。
19.根据权利要求18所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第四开口以及形成在所述掩模框架中用于将第四开口空间连接到第一连接通道的第三连接通道。
20.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域之间的距离大于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的与所述开放窗口相对的侧部上的区域之间的距离。
21.一种沉积掩模，所述沉积掩模包括：
掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；
掩模片，放置在所述掩模框架上，
其中，所述掩模框架的表面包括第一表面、第二表面以及连接第一表面和第二表面的台阶表面，其中，第一表面和第二表面面对所述掩模片，第一表面包括固定到所述掩模片的固定区域，第一开口位于所述台阶表面中。
22.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，第一表面和所述掩模片之间的距离小于第二表面和所述掩模片之间的距离。
23.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，第二开口形成在所述掩模框架的除了所述掩模框架的所述表面之外的外表面中。
24.根据权利要求23所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
25.根据权利要求23所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
26.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，第二开口位于第一表面中。
27.根据权利要求26所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
28.根据权利要求26所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
29.根据权利要求21所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括形成在所述固定区域中的用于将所述掩模框架和所述掩模片彼此固定的固定构件。
30.根据权利要求29所述的沉积掩模，其中，所述固定构件包括线性布置的点形状的多个焊接件。
31.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个开口部分。
32.根据权利要求31所述的沉积掩模，其中，所述开口部分按照矩阵形式布置。
33.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模片是未分开的掩模片。
34.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个单元掩模片。
35.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第三开口以及形成在所述掩模框架中用于将第三开口空间连接到第一连接通道的第二连接通道。
36.根据权利要求35所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第四开口以及形成在所述掩模框架中用于将第四开口空间连接到第一连接通道的第三连接通道。
CN201110461209.4A 2011-03-15 2011-12-26 沉积掩模 Active CN102683618B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110023028A KR101853265B1 (ko) 2011-03-15 2011-03-15 증착 마스크
KR10-2011-0023028 2011-03-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102683618A true CN102683618A (zh) 2012-09-19
CN102683618B CN102683618B (zh) 2016-08-03

Family

ID=46815237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110461209.4A Active CN102683618B (zh) 2011-03-15 2011-12-26 沉积掩模

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9045820B2 (zh)
KR (1) KR101853265B1 (zh)
CN (1) CN102683618B (zh)
TW (1) TWI515314B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866228A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 昆山允升吉光电科技有限公司 一种制作大面积蒸镀用掩模板的辅助治具及其使用方法
CN106552993A (zh) * 2015-09-25 2017-04-05 新东超精密有限公司 金属掩模制造方法
CN106995912A (zh) * 2017-05-27 2017-08-01 京东方科技集团股份有限公司 一种用于固定掩膜版的框架

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101897209B1 (ko) * 2012-08-03 2018-09-11 삼성디스플레이 주식회사 프레임 및 이를 포함하는 마스크 조립체
KR102099238B1 (ko) * 2013-05-13 2020-04-10 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR102097706B1 (ko) * 2013-06-19 2020-04-07 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 조립체
JP6160356B2 (ja) * 2013-08-14 2017-07-12 ソニー株式会社 蒸着用マスクおよび表示装置の製造方法
KR102330725B1 (ko) * 2014-01-21 2021-11-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 저압 툴 교체를 허용하는 얇은 필름 캡슐화 프로세싱 시스템 및 프로세스 키트
KR102140303B1 (ko) * 2014-09-17 2020-08-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
KR102401484B1 (ko) * 2015-08-31 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102549358B1 (ko) * 2015-11-02 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 조립체 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR102411540B1 (ko) 2015-11-06 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
CN207828397U (zh) * 2018-01-02 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板框架、掩膜板及蒸镀设备
CN110129723B (zh) * 2019-06-27 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 金属掩膜条、掩膜板框架、金属掩膜板及其焊接方法
US11851751B2 (en) * 2021-07-23 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Deposition system and method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6146489A (en) * 1998-11-19 2000-11-14 General Electric Company Method and apparatus for depositing scintillator material on radiation imager
CN1445848A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 富士通株式会社 半导体器件及其制造方法以及相移掩膜
CN1625312A (zh) * 2003-12-02 2005-06-08 索尼株式会社 淀积掩模及其制造方法
WO2006046998A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-04 Eastman Kodak Company Vapor deposition source with plual apertures
KR20060102838A (ko) * 2005-03-25 2006-09-28 엘지전자 주식회사 마스크 프레임
CN1983560A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 三星电子株式会社 掩膜及使用该掩膜制造显示装置的方法
CN201237695Y (zh) * 2008-09-05 2009-05-13 清溢精密光电（深圳）有限公司 一种掩膜版
CN101798670A (zh) * 2009-02-05 2010-08-11 三星移动显示器株式会社 掩模组件及用于使用该掩模组件的平板显示器的沉积设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3596755B2 (ja) * 2000-06-06 2004-12-02 東海商事株式会社 メタルマスクフレーム版及びその製作方法、製作用治具
KR100428337B1 (ko) 2001-10-18 2004-04-28 주식회사 이노벡스 쉐도우 마스크를 세정하는 유기전기 발광소자의 제조장치
KR100916380B1 (ko) 2003-02-10 2009-09-07 사천홍시현시기건유한공사 유기 el용 마스크 세정장치
KR100487834B1 (ko) 2004-05-01 2005-05-09 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 패턴마스크 세정방법 및 장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6146489A (en) * 1998-11-19 2000-11-14 General Electric Company Method and apparatus for depositing scintillator material on radiation imager
CN1445848A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 富士通株式会社 半导体器件及其制造方法以及相移掩膜
CN1625312A (zh) * 2003-12-02 2005-06-08 索尼株式会社 淀积掩模及其制造方法
WO2006046998A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-04 Eastman Kodak Company Vapor deposition source with plual apertures
KR20060102838A (ko) * 2005-03-25 2006-09-28 엘지전자 주식회사 마스크 프레임
CN1983560A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 三星电子株式会社 掩膜及使用该掩膜制造显示装置的方法
CN201237695Y (zh) * 2008-09-05 2009-05-13 清溢精密光电（深圳）有限公司 一种掩膜版
CN101798670A (zh) * 2009-02-05 2010-08-11 三星移动显示器株式会社 掩模组件及用于使用该掩模组件的平板显示器的沉积设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866228A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 昆山允升吉光电科技有限公司 一种制作大面积蒸镀用掩模板的辅助治具及其使用方法
CN106552993A (zh) * 2015-09-25 2017-04-05 新东超精密有限公司 金属掩模制造方法
CN106995912A (zh) * 2017-05-27 2017-08-01 京东方科技集团股份有限公司 一种用于固定掩膜版的框架

Also Published As

Publication number Publication date
KR101853265B1 (ko) 2018-05-02
KR20120105295A (ko) 2012-09-25
US9045820B2 (en) 2015-06-02
CN102683618B (zh) 2016-08-03
TW201243064A (en) 2012-11-01
US20120234235A1 (en) 2012-09-20
TWI515314B (zh) 2016-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102683618A (zh) 沉积掩模
CN101798670B (zh) 掩模组件及用于使用该掩模组件的平板显示器的沉积设备
CN205688000U (zh) 一种掩膜板
KR100971753B1 (ko) 평판 표시장치의 박막 증착용 마스크 조립체
TWI623808B (zh) 用於製造平面顯示器之沉積遮罩組件之設備
US8646406B2 (en) Mask assembly having a frame with support stick
KR102544244B1 (ko) 마스크 프레임 조립체
CN215328329U (zh) 标准掩模装置、掩模支承体、掩模装置及其中间体
US20120174862A1 (en) Mask Frame Assembly for Thin Film Deposition
KR100989321B1 (ko) 대면적 ａｍｏｌｅｄ 다면취 ｔｖ 패널 제작 및 모바일용 패널 제작을 위한 분할된 마스크 프레임 어셈블리의 제조방법 및 그 마스크 프레임 어셈블리
KR100662558B1 (ko) 마스크 및 이를 이용한 디스플레이장치의 제조방법
KR102106333B1 (ko) 마스크 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN207109079U (zh) 一种双层掩膜版组件和蒸镀装置
KR20120123918A (ko) 분할 마스크 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체의 조립방법
WO2018146869A1 (ja) 蒸着マスク
CN103898441A (zh) 一种配套掩模板及其蒸镀方法
CN110343999A (zh) 掩模装置及其制造方法、蒸镀方法
KR102036907B1 (ko) 패턴 마스크 제작을 위한 금속 시트의 고정 장치
WO2014002841A1 (ja) マスクフレーム
JP2011062650A (ja) 有機ｅｌ用マスククリーニング方法、プログラム、有機ｅｌ用マスククリーニング装置、有機ｅｌディスプレイの製造装置および有機ｅｌディスプレイ
CN203834004U (zh) 一种配套掩模板
US9687951B2 (en) Grinding apparatus and method for fabrication of liquid crystal display device
CN203834003U (zh) 一种配套掩模板
KR101002185B1 (ko) 대면적 ｏｌｅｄ 제조용 와이어 마스크 및 와이어 마스크의고정 방법
KR20190132941A (ko) 증착 마스크의 제조 방법 및 유기 발광 재료의 증착 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121115

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121115

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Applicant after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant