CN102683208A - 一种钇铝氧复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法 - Google Patents

一种钇铝氧复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，以金属钇靶(Y)和铝靶(Al)为源材料，采用磁控溅射和快速退火技术来制备YAlO3复合氧化物高K介质作为薄膜晶体管的栅介质层材料，并且以ITO玻璃作为衬底，源、漏电极为Ti/Au双层金属膜电极，制得的薄膜晶体管可采用顶栅结构或者底栅结构；本发明的制备方法简单可控，可实现低温制备，制造成本较低；制得的薄膜晶体管性能优良，具有较小的漏电流和较大的电容，可发展成全透明薄膜晶体管，在显示器件技术领域应用前景十分广阔。

Description

一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管的制备技术领域，尤其涉及一种钇铝氧(YAlO3)复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)一般由衬底、栅介质层、沟道层、栅电极以及源漏电极构成，包括底栅结构的TFT(如图1所示)和顶栅结构的TFT(如图2所示)。TFT的主要作为驱动像素的开关元件应用于液晶显示器(TFT-LCD)等显示器件中。其中栅介质材料禁带宽度的大小决定了TFT漏电流的大小，而它的相对介电常数则决定了器件亚阈值摆幅的大小(Thin Solid Films 517，4115，2009)也即能耗的大小，因此栅介质层对TFT的性能起决定性的作用。目前技术成熟且大规模应用的栅介质都是SiO2，但它有阻碍TFT进一步发展的缺点：禁带宽度小(Eg＝3.9)，相对介电常数小(εr＝1.45)。因此，显示技术的发展客观上要求开发新的宽禁带、大相对介电常数(高K)的介质材料。
目前成为研究热点的新型高K介质材料包括Y2O3(Applied Surface Science，256，2245，2010)，HfO2(Journal of Applied Physics，107，014104，2010)，Al2O3(Electrical andSolid-state Letters，12，H123，2009)，Ta2O5(IEEE Electron Device Letters，31，1245，2010)等。虽然Y2O3和Al2O3作为新型高K介质材料得到了广泛关注，但是他们的合金形式复合氧化物，尤其是不掺杂的、以反应磁控溅射的方法制备的YAlO3复合氧化物用做高K介质的制备技术公开的并不多。目前YAlO3复合氧化物的报道多见于：Er3+:YAlO3用于光催化降解有机物(Water Science & Technology，60，917，2009)，Pr3+:YAlO3用于固态激光系统的微芯片激光器(OPTICAS LETTERS，35，2556，2010)，Er3+:YAlO3光波导材料(公开号CN1454324，公开日2003.11.05)，铈、钆激活的钇铝石榴石荧光粉(公开号CN1730607，公开日2006.02.08)以及超导体的绝缘层(SUPERCONDUCTOR SCIENCEAND TECHNOLOGY，23，045012，2010)。而它们的制备方法也多为溶胶-凝胶法(sol-gel)，粉末高温烧结法等。
YAlO3复合氧化物，Y2O3和Al2O3的合金，被认为是最具应用前景的新型高K氧化物介质之一。兼具Y2O3相对介电常数大和Al2O3禁带宽度大的优点.同时，Y和Al均为3价，可以预料YAlO3复合氧化物介质中会具有较少的缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，采用反应射频磁控溅射和快速退火技术来制备YAlO3复合氧化物高K介质，简化了以YAlO3复合氧化物为介质的薄膜晶体管的制备条件并提高了晶体管的性能。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)选择ITO玻璃作为衬底，并对衬底进行超声清洗，预留边缘一部分作为栅电极；
2)采用磁控溅射镀膜设备及金属钇靶和铝靶，在衬底温度条件下，在衬底上用反应溅射沉积钇铝氧YAlO3复合氧化物薄膜(一般厚度为100nm-300nm)，然后进行退火处理，完成栅介质层的制备；
3)在栅介质层上制备沟道层；
4)在沟道层上制备源电极和漏电极，制得底栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。
或者是，一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)选择ITO玻璃衬底并对衬底进行超声清洗，然后在其上进行沟道层的制备；
2)采用磁控溅射镀膜设备及金属钇靶和铝靶，在衬底温度条件下，在沟道层上用反应溅射沉积钇铝氧YAlO3复合氧化物薄膜(一般厚度为100nm-300nm)，然后进行退火处理，完成栅介质层的制备；
3)制备源电极和漏电极以及栅电极，制得顶栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。
作为改进，所述退火处理采用快速退火处理，工艺条件为：在O2气氛中于200℃至400℃退火1分钟至15分钟。
作为改进，所述衬底温度为室温至300℃。
所述沟道层的材料为In2O3。
作为优选，所述源电极和漏电极为Ti/Au双层金属膜电极。Ti与YAlO3薄膜能形成良好的欧姆接触，而Au具有稳定性且不易被氧化，覆盖在上面与引线形成良好的接触。
最后，所述源电极和漏电极上的Ti/Au双层金属膜采用电子束蒸发设备进行制备。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、薄膜晶体管中介质层的制备在磁控溅射镀膜设备中完成，磁控溅射相对于其他物理镀膜设备来说，具有操作简单、实验过程精确可控、可大面积均匀成膜等优势；相对于化学方法，则有薄膜致密，成膜效率高等优势；
2、采用两个金属靶与氧气共同反应溅射的方法，在室温下制备YAlO3复合氧化物介质薄膜，根据实验结果的需要，可实时调整气压和功率，并且可免去靶材开裂(如陶瓷靶)的危险，降低制备难度；
3、使用金属钇靶(Y)和铝靶(Al)为源材料，源材料无需高温烧结，制备简单，且其价格远低于Y2O3陶瓷靶、Al2O3陶瓷靶及YAlO3复合氧化物陶瓷靶，减少制备成本；
4、选用ITO玻璃作为衬底，同时又是栅电极的一部分，省去了制备栅电极的步骤，简化了工艺；同时沉积薄膜与衬底之间无需外延关系，因而制备的晶体管可以采用顶栅结构和底栅结构，但后者相对于前者来说，其电极的制备工艺更为简单，甚至无需采用光刻技术，降低器件制备难度也节约了成本；本发明是在透明玻璃衬底上制备的薄膜晶体管，拓展了其应用范围；
5、制备的薄膜晶体管具有较小的漏电流和较大的电容，蒸镀上透明电极可发展氧化物基全透明薄膜晶体管，在显示器件领域中应用十分广阔。
附图说明
图1是底栅结构的薄膜晶体管的结构示意图；
图2是顶栅结构的薄膜晶体管的结构示意图；
图3是本发明实施例所制备的底栅结构YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的结构示意图。
图4是本发明实施例所制备的顶栅结构YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1
一种底栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，具体过程为：
步骤1：选择商业购买的ITO玻璃作为衬底，同时在制备时玻璃边缘留出一部分作为栅电极，ITO玻璃的面电阻率小于15Ω/cm2；
步骤2：采用磁控溅射设备与金属钇靶(Y)和铝靶(Al)，在室温条件下与氧气共同反应溅射沉积150nm左右的YAlO3复合氧化物介质薄膜，然后在O2气氛下进行快速退火处理，退火温度为200℃至400℃，升温速度为20℃/min，退火时间为10min；
步骤3：采用磁控溅射的方法，在O2气氛下室温沉积In2O3沟道层；
步骤4：采用电子束蒸发设备和Al掩模版制备Ti/Au源电极和漏电极，源漏之间的沟道长(L)和宽(W)分别为150μm和7500μm，制得YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管(如图3所示)。
实施例2
一种顶栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，具体过程为：
步骤1：选择商业购买的ITO玻璃作为衬底，ITO玻璃的面电阻率小于15Ω/cm2；
步骤2：采用磁控溅射的方法，在O2气氛下室温在ITO玻璃上沉积In2O3沟道层；
步骤3：采用磁控溅射设备与金属钇靶(Y)和铝靶(Al)，在室温条件下在In2O3沟道层上与氧气共同反应溅射沉积150nm左右的YAlO3复合氧化物介质薄膜，然后在O2气氛下进行快速退火处理，退火温度为200℃至400℃，升温速度为20℃/min，退火时间为10min；
步骤4：采用电子束蒸发设备和Al掩模版制备Ti/Au源电极和漏电极以及栅电极，源漏之间的沟道长(L)和宽(W)分别为150μm和7500μm，制得YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管(如图4所示)。
实施例3
一种底栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，具体过程为：
步骤1：选择商业购买的ITO玻璃作为衬底，同时在制备时玻璃边缘留出一部分作为栅电极，ITO玻璃的面电阻率小于15Ω/cm2；并将衬底温度加热到250℃。
步骤2：采用磁控溅射设备与金属钇靶(Y)和铝靶(Al)，在衬底温度条件下与氧气共同反应溅射沉积150nm左右的YAlO3复合氧化物介质薄膜，然后在O2气氛下进行快速退火处理，退火温度为200℃至400℃，升温速度为20℃/min，退火时间为10min；
步骤3：采用磁控溅射的方法，在O2气氛衬底温度下沉积In2O3沟道层；
步骤4：采用电子束蒸发设备和Al掩模版制备Ti/Au源电极和漏电极，源漏之间的沟道长(L)和宽(W)分别为150μm和7500μm，制得YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。
实施例4
一种顶栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，具体过程为：
步骤1：选择商业购买的ITO玻璃作为衬底，ITO玻璃的面电阻率小于15Ω/cm2；并将衬底温度加热到250℃。
步骤2：采用磁控溅射的方法，在O2气氛衬底温度下在ITO玻璃上沉积In2O3沟道层；
步骤3：采用磁控溅射设备与金属钇靶(Y)和铝靶(Al)，在衬底温度下在In2O3沟道层上与氧气共同反应溅射沉积150nm左右的YAlO3复合氧化物介质薄膜，然后在O2气氛下进行快速退火处理，退火温度为200℃至400℃，升温速度为20℃/min，退火时间为10min；
步骤4：采用电子束蒸发设备和Al掩模版制备Ti/Au源电极和漏电极以及栅电极，源漏之间的沟道长(L)和宽(W)分别为150μm和7500μm，制得YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。
实施例5
一种底栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，具体过程为：
步骤1：选择商业购买的ITO玻璃作为衬底，同时在制备时玻璃边缘留出一部分作为栅电极，ITO玻璃的面电阻率小于15Ω/cm2；
步骤2：采用磁控溅射设备与金属钇靶(Y)和铝靶(Al)，在室温、衬底偏压为60w的条件下与氧气共同反应溅射沉积150nm左右的YAlO3复合氧化物介质薄膜，然后在O2气氛下进行快速退火处理，退火温度为200℃至400℃，升温速度为20℃/min，退火时间为10min；
步骤3：采用磁控溅射的方法，在O2气氛室温条件下沉积In2O3沟道层(沉积沟道层是不加衬底偏压)；
步骤4：采用电子束蒸发设备和Al掩模版制备Ti/Au源电极和漏电极，源漏之间的沟道长(L)和宽(W)分别为150μm和7500μm，制得YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。实施例6
一种顶栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，具体过程为：
步骤1：选择商业购买的ITO玻璃作为衬底，ITO玻璃的面电阻率小于15Ω/cm2；
步骤2：采用磁控溅射的方法，在O2气氛下室温在ITO玻璃上沉积In2O3沟道层；
步骤3：采用磁控溅射设备与金属钇靶(Y)和铝靶(Al)，在室温、衬底偏压为60w条件下在In2O3沟道层上与氧气共同反应溅射沉积150nm左右的YAlO3复合氧化物介质薄膜，然后在O2气氛下进行快速退火处理，退火温度为200℃至400℃，升温速度为20℃/min，退火时间为10min；
步骤4：采用电子束蒸发设备和Al掩模版制备Ti/Au源电极和漏电极以及栅电极，源漏之间的沟道长(L)和宽(W)分别为150μm和7500μm，制得YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。
实施例子中没有展开来描写的技术内容请参考薄膜晶体管技术、磁控溅射技术和电子束蒸发技术，为常规技术内容。

Claims (8)

1.一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)选择ITO玻璃作为衬底，并对衬底进行超声清洗，预留边缘一部分作为栅电极；
2)采用磁控溅射镀膜设备及金属钇靶和铝靶，在衬底温度条件下在衬底上用反应溅射沉积钇铝氧YAlO3复合氧化物薄膜，然后进行退火处理，完成栅介质层的制备；
3)在栅介质层上制备沟道层；
4)在沟道层上制备源电极和漏电极，制得底栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。
2.一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)选择ITO玻璃作为衬底，并对衬底进行超声清洗，然后在其上进行沟道层的制备；
2)采用磁控溅射镀膜设备及金属钇靶和铝靶，在衬底温度条件下在沟道层上用反应溅射沉积钇铝氧YAlO3复合氧化物薄膜，然后进行退火处理，完成栅介质层的制备；
3)制备源电极和漏电极以及栅电极，制得顶栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述退火处理采用快速退火处理，工艺条件为：在O2气氛中于200℃至400℃退火1分钟至15分钟。
4.根据权利要1或2所述的制备方法，其特征在于所述衬底温度为室温至300℃。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述沟道层的材料为In2O3。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述源电极和漏电极为Ti/Au双层金属膜电极。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述源电极和漏电极上的Ti/Au双层金属膜采用电子束蒸发设备进行制备。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述YAlO3复合氧化物薄膜厚度为100nm-300nm。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105957812A (zh) * 2016-06-06 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 场效应晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法以及显示面板
CN106324063A (zh) * 2015-07-01 2017-01-11 中国计量学院 柔性有机薄膜湿度传感器及其制备方法
WO2017008293A1 (zh) * 2015-07-16 2017-01-19 中国科学院微电子研究所 应用于iii-v族衬底的复合栅介质层及其制作方法
CN107447254A (zh) * 2016-06-01 2017-12-08 台湾积体电路制造股份有限公司 制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法
CN109585298A (zh) * 2018-10-22 2019-04-05 惠科股份有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板
CN109585297A (zh) * 2018-10-22 2019-04-05 惠科股份有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1560905A (zh) * 2004-02-16 2005-01-05 �Ϻ���ͨ��ѧ 制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法
WO2006019675A1 (en) * 2004-07-20 2006-02-23 Intel Corporation A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode
CN101615582A (zh) * 2009-06-25 2009-12-30 浙江大学 一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1560905A (zh) * 2004-02-16 2005-01-05 �Ϻ���ͨ��ѧ 制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法
WO2006019675A1 (en) * 2004-07-20 2006-02-23 Intel Corporation A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode
CN101615582A (zh) * 2009-06-25 2009-12-30 浙江大学 一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
郭得峰: "Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究", 《物理学报》, vol. 54, no. 12, 29 December 2005 (2005-12-29) *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106324063A (zh) * 2015-07-01 2017-01-11 中国计量学院 柔性有机薄膜湿度传感器及其制备方法
WO2017008293A1 (zh) * 2015-07-16 2017-01-19 中国科学院微电子研究所 应用于iii-v族衬底的复合栅介质层及其制作方法
US10192963B2 (en) 2015-07-16 2019-01-29 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Composite gate dielectric layer applied to group III-V substrate and method for manufacturing the same
CN107447254B (zh) * 2016-06-01 2021-05-25 台湾积体电路制造股份有限公司 制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法及制造晶体管的方法
CN107447254A (zh) * 2016-06-01 2017-12-08 台湾积体电路制造股份有限公司 制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法
US11615955B2 (en) 2016-06-01 2023-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Material having single crystal perovskite, device including the same, and manufacturing method thereof
CN105957812B (zh) * 2016-06-06 2019-02-22 京东方科技集团股份有限公司 场效应晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法以及显示面板
US10312372B2 (en) 2016-06-06 2019-06-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Production method of field-effect transistor, production method of array substrate, field-effect transistor, array substrate, and display panel
CN105957812A (zh) * 2016-06-06 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 场效应晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法以及显示面板
WO2017211176A1 (zh) * 2016-06-06 2017-12-14 京东方科技集团股份有限公司 场效应晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法以及显示面板
CN109585298A (zh) * 2018-10-22 2019-04-05 惠科股份有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板
CN109585297A (zh) * 2018-10-22 2019-04-05 惠科股份有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板
WO2020082460A1 (zh) * 2018-10-22 2020-04-30 惠科股份有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板
US11424348B2 (en) 2018-10-22 2022-08-23 HKC Corporation Limited Display panel preparation method and display panel

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