CN102044213A

CN102044213A - 电流驱动像素电路及其驱动方法、有机发光显示器件

Info

Publication number: CN102044213A
Application number: CN200910236394XA
Authority: CN
Inventors: 龙春平; 高浩然
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2009-10-21
Filing date: 2009-10-21
Publication date: 2011-05-04
Anticipated expiration: 2029-10-21
Also published as: CN102044213B

Abstract

本发明公开了一种电流驱动像素电路及其驱动方法、有机发光显示器件，其中，电流驱动像素电路包括：电源线、接地极和存储电容；开关晶体管，其栅极与所述第N行栅线连接，漏极连接所述数据线，源极连接所述驱动晶体管的栅极；驱动晶体管，其栅极还与所述存储电容的一端连接，漏极连接所述存储电容的另一端，源极连接所述电源线；隔断晶体管，其栅极连接所述第N行栅线，漏极连接所述电源线，源极用于与所述第N行栅线之外的栅线上的开关晶体管的漏极连接。本发明节省了一个薄膜晶体管，适用于底部发光的显示器设计；节省了额外信号线的设置，简化了像素电路和阵列基板设计减轻了电源负载，降低了功耗。

Description

电流驱动像素电路及其驱动方法、有机发光显示器件

技术领域

本发明涉及有机发光显示技术，特别涉及一种电流驱动像素电路及其驱动方法、有机发光显示器件。

背景技术

实现大尺寸有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，以下简称：OLED)的途径之一是使用有源矩阵薄膜晶体管背板。该有源矩阵薄膜晶体管背板上设置有由横纵交叉的栅线和数据线所限定的像素矩阵，每个像素包括一个有源器件比如晶体管。栅极驱动电路依次向被选择的栅线上提供选择信号，开启像素中的晶体管，然后数据驱动电路通过数据线将数据信号传送到导通的像素。

图1为现有技术的电流驱动像素电路的结构示意图，如图1所示，该电流驱动像素电路包括开关晶体管101、充电晶体管102、隔断晶体管103、驱动晶体管104和存储电容105，即4T1C结构；还包括隔断晶体管103、栅线120、数据线130、逻辑电源Vdd140、OLED110和接地极Vss150；其中，隔断晶体管103的栅极连接选择信号线160，用于提供OLED110显示所需的驱动电流的驱动晶体管104的栅极和存储电容105一端连接，驱动晶体管104的源极和存储电容105的另一端连接。其工作原理为，当栅线120提供一个高电平，同时打开了开关晶体管101和充电晶体管102。数据线130的信号电流此时流过开关晶体管101和充电晶体管102，流过充电晶体管102的信号电流给存储电容105充电，使得驱动晶体管104的栅极相对于源极的电压Vgs升高。当Vgs超过驱动晶体管104的阈值电压以后，通过开关晶体管101的信号电流有一部分分流通过驱动晶体管104，此时选择信号线160提供低电平，使得隔断晶体管103处于截止状态，保证分流的信号电流只会通过驱动晶体管104，而不受其它电路元件或信号影响。存储电容105充电直到驱动晶体管104的Vgs达到一定值，使得驱动晶体管104工作于电流饱和区，驱动晶体管104的Vgs使得信号电流完全通过驱动晶体管104。这时选择信号线160打开隔断晶体管103，信号电流完全被复制为驱动电流，提供给OLED110发光显示。

上述图1所示的现有技术电流驱动像素电路存在如下技术缺陷：首先，在电源140和OLED110的工作线路上，使用了两个串联的晶体管即隔断晶体管103和驱动晶体管104，两个晶体管的工作电压增加了电源140的负载，使得功耗增大；其次，该像素电路使用额外的选择信号线160控制隔断晶体管103，增加了像素电路设计和阵列设计的复杂性，有可能降低良率；再次，对于底部发光的主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，以下简称：AMOLED)显示器而言，4T1C的像素电路不利于高解析度显示器的制作。

发明内容

本发明的目的是提供一种电流驱动像素电路及其驱动方法、有机发光显示器件，实现减小电源负载，降低功耗；且节省额外的控制信号线，简化像素电路和阵列设计，有利于底部发光的显示器制作。

为实现上述目的，本发明提供了一种电流驱动像素电路，包括：第N行栅线、数据线、有机发光二极管OLED器件、电源线、接地极、开关晶体管、驱动晶体管、隔断晶体管和存储电容，

用于控制数据信号写入所述像素电路的所述开关晶体管，其栅极与所述第N行栅线连接，漏极连接所述数据线，源极连接所述驱动晶体管的栅极；

用于为所述OLED器件提供驱动电流的所述驱动晶体管，其栅极还与所述存储电容的一端连接，源极连接所述存储电容的另一端，漏极连接所述电源线；

用于隔断所述驱动晶体管与所述电源线连接的所述隔断晶体管，其栅极连接所述第N行栅线，漏极连接所述电源线，源极用于与所述第N行栅线之外的栅线上的开关晶体管的漏极连接；

所述OLED器件，其连接在所述电源线和接地极之间。

本发明还提供了一种上述电流驱动像素电路的驱动方法，包括：

步骤1、分别施加一高电平至第N行栅线，以及，与隔断晶体管源极连接的开关晶体管所在的第N行栅线之外的栅线，数据线的数据电流给存储电容充电，直至所述数据电流完全通过驱动晶体管，同时，电源线和接地极向OLED施加关闭信号，使得所述OLED处于非导通状态；

步骤2、分别施加一低电平至第N行栅线，以及，与隔断晶体管源极连接的开关晶体管所在的第N行栅线之外的栅线，同时，电源线和接地极向所述OLED施加导通信号，驱动所述OLED发光。

本发明又提供了一种包括上述电流驱动像素电路的有机发光显示器件，所述电流驱动像素电路形成在阵列基板上，所述阵列基板上横纵交叉设置有多条栅线和数据线，并由该多条栅线和数据线限定了多个上述的电流驱动像素电路；所述阵列基板还包括用于为所述电流驱动像素电路提供电压信号的行驱动芯片和提供电流信号的列驱动芯片，所述有机发光显示器件还包括电路板和用于对所述有机发光显示器件进行封装的封装结构，所述电路板上设置有用于向所述行驱动芯片和列驱动芯片提供时序控制信号的芯片组、电压源和电流源。

本发明通过将隔断晶体管和N行开关晶体管共用一行栅线即第N行栅线进行控制，节省了一个薄膜晶体管，使得阵列基板上每个像素中的晶体管数量减少，可以同时适用于底部发光和顶部发光的显示器设计；节省了现有技术中的额外信号线的设置，简化了像素电路和阵列基板设计，并且该隔断晶体管还可以起到隔断N行和N+1行，防止其信号干扰的作用；通过未将隔断晶体管设置在电源线和OLED的工作线路上，减轻了电源负载，降低了功耗。

附图说明

图1为现有技术的电流驱动像素电路的结构示意图；

图2为本发明电流驱动像素电路第一实施例的结构示意图；

图3为图2所示的电流驱动像素电路的驱动方法的驱动时序示意图；

图4为本发明电流驱动像素电路第二实施例的结构示意图；

图5为图4所示的电流驱动像素电路的驱动方法的驱动时序示意图。

具体实施方式

本发明的技术方案主要是将现有技术中的电流驱动像素电路中的隔断晶体管和开关晶体管共用第N条栅线进行控制其导通或关闭，且隔断晶体管的源极连接第N条栅线之外的一条栅线，例如，第N+1条栅线；此外，该隔断晶体管不设置在电源和OLED的工作线路上，使得上述工作线路上只有一个驱动晶体管。实现了节省额外的控制信号线，简化像素电路和阵列设计，且减小了电源负载，降低了功耗。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图2为本发明电流驱动像素电路第一实施例的结构示意图，本实施例是公共阴极的AMOLED中的像素电路结构，该像素电路中的OLED器件的阴极连接到接地极Vss，阳极连接到驱动晶体管的漏极；驱动晶体管的源极与电源线连接。

如图2所示，本实施例的像素电路可以包括4个N型晶体管，分别为N行开关晶体管201、驱动晶体管203、隔断晶体管204和存储电容205，即为3T1C结构；该开关晶体管201、驱动晶体管203和隔断晶体管204可以为N型非晶硅薄膜晶体管。还包括OLED器件210、数据线240、N行栅线220、电源线250和接地极260。其中，N行开关晶体管201的栅极连接N行栅线220，漏极连接数据线240，源极连接驱动晶体管203的栅极；存储电容205的一端连接驱动晶体管203的栅极，另一端连接OLED器件210的阳极和驱动晶体管203的漏极，驱动晶体管203的源极连接电源线250；隔断晶体管204的栅极连接N行栅线220，即与N行开关晶体管201共用一个栅极控制线，其漏极连接电源线250，源极用于连接N行栅线之外的栅线上的开关晶体管的漏极，例如，本实施例中可以将隔断晶体管204的源极连接至N+1行开关晶体管202；该N+1行开关晶体管202的栅极连接N+1行栅线230，漏极连接隔断晶体管204的源极。

将上述本实施例电流驱动像素电路的结构与图1所示的现有技术电流驱动像素电路的结构进行对比可以得到，本实施例的像素电路具有以下区别特点：首先，本实施例的像素电路为3T1C结构，即有3个薄膜晶体管和1个存储电容，相对于现有技术的4T1C结构，节省了一个薄膜晶体管，使得阵列基板上每个像素中的晶体管数量减少，可以同时适用于底部发光和顶部发光的显示器设计；其次，本实施例未将隔断晶体管设置在电源线和OLED的工作线路上，减轻了电源负载，降低了功耗；再次，通过将隔断晶体管和N行开关晶体管共用一行栅线即第N行栅线进行控制，节省了现有技术中的额外信号线的设置，简化了像素电路和阵列基板设计，并且该隔断晶体管还可以起到隔断N行和N+1行，防止其信号干扰的作用。此外，本实施例的像素电路完全适用于一种类型的晶体管，如非晶硅N型晶体管，有利简化制造工艺和提高良率。

在上述本实施例电流驱动像素电路结构的基础上，本发明还提供了利用该像素电路进行像素驱动的方法。图3为图2所示的电流驱动像素电路的驱动方法的驱动时序示意图，如图3所示，在该时序图中，示意了在一帧工作时序中的N行栅线Gate N的信号时序、N+1行栅线Gate N+1的信号时序、数据线Data的信号时序和电源线Vdd的信号时序。从时序图中可以看出，本实施例的驱动方法，在实际驱动中，可以采用四步，即依次进行第一次放电、写入数据、第二次放电和驱动显示四个步骤，其中，写入数据之前的第一次放电是为了消除上一帧数据的影响，在写入数据之后的第二次放电是为了消除对下一行数据的影响。该驱动方法具体说明如下：

第一次放电：N行栅线220施加一个高电平V_N1打开开关晶体管201，数据线240提供负电流I₁写入像素电路，导致和开关晶体管201源极连接的存储电容205发生放电，使得和驱动晶体管203栅极连接的存储电容205一端电位降低。N行栅线220的电压信号V_N1和数据线240的负电流I₁清除了上一帧数据，使得存储电容205的残余电荷和驱动晶体管203的Vgs电压清除为零。一般设置数据线240的电流I₁为上一帧的数据电流，N行栅线220的电压信号V_N1开启时间与写入数据的栅线开启时间相同。在此时序内N+1行栅线230是低电平，即使N行栅线220的电压信号V_N1打开隔断晶体管204，也没有数据电流流入驱动晶体管203。通过在写入一帧数据信号之前卸载上一帧数据信号，可以保证显示信号数据电流的精确性。

写入数据：分别施加一个高电平V_N2和V_(N+1)1到N行栅线220和N+1行栅线230，同时打开N行像素开关晶体管201和隔断晶体管204，以及N+1行像素开关晶体管202。数据线240的数据信号以电流形式写入像素电路，此时OLED器件210被关闭而不发光显示。因为电源线250的信号电压V_d0使得OLED器件210处于非导通状态，流过OLED器件210的电流非常低，不会对像素电路的工作产生影响。当OLED器件两端电压低于2V时，一般就认为OLED器件210处于关闭状态；所以电源线250提供的信号电压V_d0＜Vss+2V，OLED器件210则处于关闭状态。N行像素开关晶体管201的开启状态，使得数据线240电流I₂流入驱动晶体管203的栅极和存储电容205的一端，给存储电容205充电并升高驱动晶体管203的Vgs电压。N+1行像素晶体管202和N行像素隔断晶体管204的开启状态，使得数据线240电流流入驱动晶体管203的漏极。随着驱动晶体管203的Vgs电压逐步升高，流过驱动晶体管203的电流也逐渐增加。存储电容205充电至N行像素开关晶体管201不再传导任何电流，从数据线240流入的数据电流I₂，全部通过驱动晶体管203。存储电容205的两端电压即为驱动晶体管203的Vgs电压，与写入的数据电流I₂有关。即使在驱动晶体管203的阈值电压发生漂移的情况下，存储电容205保持的电压可以使得驱动晶体管203产生与数据电流I₂一致的驱动电流。当N行栅线处于低电平时，数据线240通过的电流可以被设置为其它任何电流值，而不会改变通过驱动晶体管203的电流。

第二次放电：在写入数据时序，数据电流I₂通过N+1行像素的开关晶体管202，以及N行像素隔断晶体管204，给驱动晶体管203提供数据电流。在此数据电流写入过程中，会发生一部分数据电流I₂通过N+1行像素的开关晶体管202，给N+1行像素的存储电容充电，导致N+1行像素的驱动晶体管的Vgs电压升高，可能使得驱动电流和显示亮度在这一帧的剩余时间发生变化。为了防止上述情况的发生，数据线240的电流数据信号I₂被换成负电流I₃，N+1行栅线230提供一个高电平信号V_(N+1)2打开N+1行像素的开关晶体管202，使得电流从N+1行像素电路流入数据线240。和开关晶体管202源极连接的N+1行像素存储电容发生放电，使得和N+1行像素驱动晶体管栅极连接的N+1行像素存储电容一端电位降低。在写入数据时序过程中，被充电的存储电容发生放电，使得N+1行像素驱动晶体管的Vgs下降至原先水平，从而保持正常的显示亮度。写入数据时序N行栅线220和N+1行栅线230分别提供高电平V_N2和V_(N+1)1的时间是ΔT_写入；放电时序N+1行栅线230提供高电平V_(N+1)1的时间是ΔT_放电；一般需要近似满足：I₂*ΔT_写入＝2*I₃*ΔT_放电。当栅线开启时间相同时，有I₃＝0.5I₂。通过上述步骤可以消除写入N行像素数据电流对于N+1行像素显示信号的影响。一般而言，为了简化驱动芯片，本具体实施例的栅线控制信号电压V_N1、V_N2、V_(N+1)1、V_(N+1)2可以选择相同电压，V_N1＝V_N2＝V_(N+1)1＝V_(N+1)2。

驱动显示：N行栅线220的低电平关闭开关晶体管201和隔断晶体管204，N+1行栅线的低电平关闭N+1行像素开关晶体管202。电源线250施加一个高电平信号V_d1到驱动晶体管203的漏极，接地极260电压Vss设置为稳定不变的电平，使得分配在OLED器件210两端大于2V，导致OLED器件210导通发光。V_d1需要大于Vgs-Vt+Voled(max)+Vss，这里Voled(max)是OLED器件210的最大工作电压；Vgs是驱动晶体管203的栅源电压，Vt是驱动晶体管203的阈值电压；使得驱动晶体管203的源漏电压Vds大于驱动晶体管203的夹断电压Vgs-Vt，保证驱动晶体管203工作在电流饱和区。忽略N行栅线220和电源线250引起的电容耦合效应，驱动晶体管203提供一个与数据线240原始数据电流一致的驱动电流，流过OLED器件210。本实施例的像素电路使用数据线提供调制的电流信号，写入像素电路，降低了驱动晶体管在长时间应力作用下的阈值电压漂移的影响，使得驱动晶体管的驱动电流与数据线的信号电流保持一致，从而得到精确的OLED器件发光亮度。

其中，上述忽略N行栅线220和电源线250引起的电容耦合效应是指，当栅线220被设置为低电平时，开关晶体管201的栅源寄生电容倾向于减小存储电容205的保存电压。当电源线250被设置为高电平时，驱动晶体管203的栅漏寄生电容倾向于增大存储电容205的保存电压。因为栅线220和电源线250的电压信号朝相反振幅方向摇摆，通过开关晶体管201和驱动晶体管203沟道宽度和长度的优化设计，可以消除栅线220和电源线250引起的电容耦合效应。按照常用的TFT设计规则，在一定的驱动电压下，开关晶体管201和驱动晶体管203的尺寸近似满足以下条件，就可以有效抑制电容耦合效应引起的存储电容电压变化：W₂₀₁×W_gate×V_gate＝W₂₀₃×L₂₀₃×V_dd；其中W₂₀₁是开关晶体管201的沟道宽度，是W_gate开关晶体管201的栅线宽度，V_gate是栅线控制信号电压；W₂₀₃和L₂₀₃分别是驱动晶体管203的沟道宽度和长度，V_dd是驱动显示时的电源线信号电压。上述电容电压耦合效应还可以通过调整数据线240的数据电流而得到修正，修正的数据电流信号近似满足以下条件：ΔI∝sqrt(I_data)×(W₂₀₁×W_gate×V_gate-W₂₀₃×L₂₀₃×V_dd)/Cs；其中I_data是数据电流信号，Cs是存储电容值。

本实施例的电流驱动像素电路的驱动方法通过在向像素电路写入数据之前，驱动工作时序对存储电容进行放电，清除驱动晶体管的残余电压和电流，防止了上一帧数据信号的干扰；通过在向像素电路写入数据之后，驱动时序信号校正数据写入对于N+1行像素信号的干扰。

图4为本发明电流驱动像素电路第二实施例的结构示意图，本实施例是公共阳极的AMOLED中的像素电路结构，该像素电路中的OLED器件的阳极连接到电源线Vdd，阴极连接到驱动晶体管的漏极；驱动晶体管的源极与接地极连接。

如图4所示，本实施例的像素电路可以包括4个N型晶体管，分别为N行开关晶体管401、驱动晶体管403、隔断晶体管404和存储电容405，即为3T1C结构；该开关晶体管401、驱动晶体管403和隔断晶体管404可以为N型非晶硅薄膜晶体管。还包括OLED器件410、数据线440、N行栅线420、电源线450和接地极460。其中，N行开关晶体管401的栅极连接N行栅线420，漏极连接数据线440，源极连接驱动晶体管403的栅极；存储电容405的一端连接驱动晶体管403的栅极，另一端连接接地极460；驱动晶体管403的源极连接电源线450；隔断晶体管404的栅极连接N行栅线420，即与N行开关晶体管401共用一个栅极控制线，其漏极连接电源线450，源极用于连接N行栅线之外的栅线上的开关晶体管的漏极，例如，本实施例中可以将隔断晶体管404的源极连接至N+1行开关晶体管402；该N+1行开关晶体管402的栅极连接N+1行栅线430，漏极连接隔断晶体管404的源极。

本实施例的像素电路与现有技术中的电流驱动像素电路对比，同样具有第一实施例所述的效果和优点，即节省了一个薄膜晶体管，使得阵列基板上每个像素中的晶体管数量减少，可以同时适用于底部发光和顶部发光的显示器设计；节省了额外信号线的设置，简化了像素电路和阵列基板设计，并且该隔断晶体管还可以起到隔断N行和N+1行，防止其信号干扰的作用；减轻了电源负载，降低了功耗。

在上述本实施例电流驱动像素电路结构的基础上，本发明还提供了利用该像素电路进行像素驱动的方法。图5为图4所示的电流驱动像素电路的驱动方法的驱动时序示意图，如图5所示，在该时序图中，示意了在一帧工作时序中的N行栅线Gate N的信号时序、N+1行栅线Gate N+1的信号时序、数据线Data的信号时序和电源线Vdd的信号时序。从时序图中可以看出，本实施例的驱动方法，在实际驱动中，可以采用四步，即依次进行第一次放电、写入数据、第二次放电和驱动显示四个步骤，其中，写入数据之前的第一次放电是为了消除上一帧数据的影响，在写入数据之后的第二次放电是为了消除对下一行数据的影响。

本实施例的驱动方法与第一实施例中的驱动方法的具体的四个步骤是相同的，具体可参见第一实施例，在此不再赘述。其区别点主要包括以下两点：首先，第一实施例是电源极施加电压信号控制设置或显示像素电路的状态，而第二实施例是接地极施加电压信号控制设置或显示像素电路的状态。即当接地极电压设置为高电平时，数据被写入像素电路；当接地极电压设置为低电平时，OLED器件发光显示；电源线电压设置为稳定不变的电平。其次，在为了忽略栅线和电源线引起的电容耦合效应方面，本实施例与第一实施例略有不同。即在本实施例的驱动显示的工作过程中，当栅线420被设置为低电平时，开关晶体管401的栅源寄生电容倾向于减小存储电容405的保存电压。当接地极460被设置为低电平时，由驱动晶体管403的栅源寄生电容和存储电容405的共同作用，倾向于减小存储电容405的保存电压。与第一个具体实施例不同的是，栅线420和接地极460的电压信号朝相同振幅方向摇摆，把栅线420和电源线450引起的电容耦合效应叠加放大。所以本具体实施例中数据线440的数据电流必须进行调整，减弱或融合上述电容电压耦合效应以修正OLED410的驱动电流。数据电流的修正与开关晶体管401、驱动晶体管403沟道宽度和长度设计、以及存储电容405的尺寸有关，也与栅线420选择信号电压V_N1、V_N2、V_(N+1)1、V_(N+1)2和接地极460信号电压V_S1有关。简单而言，修正电流ΔI ∝k1*V_N2*V_N2+k2*V_S1*V_S1，其中k1与开关晶体管401有关，k1∝W₄₀₁×W_gate/Cs，其中W₄₀₁是开关晶体管401的沟道宽度，W_gate是开关晶体管401的栅线宽度，Cs是存储电容值；k2与驱动晶体管403以及存储电容405有关，k1∝W₄₀₃×L₄₀₃/Cs，其中W₄₀₃是驱动晶体管403的沟道宽度，L₄₀₃是驱动晶体管403的栅线宽度，Cs是存储电容值。

本发明还提供了一种包括上述两个实施例中任一所述的电流驱动像素电路的有机发光显示器件，所述有机发光显示器件的阵列基板上横纵交叉设置有多条栅线和数据线，并由该多条栅线和数据线限定了多个上述的电流驱动像素电路；此外，所述阵列基板还包括用于为所述电流驱动像素电路提供电压信号的行驱动芯片和提供电流信号的列驱动芯片，所述有机发光显示器件还包括电路板和用于对所述有机发光显示器件进行封装的封装结构，所述电路板上设置有用于向所述行驱动芯片和列驱动芯片提供时序控制信号的芯片组、电压源和电流源。

具体的，该有机发光显示器件可以分为共阴极和共阳极两种类型。其中，共阴极的结构特点是所述阵列基板上像素电路的OLED的阴极连接到接地极，且同一行像素电路的接地极均连接到一起，并连接到所述驱动芯片，以由所述驱动芯片提供统一控制信号，例如，提供调制电源信号V_S0和V_S1。共阳极的结构特点是所述阵列基板上像素电路的OLED的阳极连接到电源线，且同一行像素电路的电源线连接到一起，并连接到所述驱动芯片，以由所述驱动芯片提供统一控制信号，例如，提供调制电源信号V_d0和V_d1。

本实施例的有机发光显示器件通过将隔断晶体管和N行开关晶体管共用一行栅线进行控制，简化了像素电路和阵列基板设计，减轻了电源负载，降低了功耗。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种电流驱动像素电路，包括第N行栅线、数据线、有机发光二极管OLED器件、电源线、接地极、开关晶体管、驱动晶体管、隔断晶体管和存储电容，其特征在于，

用于控制所述数据线中的数据电流写入的所述开关晶体管，其栅极与所述第N行栅线连接，漏极连接所述数据线，源极连接所述驱动晶体管的栅极；

用于隔断所述驱动晶体管与所述电源线连接的所述隔断晶体管，其栅极连接所述第N行栅线，源极连接所述电源线，漏极用于与所述第N行栅线之外的栅线上的开关晶体管的源极连接；

所述OLED器件，其连接在所述电源线和接地极之间。

2.根据权利要求1所述的电流驱动像素电路，其特征在于，所述第N行栅线之外的栅线为第N+1行栅线。

3.根据权利要求1所述的电流驱动像素电路，其特征在于，所述OLED器件连接在所述电源线和接地极之间具体为：

所述OLED器件的阴极连接接地极，阳极连接所述驱动晶体管的源极，所述驱动晶体管的漏极与电源线连接。

4.根据权利要求3所述的电流驱动像素电路，其特征在于，所述开关晶体管和驱动晶体管满足以下条件：W₂₀₁×W_gate×V_gate＝W₂₀₃×L₂₀₃×V_dd；其中W₂₀₁是所述开关晶体管的沟道宽度，W_gate是所述开关晶体管的栅线宽度，V_gate是栅线控制信号电压；W₂₀₃和L₂₀₃分别是所述驱动晶体管的沟道宽度和沟道长度，V_dd是驱动显示时的所述电源线的信号电压。

5.根据权利要求1所述的电流驱动像素电路，其特征在于，所述OLED器件连接在所述电源线和接地极之间具体为：

所述OLED器件的阳极连接电源线，阴极连接所述驱动晶体管的漏极，所述驱动晶体管的源极与接地极连接。

6.根据权利要求1所述的电流驱动像素电路，其特征在于，所述开关晶体管、驱动晶体管和隔断晶体管为N型非晶硅薄膜晶体管。

7.一种电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，包括：

步骤1、分别施加一高电平信号至第N行栅线，以及，与隔断晶体管源极连接的开关晶体管所在的第N行栅线之外的栅线，数据线的数据电流给存储电容充电，直至所述数据电流完全通过驱动晶体管，同时，电源线和接地极向OLED施加关闭信号，使得所述OLED处于非导通状态；

步骤2、分别施加一低电平信号至第N行栅线，以及，与隔断晶体管源极连接的开关晶体管所在的第N行栅线之外的栅线，同时，电源线和接地极向所述OLED施加导通信号，驱动所述OLED发光。

8.根据权利要求7所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第N行栅线之外的栅线为第N+1行栅线。

9.根据权利要求8所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，所述步骤1之前还包括：

所述第N行栅线施加高电平，第N行的开关晶体管打开；

数据线提供负电流写入，与所述第N行的开关晶体管源极连接的存储电容进行放电。

10.根据权利要求8所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，在所述步骤1之后还包括：

所述第N+1行栅线施加高电平，第N+1行的开关晶体管打开；

数据线提供负电流写入，与所述第N+1行的开关晶体管源极连接的存储电容进行放电。

11.根据权利要求10所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第N+1行栅线施加高电平的时间ΔT_放电满足：I₂*ΔT_写入＝2*I₃*ΔT_放电，其中，所述ΔT_写入为所述步骤1中的向第N行栅线和第N+1行栅线施加高电平信号的时间，I₂为所述数据电流，I₃为所述负电流。

12.根据权利要求7～11任一所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，

所述步骤1中的电源线和接地极向OLED施加关闭信号具体为：电源线向所述OLED的阳极施加低电平信号，与所述OLED的阴极连接的接地极为低电平信号。

所述步骤2中的电源线和接地极向所述OLED施加导通信号具体为：电源线向所述OLED的阳极施加高电平信号，与所述OLED的阴极连接的接地极为低电平信号。

13.根据权利要求12所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，施加的所述数据电流的值满足以下条件：ΔI∝sqrt(I_data)×(W₂₀₁×W_gate×V_gate-W₂₀₃×L₂₀₃×V_dd)/Cs；其中ΔI为所述数据电流的修正值，I_data是原数据电流值，Cs是存储电容值；W₂₀₁是所述开关晶体管的沟道宽度，W_gate是所述开关晶体管的栅线宽度，V_gate是栅线控制信号电压；W₂₀₃和L₂₀₃分别是所述驱动晶体管的沟道宽度和沟道长度，V_dd是驱动显示时的所述电源线的信号电压。

14.根据权利要求7～11任一所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，

所述步骤1中的电源线和接地极向OLED施加关闭信号具体为：接地极向所述OLED的阴极施加高电平信号，与所述OLED的阳极连接的电源线为高电平信号。

所述步骤2中的电源线和接地极向所述OLED施加导通信号具体为：接地极向所述OLED的阴极施加低电平信号，与所述OLED的阳极连接的电源线为高电平信号。

15.根据权利要求14所述的电流驱动像素电路的驱动方法，其特征在于，施加的所述数据电流的值满足以下条件：

ΔI ∝k1*V_N2*V_N2+k2*V_S1*V_S1，其中k1∝W₄₀₁×W_gate/Cs，其中，ΔI为所述数据电流的修正值，W₄₀₁是所述开关晶体管的沟道宽度，W_gate是所述开关晶体管的栅线宽度，Cs是存储电容值；k2∝W₄₀₃×L₄₀₃/Cs，其中W₄₀₃是所述驱动晶体管的沟道宽度，L₄₀₃是所述驱动晶体管的栅线宽度，Cs是存储电容值；V_S1是接地极信号电压，V_N2是栅线选择信号电压。

16.一种包括权利要求1～6任一所述的电流驱动像素电路的有机发光显示器件，其特征在于，所述电流驱动像素电路形成在阵列基板上，所述阵列基板上横纵交叉设置有多条栅线和数据线，并由该多条栅线和数据线限定了多个上述的电流驱动像素电路；所述阵列基板还包括用于为所述电流驱动像素电路提供电压信号的行驱动芯片和提供电流信号的列驱动芯片，所述有机发光显示器件还包括电路板和用于对所述有机发光显示器件进行封装的封装结构，所述电路板上设置有用于向所述行驱动芯片和列驱动芯片提供时序控制信号的芯片组、电压源和电流源。

17.根据权利要求16所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述阵列基板上的像素电路的OLED器件的阴极连接到接地极，同一行所述电流驱动像素电路的接地极共同连接到所述驱动芯片，以由所述驱动芯片提供统一控制信号。

18.根据权利要求16所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述阵列基板上的像素电路的OLED器件的阳极连接到电源线，同一行所述电流驱动像素电路的电源线共同连接到所述驱动芯片，以由所述驱动芯片提供统一控制信号。