KR20200093947A - 투명전극, 투명전극의 제조방법 및 이의 용도 - Google Patents

투명전극, 투명전극의 제조방법 및 이의 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계; 및 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하여 금속 층을 형성하고 575~650℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 금속 층 계면에 금속실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법 등을 제공한다. 본 발명에 따른 투명전극의 제조방법을 이용하면 투명전극 재료로 ITO(Indium Tin Oxide) 대신 금속을 사용하고도 약 80% 정도의 높은 광 투과도 및 약 103 Ω/㎠ 이하의 전기저항을 가진 투명전극의 제조가 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 투명전극의 제조방법을 이용하면 에칭 조건에 따라 투명전극의 광 투과도를 조절할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 투명전극의 제조방법을 이용하면 투명전극을 유연 기판에 원활하게 전사할 수 있다.

Description

투명전극, 투명전극의 제조방법 및 이의 용도{Transparent electrode, manufacturing method of the same and use of the same}
본 발명은 투명전극 및 이의 제조방법 등에 관한 것으로서, 더 상세하게는 높은 광 투과도 및 낮은 전기저항값을 가지는 투명전극 및 이를 경제적으로 제조하는 방법 등에 관한 것이다.
투명전극은 광 투과성과 전도성이 있는 전극으로서, 평판디스플레이, 태양전지 등에 사용되고 있다. 상업적인 제품에 적용되기 위해서 투명전극은 가시광 영역(400㎚ ~ 700㎚)에서 약 80% 정도의 높은 광 투과도를 가져야 하며 약 103 Ω/㎠ 이하의 전기저항과 같이 높은 전기전도도를 가져야 한다.
현재 투명전극으로 유리 기판에 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 피복한 것이 주로 사용되고 있다. 하지만, ITO는 희토류 원소인 인듐을 함유하고 있어서 가격 불안 요소를 내재하고 있고, 취성이 강하여 대면적이나 플렉시블 소자의 적용이 제한된다. 또한, ITO는 고온에서의 불안정성과 산소(Oxygen)의 확산에 의한 유기 EL물질의 특성변화 등과 같은 문제점을 가지고 있다.
이러한 ITO 투명전극의 문제점을 극복하기 위하여 투명전극 재료를 ITO(Indium Tin Oxide) 이외의 다른 재료로 대체하는 연구가 계속되어 왔다. 예를 들어, 대한민국 공개특허공보 제10-2019-0002195호에는 전기방사법을 이용하여 기판 상에 고분자 물질을 방사하여, 상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계; 상기 고분자 파이버를 전처리하는 단계; 상기 전처리된 고분자 파이버 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 파이버를 제거하여 나노 파이버를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 대면적 투명 전극의 제조방법이 개시되어 있다. 또한, 대한민국 등록특허공보 제10-0311926호에는 40Å 이하의 비정질 실리콘계 박막에 3Å 이하의 금속을 증착하여 실리사이드를 형성하는 공정을 구비하는 실리사이드 투명전극 제조 방법이 개시되어 있다. 그러나 ITO 대체 재료를 이용하여 투명전극을 제조하는 종래의 기술은 ITO 투명전극과 비교할 때 공정이 복잡하거나 전기저항이 상대적으로 높다는 단점이 있다.
본 발명은 종래의 기술적 배경하에서 도출된 것으로서 본 발명의 목적은 제조공정이 간단하면서 동시에 높은 광 투과도와 낮은 전기저항을 가진 투명전극을 경제적으로 제조하는 방법을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 광 투과도와 낮은 전기저항을 가지면서도 경제성이 우수한 투명전극을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명은 목적은 플렉서블 디바이스에 적용될 수 있는 유연 투명전극 기판의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 예는 (a) 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계; 및 (b) 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하여 금속 층을 형성하고 575~650℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 금속 층 계면에 금속실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법은 바람직하게는 (a) 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계; (b) 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하여 금속 층을 형성하고 575~650℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 금속 층 계면에 금속실리사이드를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 2차 열처리 후 금속 층의 금속실리사이드를 포함하지 않는 상부 금속 영역을 에칭 처리하여 제거하는 단계를 포함한다. 이하, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법을 각 단계 별로 나누어 설명한다.
(a) 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계
본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 기판은 실리콘(Silicon) 박막을 증착할 수 있고 후술하는 열처리 온도에 견딜 수 있는 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 예를 들어 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 기판은 그 위에 형성된 투명전극을 바로 이용할 수 있는 관점에서 투명 기판인 것이 바람직하고, 석영 또는 유리에서 선택되는 것이 더 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 실리콘 박막은 바람직하게는 기판 표면에 공지의 폴리실리콘 성장 기법(polysilicon growth technique)을 이용하여 증착한 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막이다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 1차 열처리 온도는 실리콘 박막의 표면 개질 수준을 고려할 때 800~1050℃인 것이 바람직하고, 850~1000℃인 것이 더 바람직하고 900~950℃인 것이 가장 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 1차 열처리 온도는 실리콘 박막의 표면 개질 수준을 고려할 때 1~30분인 것이 바람직하고, 2~20분인 것이 더 바람직하다.
상기 (a) 단계에서 실리콘 박막의 표면은 산화 반응을 통해 개질된다. 또한, 상기 실리콘 박막의 개질된 표면은 후술하는 금속 층의 코팅 및 2차 열처리시 금속실리사이드의 형성을 용이하게 한다. 또한, 상기 (a) 단계에서 기판 표면에 형성된 실리콘 박막에 의해 투명전극을 유연 기판 표면으로 원활하게 전사시킬 수 있다.
(b) 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하여 금속 층을 형성하고 575~650℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 금속 층 계면에 금속실리사 이드를 형성하는 단계
본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 금속 층을 형성하는 금속은 실리콘 박막과의 접촉면에서 금속실리사이드를 형성할 수 있는 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 예를 들어 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 코발트(Co) 또는 팔라듐(Pd)에서 선택되는 1종 이상으로 구성될 수 있고, 투명전극의 경제성, 금속실리사이드의 광 투과도 및 전기저항을 고려할 때 니켈(Ni), 크롬(Cr) 또는 철(Fe)에서 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하기 위해 공지된 다양한 금속 코팅 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들어 플라즈마 코팅 방법 등이 이용될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 2차 열처리 온도는 금속실리사이드의 원활한 형성, 투명전극의 광 투과도 및 전기저항 등을 고려할 때 585~630℃인 것이 바람직하고, 590~620℃인 것이 더 바람직하고, 595~610℃인 것이 가장 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 2차 열처리 온도는 금속실리사이드의 원활한 형성을 고려할 때 1~10분인 것이 바람직하고, 2~8분인 것이 더 바람직하다.
또한, 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 상기 2차 열처리는 불활성 가스 분위기 또는 진공 조건에서 수행되는 것이 바람직하다.
(c) 2차 열처리 후 금속 층의 금속실리사이드를 포함하지 않는 상부 금속 영역을 에칭 처리하여 제거하는 단계
본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 금속 층의 두께에 따라 2차 열처리 후 금속 층 전체가 금속실리사이드로 전환될 수도 있고, 실리콘 박막과 금속 층 계면에만 금속실리사이드가 형성되고 금속 층 상부는 금속으로 존재할 수도 있다. 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법에서 2차 열처리 후 금속 층 상부가 금속으로 존재하는 경우 투명전극의 전기전도도는 우수하나 광 투과도는 현저하게 저하된다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극의 제조방법은 바람직하게는 2차 열처리 후 금속실리사이드 영역 위의 금속 영역을 에칭 공정을 통해 제거하는 단계를 더 포함한다. 본 발명에서 상기 에칭 방법은 공지의 다양한 습식 에칭 방법 또는 건식 에칭 방법 등에서 선택될 수 있으며 투명전극의 품질 신뢰성 및 에칭 정밀성 등을 고려할 때 건식 에칭 방법인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 예에 따른 방법으로 제조된 투명전극은 가시광 투과도가 75% 이상(구체적으로 75~90%)이고, 바람직하게는 75~85%이다. 또한, 본 발명의 일 예에 따른 방법으로 제조된 투명전극은 면 저항이 100 Ω/㎠ 이하(구체적으로 50~100 Ω/㎠)이고, 바람직하게는 55~95 Ω/㎠ 이다.
상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 예는 산소 분위기의 열처리에 의해 표면 개질된 실리콘 박막; 및 상기 개질된 실리콘 박막의 표면에 형성된 금속실리사이드 층을 포함하고, 가시광 투과도가 75% 이상이며, 면 저항이 100 Ω/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 투명전극을 제공한다. 본 발명의 일 예에 따른 투명전극에서 상기 열처리는 투명전극의 제조방법에서 전술한 1차 열처리에 해당한다.
본 발명의 일 예에 따른 투명전극에서 상기 실리콘 박막은 바람직하게는 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막이다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 투명전극에서 상기 금속실리사이드는 니켈실리사이드(NiSi), 크롬실리사이드(CrSi2), 철실리사이드(FeSi2), 마그네슘실리사이드(Mg2Si), 하프늄실리사이드(HfSi2), 몰리브덴실리사이드(MoSi2), 티타늄실리사이드(TiSi2), 코발트실리사이드(CoSi2) 또는 팔라듐실리사이드(Pd2Si)에서 선택되는 1종 이상으로 구성될 수 있고, 바람직하게는 니켈실리사이드(NiSi), 크롬실리사이드(CrSi2) 또는 철실리사이드(FeSi2)에서 선택되는 1종 이상으로 구성된다.
본 발명의 일 예에 따른 투명전극은 기술적 특징과 관련하여 투명전극의 제조방법에서 전술한 내용을 모두 참조한다.
상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 예는 (a) 베이스 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계; (b) 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하여 금속 층을 형성하고 575~650℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 금속 층 계면에 금속실리사이드를 형성하는 단계; (c) 상기 2차 열처리 후 금속 층의 금속실리사이드를 포함하지 않는 상부 금속 영역을 에칭 처리하여 제거한 후 베이스 기판 표면에 투명전극을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 투명전극 표면에 유연 기판을 접합한 후 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 기판의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명의 다른 예는 베이스 기판 표면 및 상기 베이스 기판 표면에 형성된 투명전극으로 구성된 베이스 투명전극 기판을 준비하는 단계; 및 상기 투명전극 표면에 유연 기판을 접합한 후 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 방법으로서, 상기 투명전극은 산소 분위기의 열처리에 의해 표면 개질된 실리콘 박막; 및 상기 개질된 실리콘 박막의 표면에 형성된 금속실리사이드 층을 포함하고, 가시광 투과도가 75% 이상이며, 면 저항이 100 Ω/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 유연 투명전극 기판의 제조방법에서 상기 베이스 기판은 실리콘(Silicon) 박막을 증착할 수 있고 열처리 온도에 견딜 수 있는 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 예를 들어 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유연 투명전극 기판의 제조방법에서 상기 유연 기판은 플렉서블 소자에서 사용하는 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS),실리콘수지, 불소수지 또는 변성에폭시수지에서 선택되는 1종 이상의 폴리머로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 유연 투명전극 기판의 제조방법은 기술적 특징과 관련하여 투명전극 및 이의 제조방법에서 전술한 내용을 모두 참조한다.
본 발명에 따른 투명전극의 제조방법을 이용하면 투명전극 재료로 ITO(Indium Tin Oxide) 대신 금속을 사용하고도 약 80% 정도의 높은 광 투과도 및 약 103 Ω/㎠ 이하의 전기저항을 가진 투명전극의 제조가 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 투명전극의 제조방법을 이용하면 에칭 조건에 따라 투명전극의 광 투과도를 조절할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 투명전극의 제조방법을 이용하면 투명전극을 유연 기판에 원활하게 전사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 방법으로 제조된 투명전극은 평판디스플레이, 태양전지, LED, 각종 센서 등에서 투명 소재로 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에서 제조한 투명전극 기판의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에서 2차 열처리 후 제조된 투명전극 기판의 가시광 투과도 측정값을 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에서 2차 열처리 및 에칭 처리 후 제조된 투명전극 기판의 2차 열처리 온도에 따른 광 투과도 측정값을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 구체적으로 설명한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 기술적 특징을 명확하게 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 보호범위를 한정하는 것은 아니다.
실시예 1 : 투명전극 기판의 제조
유리 기판 표면에 폴리실리콘 성장 기법(polysilicon growth technique)을 이용하여 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막을 증착하고 산소 분위기 및 920℃에서 약 10분 동안 1차 열처리하여 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막의 표면을 개질하였다. 이후, 개질된 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막의 표면에 니켈(Ni)을 코팅하여 니켈층을 형성하고 진공 분위기 및 다양한 온도 조건(550℃, 600℃, 700℃, 800℃)에서 약 2분 동안 2차 열처리하여 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막과 니켈층의 계면에 니켈실리사이드(NiSi)의 형성을 유도하였다. 도 1은 본 발명의 실시예 1에서 제조한 투명전극 기판의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 것이다. 도 1에서 'SUB'는 유리 기판을 나타내고, 'PSG'는 폴리실리콘 성장 박막을 나타내고, 'Ni'는 니켈층을 나타낸다. 2차 열처리 후 제조된 투명전극 기판의 가시광 투과도 및 면 전기저항을 측정하였다. 도 2는 본 발명의 실시예 1에서 2차 열처리 후 제조된 투명전극 기판의 가시광 투과도 측정값을 나타낸 그래프이다. 도 2에서 'No Anneal'은 2차 열처리를 하지 않은 투명전극 기판을 나타내고, '550'은 550℃에서 2차 열처리한 투명전극 기판을 나타내고, '600'은 600℃에서 2차 열처리한 투명전극 기판을 나타내고, '700'은 700℃에서 2차 열처리한 투명전극 기판을 나타내고, '800'은 800℃에서 2차 열처리한 투명전극 기판을 나타낸다. 또한, 하기 표 1에 2차 열처리한 투명전극 기판의 면 전기저항 측정값을 나타내었다.
구분 2차 열처리 후 투명전극 기판의 2차 열처리 온도에 따른 전기저항 특성
2차 열처리 온도(℃) 550 600 700 800
면 전기저항값(Ω/㎠) 97.7 70.5 56.1 51.9
도 2 및 표 1에서 보이는 바와 같이 2차 열처리 후 제조된 투명전극 기판은 모두 면 전기저항값이 103 Ω/㎠ 이하로 만족할 만한 수준을 나타내었지만 가시광 투과도가 20% 이하로 매우 낮은 값을 나타내었다.
실시예 2 : 에칭 처리에 의한 투명전극 기판의 광 투과도 향상
상기 실시예 1에서 제조한 투명전극 기판의 광 투과도를 향상시키기 위해 에칭 공정을 이용하여 니켈층 중 니켈실리사이드(NiSi) 영역 위에 존재하는 니켈 금속 영역을 제거하였다. 도 3은 본 발명의 실시예 2에서 2차 열처리 및 에칭 처리 후 제조된 투명전극 기판의 2차 열처리 온도에 따른 광 투과도 측정값을 나타낸 그래프이다. 도 3에서 '550'은 550℃에서 2차 열처리하고 에칭 처리한 투명전극 기판을 나타내고, '600'은 600℃에서 2차 열처리하고 에칭 처리한 투명전극 기판을 나타내고, '700'은 700℃에서 2차 열처리하고 에칭 처리한 투명전극 기판을 나타내고, '800'은 800℃에서 2차 열처리하고 에칭 처리한 투명전극 기판을 나타낸다. 또한, 하기 표 2에 2차 열처리하고 에칭 처리한 투명전극 기판의 면 전기저항 측정값을 나타내었다.
구분 2차 열처리 및 에칭 처리후 투명전극 기판의 2차 열처리 온도에 따른 전기저항 특성
2차 열처리 온도(℃) 550 600 700 800
면 전기저항값(Ω/㎠) 589 84.3 57.8 55.3
도 3에서 보이는 바와 같이 약 600℃ 전후에서 2차 열처리하고 에칭 처리하여 제조한 투명전극 기판만이 극적으로 향상된 가시광 투과도를 나타내었다. 또한, 상기 표 2에서 보이는 바와 같이 550℃에서 2차 열처리하고 에칭 처리하여 제조한 투명전극 기판은 에칭 처리 전에 비해 전기저항값이 현저하게 증가하였다. 도 3 및 표 2에서 보이는 바와 같이 약 600℃ 전후에서 2차 열처리하고 에칭 처리하여 제조한 투명전극 기판만이 상업적인 수준에서 요구하는 가시광 투과도 및 전기전도도 특성을 만족하였다.
이상에서와 같이 본 발명을 상기의 실시예를 통해 설명하였지만 본 발명의 보호범위가 반드시 여기에만 한정되는 것은 아니며 본 발명의 범주와 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형실시가 가능함은 물론이다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 최상의 양식으로서 개시된 특정 실시 형태로 국한되는 것이 아니며, 본 발명에 첨부된 특허청구의 범위에 속하는 모든 실시 형태를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (18)

  1. (a) 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계; 및
    (b) 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하여 금속 층을 형성하고 575~650℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 금속 층 계면에 금속실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, (c) 상기 2차 열처리 후 금속 층의 금속실리사이드를 포함하지 않는 상부 금속 영역을 에칭 처리하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실리콘 박막은 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서 상기 1차 열처리 온도는 800~1050℃인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 열처리 시간은 1~30분인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 층을 형성하는 금속은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 코발트(Co) 또는 팔라듐(Pd)에서 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 열처리 온도는 585~630℃인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 열처리 시간은 1~10분인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 가시광 투과도가 75% 이상인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 면 저항이 100 Ω/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  12. 산소 분위기의 열처리에 의해 표면 개질된 실리콘 박막; 및
    상기 개질된 실리콘 박막의 표면에 형성된 금속실리사이드 층을 포함하고,
    가시광 투과도가 75% 이상이며, 면 저항이 100 Ω/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 투명전극.
  13. 제13항에 있어서, 상기 실리콘 박막은 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막인 것을 특징으로 하는 투명전극.
  14. 제13항에 있어서, 상기 금속실리사이드는 니켈실리사이드(NiSi), 크롬실리사이드(CrSi2), 철실리사이드(FeSi2), 마그네슘실리사이드(Mg2Si), 하프늄실리사이드(HfSi2), 몰리브덴실리사이드(MoSi2), 티타늄실리사이드(TiSi2), 코발트실리사이드(CoSi2) 또는 팔라듐실리사이드(Pd2Si)에서 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투명전극.
  15. (a) 베이스 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계;
    (b) 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 금속을 코팅하여 금속 층을 형성하고 575~650℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 금속 층 계면에 금속실리사이드를 형성하는 단계;
    (c) 상기 2차 열처리 후 금속 층의 금속실리사이드를 포함하지 않는 상부 금속 영역을 에칭 처리하여 제거한 후 베이스 기판 표면에 투명전극을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 투명전극 표면에 유연 기판을 접합한 후 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 기판의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS),실리콘수지, 불소수지 또는 변성에폭시수지에서 선택되는 1종 이상의 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 기판의 제조방법.
  17. 베이스 기판 표면 및 상기 베이스 기판 표면에 형성된 투명전극으로 구성된 베이스 투명전극 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 투명전극 표면에 유연 기판을 접합한 후 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 방법으로서,
    상기 투명전극은 산소 분위기의 열처리에 의해 표면 개질된 실리콘 박막; 및 상기 개질된 실리콘 박막의 표면에 형성된 금속실리사이드 층을 포함하고, 가시광 투과도가 75% 이상이며, 면 저항이 100 Ω/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 기판의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS),실리콘수지, 불소수지 또는 변성에폭시수지에서 선택되는 1종 이상의 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 기판의 제조방법.
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