CN102683313B - 半导体接合焊盘结构以及集成电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种半导体接合焊盘结构以及集成电路。根据本发明的半导体接合焊盘结构包括中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为裸露出的金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔；并且，所述中心部分的外周布置了凹槽；并且，所述中心部分的每个凹槽外周均布置了凹槽钨墙。根据本发明，由于凹槽被凹槽钨墙阻挡，所以从下层挥发出的氟被阻挡，从而不会腐蚀上层金属表面，从而不会造成电路腐蚀。其次，本发明实施例的结构利用凹槽钨墙将凹槽包围起来，从而通过凹槽钨墙来阻挡水汽进入下层结构，从而提高了防水性能。

Description

半导体接合焊盘结构以及集成电路

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种半导体接合焊盘结构以及采用了该半导体接合焊盘结构的集成电路。

背景技术

半导体封装是半导体制造领域的一项重要工艺。半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片用粘合剂贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝等）导线或者导电性树脂将晶片的半导体接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试最后入库出货。

图1示意性地示出了根据现有技术的半导体接合焊盘结构100的一种示例。如图1所示，根据现有技术的半导体接合焊盘结构100包括中心部分102以及外周部分101。其中，半导体接合焊盘结构100的外周部分101中形成有通孔A。半导体接合焊盘结构100的中心部分102上露出金属薄膜（一般为铝薄膜）。其中，外周部分101的表面上布置了钝化层。对于半导体接合焊盘结构100的制造来说，半导体接合焊盘结构100一开始总体布置了一层钝化层，此后去除了中心部分102上钝化层，由此形成了仅仅外周部分101上布置了钝化层的布置。

但是，图1所示的半导体接合焊盘结构100的缺点在于，在对半导体接合焊盘结构100的中心部分102上进行压焊时，金属由于压力而膨胀，从而朝两边挤压，并往外撑开、裂开，由此造成焊盘缺陷。

图2示意性地示出了根据现有技术的改进的半导体接合焊盘结构200的另一种示例。

根据现有技术的改进的半导体接合焊盘结构200包括中心部分202以及外周部分201。其中，在中心部分202的外周布置了凹槽B（图2示出了在中心部分102的四周分别布置凹槽B的示例）。这些凹槽B在将金属薄膜和金属凸块布置在半导体接合焊盘结构200的中心部分202上时可容纳金属的膨胀，即为金属的膨胀留出空间，从而防止金属薄膜和外周部分201上的钝化层被撑开、裂开，从而防止焊盘缺陷。

但是，图2所示的半导体接合焊盘结构200的缺点在于，开槽（凹槽B）后，下层的氟会挥发出来而腐蚀上层金属表面，从而造成电路腐蚀以及其它故障，并且湿气会通过凹槽B进入下层电路层，从而缩减了电路的使用寿命。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够防止由于氟会挥发出来而腐蚀上层金属表面从而造成电路腐蚀、并且防止湿气通过凹槽进入下层电路层的半导体接合焊盘结构以及采用了该半导体接合焊盘结构的集成电路。

根据本发明的第一方面，提供了一种半导体接合焊盘结构，其包括：中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为露出的金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔；并且，所述中心部分的外周布置了凹槽；并且，所述中心部分的每个凹槽外周均布置了凹槽钨墙。

优选地，在上述半导体接合焊盘结构中，在所述半导体接合焊盘结构外周布置了外周钨墙。

优选地，在上述半导体接合焊盘结构中，所护外周部分中形成有通孔矩阵。

优选地，在上述半导体接合焊盘结构中，金属薄膜是铝膜。

优选地，在上述半导体接合焊盘结构中，在半导体接合焊盘结构的中心部分的外周的四面均布置了凹槽。

根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明的第一方面的半导体接合焊盘结构的集成电路。

根据本发明，由于凹槽被凹槽钨墙以及上下金属层包围，所以从下层挥发出的氟被阻挡，从而不会腐蚀上层金属表面，从而不会造成电路腐蚀。其次，本发明实施例的结构利用凹槽钨墙将凹槽包围起来，从而通过凹槽钨墙来阻挡水汽进入下层结构，从而提高了防水性能，延长了电路的使用寿命。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的半导体接合焊盘结构的一种示例。

图2示意性地示出了根据现有技术的改进的半导体接合焊盘结构的另一种示例。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的半导体接合焊盘结构。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的半导体接合焊盘结构300。

如图3所示，根据本发明实施例的半导体接合焊盘结构300包括中心部分302以及外周部分301。

其中，优选地，半导体接合焊盘结构300的外周部分301的表面上布置了钝化层，并且在外周部分301中形成有通孔A。并且，半导体接合焊盘结构300的中心部分302为露出的金属薄膜（一般为铝薄膜）。外周部分301中形成有多个通孔A形成的通孔矩阵。

同样，对于半导体接合焊盘结构300的制造来说，半导体接合焊盘结构300一开始可能总体布置了一层钝化层，此后去除了中心部分302上钝化层，由此形成了仅仅外周部分301上布置有钝化层的结构。

此外，在半导体接合焊盘结构300的中心部分302的外周布置了细长的凹槽B，即长条形凹槽B。图3示出了在中心部分302的四周分别布置凹槽B的示例。优选地，在半导体接合焊盘结构300的中心部分302的外周的四面均布置了凹槽B。

这些凹槽B在将金属薄膜布置在半导体接合焊盘结构300的中心部分302上时可容纳金属的膨胀（即为金属的膨胀留出空间），从而防止金属薄膜撑开、裂开，从而防止焊盘缺陷，并且可以防止由于金属的膨胀而导致的外周部分301表面上的钝化层的剥离。

并且，在根据本发明实施例的半导体接合焊盘结构300中，中心部分302的每个凹槽B外周均布置了凹槽钨墙C2。

由此，首先，在根据本发明实施例的半导体接合焊盘结构300中，由于凹槽B被凹槽钨墙C2以及上下金属层包围，所以从下层挥发出的氟等腐蚀性物质被阻挡，从而不会腐蚀上层金属表面，从而不会造成电路腐蚀。

其次，在根据本发明实施例的半导体接合焊盘结构300中，本发明实施例的结构利用凹槽钨墙C2将凹槽B包围起来，从而通过凹槽钨墙C2来阻挡水汽进入下层结构，从而提高防水性能，延长了电路的使用寿命。

进一步优选地，在本发明的具体优选实施例中，在半导体接合焊盘结构300外周布置了外周钨墙C1。因此，该附加的外周钨墙C1可以进一步防止从下层挥发出的氟腐蚀半导体接合焊盘结构300之外的其它结构，并且同样可以进一步防止水汽进入下层结构，从而提高防水性能。

如图1至图3所示，半导体接合焊盘结构100、200、300一般为方形，但是，对于任何熟悉本领域的技术人员而言，可以理解的是，本发明同样适用于其它形状的半导体接合焊盘结构。

根据本发明的另一优选实施例，本发明还提供了一种采用了上述半导体接合焊盘结构300的集成电路。

可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种半导体接合焊盘结构，其特征在于包括：中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为裸露出的金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔；并且，所述中心部分的外周布置了凹槽；并且，所述中心部分的每个凹槽外周均布置了凹槽钨墙。

2.根据权利要求1所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，在所述半导体接合焊盘结构外周布置了外周钨墙。

3.根据权利要求1或2所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，所述外周部分中形成有通孔矩阵。

4.根据权利要求1或2所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，所述金属薄膜是铝膜。

5.根据权利要求1或2所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，在半导体接合焊盘结构的中心部分的外周的四面均布置了凹槽。

6.一种采用了根据权利要求1至5之一所述的半导体接合焊盘结构的集成电路。