JPH0358028A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH0358028A JPH0358028A JP19496489A JP19496489A JPH0358028A JP H0358028 A JPH0358028 A JP H0358028A JP 19496489 A JP19496489 A JP 19496489A JP 19496489 A JP19496489 A JP 19496489A JP H0358028 A JPH0358028 A JP H0358028A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶ディスプレイなどに使われる透明導電膜に
間する。
間する。
近年、液晶テレビやＯＡ用の液晶ディスプレイなどの液
晶表示素子の発展に伴って透明導電膜の果たす役割は大
きなものになってきている．現在透明電極として最も多
く利用されているのはＩＴＯ（インジウム酸化スズ）や
Ｓｎ０２である。可視光域での透過率はおよそ８０から
９０％にでき、シート抵抗も数十から数百のものが比較
的容易に形成できるので広く使われている。なお、これ
らスズの酸化物系の透明導電膜は主にスバッタ法で形成
されている。
晶表示素子の発展に伴って透明導電膜の果たす役割は大
きなものになってきている．現在透明電極として最も多
く利用されているのはＩＴＯ（インジウム酸化スズ）や
Ｓｎ０２である。可視光域での透過率はおよそ８０から
９０％にでき、シート抵抗も数十から数百のものが比較
的容易に形成できるので広く使われている。なお、これ
らスズの酸化物系の透明導電膜は主にスバッタ法で形成
されている。
一方、特殊な透明導電膜として非品質シリコン光センサ
上のクロムシリサイドを使ったものがある（Ｔｓｕｋａ
ｄａ ｅｔ． ａｌ． ’Ｓｅｍｉｔｒａｎｓｐａｒｅ
ｎｔ ＳｉｌｉｃｉｄｅＥｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｆｏｒｍ
ｅｄ ｏｎ Ｔｈｅ Ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ ａ−Ｓｉ
：ｔ｛），第３図にその概要を示す。図に於て３０１は
クロムからなる電極、３０２，３０３，３０４はそれぞ
れｎ型、ｉ型、ｐ型の非品質シリコン層で、これらでｐ
ｉｎダイオードが形威されている。
上のクロムシリサイドを使ったものがある（Ｔｓｕｋａ
ｄａ ｅｔ． ａｌ． ’Ｓｅｍｉｔｒａｎｓｐａｒｅ
ｎｔ ＳｉｌｉｃｉｄｅＥｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｆｏｒｍ
ｅｄ ｏｎ Ｔｈｅ Ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ ａ−Ｓｉ
：ｔ｛），第３図にその概要を示す。図に於て３０１は
クロムからなる電極、３０２，３０３，３０４はそれぞ
れｎ型、ｉ型、ｐ型の非品質シリコン層で、これらでｐ
ｉｎダイオードが形威されている。
３０５は層間絶縁にもちいられている窒化シリコン膜、
３０６はクロム膜、３０７はクロムシリサイド膜である
。この図は透明導電膜の形戒方法を示している。第３図
（ａ）に示すように３０１のクロム電極上に非晶質シリ
コンからなるｐｉｎダイオードを形或し、この上に眉間
絶縁膜の窒化シリコン膜３０５を形戊して透明電極用の
窓を明け、さらにこの上からクロムを蒸着やスパッタ等
の方法で形成する．次に、これを２ｏ○℃以上の温度で
アニールすると第３図（ｂ）に示すように３０５のクロ
ムと３０４のｐ型の非晶質シリコンの間にクロムシリサ
イド３０７が形威される。最後に第３図（ｃ）に示すよ
うにクロム３０６の不要な部分をエッチングで除去する
。このときクロムシリサイドはクロムのエッチング液で
は除去されない．また、クロムシリサイドは膜厚が数十
オングストロームと非常に薄いため可視光の透過率が大
きく、透明導電膜として用いることができる。
３０６はクロム膜、３０７はクロムシリサイド膜である
。この図は透明導電膜の形戒方法を示している。第３図
（ａ）に示すように３０１のクロム電極上に非晶質シリ
コンからなるｐｉｎダイオードを形或し、この上に眉間
絶縁膜の窒化シリコン膜３０５を形戊して透明電極用の
窓を明け、さらにこの上からクロムを蒸着やスパッタ等
の方法で形成する．次に、これを２ｏ○℃以上の温度で
アニールすると第３図（ｂ）に示すように３０５のクロ
ムと３０４のｐ型の非晶質シリコンの間にクロムシリサ
イド３０７が形威される。最後に第３図（ｃ）に示すよ
うにクロム３０６の不要な部分をエッチングで除去する
。このときクロムシリサイドはクロムのエッチング液で
は除去されない．また、クロムシリサイドは膜厚が数十
オングストロームと非常に薄いため可視光の透過率が大
きく、透明導電膜として用いることができる。
最初にスズの酸化物系のものについて説明する。近年開
発が盛んになっている液晶テレビやＯＡ用のディスプレ
イはますます高解像度化が進んでおり、透明導電膜はミ
クロンからサブミクロンのオーダーでパターンニングさ
れることが要求されている。しかしながら、現状ではこ
れらの膜のエッチングはウエット系で行なわれており、
最高でも数ミクロンのギャップや線幅までしか実現され
ていない。これは、ドライエッチングが困難であるため
である。また、別の問題点としてプラズマダメージを受
け易いことがあげられる。最近のディスプレイにはアモ
ルファスシリコンやポリシキコンの薄膜トランジスタを
スイッチング素子としたいわゆるアクティブマトリクス
型のデバイスが多いが、これらのデバイスにおいてはプ
ラズマＣＶＤ法による或膜や水素プラズマによるポリシ
リコン特性の改善など、プラズマプロセスがよく使われ
ている。プロセスの組み方によっては透明導電膜がプラ
ズマにさらされることがあり、そのプラズマダメージに
よる特性の劣化が問題となっている。
発が盛んになっている液晶テレビやＯＡ用のディスプレ
イはますます高解像度化が進んでおり、透明導電膜はミ
クロンからサブミクロンのオーダーでパターンニングさ
れることが要求されている。しかしながら、現状ではこ
れらの膜のエッチングはウエット系で行なわれており、
最高でも数ミクロンのギャップや線幅までしか実現され
ていない。これは、ドライエッチングが困難であるため
である。また、別の問題点としてプラズマダメージを受
け易いことがあげられる。最近のディスプレイにはアモ
ルファスシリコンやポリシキコンの薄膜トランジスタを
スイッチング素子としたいわゆるアクティブマトリクス
型のデバイスが多いが、これらのデバイスにおいてはプ
ラズマＣＶＤ法による或膜や水素プラズマによるポリシ
リコン特性の改善など、プラズマプロセスがよく使われ
ている。プロセスの組み方によっては透明導電膜がプラ
ズマにさらされることがあり、そのプラズマダメージに
よる特性の劣化が問題となっている。
一方、クロムシリサイドの透明導電膜の場合は上記のよ
うな欠点はないが、応用が光センサに対応する場合でも
光の入射が膜の上面から限定されてしまうという問題も
ある． 本発明の目的はこのような従来の透明導ｔ膜の欠点を除
去せしめ、高精細なエッチングが可能で、プラズマダメ
ージや膜の劣化がなく、しかも応用を限定しない透明導
電膜を与えることにある。
うな欠点はないが、応用が光センサに対応する場合でも
光の入射が膜の上面から限定されてしまうという問題も
ある． 本発明の目的はこのような従来の透明導ｔ膜の欠点を除
去せしめ、高精細なエッチングが可能で、プラズマダメ
ージや膜の劣化がなく、しかも応用を限定しない透明導
電膜を与えることにある。
本発明によれば１０００オングストローム以下のシリコ
ン薄膜と、この上に設けた数十オングストロームの金属
シリサイドとからなる透明電極が得られる。
ン薄膜と、この上に設けた数十オングストロームの金属
シリサイドとからなる透明電極が得られる。
実施例の一例を第１図に示す．図において１０１はガラ
ス基板、１０２はシリコン薄膜で、膜厚２００オングス
ト口ームの多結晶シリコン基板を用いている．１０３は
金属シリサイドで、膜厚４０オングストローム程度のク
ロムシリサイドである．この例ではシート抵抗４ｋΩ／
口、可視光域での透過率７０から９０％を得た． 別の例として、シリコン薄ＷＡ１０２に膜厚５０オング
ストロームの水素化非晶質シリコン膜、金属シリサイド
１０３に膜厚４０オングストロームのニッケルシリサイ
ドを用いたものではシート抵抗７ｋΩ／口、可視光域で
の透過率６０から８０％を得た． 単結晶シリコンをシリコン薄膜１０２に使った例では、
ガラス基板１０１の替りにサファイアを用い、この上の
１０００オングストロームの単結晶シリコン膜の上に膜
厚４０オングストロームのクロムシリサイド１０３を設
けシート抵抗４ｋΩ／口、可視光域の透過率７０から９
０％をえた。
ス基板、１０２はシリコン薄膜で、膜厚２００オングス
ト口ームの多結晶シリコン基板を用いている．１０３は
金属シリサイドで、膜厚４０オングストローム程度のク
ロムシリサイドである．この例ではシート抵抗４ｋΩ／
口、可視光域での透過率７０から９０％を得た． 別の例として、シリコン薄ＷＡ１０２に膜厚５０オング
ストロームの水素化非晶質シリコン膜、金属シリサイド
１０３に膜厚４０オングストロームのニッケルシリサイ
ドを用いたものではシート抵抗７ｋΩ／口、可視光域で
の透過率６０から８０％を得た． 単結晶シリコンをシリコン薄膜１０２に使った例では、
ガラス基板１０１の替りにサファイアを用い、この上の
１０００オングストロームの単結晶シリコン膜の上に膜
厚４０オングストロームのクロムシリサイド１０３を設
けシート抵抗４ｋΩ／口、可視光域の透過率７０から９
０％をえた。
第２図に形或法の一例を示す。最初にガラス基板上に減
圧ＣＶＤ法で膜厚２００オングストロームの多結晶シリ
コン２０１を形戒し、ついで同じく減圧ＣＶＤ法で二酸
化シリコン２０２を形或し図のように透明電極を形戒す
る部分に穴をあけ（第２図（ａ））、この上からクロム
２０３を蒸着あるいはスパッタで形威し（第２図（ｂ）
）、２００から３００℃で熱処理を行なってクロムシリ
サイド膜２０４を形戒し（第２図（Ｃ））．最後に透明
電極部のクロムを取り去って透明電極が完戒する（第２
図（ｄ））。シリコン薄膜が水素化非晶質シリコン膜の
場合は膜形成にプラズマＣＶＤ、単結晶シリコンの場合
には高温のエビタキシャル技術を使う点が異なるだけで
、金属シリサイドの形戒方法はほぼ同様である． 〔発明の効果〕 １．加工性について 本発明の透明電極はその大部分がシリコンでできており
、加工には現在集積回路の形戒し一般的に使われている
ドライエッチング技術が使える。現在のドライエッチン
グ技術の能力を考えれば１ミクロン以下のエッチングも
容易に可能である．従って、本発明の透明電極はサブミ
クロン以下のエッチングも容易に可能である。
圧ＣＶＤ法で膜厚２００オングストロームの多結晶シリ
コン２０１を形戒し、ついで同じく減圧ＣＶＤ法で二酸
化シリコン２０２を形或し図のように透明電極を形戒す
る部分に穴をあけ（第２図（ａ））、この上からクロム
２０３を蒸着あるいはスパッタで形威し（第２図（ｂ）
）、２００から３００℃で熱処理を行なってクロムシリ
サイド膜２０４を形戒し（第２図（Ｃ））．最後に透明
電極部のクロムを取り去って透明電極が完戒する（第２
図（ｄ））。シリコン薄膜が水素化非晶質シリコン膜の
場合は膜形成にプラズマＣＶＤ、単結晶シリコンの場合
には高温のエビタキシャル技術を使う点が異なるだけで
、金属シリサイドの形戒方法はほぼ同様である． 〔発明の効果〕 １．加工性について 本発明の透明電極はその大部分がシリコンでできており
、加工には現在集積回路の形戒し一般的に使われている
ドライエッチング技術が使える。現在のドライエッチン
グ技術の能力を考えれば１ミクロン以下のエッチングも
容易に可能である．従って、本発明の透明電極はサブミ
クロン以下のエッチングも容易に可能である。
従って、本発明の透明電極はサブミクロンの精度で加工
することができる． ２，プラズマダメージについて プラズマにもいろいろあるので一概には言えないが、例
えば多結晶シリコンを使ったプロセスでよく行なわれる
水素プラズマによる結晶粒界の不活性化などでは、水素
によってＩＴＯが還元され膜特性が大きく劣化した例が
ある．本発明の透明電極は基本的に酸化物ではないので
水素による還元は起こらず、水素プラズマに対し安定で
あった。
することができる． ２，プラズマダメージについて プラズマにもいろいろあるので一概には言えないが、例
えば多結晶シリコンを使ったプロセスでよく行なわれる
水素プラズマによる結晶粒界の不活性化などでは、水素
によってＩＴＯが還元され膜特性が大きく劣化した例が
ある．本発明の透明電極は基本的に酸化物ではないので
水素による還元は起こらず、水素プラズマに対し安定で
あった。
３．応用について
実施例で示したようにシリコン薄膜はシリコンの種類に
よって光の吸収係数に差があるため率は異なるものの可
視光の範囲で光をよく透過させる。従って、本発明の透
明導電膜はデバイスの上面でも下面でも、言い替えれば
透明基板の上側からでも下側からでも光を入射させて使
うことができる。
よって光の吸収係数に差があるため率は異なるものの可
視光の範囲で光をよく透過させる。従って、本発明の透
明導電膜はデバイスの上面でも下面でも、言い替えれば
透明基板の上側からでも下側からでも光を入射させて使
うことができる。
以上示したように、本発明によれば従来数ミクロンのオ
ーダーがせいぜいであった加工精度がサブミクロンのオ
ーダーになり、プラズマダメージに強く、応用を選ばな
い透明導電膜が得られ、工業的に非常に有益である．
ーダーがせいぜいであった加工精度がサブミクロンのオ
ーダーになり、プラズマダメージに強く、応用を選ばな
い透明導電膜が得られ、工業的に非常に有益である．
第１図は本発明の透明導電膜を示す図、第２図は本発明
の透明導電膜の形戒方法の一例を示す図、第３図は光セ
ンサに応用された金属シリサイドの透明膜の例を示す図
である． 図に於て１０１はガラス基板、１０２はシリコン薄膜、
１０３は金属シリサイド、２０１は多結晶シリコン膜、
２０２は二酸化シリコン膜、２０３はクロム膜、２０４
はクロムシリサイド膜である。
の透明導電膜の形戒方法の一例を示す図、第３図は光セ
ンサに応用された金属シリサイドの透明膜の例を示す図
である． 図に於て１０１はガラス基板、１０２はシリコン薄膜、
１０３は金属シリサイド、２０１は多結晶シリコン膜、
２０２は二酸化シリコン膜、２０３はクロム膜、２０４
はクロムシリサイド膜である。
Claims (1)
- １０００オングストローム以下のシリコン薄膜と、この
上に設けた数十オングストロームの金属シリサイドとか
らなる透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496489A JPH0833547B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496489A JPH0833547B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358028A true JPH0358028A (ja) | 1991-03-13 |
| JPH0833547B2 JPH0833547B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16333263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19496489A Expired - Fee Related JPH0833547B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833547B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200093947A (ko) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | 투명전극, 투명전극의 제조방법 및 이의 용도 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19496489A patent/JPH0833547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200093947A (ko) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | 투명전극, 투명전극의 제조방법 및 이의 용도 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0833547B2 (ja) | 1996-03-29 |
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