CN102681076A - 偏光元件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种简便地制造光学特性优异的偏光元件的方法。本发明的偏光元件的制造方法的特征在于，具有以下工序：在玻璃基板上形成金属的被膜的工序；通过部分地除去被膜并且卤化金属，从而在玻璃基板上形成由金属的卤化物构成的岛状膜的工序；通过加热拉伸玻璃基板而使岛状膜伸长，形成金属卤化物的针状粒子的工序；以及通过还原针状粒子的金属卤化物，从而形成由金属构成的针状金属粒子的工序。

Description

偏光元件的制造方法

技术领域

本发明涉及偏光元件的制造方法。 

背景技术

作为偏光元件的一种已知偏光玻璃。由于偏光玻璃能够仅由无机物构成，因此与含有有机物的偏光板相比，对光的劣化明显少。因此，在近年来高亮度化持续发展的液晶投影仪中作为有效的光学器件备受注目。 

作为一般的偏光玻璃公知的有专利文献1中记载的偏光玻璃，其制造方法如下所述。 

(1)由含有选自氯化物、溴化物以及碘化物中的至少一种卤化物以及银的组合物来制作所希望形状的玻璃制品。 

(2)将该玻璃制品经足够使AgCl、AgBr或AgI的结晶在该玻璃制品中生成的时间，加热至高于应变点但不高于玻璃软化点约50℃的温度而制作含有结晶的制品。 

(3)在高于退火点但低于玻璃呈现约108泊的粘度的温度的温度下，将该含有结晶的制品在应力下伸长以使结晶以至少为5∶1的宽长比伸长。 

(4)将该制品经足够使化学还原表面层在该制品上扩展的的时间，暴露于比约250℃高但不高于玻璃的退火点约25℃的温度的还原气氛中。由此伸长卤化银粒子的至少一部分被还原成银元素。 

另一方面，也已知通过离子交换法向玻璃表层中导入银或铜后，使银或铜的卤化物的相析出，将其伸长，从而在玻璃制品的表层形成具有偏光分离功能的层的方法(参照专利文献2)。 

专利文献1：日本特开昭56-169140号公报 

专利文献2：日本专利第4394355号公报 

发明内容

专利文献1记载的制造方法中，玻璃制品中同样有卤化物析出，而另一方面，在还原工序中只能还原玻璃制品表层的卤化物，因此在玻璃制品的厚度方向的中央部分残留卤化物。因此，偏光元件的透过率降低，用于液晶显示装置等中时有可能无法得到足够的亮度。 

另一方面，根据专利文献2记载的方法，则仅在玻璃制品的表层部导入银或铜，所以能够防止因未被还原而残留的卤化物所导致的上述不良情况。但是，由于必须使玻璃制品在高温(350℃～750℃)的熔融盐中浸渍长达8时间左右，因此环境负荷高。即，制造时的消耗能量非常多且生产率低。 

本发明是鉴于上述现有技术问题点完成的，目的之一在于提供一种简便地制造光学特性优异的偏光元件的方法。 

本发明的偏光元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：在玻璃基板上形成金属的被膜的工序；通过部分地除去上述被膜并卤化上述金属，从而在上述玻璃基板上形成由上述金属的卤化物构成的岛状膜的工序；通过加热拉伸上述玻璃基板而使上述岛状膜伸长，形成上述金属卤化物的针状粒子的工序；以及通过还原上述针状粒子的上述金属卤化物而形成由金属构成的针状金属粒子的工序。 

根据该制造方法，在玻璃基板的表面形成金属卤化物的岛状膜，拉伸该岛状膜制成针状粒子后，通过还原处理形成针状金属粒子，所以能够可靠地对金属卤化物进行还原处理。因此，不产生由金属卤化物的残留所导致的光学特性的降低。另外，使用薄膜形成工序在玻璃基板上形成金属卤化物的岛状膜，所以与通过离子交换向玻璃的表层导入金属的现有的工序相比，能以明显简便的工序进行制造。因此，能够使制造时的消耗能量极其变少，而且还能提高生产率。 

也可以是如下的制造方法，即，形成由上述金属卤化物构成的上述岛状膜的工序具有以下工序：通过对上述被膜进行蚀刻处理来形成上述岛状膜的工序；和通过使上述玻璃基板暴露于含有卤素或卤素化合物的 气体中而使上述金属卤化的工序。 

根据该制造方法，则在不同的工序中进行将被膜加工成岛状的蚀刻处理和构成岛状膜的金属的卤化，所以能够使各自的工序最优化。例如，能够容易地控制岛状粒子的配置密度和形状。另外，在卤化处理中，能够以生成的金属卤化物的物理特性和卤化的效率为优先，对工艺气体进行选择。由此，对偏光元件的光学特性的控制性的提高或制造效率的提高变容易。 

还可以是如下的制造方法，即，形成由上述金属卤化物构成的上述岛状膜的工序是通过使上述被膜暴露于含有卤素或卤素化合物的气体的等离子体中，从而一边部分地除去上述被膜一边使上述金属卤化的工序。 

根据该制造方法，可在一个工序中实施被膜的加工和卤化，可在短时间内高效地形成由金属卤化物构成的岛状膜。 

也可以为如下的制造方法，即，上述金属选自Au、Ag、Cu、Cd、Al中的1种或者2种以上。 

根据该制造方法，能够容易地得到适合于偏光元件的针状金属粒子。 

附图说明

图1是表示实施方式的偏光元件的制造方法的图。 

图2是表示岛状膜形成工序后以及拉伸工序后的玻璃基板表面的俯视图。 

图3是实施例1涉及的岛状膜的SEM照片。 

图4是实施例2涉及的岛状膜的SEM照片。 

图5是实施例3涉及的岛状膜的SEM照片。 

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。 

应予说明，本发明的范围不被以下的实施方式所限定，可在本发明的技术思想的范围内任意地变更。另外，为了更容易地理解各构成，在以下的附图中存在实际的构造与各构造的比例尺或数量等不同的情况。 

图1是表示本实施方式的偏光元件的制造方法的图。 

如图1所示，本实施方式的偏光元件的制造方法具有成膜工序S1、岛状膜形成工序S2、拉伸工序S3以及还原工序S4。 

成膜工序S1是在玻璃基板10上形成金属的被膜11的工序。 

作为玻璃基板10，没有特别限定，可以采用公知的任何玻璃基板。这是因为在本实施方式的偏光元件的制造方法中，无需在玻璃基板中使金属卤化物析出或在玻璃基板的表面通过离子交换导入金属离子，只要能形成金属卤化物的被膜11即可。具体而言，根据偏光元件的用途，可以使用石英玻璃、钠钙玻璃、蓝宝石玻璃、硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃等各种玻璃基板。 

作为被膜11的成膜方法，只要是能够形成所希望厚度的金属薄膜的方法，就没有特别限定，可以采用气相法、液相法中的任一种。采用气相法时，可以采用物理蒸镀法、化学蒸镀法中的任一种。考虑成膜源(gaseous species)为金属且成膜厚度为数nm～数十nm左右，所以采用溅射系的物理蒸镀法则简便。作为溅射系的物理蒸镀法，可例示有磁控溅射、离子束溅射、ECR溅射等。 

应予说明，当然也可以代替上述溅射系的物理蒸镀法，采用真空蒸镀法、分子束蒸镀法(MBE)、离子镀法、离子束蒸镀法等蒸发系的物理蒸镀法。 

在成膜工序S1中，例如使用溅射法时，可以使用由选自Au、Ag、Cu、Cd、Al中的1种或者2种以上的金属形成的靶作为金属靶，使用Ar等典型的工艺气体使被膜11成膜。 

接着，在岛状膜形成工序S2中，实施使被膜11暴露于含有卤素或者卤素化合物的气体的等离子体中的处理。由此，对在成膜工序S1中形成的被膜11进行蚀刻处理而形成由多个岛状粒子12a构成的岛状膜12的过程，和使构成被膜11(岛状膜12)的金属卤化的过程同时进行。 通过所述的岛状膜形成工序S2，在玻璃基板10上形成由金属卤化物构成的岛状粒子12a的聚集体，即岛状膜12。 

作为在等离子体处理中使用的工艺气体，可以将卤素气体(F₂、Cl₂、Br₂、I₂)或卤素化合物气体单独使用或者与Ar等非活性气体一同使用。作为卤素化合物，没有特别限定，但可以举出BCl₃、BBr₃、BF₃等硼化合物，CF₄、C₂F₆等氟碳合物，GeCl₄、GeF₄等锗化合物，SiCl₄、SiF₄等硅化合物，SiHCl₃、SiH₂Cl₂等硅烷化合物，NF₃、PF₃、SF₆、SnCl₄、TiCl₄、WF₆等。 

通过上述的等离子体处理，使等离子体中的卤素自由基与构成被膜11的金属反应，使被膜11成为由金属卤化物构成的膜。所形成的金属卤化物例如为AgCl_x、AlF、AgF、AgBr、AgI、AlCl_x等。 

另外，在等离子体处理中，与上述的卤化反应一起产生离子的溅射，因此被膜11渐渐被蚀刻。利用该作用，部分地除去被膜11，由此形成多个岛状粒子12a平面地配置而成的岛状膜12。 

在此，图2(a)是表示岛状膜形成工序S2后的玻璃基板表面的俯视图。如图2(a)所示，通过上述等离子体处理形成俯视图中粒径为2～8nm左右的由金属卤化物(例如AgCl_x、AlF等)构成的岛状粒子12a。在岛状粒子12a之间的区域形成有玻璃基板10的表面露出的区域10a。 

应予说明，在本实施方式的岛状膜形成工序S2中，由于需要边使被膜11卤化边使其残留成岛状，所以不优选生成的金属卤化物被过度地蚀刻。因此，优选通过使基板偏压降低至低于通常的反应性干式蚀刻或不施加基板偏压，从而使入射到玻璃基板10上的离子的加速减缓，并且使垂直地入射于玻璃基板10的离子的比例控制成较低。岛状膜形成工序S2中的蚀刻速率虽然也基于被膜11的膜厚，但优选为5nm/min～100nm/min的范围。 

应予说明，在本实施方式的岛状膜形成工序S2中，虽然同时进行了构成被膜11的金属的卤化和岛状粒子12a的形成，但是也可以在不同的工序中进行这些。即，作为岛状膜形成工序也可以实施具有以下工序的工序：部分地除去被膜11从而形成为岛状的蚀刻工序；以及使构成被膜11的金属卤化的卤化工序。上述蚀刻工序和卤化工序的顺序可 以交换。 

作为上述蚀刻工序，优选使用干式蚀刻处理，使用非活性气体(Ar等)的溅射蚀刻处理较为简便，所以优选。 

另外，根据情况，也可以仅以被膜11的加工作为目的，实施使用反应性气体(Cl₂、BCl₃、HBr、CF₄、SF₆等)的反应性干式蚀刻处理。在这种情况下的反应性干式蚀刻处理中，由于无需使被膜11的金属卤化，因此可以在岛状粒子12a的整体不被卤化的条件下进行加工，或以加工特性为优先来选择反应性气体的种类。 

作为上述卤化工序可以使用如下方法：通过使玻璃基板10暴露于含有卤素或卤素化合物的气体中而使被膜11与该气体接触，从而使金属卤化的方法。例如可以使用如下方法：通过在含有Cl₂气、Br₂气的气氛中加热玻璃基板10，从而从被膜11的表面开始进行卤化的方法。 

应予说明，也可以仅以卤化为目的实施使用含有卤素的工艺气体的等离子体处理。此时，由于无需考虑被膜11的加工性，因此可以优先考虑生成的金属卤化物的物理特性、卤化的效率来选择工艺气体。 

接着，如图1(c)所示，在拉伸工序S3中，使加热软化的玻璃基板10在与设置有岛状粒子12a玻璃基板10的面平行的方向上拉长。作为拉长方法，可以是使玻璃基板10在与面平行的方向上拉伸的拉伸处理，也可以是利用压力变薄薄拉长的轧制处理。拉伸工序S3中的加热温度没有特别限定，只要加热至不使玻璃基板10熔融但能够使其软化的温度即可。 

利用拉伸工序S3，玻璃基板10在拉伸方向被拉长，并且被减薄加工。另外，玻璃基板10上的岛状粒子12a也在拉伸方向被拉长，如图2(b)所示，成为在玻璃基板10上取向于拉伸方向(图示左右方向)的多个针状粒子12b。针状粒子12b是宽长比为5以上的细长形状，例如，宽度为1～3nm、长度为5～20nm左右的大小。 

另外，在多个针状粒子12b之间的区域中，通过使图2(a)所示的区域10a拉长，形成细长的狭缝状的区域10b。该狭缝状区域10b的大小随岛状粒子12a的形成密度而变化，宽度为1～10nm、长度为3～50nm 左右。 

接着，在还原工序S4中，通过将玻璃基板10配置在氢等还原气氛中并加热，从而还原构成针状粒子12b的金属卤化物。由此，在玻璃基板10上形成针状金属粒子12c。例如，针状粒子12b由AgCl_x构成时，形成由Ag构成的针状金属粒子12c。针状粒子12b由AlF构成时，形成由Al构成的针状金属粒子12c。 

通过以上的工序，可以制造出在基板面内的一个方向取向的多个针状金属粒子12c隔着狭缝状的区域10b排列在玻璃基板10上而成的偏光元件100。 

对于利用本实施方式的制造方法制造的偏光元件100而言，通过使比可见光的波长窄的宽度的针状金属粒子12c以窄间距排列，由此可以作为起到使透过光分离成规定的振动方向的直线偏振光的功能的光学元件使用。 

另外，由于在现有的偏光玻璃中，针状的金属粒子的配置密度为每1μm³当中20根以下左右，因此为了得到高偏振光分离特性，必须使针状的金属粒子在玻璃基板的厚度方向上较广地分布。相对于此，在本实施方式的偏光元件中，由于针状金属粒子12c在玻璃基板10的表面以高密度进行配置，因此可以使用任意厚度的玻璃基板10，也容易制成薄型的偏光元件。 

根据以上详细说明的本实施方式的制造方法，因为使用薄膜形成技术在玻璃基板10的表面形成金属卤化物的岛状粒子12a，并对其进行拉伸、还原，所以能够可靠地还原金属卤化物，并能够容易且可靠地得到仅由金属构成的针状金属粒子12c。因此，不像现有的偏光玻璃那样因在玻璃基板内部残留有金属卤化物而使偏光元件的透光率降低。 

另外，由于在岛状粒子12a的形成中使用溅射、等离子体处理等薄膜形成技术，因此不需要像利用离子交换向玻璃基板的表层部导入金属元素的工艺那样在高温的熔融盐中长时间浸渍之类的制造工序。因此，能够使制造时的消耗能量变少，减少环境负荷。另外，本实施方式的制造方法的生产率比现有的制造方法优异。 

另外，在本实施方式的制造方法中，通过在岛状膜形成工序S2中部分地除去被膜11而形成岛状膜12，所以能够极其容易地控制岛状粒子12a的配置密度。即，能够极其容易地控制偏光元件的光学特性。 

另外，在本实施方式的制造方法中，形成金属的被膜11之后，通过将其加工成岛状并且进行卤化，从而形成由金属卤化物构成的岛状粒子12a，所以进行形成的金属卤化物的材质变更极为容易，即使是在现有的偏光玻璃的制造工艺中一直未能使用的材质也可使用。这样，材质的选择范围变广泛，由此偏光元件的光学特性的控制变得容易，也易于提高生产率。 

实施例 

以下，根据实施例进一步详细说明本发明，但本发明的技术范围并不限于下述的实施例。 

实施例1 

在安装有Ag靶(纯度99.99％，厚度5mm，圆盘状)作为金属靶的平行平板型的溅射装置的真空容器内配置了玻璃基板(基板-靶间距离110mm)。接着，在将Ar气(纯度99.999％，流量100sccm)以压力成为0.4Pa的方式导入真空容器内的状态下，对Ag靶输入100W的交流电力(振荡频率13.56MHz)，进行1分钟的成膜。由此，使所溅射的Ag粒子在玻璃基板上堆积，从而形成厚度10nm的Ag膜。 

接着，在ICP干式蚀刻装置的真空容器内配置形成有上述Ag膜的玻璃基板。接着，在使Cl₂气(流量50sccm)以压力成为5.0Pa的方式导入真空容器内的状态下，对ICP天线接入500W的交流电力(振荡频率13.56MHz)形成Cl₂等离子体，在基板偏压0W的条件下对Ag膜进行等离子体处理。 

通过上述的等离子体处理，在玻璃基板上形成了岛状膜。图3表示岛状膜的SEM(扫描式电子显微镜)照片。图3所示的岛状膜是平面配置有由AgCl_x构成的粒径约50～200nm的岛状粒子且在岛状粒子间具有基板面露出的区域的膜。 

接着，通过拉伸玻璃基板，使由AgCl_x构成的岛状膜与玻璃基板一 同被拉长，得到了如图2(b)所示的形状的由AgCl_x构成的针状粒子12b。进而，通过还原构成针状粒子12b的金属卤化物，形成了由Ag构成的针状金属粒子12c。 

实施例2 

在与上述实施例1相同的条件下，在玻璃基板上形成厚度10nm的Ag膜。 

接着，在ICP干式蚀刻装置的真空容器内配置形成有上述Ag膜的玻璃基板。接着，使CF₄气体(流量20sccm)和C₂F₆气体(流量30sccm)以压力成为5.0Pa的方式导入真空容器内的状态下，对ICP天线接入500W的交流电力(振荡频率13.56MHz)形成氟化碳的等离子体，在基板偏压0W的条件下对Ag膜进行等离子体处理。 

通过上述的等离子体处理，在玻璃基板上形成了岛状膜。图4表示岛状膜的SEM照片。图4所示的岛状膜是平面配置有由AgF构成的粒径约50nm的岛状粒子且在岛状粒子间具有基板面露出的区域的膜。 

接着，通过拉伸玻璃基板，使由AgF构成的岛状膜与玻璃基板一同被拉长，得到了如图2(b)所示的形状的由AgF构成的针状粒子12b。进而，通过还原构成针状粒子12b的金属卤化物，形成了由Ag构成的针状金属粒子12c。 

实施例3 

在安装有Al靶(纯度99.99％，厚度5mm，圆盘状)作为金属靶的平行平板型的溅射装置的真空容器内配置了玻璃基板(基板-靶间距离110mm)。接着，在使Ar气(纯度99.999％，流量100sccm)以压力成为0.4Pa的方式导入真空容器内的状态下，对Al靶输入100W的交流电力(振荡频率13.56MHz)，进行1分钟的成膜。由此，通过使所溅射的Al粒子在玻璃基板上堆积，从而形成厚度10nm的Al膜。 

接着，与实施例2同样地，使用ICP干式蚀刻装置对Al膜进行等离子体处理。通过该等离子体处理，在玻璃基板上形成了岛状膜。图5表示岛状膜的SEM照片。图5所示的岛状膜是平面配置有由AlF构成的粒径约10～50nm的岛状粒子且在岛状粒子间具有基板面露出的区域 的膜。 

接着，通过拉伸玻璃基板，使由AlF构成的岛状膜与玻璃基板一同被拉长，得到了如图2(b)所示的形状的由AlF构成的针状粒子12b。进而，通过还原构成针状粒子12b的金属卤化物，从而形成由Al构成的针状金属粒子12c。 

实施例4 

在上述的实施例1～实施例3中，同时进行构成被膜11的金属的卤化和岛状粒子12a的形成，但在实施例4中，在不同的工序中进行了这些。具体而言，将部分地除去被膜而形成岛状膜的岛状膜形成工序，和使形成的岛状膜卤化的卤化工序，按该顺序实施。 

作为岛状膜形成工序，优选使用干式蚀刻处理，使用非活性气体(Ar等)的溅射蚀刻处理简便，所以优选。由于在本实施例的岛状膜形成工序中无需对被膜的金属进行卤化，因此，能够在岛状粒子的整体不被卤化的条件下进行加工，或者优先考虑加工特性来选择反应性气体的种类。 

具体而言，在ICP干式蚀刻装置的真空容器内配置形成有上述Ag膜的玻璃基板。接着，在使Ar气(流量50sccm)以压力成为5.0Pa的方式导入真空容器内的状态下，对ICP天线接入300W的交流电力(振荡频率13.56MHz)形成Ar等离子体，在基板偏压60W的条件下对Ag膜进行等离子体处理。通过上述的等离子体处理，在玻璃基板上形成了岛状膜(岛状Ag膜)。该岛状膜是平面配置有由Ag构成的粒径约50～200nm的岛状粒子且在岛状粒子间具有基板面露出的区域的膜。 

接着，由于不必在卤化工序中考虑被膜的加工性，因此能够优先考虑所生成的金属卤化物的物理特性、卤化的效率来选择工艺气体。 

具体而言，在ICP干式蚀刻装置的真空容器内配置形成有岛状Ag膜的玻璃基板。接着，在将Cl₂气(流量20sccm)和BCl₃气体(流量40sccm)的混合气体以压力成为0.70Pa的方式导入真空容器内的状态下，对ICP天线接入300W的交流电力(振荡频率13.56MHz)形成Cl₂等离子体，在基板偏压0W的条件下对Ag膜进行等离子体处理。通 过上述的等离子体处理，在玻璃基板上形成了经卤化的岛状AgCl_x膜。该岛状膜是平面配置有由AgCl_x构成的粒径约30～150nm的岛状粒子且在岛状粒子间具有基板面露出的区域的膜。 

接着，通过拉伸玻璃基板，使由AgCl_x构成的岛状膜与玻璃基板一同被拉长，得到了如图2(b)所示的形状的由AgCl_x构成的针状粒子12b。进而，通过还原构成针状粒子12b的金属卤化物，从而能形成由Ag构成的针状金属粒子12c。 

在实施例1～实施例4中，玻璃基板上形成由金属的卤化物形成的单层岛状膜，对该玻璃基板进行拉伸。但是，如果仅形成单层的由金属的卤化物形成的岛状膜，则作为偏光元件的性能不充分，那么可以在玻璃基板上层叠多层由金属的卤化物形成的岛状膜之后，对玻璃基板进行拉伸。 

这时，在第1层的由金属的卤化物构成的岛状膜上形成透明的绝缘膜，在该绝缘膜上形成第2层的由金属的卤化物构成的岛状膜。通过在第1层的由金属的卤化物构成的岛状膜和第2层的由金属的卤化物构成的岛状膜之间设置绝缘膜，防止相互层叠的二层岛状膜彼此融合。如果需要第3层的由金属的卤化物构成的岛状膜，则在第2层的由金属的卤化物构成的岛状膜上进一步形成透明的绝缘膜，隔着该绝缘膜形成第3层的由金属的卤化物构成的岛状膜即可。作为绝缘膜的材料，可以使用硅氧化物，硅氮化物，钛氧化物和锆氧化物等透明材料。作为绝缘膜的厚度没有特别限定，例如可以为100nm。 

如此地层叠多层由金属的卤化物构成的岛状膜之后，通过拉伸玻璃基板，使多层由金属的卤化物构成的岛状膜与玻璃基板一同被拉长，可得到俯视图为如图2(b)所示的形状的由金属的卤化物构成的针状粒子12b。进而，通过还原构成针状粒子12b的金属卤化物，从而能形成针状金属粒子12c。 

如上所说明，可确认能够使用多种材质形成与图2(a)所示的岛状膜12相同形状的岛状膜。这些岛状膜是由AgCl_x、AgF或AlF构成的岛状粒子的聚集体，所以通过对玻璃基板进行拉伸处理，使其与玻璃基板一同被拉长，能够得到图2(b)所示的形状的针状粒子12b。如此地， 根据本发明，相比于以往能够以极小的环境负荷简便地制造出光学特性优异的偏光元件。 

符号说明 

10...玻璃基板，11...被膜，12...岛状膜，12b...针状粒子，12c...针状金属粒子，100...偏光元件。 

Claims (4)

1.一种偏光元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在玻璃基板上形成金属的被膜的工序；

通过部分地除去所述被膜并且卤化所述金属，从而在所述玻璃基板上形成由所述金属卤化物构成的岛状膜的工序；

通过加热拉伸所述玻璃基板而使所述岛状膜伸长，形成所述金属卤化物的针状粒子的工序；和

通过还原所述针状粒子的所述金属卤化物，从而形成由金属构成的针状金属粒子的工序。

2.根据权利要求1所述的偏光元件的制造方法，其特征在于，形成由所述金属卤化物构成的所述岛状膜的工序，具有以下工序：

通过对所述被膜进行蚀刻处理来形成所述岛状膜的工序；和

通过使所述玻璃基板暴露于含有卤素或卤素化合物的气体中而卤化所述金属的工序。

3.根据权利要求1所述的偏光元件的制造方法，其特征在于，形成由所述金属卤化物构成的所述岛状膜的工序，是通过使所述被膜暴露于含有卤素或卤素化合物的气体的等离子体中，从而一边部分地除去所述被膜，一边卤化所述金属的工序。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的偏光元件的制造方法，其特征在于，所述金属为选自Au、Ag、Cu、Cd、Al中的1种或者2种以上。

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