CN102651644B

CN102651644B - 控制电路、晶体管的控制系统和方法以及器件

Info

Publication number: CN102651644B
Application number: CN201110460463.2A
Authority: CN
Inventors: 竹前义博
Original assignee: Chuangshifang Electronic Japan Co Ltd
Current assignee: Chuangshifang Electronic Japan Co., Ltd.
Priority date: 2011-02-25
Filing date: 2011-12-29
Publication date: 2015-12-16
Anticipated expiration: 2031-12-29
Also published as: US20120218009A1; JP2012178651A; JP5606960B2; US8431965B2; CN102651644A

Abstract

一种控制电路、晶体管的控制系统和方法以及器件，其中控制电路用于控制包括栅极和场板的晶体管，该控制电路包括：检测电路，用于检测用来驱动所述晶体管的驱动时序；时序控制电路，用于响应于所述驱动时序控制用来驱动所述栅极的第一驱动时序以及控制用来驱动所述场板的第二驱动时序；以及驱动电路，用于响应于所述第一驱动时序来驱动所述栅极，并响应于所述第二驱动时序来驱动所述场板。采用本发明提供的控制电路及方法，可以减小晶体管的功耗，加速晶体管的开关。

Description

控制电路、晶体管的控制系统和方法以及器件

技术领域

本文讨论的实施例涉及一种晶体管的控制电路、晶体管的控制系统以及用于控制晶体管的方法。

背景技术

具有高电击穿场强的GaN和高迁移率HEMT的GaN-HEMT(高电子迁移率晶体管)有希望作为高功率开关元件。然而，为了通过IC(集成电路)产生的大约10V的驱动电压而被驱动，GaN-HEMT的栅极与沟道之间的绝缘层配置为较薄。因此，GaN-HEMT的栅极没有被充分绝缘。而且，因为大的栅极电容使得IC难以驱动GaN-HEMT，所以GaN-HEMT的沟道长度存在上限。结果是，GaN-HEMT的源极与漏极之间的击穿电压不超过大约100V。

因此，提出了设置有场板(以下称为“FP”)的GaN-HEMT以便增强击穿电压(这种GaN-HEMT以下称为“GaN-FP-HEMT”)。(例如，参考“高压GaN-HEMTs中电流崩塌现象的场板结构依赖性(Field-PlateStructureDependenceofCurrentCollapsePhenomenainHigh-VoltageGaN-HEMTs)”，WataruSaito，IEEE电子器件，V0l.31，No.7，pp.659-661，2010年7月。)

发明内容

针对现有技术存在的问题，根据实施例的第一方案，提供了一种控制电路，用于控制包括栅极和场板的晶体管，该控制电路包括：检测电路，用于检测用来驱动所述晶体管的驱动时序；时序控制电路，用于响应于所述驱动时序控制用来驱动所述栅极的第一驱动时序以及控制用来驱动所述场板的第二驱动时序；以及驱动电路，用于响应于所述第一驱动时序来驱动所述栅极，并响应于所述第二驱动时序来驱动所述场板。

根据实施例的第二方案，提供了一种用于控制晶体管的方法，该晶体管包括场板和栅极，该方法包括：在不同的时序驱动所述场板和所述栅极。

根据实施例的另一方案，提供了一种晶体管的控制系统，包括：晶体管，包括栅极和场板；检测电路，用于检测用来驱动所述晶体管的驱动时序；时序控制电路，用于响应于所述驱动时序控制用来驱动所述栅极的第一驱动时序以及控制用来驱动所述场板的第二驱动时序；以及驱动电路，用于响应于所述第一驱动时序驱动所述栅极，并响应于所述第二驱动时序驱动所述场板。

根据实施例的又一方案，提供了一种器件，包括：基于复合半导体的晶体管；第一端子，耦合至所述基于复合半导体的晶体管的栅极；以及第二端子，耦合至所述基于复合半导体的晶体管的场板，其中所述第一端子和所述第二端子能够被从外部独立地驱动。

采用本发明提供的控制电路及方法，可以减小晶体管的功耗，加速晶体管的开关。

附图说明

图1为根据第1实施例的控制装置的结构图；

图2为根据第1实施例的晶体管的截面图；

图3为示出控制电路的运行示例的时间图；

图4为用于示出根据第1实施例的晶体管的运行示例的图；

图5示出了晶体管的等效电路，其中FP连接至GaN-HEMT的源极；

图6示出了晶体管的等效电路，其中FP连接至栅极；

图7示出了检测电路的结构图的示例；

图8示出了时序控制电路的结构图的示例；

图9为示出图8的时序控制电路的运行的时间图；

图10为时序控制电路的其它示例的结构图；

图11为示出图10的时序控制电路的运行的时间图；

图12为驱动电路的结构图的示例；

图13为根据第2实施例的具有控制系统的PFC电路的结构图；

图14为根据第3实施例的控制系统的晶体管的截面图；以及

图15示出了根据第3实施例的晶体管的等效电路。

具体实施方式

作为GaN-FP-HEMT，提出了包括连接至源极的FP的HEMT和包括连接至栅极的FP的HEMT。如果FP连接至源极，则源极电位施加给了FP，导通电阻趋于较高。结果是，包括连接至源极的FP的GaN-HEMT的功耗趋于较大。

另一方面，如果FP连接至栅极，则要一起驱动栅极电容和FP电容，包括连接至栅极的FP的GaN-HEMT的开关速度趋于较慢。

因此，实施例的一个方案的目的是加速包括栅极和场板的晶体管的开关。

(第1实施例)

(1)结构

图1为根据本实施例的控制装置(电路)2的结构图。在图1中，与控制装置2一起示出了控制装置2所控制的晶体管4以及晶体管4的负载电感器6。负载电感器6例如是电源系统中包括的元件。图2为晶体管4的截面图。

如图2所示，晶体管4是在Si衬底8上形成的GaN-HEMT。该GaN-HEMT包括AlGaN/GaN异质结构12、源电极(以下称为源极)14、漏电极(以下称为漏极)16、栅极18以及FP20。

AlGaN/GaN异质结构12包括未掺杂GaN层22和AlGaN阻挡层24。由于AlGaN阻挡层24与GaN层22之间出现的晶格畸变，因而发生了压电极化。由于该压电极化以及本征极化，因而在AlGaN阻挡层24与GaN层22之间的界面处产生二维电子气体。从而，在不向AlGaN阻挡层24掺杂n型杂质的情况下，在AlGaN/GaN异质结构12中产生二维电子气体。

在AlGaN/GaN异质结构12的表面上形成诸如SiN等的第一绝缘膜26。在第一绝缘膜26上形成栅极18。另外，在第一绝缘膜26上形成诸如SiO₂膜等的第二绝缘膜28。在第二绝缘膜28上形成FP20。形成源极14和漏极16，使得栅极18和FP20放置在源极14和漏极16之间。

从而，栅极18和异质结构12(包括绝缘膜26、28)作为HEMT晶体管运行。而且，FP20和异质结构12(包括绝缘膜26、28)从而作为HEMT晶体管运行。因此，如图1所示，晶体管4的等效电路是对应于栅极18的晶体管30(以下称为“GaN-HEMT”)以及对应于FP20的晶体管32(以下称为“FP晶体管”)的串联电路。

此处，GaN-HEMT30的阈值例如是大约1V至3V。另一方面，FP晶体管32的阈值例如是大约-40V。即，如图2所示，根据本实施例的晶体管4包括具有正的阈值电压的第一晶体管区域34以及串联连接至第一晶体管区域34且具有负的阈值电压的第二晶体管区域36。

GaN-HEMT30的源极与漏极之间的击穿电压(以下称为击穿电压)例如是大约100V，FP晶体管32的击穿电压充分高于恒压电源V_DD的电压(例如，380V)。GaN-HEMT30与FP晶体管32的特性(阈值和击穿电压)的不同是由栅极18下方的绝缘膜26的厚度与FP20下方的绝缘膜26、28的厚度的不同引起的。

如图1所示，晶体管4的源极14接地。另一方面，晶体管4的漏极连接至负载电感器6的一端。负载电感器6的另一端例如连接至恒压电源V_DD。控制电路2的输出提供至GaN-HEMT30和FP晶体管32。另外，上述负载电感器6的一端例如连接至电源系统中包括的二极管。

如图1所示，控制装置2包括检测电路38、时序(timing)控制电路40以及驱动电路42。检测电路38测量电源系统(未示出)产生的电源电压，并检测用来驱动晶体管4的时序。基于该结果，产生PWM信号，控制晶体管4的开启/关断，并且获得目标电压。

响应于用来驱动晶体管4的时序，时序控制电路40控制用来驱动栅极18的第一驱动时序以及控制用来驱动FP20的第二驱动时序。第二驱动时序是在不同于第一驱动时序的时刻出现的时序。

驱动电路42响应于第一驱动时序驱动栅极18并响应于第二驱动时序驱动FP20。

另外，检测电路38产生用来终止驱动晶体管4的终止时序。响应于用来终止驱动晶体管4的时序，时序控制电路40控制用来终止驱动栅极18的第一终止时序并控制用来终止驱动FP20的第二终止时序。第二终止时序是在不同于第一终止时序的时刻出现的时序。

驱动电路42响应于该第一终止时序终止驱动栅极18，并响应于第二终止时序终止驱动FP20。

(2)运行

图3为示出控制电路2的运行示例的时间图。水平轴表示时间。垂直轴表示电压。检测电路38监控外部信号并检测用于驱动晶体管4的时序。检测电路38响应于所检测的时序产生时序生成脉冲。例如，检测电路38检测外部信号的电压变得低于参考电压时的时序，并且响应于所检测的时序生成PWM(脉冲宽度调制)脉冲。

如图3所示，时序控制电路40响应于PWM脉冲的上升时序T0生成FP控制脉冲FC和栅极控制脉冲GC。此处，脉冲的上升时序是处于脉冲的上升沿内的时刻(例如，当脉冲上升到高达峰值的90％时的时刻)。

驱动电路42响应于栅极控制脉冲GC的上升时序T1生成栅极驱动脉冲G2。栅极18由该栅极驱动脉冲G2来驱动。而且，驱动电路42响应于FP控制脉冲FC的上升时序T2生成FP驱动脉冲G1。FP20由该FP驱动脉冲G1来驱动。通过这一系列的操作，使晶体管4导电。

而且，时序控制电路40响应于PWM脉冲的下降时序T3终止栅极控制脉冲GC和FP控制脉冲FC。驱动电路42响应于FP控制脉冲FC的下降时序T4终止FP驱动脉冲G1。而且，驱动电路42响应于栅极控制脉冲GC的下降时序T5终止栅极驱动脉冲G2。通过这一系列的操作，使晶体管4不导通。此处，脉冲的下降时序是处于脉冲的下降沿内的时刻(例如，脉冲下降为低至峰值的10％时的时刻)。

从时序序列的角度来说明控制装置2的这种操作。检测电路38例如检测外部信号的电压变得等于或小于参考电压时的时序。检测电路38响应于所检测的时序生成PWM脉冲的上升时序T0。

时序控制电路40响应于上升时序T0生成栅极控制脉冲GC的上升时序T1(第一驱动时序)和FP控制脉冲FC的上升时序T2(第二驱动时序)。

驱动电路42响应于栅极控制脉冲GC的上升时序T1生成栅极驱动脉冲G2并驱动栅极18。而且，驱动电路42响应于FP控制脉冲FC的上升时序T2生成FP驱动脉冲G1并驱动FP20。从而，使晶体管4导通。此处，FP控制脉冲FC的上升时序T2是迟于栅极控制脉冲GC的上升时序T1出现的时序。

如上所述，通过从检测电路38所检测的时序开始的时序序列来驱动晶体管4。因此，检测电路38所检测的时序是用于驱动晶体管的时序。而且，检测电路38所检测的时序是用于使晶体管导通的时序。

而且，检测电路40例如根据外部信号的电压与参考电压之间的不同来调节PWM脉冲的宽度。即，检测电路40生成PWM脉冲的下降时序T3。

时序控制电路40响应于下降时序T3生成FP控制脉冲FC的下降时序T4(第二终止时序)和栅极控制脉冲GC的下降时序T5(第一终止时序)。

驱动电路42响应于FP控制脉冲FC的下降时序T4终止FP驱动脉冲G1。即，驱动电路42终止驱动FP20。而且，驱动电路42响应于栅极控制脉冲GC的下降时序T5终止栅极驱动脉冲G2。即，驱动电路42终止驱动栅极18。从而，使晶体管4不导通。此处，栅极控制脉冲GC的下降时序T5是迟于FP控制脉冲FC的下降时序T4出现的时序。

如上所述，通过从PWM脉冲的下降时序T3开始的时序序列来终止驱动晶体管4。因此，PWM脉冲的下降时序T3是用于终止驱动晶体管4的时序。而且，PWM脉冲的下降时序T3是用于使晶体管4不导通的时序。

图4为用于示出晶体管4的运行示例的图。水平轴表示时间。垂直轴表示电压。图4示出了晶体管4的漏极电位随时间的变化Vd以及节点N1处电位随时间的变化Vn1。如图1所示，节点N1是GaN-HEMT30与FP晶体管32之间的节点。而且，图4还示出了提供至FP20的FP驱动脉冲G1和提供至栅极18的栅极驱动脉冲G2。在图4所示的示例中，提供至负载电感器6的电压V_DD是380V。

从四个时间段来说明晶体管4的运行。第一时间段46是栅极驱动脉冲G2和FP驱动脉冲G1被提供之前的时间段。第一时间段46的栅极电位和FP的电位(以下称为“FP电位”)例如是0V(源极14的电位)。由于栅极电位等于或小于阈值(1-3V)，因而GaN-HEMT30不导通。从而，节点N1的电位上升到稍微高于FP晶体管32的阈值的绝对值的电压，使得FP晶体管32不导通。

例如，如果FP晶体管32的阈值是-40V，则由Vn1表示的节点N1的电位变得稍微高于40V，使得FP晶体管32不导通。就这点而论，由于节点N1的电位变得低于输入电源的电压(例如，380V)，GaN-HEMT30不发生介电击穿。

第二时间段48是开始提供栅极驱动脉冲G2的时间段。在第二时间段48中，栅极电位例如从0V上升到10V。另一方面，FP电位例如保持在大约0V。响应于栅极电位的上升，首先使得GaN-HEMT30导通。从而，节点N1的电位Vn1下降到几乎为0V，FP20的电压相对于节点N1例如从-40V上升到0V。结果是，使得FP晶体管32也导通，并且漏极电位Vd下降。然而，由于FP晶体管32的导通电阻没有充分下降，漏极电位Vd不会下降到几乎为0V。

第三时间段50是向FP20提供FP驱动脉冲G1的时间段。FP电位例如从0V上升到50V。另一方面，贯穿第三时间段50，栅极电位保持在例如10V。就这点而论，在时间段50中，通过高于栅极18的驱动电压的电压来驱动FP20。因此，FP晶体管32的导通电阻变得充分低于第二时间段48中的所述导通电阻。结果是，漏极电位Vd变为几乎是0V，减小了晶体管4的功耗。

第四时间段52是先于栅极驱动脉冲G2而终止提供FP驱动脉冲G1的时间段。第四时间段52中的栅极电位例如是10V。FP电位例如从50V下降到0V(源极14的电位)。响应于FP电位的下降，FP晶体管32的导通电阻增大。然而，由于栅极电位维持等于或大于GaN-HEMT的阈值，因而GaN-HEMT30和FP晶体管32导通。

第五时间段54是终止提供栅极驱动脉冲G2的时间段。第五时间段54中的栅极电位例如从10V下降到0V。FP电位保持在例如0V(源极14的电位)。响应于栅极电位的下降，首先使GaN-HEMT30不导通。从而，节点N1的电位Vn1上升，FP20的电压相对于节点N1变得等于或小于FP20的阈值。结果是，使FP晶体管32不导通。

如图4所示，在本实施例中，在不同的时序驱动FP20和栅极18。因此，减小了驱动电路42上的负载。从而，加速了晶体管4的开关。顺便说一句，FP20的电容值例如高达数百pF。

而且，在本实施例中，在开始驱动栅极18之后驱动FP20。从而，当GaN-HEMT30从不导通状态转变为导通状态(第二时间段48)时，FP驱动脉冲G1没有拉高节点N1的电位Vn1，这样，节点N1的电位Vn1未上升。因此，节点电位Vn1未过度加速二维电子，这样，二维电子未注入AlGaN阻挡层24或绝缘膜26中。从而，AlGaN阻挡层24或绝缘膜26未捕获二维电子，因此，GaN-HEMT30的阈值未发生改变。

当GaN-HEMT30从导通状态转变为不导通状态(第五时间段54的开始)时，节点N1的电位Vn1加速经过GaN-HEMT30的二维电子。在本实施例中，在终止驱动FP20之后终止驱动栅极18。因此，当GaN-HEMT30从导通状态转变为不导通状态时，FP20电位没有拉动节点N1的电位Vn1，因此，节点N1的电位Vn1未过度上升。因此，同样在这种情况下，AlGaN阻挡层24或绝缘膜26未捕获二维电子，因此，GaN-HEMT30的阈值未发生改变。

另外，贯穿第三时间段50，电流流过GaN-HEMT30。然而，由于节点N1的电位Vn1低至几伏，因此GaN阻挡层24或绝缘膜26未捕获二维电子。

图5示出了晶体管的等效电路，其中FP20连接至GaN-HEMT30的源极。在该晶体管中，即使使GaN-HEMT30导通，FP20的电位仍保持在0V(源极14的电位)。因此，FP晶体管32的导通电阻没有下降到充分低，晶体管的功耗趋于增大。另一方面，在本实施例中，由于FP晶体管32的导通电阻降低，因而没有出现此类问题。

图6示出了晶体管的等效电路，其中FP20连接至栅极18。在该晶体管中，同时驱动栅极18和FP20。因此，驱动电路42上的负载较大，这样，难以加速晶体管的开关。而且，由于FP20提供有与栅极18相同的驱动电压，因此当使GaN-HEMT30导通时，使得GaN-HEMT30的漏极电位(节点N1的电位)由于被FP电位(栅极电位)拉动而上升。从而，紧临栅极下方的绝缘膜等捕获了过度加速的二维电子，因此GaN-HEMT30的阈值发生改变。另一方面，在本实施例中，由于在开始驱动栅极18之后驱动FP20，因而没有出现此类问题。

而且，当使GaN-HEMT30不导通时，紧临栅极下方的绝缘膜等捕获了二维电子，这样GaN-HEMT30的阈值发生改变。另一方面，在本实施例中，由于在终止驱动FP20之后终止驱动栅极，因而没有出现此类问题。

-检测电路-

图7为检测电路38的结构图的示例。如图7所示，检测电路38包括模拟数字转换器54和逻辑电路56。逻辑电路56例如包括FPGA(现场可编程门阵列)。在逻辑电路56的位置可以设置CPU(中央处理单元)和存储器，其中该存储器存储用于使CPU(中央处理单元)执行逻辑电路56的功能的程序。该存储器用于由CPU执行的计算处理。

模拟数字转换器54对提供至外部端子55的外部信号执行模拟数字转换，然后获得外部信号上的数据且将其提供至逻辑电路56。逻辑电路56基于获得的外部信号上的数据(例如，外部信号的电压)产生时序生成脉冲(例如，PWM脉冲)。经由输出端子57将时序生成脉冲提供至时序控制电路40。

-时序控制电路-

图8为时序控制电路40的结构图的示例。图9为示出图8的时序控制电路的运行的时间图。如图8所示，该时序控制电路例如包括延迟电路58、与门60以及或门62。

如图9所示，当将时序生成脉冲(图9中的PWM脉冲)提供至输入端子64时，或门62响应于时序生成脉冲的上升时序T0生成栅极控制脉冲GC。在下一个阶段(stage)经由第二输出端子65b将生成的栅极控制脉冲GC提供至驱动电路42。

延迟电路58响应于时序生成脉冲的上升时序T0生成延迟脉冲D1。延迟时间例如是大约100ns。响应于延迟脉冲D1的上升时序T10，与门60生成FP控制脉冲FC。在下一个阶段经由第一输出端子65a将生成的FP控制脉冲FC提供至驱动电路42。

之后，时序生成脉冲下降。响应于其下降时序T3，与门60终止FP控制脉冲FC。延迟电路58响应于时序生成脉冲的下降时序T3终止延迟脉冲D1。响应于延迟脉冲D1的下降时序T12，或门62终止栅极控制脉冲GC。

图10为用于示出时序控制电路40的其它示例的结构图。图11为示出图10的时序控制电路的运行的时间图。如图10所示，该时序控制电路例如包括第一延迟电路58a、第二延迟电路58b、与门60以及或门62。此处，将栅极驱动脉冲G2提供至第一延迟电路58a的输入端子66a。另一方面，将FP驱动脉冲G1提供至第二延迟电路58b的输入端子66b。

如图11所示，当将时序生成脉冲(图11中的PWM脉冲)提供至输入端子64时，或门62响应于时序生成脉冲的上升时序T0生成栅极控制脉冲GC。在下一个阶段经由第二输出端子65b将生成的栅极控制脉冲GC提供至驱动电路42。

响应于该栅极控制脉冲GC的上升时序，驱动电路42在下一个阶段生成栅极驱动脉冲G2。响应于栅极驱动脉冲G2的上升时序T20，第一延迟电路58a生成第一延迟脉冲D1。响应于第一延迟脉冲D1的上升时序T22，与门60生成FP控制脉冲FC。在下一个阶段经由第一输出端子65a将生成的FP控制脉冲FC提供至驱动电路42。

响应于该FP控制脉冲FC的上升时序，驱动电路42在下一个阶段生成FP驱动脉冲G1。第二延迟电路58b响应于FP驱动脉冲G1的上升时序T24生成第二延迟脉冲D2。

之后，时序生成脉冲(PWM脉冲)下降。响应于其下降时序T3，与门60终止FP控制脉冲FC。响应于该FP控制脉冲FC的下降时序T4，驱动电路42在下一个阶段终止FP驱动脉冲G1。

响应于该FP驱动脉冲G1的终止时序T26，第二延迟电路58b终止第二延迟脉冲D2。响应于该第二延迟脉冲D2的终止时序T28，或门62终止栅极驱动脉冲GC。响应于该栅极驱动脉冲GC的终止时序T30，驱动电路42在下一个阶段终止栅极驱动脉冲G2。

-驱动电路-

图12为驱动电路42的结构图的示例。如图12所示，该驱动电路包括第一电平转换和驱动电路(第一电平转换&驱动电路)68a、FP电源70a、第二电平转换和驱动电路(第二电平转换&驱动电路)68b以及栅极电源70b。

将FP控制脉冲FC提供给连接至第一“电平转换和驱动电路”68a的第一输入端子72a。当提供了FP控制脉冲FC时，第一“电平转换和驱动电路”68a将FP控制脉冲FC转换为FP驱动脉冲G1。FP驱动脉冲G1的峰值是FP电源70a供应给第一“电平转换和驱动电路”68a的电压V_FP(例如，50V)。经由第一输出端子73a将FP驱动脉冲G1提供至晶体管4的FP20。

将栅极控制脉冲GC提供给连接至第二“电平转换和驱动电路”68b的第二输入端子72b。当提供了栅极控制脉冲GC时，第二“电平转换和驱动电路”68b将栅极控制脉冲GC转换为栅极驱动脉冲G2。栅极驱动脉冲G2的峰值是栅极电源70b供应给第二“电平转换和驱动电路”68b的电压VG(例如，10V)。经由第二输出端子73b将栅极驱动脉冲G2提供至晶体管4的栅极18。

(第2实施例)

图13为本实施例的包括控制系统74的PFC(功率因数控制)电路76的结构图。如图13所示，本实施例的PFC电路76包括控制系统74、激励电路78以及反馈电路80。

控制系统74包括控制电路2和晶体管4。在上述第1实施例中说明了控制电路2和晶体管4。激励电路78包括电感器82、二极管84以及电容器86。反馈电路80包括第一电阻器R1和第二电阻器R2。

输入电源连接至激励电路78的输入端子Vin。可以提供恒压电源、交流电源、产生整流电压的整流电源等作为输入电源。例如，输入电源的电压是100V。激励电路78为电容器86充电。PFC电路76将被充电的电容器86两端之间产生的电压(以下称为输出电压)输出。

反馈电路80将该输出电压分压(divide)，并将其反馈到控制装置2的检测电路38。检测电路38将反馈电压与对应于目标电压(例如，380V)的电压(例如，380V×R2/(R1+R2))进行比较。如果反馈电压低于对应于目标电压的电压，则检测电路38生成时序生成脉冲(例如，PWM脉冲)。通过例如对应于目标电压(例如，380V)的电压与反馈电压之间的差来调节PWM脉冲的宽度。响应于该PWM脉冲，时序控制电路40和驱动电路42使晶体管4导通。

当使晶体管4导通时，输入电源经由电感器82接地。结果是，电流流过电感器82，并且静磁能储存在电感器82中。然后，当使晶体管4不导通时，通过储存在电感器82中的电磁能为电容器86充电。因此，PFC电路76的输出电压大约维持在目标电压。

如第1实施例所阐述的，根据控制系统74，减小了晶体管4的导通电阻。结果是，减小了晶体管4的电功率损耗。因此，通过控制系统74，增强了PFC电路的功率转换效率。

顺便说一句，作为PFC电路的输出电压的控制方法，除上述之外还有其它各种方法。例如，检测电路38检测PFC电路的输出电压变得等于或小于最小目标电压(例如，375V)时的时序，并且重复生成PWM脉冲。之后，检测电路38在输出电压超过最大目标电压(例如，385V)时的时序终止生成PWM脉冲。时序控制电路40和驱动电路42响应于检测电路38生成的PWM脉冲使晶体管4导通。通过该控制，PFC电路76的输出电压保持在最小目标电压与最大目标电压之间。

(第3实施例)

本实施例涉及一种包括不同于第2实施例的晶体管的控制系统。图14为本实施例的控制系统中的晶体管4a的截面图。图15为晶体管4a的等效电路。如图14所示，晶体管4a包括第一FP20a和第二FP20b。

因此，晶体管4a的等效电路(参见图15)包括GaN-HEMT30、第一FP晶体管32a以及第二FP晶体管32b。GaN-HEMT30、第一FP晶体管32a以及第二FP晶体管32b分别对应于栅极18、第一FP20a以及第二FP20b。

将控制电路2生成的栅极驱动脉冲提供至栅极18。而且，将控制电路2生成的FP驱动脉冲提供至第一FP20a。另一方面，晶体管4a的源极S连接至第二FP20b(参见图15)。

GaN-HEMT30的阈值例如是大约1-3V。第一FP晶体管32a的阈值是负电压(例如，大约-10V)。第二FP晶体管32b的阈值是低于第一FP晶体管32a阈值的负电压(例如，大约-40V)。

通过提供第二FP晶体管32b，使得第一FP晶体管32a的漏极电位(节点N2的电位)成为低于晶体管4a的漏极D电位(例如，380V)的电位(例如，40V)。因此，使得第一FP32a下方的绝缘膜28a、26更薄。因此，使得第一FP晶体管32a的导通电阻更低。

而且，由于第一FP晶体管32a的漏极电位(节点N2的电位)变得更低，因此第一FP32a的长度(沿电子行进方向的长度)被缩短。从而，第一FP32a的电容变得更小，晶体管4a的开关速度变得更快。

其它结构和运行与根据第1实施例和第2实施例的晶体管4基本相同。而且，控制电路也与第1实施例和第2实施例的控制电路2相同。

在上述实施例中，晶体管4、4a是包括GaN/AlGaN异质结的高电子迁移率化合物半导体晶体管。然而，晶体管4、4a也可以是其它高电子迁移率化合物半导体晶体管。例如，晶体管4、4a可以是包括GaAs/AlGaAs异质结的高电子迁移率化合物半导体晶体管。

或者，在上述实施例中，检测电路38生成的控制脉冲是PWM脉冲。然而，检测电路38可以生成其它控制脉冲。例如，检测电路38可以生成PFM(脉冲频率调制)脉冲。

本文列举的全部示例和条件性语言是为了教示性的目的，以帮助读者理解本发明以及发明人为了促进技术而贡献的概念，并应解释为不限制于这些具体列举的示例和条件，说明书中这些示例的组织也不是为了显示本发明的优劣。尽管已经详细描述了本发明的实施例，但应理解在不背离本发明的精神和范围的情况下可作出各种变化、替换以及更改。

Claims

1.一种控制电路，用于控制包括栅极和场板的晶体管，所述控制电路包括：

检测电路，用于检测用来驱动所述晶体管的晶体管驱动时序；

时序控制电路，用于响应于所述晶体管驱动时序控制用来驱动所述栅极的第一驱动时序以及控制用来驱动所述场板的第二驱动时序；以及

驱动电路，用于响应于所述第一驱动时序来驱动所述栅极，并响应于所述第二驱动时序来驱动所述场板，其中所述驱动电路用于通过高于所述栅极的驱动电压的电压驱动所述场板。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，

所述检测电路用于检测使所述晶体管导通的导通时序来作为所述晶体管驱动时序；以及

所述时序控制电路用于响应于所述导通时序生成所述第一驱动时序和迟于所述第一驱动时序的所述第二驱动时序。

3.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，

所述检测电路还用于生成用来终止驱动所述晶体管的晶体管终止时序；

所述时序控制电路还用于响应于所述晶体管终止时序控制用来终止驱动所述栅极的第一终止时序以及控制用来终止驱动所述场板的第二终止时序；以及

所述驱动电路用于响应于所述第一终止时序终止驱动所述栅极，并响应于所述第二终止时序终止驱动所述场板。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其中，

所述检测电路用于生成使所述晶体管不导通的不导通时序作为所述晶体管终止时序；

所述时序控制电路用于响应于所述不导通时序生成所述第二终止时序以及迟于所述第二终止时序的所述第一终止时序。

5.根据权利要求1所述的控制电路，其中，

所述晶体管包括高电子迁移率化合物半导体晶体管。

6.一种晶体管的控制系统，包括：

晶体管，包括栅极和场板；

驱动电路，用于响应于所述第一驱动时序驱动所述栅极，并响应于所述第二驱动时序驱动所述场板，其中所述驱动电路用于通过高于所述栅极的驱动电压的电压驱动所述场板。

7.根据权利要求6所述的晶体管的控制系统，其中，

8.根据权利要求6或7所述的晶体管的控制系统，其中，

9.根据权利要求8所述的晶体管的控制系统，其中，

所述时序控制电路用于响应于所述不导通时序生成所述第二终止时序和迟于所述第二终止时序的所述第一终止时序。

10.一种用于控制晶体管的方法，所述晶体管包括场板和栅极，所述方法，包括：

由驱动电路响应于第一驱动时序驱动所述场板，并且响应于第二驱动时序驱动所述栅极，其中通过高于所述栅极的驱动电压的电压驱动所述场板，其中所述第二驱动时序是被时序控制电路控制的在不同于第一驱动时序的时刻出现的时序。

11.根据权利要求10所述的用于控制晶体管的方法，还包括：

所述驱动电路在开始驱动所述栅极之后开始驱动所述场板。

12.根据权利要求10或11所述的用于控制晶体管的方法，还包括：

所述驱动电路在终止驱动所述场板之后终止驱动所述栅极。