CN102651192A - 有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动电路与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动电路与方法，涉及有机发光显示技术领域，以提高有源矩阵有机发光二极体面板的亮度均匀性。所述有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路，包括：驱动晶体管；第一晶体管；第二电容；有机发光二极管；调压模块，其连接在第一控制信号端、第二控制信号端以及高电平信号端之间，并与第二电容、驱动晶体管和第一晶体管连接，用于调节与第二电容连接的驱动晶体管的栅源电压，以使驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。本发明可用于有机发光显示。

Description

有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动电路与方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动电路与方法。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode)是有源矩阵有机发光二极体面板。相比于传统的晶体管液晶显示面板(TFTLCD，Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)，AMOLED具有反应速度更快、对比度更高、以及视角更广等优点，因此被称为下一代显示技术，目前已经受到大部分显示技术开发商的青睐。
有源矩阵有机发光二极体面板由驱动电路驱动发光。传统的2T1C驱动电路由两个晶体管(TFT)和一个电容(C)组成，该传统的2T1C驱动电路如图1所示。图1中，晶体管M1为开关管、晶体管M2为驱动管，C为存储电容。其中，晶体管M1由行扫描线信号Vscan控制，以用于控制数据电压Vdata的输入。晶体管M2用于控制有机发光二极管(OLED)发光。存储电容C用于为晶体管M2的栅极提供维持电压。
如图2所示，为图1所示2T1C驱动电路的控制时序图。该2T1C驱动电路的工作过程为：在图2中选取T1、T2两个阶段，T1阶段为显示数据电压写入阶段，T2阶段为显示维持阶段。在T1阶段，行扫描线信号Vscan为高电平，晶体管M1导通，因此数据信号电压Vdata为存储电容C充电，同时数据电压Vdata作用在晶体管M2的栅极上，使晶体管M2工作在饱和状态下，驱动有机发光二极管OLED发光。在T2阶段，行扫描线信号Vscan为低电平，晶体管M1关闭，数据电压Vdata不能到达晶体管M2的栅极，此时存储电容C为晶体管M2的栅极提供维持电压，使晶体管M2仍处于饱和状态，从而使OLED持续发光。此后2T1C驱动电路重复T2阶段直到下一个T1阶段来临。
由上述可知，AMOLED中的OLED能够发光是由驱动管M2工作在饱和状态时所产生的驱动电流驱动的，具体而言驱动电流(即流过OLED的电路)I＝K(Vgs-Vth)2，其中Vgs为驱动管M2的栅极和源极之间的电压差，Vth为驱动管M2的阈值电压，K为与驱动管M2自身结构和工艺有关的常数。因为在现有的低温多晶硅工艺制程中晶体管的阈值电压Vth均匀性较差，而且在使用过程中还会发生漂移，这样当向驱动管M2输入相同数据电压Vdata时，驱动管M2的阈值电压不同产生不同的驱动电流，从而导致AMOLED亮度的均匀性较差。
发明内容
本发明的实施例提供一种有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动电路与方法，以提高AMOLED亮度的均匀性。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路，包括：
驱动晶体管，其栅极与第二电容连接、源极与低电平信号端连接、漏极与调压模块连接；
第一晶体管，其栅极与行扫描信号端连接、源极与调压模块连接、漏极与数据信号端连接；
第二电容，其连接在驱动晶体管的栅极和低电平信号端之间；
有机发光二极管，其连接在低电平电压端和驱动晶体管的源极与第二电容的连接点之间，或连接在高电平电压端和驱动晶体管的漏极之间；
调压模块，其连接在第一控制信号端、第二控制信号端以及高电平信号端之间，并与第二电容、驱动晶体管和第一晶体管连接，用于调节与第二电容连接的驱动晶体管的栅源电压，以使驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。
一种有源矩阵有机发光二极体面板，包括呈矩阵排列的多个亚像素单元，对应每个所述亚像素单元设有一个如上所述的驱动电路。
一种有源矩阵有机发光二极体面板驱动方法，利用如上所述的有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路来驱动所述有源矩阵有机发光二极体面板，以使所述驱动电路中的驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。
本发明实施例提供的有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动方法与电路，由于能够使所述驱动电路中驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关，因此阈值电压Vth不会对流经有机发光二极管的电流产生影响，从而更好地保证了驱动电流的一致性，使AMOLED亮度的均匀性较好。
附图说明
图1为现有技术中传统的2T1C驱动电路的示意图；
图2为图1所示2T1C驱动电路的控制时序图；
图3为本发明实施例AMOLED驱动电路的示意图；
图4为AMOLED驱动电路的一个具体实施例的示意图；
图5为图4所示AMOLED驱动电路的控制时序图；
图6为图4所示AMOLED驱动电路t1阶段的工作示意图；
图7为图4所示AMOLED驱动电路t2阶段的工作示意图；
图8为图4所示AMOLED驱动电路t3阶段的工作示意图；
图9为图4所示AMOLED驱动电路t4阶段的工作示意图；
图10为AMOLED驱动电路另一个具体实施例的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例有源矩阵有机发光二极体面板(以下称AMOLED)及其驱动电路与方法进行详细描述。
如图3所示，为本发明AMOLED驱动电路的示意图。本实施例中AMOLED驱动电路包括两个晶体管、一个电容、一个有机发光二极管(以下称为OLED)、一个调压模块和相应的输入输出端。对应每个AMOLED驱动电路，该相应的输入输出端包括一个行扫描信号端Scan、一个数据信号端Vdata、一个第一控制信号端CR1、一个第二控制信号端CR2、一个高电平信号端Vdd和一个低电平信号端Vss。具体而言，AMOLED驱动电路包括：
驱动晶体管DTFT，其栅极与第二电容C2连接、源极与低电平信号端Vss连接、漏极与调压模块1连接，其作用是作为驱动管，当其工作在饱和状态下时为驱动OLED发光提供驱动电流。第一晶体管T1，其栅极与行扫描信号端Scan连接、源极与调压模块1连接、漏极与数据信号端Vdata连接，其作用是作为开关管，用于在行扫描信号端Scan的控制下控制数据信号端Vdata的输入。第二电容C2，其连接在驱动晶体管DTFT的栅极和低电平信号端Vss之间，用于为驱动晶体管DTFT的栅极提供维持电压。有机发光二极管OLED，其连接在低电平电压端Vss和驱动晶体管DTFT的源极与第二电容C2的连接点之间(参见图3和图4)，即驱动晶体管DTFT的源极与第二电容C2连接在一起后再和有机发光二极管OLED连接；或者其连接在高电平电压端Vdd和驱动晶体管DTFT的漏极之间(参见图10)，用于在驱动晶体管DTFT的驱动电流作用下发光，以点亮AMOLED。调压模块1，其连接在第一控制信号端CR1、第二控制信号端CR2以及高电平信号端Vdd之间，并与第二电容C2、驱动晶体管DTFT和第一晶体管T1连接，用于调节与第二电容C2连接的驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs以使驱动晶体管DTFT在饱和状态下的驱动电流I与其阈值电压Vth无关。
本发明实施例提供的AMOLED驱动电路，由于能够通过所述调压模块1调节与第二电容C2连接的驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs，使所述驱动电路中驱动晶体管DTFT在饱和状态下的驱动电流I与其阈值电压Vth无关，因此驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth不会对流经有机发光二极管OLED的电流产生影响，从而更好地保证了驱动电流I的一致性，使AMOLED亮度的均匀性较好。
如图4所示，为本发明AMOLED驱动电路的一个具体实施例的示意图。由图4可知，所述AMOLED驱动电路包括五个晶体管、两个存储电容、一个发光元件和相应的输入输出端。其中该五个晶体管分别为：驱动晶体管DTFT、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4。存储电容为第一电容C1和第二电容C2。发光元件为有机发光二极管OLED。相应的输入输出端包括：一个行扫描信号端Scan、一个数据信号端Vdata、一个第一控制信号端CR1、一个第二控制信号端CR2、一个高电平信号端Vdd和一个低电平信号端Vss。
本实施例中AMOLED驱动电路的具体结构包括：驱动晶体管DTFT，其栅极与第二电容C2连接、源极与低电平信号端Vss连接、漏极与第三晶体管T3的源极连接；第一晶体管T1，其栅极与行扫描信号端Scan连接、源极与第一电容C1连接、漏极与数据信号端Vdata连接；第二晶体管T2，其栅极与第一控制信号端CR1连接、源极与第二电容C2连接(同时与第一电容C1及驱动晶体管DTFT的栅极连接)、漏极与驱动晶体管DTFT的漏极连接(同时与第三晶体管T3的源极连接)；第三晶体管T3，其栅极与第二控制信号端CR2连接、源极与驱动晶体管DTFT的漏极连接(同时与第二晶体管T2的漏极连接)、漏极与高电平信号端Vdd连接；第四晶体管T4，其栅极与行扫描信号端Scan连接、源极与有机发光二极管OLED的一端连接、漏极与有机发光二极管OLED的另一端连接。第一电容C1，其连接在第一晶体管T1的源极与第二电容C2之间(同时还与驱动晶体管DTFT的栅极以及第二晶体管的源极连接)；第二电容C2，其连接在驱动晶体管DTFT的栅极和低电平信号端Vss之间(同时还与第一电容C1以及第二晶体管T2的源极连接)。有机发光二极管OLED，其连接在低电平电压端Vss和驱动晶体管DTFT的源极与第二电容C2的连接点之间，具体如图4所示，驱动晶体管DTFT的源极与第二电容C2连接之后再与有机发光二极管OLED连接。
其中，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第一电容C1组成了本实施例中的调压模块1。调压模块1用于调节与第二电容C2连接的驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs，以使驱动晶体管DTFT在饱和状态下的驱动电流I与其阈值电压Vth无关，这样由I＝K(Vgs-Vth)2可知，驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth不会对流经有机发光二极管OLED的电流产生影响，从而更好地保证了驱动电流I的一致性，使AMOLED亮度的均匀性较好。
第四晶体管T4的源极和漏极连接在OLED的两端，用于在驱动晶体管DTFT产生不正确的驱动电流时将OLED短路，以免OLED在不正确的驱动电流作用下发光，从而产生不正确的发光强度以造成显示错误，并在驱动晶体管DTFT产生正确的驱动电流时使OLED与驱动晶体管DTFT连通，使OLED在正确的驱动电流作用下发光，保证显示正常。
在第一电容C1和第二电容C2之间设有第一节点A、且第一节点A还与驱动晶体管DTFT的栅极以及第二晶体管T2的源极连接；在驱动晶体管DTFT的源极和OLED之间设有第二节点B，且第二节点B还与第二电容C2连接；在第一电容C1和第一晶体管T1的源极之间设有第三节点C。设置第一节点A、第二节点B和第三节点C可以方便后面描述和计算AMOLED驱动电路的电路参数，如各节点处的电压等。
就晶体管的类型而言，本实施例中驱动晶体管DTFT、第一晶体管T 1、第二晶体管T2、第三晶体管T3以及第四晶体管T4均为n型晶体管，n型晶体管可以在高电平信号下导通，并在低电平信号下截止。
就在AMOLED驱动电路中所起的作用而言，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3以及第四晶体管T4为开关管，用于断开或闭合电路连接，为此在图6至图9所示的AMOLED驱动电路中，将第一至第四晶体管T1-T4简化，即对于处于截止状态的晶体管将进行省略(在图6至图9中不显示)，对于处于导通状态的晶体管将简化为导线。驱动晶体管DTFT为驱动管，其工作在饱和状态下时用于产生驱动OLED发光的驱动电流。需要说明的是，驱动晶体管DTFT和第一至第四晶体管T1～T4的制作工艺以及结构都是基本相同的，这里仅为区分其在AMOLED驱动电路中所起的作用而采用了不同的叫法。
如图5所示，为本实施例中AMOLED驱动电路的控制时序图，选取其中的t1～t4四个阶段。在下面的描述中以1表示高电平信号、0表示低电平信号。下面结合图5，以及图6至图9描述AMOLED驱动电路的工作过程。
在t1阶段，Scan＝1，Vdata＝VL，CR1＝1，CR2＝1。
t1阶段为Pre-Charge阶段(预充电阶段)。如图6所示，在t1阶段中，由于Scan为高电平，因此第一晶体管T1和第四晶体管T4均导通；由于CR1为高电平，因此第二晶体管T2导通；由于CR2为高电平，因此第三晶体管T3导通。此时，数据信号端Vdata通过第一晶体管T1向第一电容C1输入较低的数据电压VL；高电平信号端Vdd的高电平信号经由第三晶体管T3和第二晶体管T2到达第一节点A，驱动晶体管DTFT在高电平信号下导通。由于此时驱动晶体管DTFT的栅极和漏极由第二晶体管T2连接，因此驱动晶体管DTFT的栅极电压与漏极电压相同，即其栅源电压Vgs与漏源电压Vds相等，可以满足Vds≥Vgs-Vth，因此驱动晶体管DTFT工作在饱和状态，驱动晶体管DTFT在该饱和状态下产生的驱动电流I＝K(Vgs-Vth)2＝K(Vqn-Vth)2＝K(Vdd-Vth)2，Vgs为第一晶体管T1的栅极和源极之间的电压差，Vth为第一晶体管T1的阈值电压，K为与驱动晶体管DTFT自身有关的常数。此外，驱动晶体管DTFT的源极经由第四晶体管T4连接至低电平信号端Vss。其中，第一节点A的电压Va＝Vdd、第二节点B的电压Vb＝Vss、第三节点C的电压Vc＝Vdata(数据电压)＝VL。由于此时的驱动电流I并非为OLED预先设定的正确的驱动电流I，因此为避免OLED产生不正确的发光强度，在t1阶段中使第四晶体管T4导通以将OLED短路，避免OLED发光。
在t2阶段，Scan＝1，Vdata＝VL，CR1＝1，CR2＝0。
t2阶段为放电阶段。如图7所示，在t2阶段中，由于Scan为高电平，因此第一晶体管T1和第四晶体管T4持续导通；由于CR1为高电平，因此第二晶体管T2持续导通；由于CR2为低电平，因此第三晶体管T3截止。此时，由于第二晶体管T2导通且第三晶体管T3截止，因此驱动晶体管DTFT的栅极和漏极连接在一起、且其漏极与第三晶体管T3断开，驱动晶体管DTFT形成二极体，第一电容C1、驱动晶体管DTFT和低电平信号端Vss形成放电回路(如图7中的箭头所示)对第一电容C1进行放电，该放电过程持续到第一节点A的电压下降至驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth为止(这时候，驱动晶体管DTFT处于临界导通状态，若继续放电，则驱动晶体管DTFT将截止，放电回路将断开，从而使放电过程结束)，此时第一电容C1两端的电压Vc1＝Vc-Va＝VL-Vth。其中，第一节点A的电压Va＝Vth、第二节点B的电压Vb＝Vss、第三节点C的电压Vc＝Vdata(数据电压)＝VL。在t2阶段中第四晶体管T4导通将OLED短路，避免OLED发光。
在t3阶段，Scan＝1，Vdata＝VH，CR1＝0，CR2＝0。
t3阶段为调压阶段。如图8所示，在t3阶段中，由于Scan为高电平，因此第一晶体管T1和第四晶体管T4持续导通；由于CR1为低电平，因此第二晶体管T2截止；由于CR2为低电平，因此第三晶体管T3截止。此时，由于第一晶体管T1导通，数据信号端Vdata通过第三节点C连接至第一电容C1，且又由于Vdata由较低的电压VL突变为较高的电压VH，因此第一电容C1的第三节点C的电压由VL突变为VH。并且由于第二晶体管T2和第三晶体管T3均截止，且驱动晶体管DTFT处于临界状态，不导通，因此第一电容C1的第一节点A处于悬空状态。当其第三节点C的电压发生突变时，处于悬空状态的第一电容C1能够使其各端处的电荷保持不变，因此第一节点A的电荷也保持不变，为此第一节点A的电压也发生突变。在T3阶段中，第一节点A的电荷的一般公式为Qa＝(Va-VL)×C1+(Va-Vss)×C2，其中Qa为第一节点A的电荷，C1为第一电容C1的电容大小，C2为第二电容C2的电容大小。据此，可以得知电压突变前第一节点A的电荷为(Vth-VL)×C1+(Vth-Vss)×C2，电压突变后第一节点A的电荷为(Va-VH)×C1+(Va-Vss)×C2。二者相等，即(Vth-VL)×C1+(Vth-Vss)×C2＝(Va-VH)×C1+(Va-Vss)×C2。由此可以得知，第一节点A的电压突变至Va＝Vth+(VH-VL)×C1/(C1+C2)。其中，第一节点A的电压Va＝Vth+(VH-VL)×C1/(C1+C2)、第二节点B的电压Vb＝Vss、第三节点C的电压Vc＝Vdata(数据电压)＝VH。
在t4阶段，Scan＝0，Vdata＝VL，CR1＝0，CR2＝1。
t4阶段为驱动阶段。如图9所示，在t4阶段中，由于Scan为低电平，因此第一晶体管T1和第四晶体管T4截止；由于CR1为低电平，因此第二晶体管T2截止；由于CR2为高电平，因此第三晶体管T3导通。此时，由于第一节点A的电压上升为Vth+(VH-VL)×C1/(C1+C2)，因此驱动晶体管DTFT导通并工作在饱和状态下，此时由于第三晶体管T3也导通，因此高电平信号端Vdd、第三晶体管T3、驱动晶体管DTFT、有机发光二极管OLED以及低电平信号端Vss形成驱动回路，该驱动回路中的驱动电流为I＝K(Vgs-Vth)2＝K(Vab-Vth)2＝K(Vth+(VH-VL)×C1/(C1+C2)-Vth)2＝K((VH-VL)×C1/(C1+C2))2。由此可知，驱动晶体管DTFT在饱和状态下产生的驱动电流与其阈值电压Vth无关，因此OLED能够在稳定的驱动电流下发光，从而更好地保证了驱动电流I的一致性。
此后直到下一次t1阶段到来时，该AMOLED驱动电路重复t4阶段。由上面的描述可知，在t4阶段内，驱动OLED发光的驱动电流I与驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth无关，因此阈值电压Vth不会对流经有机发光二极管OLED生影响，从而更好地保证了驱动电流的一致性，使AMOLED亮度的均匀性较好。
此外如图10所示，为本发明AMOLED驱动电路的另一个具体实施例。本实施例中的AMOLED驱动电路与图4所示实施例中的AMOLED驱动电路基本相同，所不同的是OLED的连接位置。在本实施例中，OLED连接在高电平电压端Vdd和驱动晶体管DTFT的漏极之间。如图10所示具体为，OLED连接在高电平电压端Vdd和第三晶体管T3的漏极之间。对于图10所示的AMOLED驱动电路而言，其控制时序与图5所示的控制时序相同，且其工作过程与上面所描述的工作过程相同，此处不再详述。需要说明的是，图10所示的实施例与图4所示实施例在结构上的不同导致最终结果也有一些细微差别，在图10所示的实施例中，由于OLED连接在第一晶体管T1的源极和低电平信号端Vss之间，因此在工作过程OLED的两端会产生电压V oled_in ，其中V oled_in 为OLED发光时的跨压。此时，由于该跨压的影响，使得Vq＝Vss+Vth+(Vref-Vdata)；Vn＝Vss+Voled_in；Vgs＝Vqn＝(Vref-Vdata)+Vth-Voled_in。因此最终I＝k(Vref-Vdata-Voled_in)2。这样，在驱动电流I的最终结果中引入了Voled_in，Voled_in在Vdata具有不同的灰阶电压时有微小的差别，这给电路工作带来了不稳定性，因此相比图4所示的实施例，该图10所示的实施例略有不足。
需要说明的是，对于上述图4和图10所示的AMOLED驱动电路实施例而言，在实际使用中，上述技术方案不仅适用于多晶硅晶体管，对其它晶体管也适用。
除此之外，本发明实施例还提供了一种有源矩阵有机发光二极体面板，所述有源矩阵有机发光二极体面板包括呈矩阵排列的多个亚像素单元，对应每个所述亚像素单元设有一个如上所述的驱动电路。所述驱动电路可以为如图3所示的驱动电路，例如具体可以为如图4所示的AMOLED驱动电路、或如图10所示的AMOLED驱动电路。
例如，参照图3所示，本发明有源矩阵有机发光二极体面板中的AMOLED驱动电路包括两个晶体管、一个电容、一个有机发光二极管、一个调压模块和相应的输入输出端。对应每个AMOLED，该相应的输入输出端包括一个行扫描信号端Scan、一个数据信号端Vdata、一个第一控制信号端CR1、一个第二控制信号端CR2、一个高电平信号端Vdd和一个低电平信号端Vss。具体而言，AMOLED驱动电路包括：
驱动晶体管DTFT，其栅极与第二电容C2连接、源极与低电平信号端Vss连接、漏极与调压模块1连接，其作用是作为驱动管，当其工作在饱和状态下时为驱动OLED发光提供驱动电流。第一晶体管T1，其栅极与行扫描信号端Scan连接、源极与调压模块1连接、漏极与数据信号端Vdata连接，其作用是作为开关管，用于在行扫描信号端Scan的控制下控制数据信号端Vdata的输入。第二电容C2，其连接在驱动晶体管DTFT的栅极和低电平信号端Vss之间，用于为驱动晶体管DTFT的栅极提供维持电压。有机发光二极管OLED，其连接在低电平电压端Vss和驱动晶体管DTFT的源极与第二电容C2的连接点之间(参见图3和图4)，即驱动晶体管DTFT的源极与第二电容C2连接在一起后再和有机发光二极管OLED连接；或者其连接在高电平电压端Vdd和驱动晶体管DTFT的漏极之间(参见图10)，用于在驱动晶体管DTFT的驱动电流作用下发光，以点亮AMOLED。调压模块1，其连接在第一控制信号端CR1、第二控制信号端CR2以及高电平信号端Vdd之间，并与第二电容C2、驱动晶体管DTFT和第一晶体管T1连接，用于调节与第二电容C2连接的驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs，以使驱动晶体管DTFT在饱和状态下的驱动电流I与其阈值电压Vth无关。
本发明实施例提供的有源矩阵有机发光二极体面板，由于能够通过所述调压模块1调节与第二电容C2连接的驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs，使所述驱动电路中驱动晶体管DTFT在饱和状态下的驱动电流I与其阈值电压Vth无关，因此驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth不会对流经有机发光二极管OLED的电流产生影响，从而更好地保证了驱动电流I的一致性，使AMOLED亮度的均匀性较好。
除此之外，本发明还提供了一个AMOLED驱动方法的实施例。本实施例中，利用所述有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路来驱动所述有源矩阵有机发光二极体面板，以使所述驱动电路中的驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。其中，所述有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路可以包括如上图3、图4或图10所示的驱动电路，但并不局限于此，也可以包括其它类型的驱动电路。
本发明实施例提供的AMOLED驱动方法，由于能够使所述驱动电路中驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关，因此阈值电压Vth不会对流经有机发光二极管的电流产生影响，从而更好地保证了驱动电流的一致性，使AMOLED亮度的均匀性较好。
本实施例中，为使所述驱动电路中的驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关，可以在所述驱动电路中增加调压模块，所述调压模块调节所述驱动晶体管的栅源电压，以使驱动管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。其中所述驱动晶体管指的是为有机发光二极管提供驱动电流的晶体管，所述阈值电压指的是该晶体管的阈值电压。所述栅源电压指的是驱动晶体管的栅极电压Vg和源极电压Vs之间的差值Vgs。可以通过调压模块调节Vgs的大小，使Vgs的组成分量中包含Vth，从而使Vth在I＝K(Vgs-Vth)2中抵消，最终使得驱动电流I与阈值电压Vth无关。
为使驱动电路中的驱动晶体管工作在饱和状态下，可以构造所述驱动电路以使驱动晶体管的栅源电压与其阈值电压的差值小于或等于其漏源电压，即满足Vds≥Vgs-Vth。当驱动晶体管工作在饱和状态下时，驱动晶体管的驱动电流I仅与其栅源电压Vgs有关，即满足I＝K(Vgs-Vth)2，此时可以通过调压模块仅对栅源电压Vgs进行调节，调节参数较少，因此调节过程较为简便。
以上提供了有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动电路与方法的多个实施例，这些实施例之间可以相互参考。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路，其特征在于，包括：
驱动晶体管，其栅极与第二电容连接、源极与低电平信号端连接、漏极与调压模块连接；
第一晶体管，其栅极与行扫描信号端连接、源极与调压模块连接、漏极与数据信号端连接；
第二电容，其连接在驱动晶体管的栅极和低电平信号端之间；
有机发光二极管，其连接在低电平电压端和驱动晶体管的源极与第二电容的连接点之间，或连接在高电平电压端和驱动晶体管的漏极之间；
调压模块，其连接在第一控制信号端、第二控制信号端以及高电平信号端之间，并与第二电容、驱动晶体管和第一晶体管连接，用于调节与第二电容连接的驱动晶体管的栅源电压，以使驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路，其特征在于，所述调压模块包括：
第二晶体管，其栅极与第一控制信号端连接、源极与第二电容连接、漏极与驱动晶体管的漏极连接；
第三晶体管，其栅极与第二控制信号端连接、源极与驱动晶体管的漏极连接、漏极与高电平信号端连接；
第一电容，其连接在第一晶体管的源极与第二电容之间。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路，其特征在于，有机发光二极管连接在高电平电压端和驱动晶体管的漏极之间具体为，有机发光二极管连接在高电平电压端和第三晶体管的漏极之间。
4.根据权利要求2或3所述的有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路，其特征在于，还包括第四晶体管，其栅极与行扫描信号端连接、源极与有机发光二极管的一端连接、漏极与有机发光二极管的另一端连接。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路，其特征在于，驱动晶体管和第一至第四晶体管为n型晶体管。
6.一种有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，包括呈矩阵排列的多个亚像素单元，对应每个所述亚像素单元设有一个如权利要求1-5中任一项所述的驱动电路。
7.一种有源矩阵有机发光二极体面板驱动方法，其特征在于，利用如权利要求1-5中任一项所述的有源矩阵有机发光二极体面板驱动电路来驱动所述有源矩阵有机发光二极体面板，以使所述驱动电路中的驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。
8.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极体面板驱动方法，其特征在于，调节所述驱动晶体管的栅源电压，以使所述驱动晶体管在饱和状态下的驱动电流与其阈值电压无关。
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