CN102683553B - 一种焊线最短的led集成封装基板及应用该基板的光源模组 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种焊线最短的LED集成封装基板，包括基板主体、设置在基板主体上的公共电路和设置在基板主体上的固晶区，所述固晶区被分成至少两个一体式区域，相邻两个区域之间相互绝缘并且电极相反，所述公共电路为一体式金属板并与所述一体式区域对应设置，所述公共电路之间相互绝缘，LED芯片的一个电极引线焊在本固晶区域内，另一个电极的引线焊在芯片固晶区域相邻的固晶区域并与公共电路连接，LED芯片的两个电极引线可以焊线在对应区域的最近点，从而实现焊线最短。
Description
技术领域
本发明涉及LED照明技术领域及LED封装领域，具体涉及一种焊线最短的LED集成封装基板及应用该基板的光源模组。
背景技术
LED作为一种新型光源，具有环保节能、亮度高、寿命长、启动速度快、彩度高等特点，被广泛地应用在室外广告显示屏、室内照明灯和装饰灯及应急灯等。
自上世纪九十年代以来，LED芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，使得外延片和芯片技术日益成熟,同时LED芯片效率的提升与LED应用技术的扩展也改变了现有的LED封装技术，使主流LED封装技术从单颗分立式封装的小功率LED器件向集成式的大功率LED器件转型，集成封装技术将随之成为LED封装领域的重中之重，为LED产品走向通用照明领域打下坚实基础。
传统单颗LED芯片功率难以做大、亮度难以实现通用照明要求或亮度难以做高；多颗LED芯片组合又存在结构复杂、散热慢和配光难等缺点。在传统集成封装技术中，设计图纸时确定LED芯片的固晶位置和焊线位置，基板制做好后LED固晶焊线位置不可变，在LED固晶时一定要把LED芯片和固晶位对应好，否则会造成整个LED集成光源模组失效异常等。
传统的LED集成封装基板的电路一般采用平行的矩阵走线或平行走线与斜线的组合而成，如图1所示，这种走线方式对光源芯片的摆放位置有局限性，经常会出现整个光源因芯片摆放不合理而出光不匀均、因芯片摆放较近造成光损过大、因芯片摆放较远造成焊线过长的遮挡出光、因走线过长的损光或电路设计困难、难于加工或难以通过安规检测等问题。
传统的LED集成封装基板的电路一般采用平行对称的矩阵走线或平行走线与斜线的组合而成，这种走线方式对芯片的结构有局限性，芯片一般分为水平结构和垂直结构，采用传统封装基板在做集成组合时，如需同时采用垂直结构芯片和水平结构芯片进行组合封装，会有困难，因线路走线复杂而无法实现，或无法通过安规检测。
发明内容
本发明的发明目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种焊线短的LED集成封装基板和应用该LED集成封装基板制做的COB集成光源模组。
为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案，一种焊线最短的LED集成封装基板，包括基板主体、设置在基板主体上的公共电路和设置在基板主体上的固晶区，所述固晶区被分成至少两个一体式区域，相邻两个一体式区域之间相互绝缘，所述公共电路为一体式金属板并与所述一体式区域对应设置，所述公共电路之间相互绝缘并且电极相反。
所述一体式区域由圆孤或线段的首尾连接并闭合而组合成的各种图形。
所述的固晶区上设置有反射镜层。
所述一体式区域、公共电路、反射镜层由整体金属板构成。
所述反射镜层的制作材料为银、铝、氧化银、氧化铝、纳米材料中的某一种或这些材料的混合物。
所述反射镜层的厚度在0.001～100微米范围内。
所述反射镜层的反射率在60%～99.9%。
所述基板主体的外周设置有绝缘区。
所述基板主体为采用铜、铝、银或陶瓷材料制成的导热材料制作而成。
一种应用上述任一焊线最短的LED集成封装基板的LED集成封装结构的光源模组，包括所述基板、LED芯片，LED芯片设置在相邻两个一体式区域上并与公共电路连接。
本发明的有益效果：
1、本发明采用一体式固晶位和公共电路可实现芯片到基板电路的电极引线最短，LED芯片的一个电极引线焊在一体式区域内，另一个电极的引线焊在相邻的另一个一体式区域后与公共电路连接，LED芯片的两个电极引线可以焊线在对应的一体式区域的最近点，从而实现电极引线最短。
2、本发明采用一体式区域作为固晶位，在设计图纸时不需确定LED芯片的具体固晶位置，在后续LED集成光源模组制做时可根据需要任意调整LED芯片的固晶位置，LED芯片数量可以按需求任意调整，不会留死角；并可以适用于水平结构和垂直结构的LED芯片，出光更加均匀。
3、采用此基板的光源模组更利于光学设计和提高出光效率。
4、本发明设计采用公共电路，LED芯片可根据需要任意串连并连组合。本发明设置反射镜层，提升出光率20～30%。
5、本发明采用防呆设计，便于加工。
附图说明
图1为现有基板固晶位分布图；
图2为本发明一种实施方式的固晶位分布图；
图3为本发明另一种实施方式的固晶位分布图。
具体实施方式
实施例1
参照图2，本发明所述的焊线最短的LED集成封装基板，包括基板主体、设置在基板主体上的公共电路和设置在所述基板主体上的固晶区2，固晶区2被分成至少两个一体式区域，公共电路为一体式金属板并与所述一体式区域对应设置，每个一体式区域对应一公共电路，公共电路之间相互绝缘并且电极相反，一体式金属板形成一个电路区域，整个金属板
都可用做LED芯片的引线焊盘；在该一体式区域内的任意位置都可以用做LED
芯片的固晶位置；一体式区域可以由圆孤、线段或圆孤与线段的的任意组合而围成，一体式区域可以为各种形状，包括矩形、圆形、椭圆形、三角形、孤形、环形、多边形等，或各种图形的任意组合。一体式区域之间设置有绝缘带3，相邻两个一体式区域之间相互绝缘并互为为电路的正极和负极。基板主体的外周设置有绝缘区1，在所绝缘区上设置有防呆孔4；一体式区域上设置有反射镜层，反射镜层可以由银、铝、氧化银、氧化铝、纳米材料制作等，或银、铝、氧化银、氧化铝、纳米材料的任意组合后制作。反射镜层的厚度在0.001～100微米范围内，反射镜层的反射率在60%～99.9%。
制作光源模组时，LED芯片固定在一体式区域上，LED芯片的一个电极引线在一体式区域上，另一个电极引线在相邻的一个一体式区域上；LED芯片的引线分别与一体式区域下方的公共电路连接，LED芯片的两个电极引线可以焊线在对应一体式区域的公共电路的最近点，从而实现电极引线最短。
本发明较佳的实施方式，将固晶区上的一体式区域、公共电路、反射镜层做成一体，如采用一块高反射金属板，该金属板即作为反射镜层，也作为固晶区，同时也是公共电路。此时两个一体式区域均为公共电路，LED芯片的两个电极引线可以焊线在对应一体式区域的最近点，从而实现电极引线最短。
所述焊线最短的LED集成封装基板适用于多种结构的芯片,包括水平结构和垂直结构。所述出光均匀的LED集成封装基板可采用多种结构的芯片任意组合成各种光源。
实施例2
参照图3，本实施例与实施例1的区别在于，围成一体式区域为折线所围成，防呆孔4设置成防呆凹槽。
Claims (10)
1.一种焊线最短的LED集成封装基板，包括基板主体、设置在基板主体上的公共电路和设置在基板主体上的固晶区，其特征在于：所述固晶区被分成至少两个一体式区域，相邻两个一体式区域之间相互绝缘，所述公共电路为一体式金属板并与所述一体式区域对应设置，所述公共电路之间相互绝缘并且电极相反；
一体式金属板形成一个电路区域，整个金属板都用做LED芯片的引线焊盘，在该一体式区域内的任意位置都用做LED芯片的固晶位置；
LED芯片的一个电极引线焊在一体式区域内，另一个电极引线焊在相邻的另一个一体式区域内，两个电极引线与公共电路连接，LED芯片的两个电极引线焊在所在的一体式区域的最近点，使电极引线最短；
在设计图纸时不需确定LED芯片的具体固晶位置，在后续LED集成光源模组制做时根据需要任意调整LED芯片的固晶位置，LED芯片数量按需求任意调整。
2.根据权利要求1所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述一体式区域由圆孤和/或线段的首尾连接并闭合而组合成的各种图形。
3.根据权利要求1所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述的固晶区上设置有反射镜层。
4.根据权利要求3所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述一体式区域、公共电路、反射镜层由整体金属板构成。
5.根据权利要求3所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述反射镜层的制作材料为银、铝、氧化银、氧化铝、纳米材料中的某一种或这些材料的混合物。
6.根据权利要求3所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述反射镜层的厚度在0.001～100微米范围内。
7.根据权利要求3-5任一项所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述反射镜层的反射率在60%～99.9%。
8.根据权利要求1所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述基板主体的外周设置有绝缘区。
9.根据权利要求1所述的焊线最短的LED集成封装基板，其特征在于：所述基板主体采用铜、铝、银或陶瓷材料制成的导热材料制作而成。
10.一种应用权利要求1-9任一项所述的焊线最短的LED集成封装基板的LED集成封装结构的光源模组，其特征在于包括所述封装基板、LED芯片，LED芯片设置在相邻两个一体式区域上并与公共电路连接。
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