CN116798358A - 像素电路、阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种像素电路、阵列基板和显示装置。所述像素电路包括扫描模块、N个发光单元，扫描模块的第一连接端用于接收数据电压，扫描模块的控制端用于接收扫描信号。每个发光单元包括发光器件、驱动模块以及储能模块。驱动模块的第一连接端用于接收一驱动电压，驱动模块的第二连接端与发光器件的第一极电连接。储能模块与扫描模块的第二连接端、驱动模块的控制端分别电连接。扫描模块响应于扫描信号而导通，各个储能模块通过导通的扫描模块接收数据电压而充电，并向对应的驱动模块的控制端输出对应的充电电压，使得各个驱动模块基于接收到的充电电压驱动对应的发光器件发光。所述像素电路可实现更高的发光亮度。

Description

像素电路、阵列基板和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路、阵列基板和显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)作为一种电流型发光器件，已越来越多地被应用于高性能显示中。由于它自发光的特性，与LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)相比，OLED具有高对比度、超轻薄、可弯曲等诸多优点。但是，OLED的使用寿命和亮度一直存在问题：OLED的发光材料的使用寿命较短，且发光效率较低，其亮度和LCD相比也较低。
发明内容
有鉴于此，本申请的主要目的在于提出像素电路、阵列基板和显示装置，旨在解决现有的OLED显示屏中的OLED的使用寿命较短、发光效率和发光亮度较低的问题。
本申请的第一方面提供一种像素电路，所述像素电路包括扫描模块，所述扫描模块包括第一连接端、第二连接端和控制端，所述扫描模块的第一连接端用于接收数据电压，所述扫描模块的控制端用于接收扫描信号。所述像素电路还包括N个发光单元，N≥2。每个发光单元包括发光器件、驱动模块以及储能模块。所述发光器件包括第一极和第二极，所述发光器件的第二极用于接收参考电压。所述驱动模块包括第一连接端、第二连接端和控制端，所述驱动模块的第一连接端用于接收一驱动电压，所述驱动模块的第二连接端与所述发光器件的第一极电连接。所述储能模块与所述扫描模块的第二连接端、所述驱动模块的控制端分别电连接。其中，所述扫描模块响应于所述扫描信号而导通，各个储能模块通过导通的所述扫描模块接收所述数据电压而充电，并向对应的驱动模块的控制端输出对应的充电电压，从而使得各个驱动模块基于接收到的充电电压驱动对应的发光器件发光。
本申请提供的像素电路，设置一个扫描模块并行驱动N个发光单元，并在每个发光单元中设置储能模块、驱动模块以及发光器件，利用储能模块通过导通的扫描模块接收数据电压进行充电，并向对应的驱动模块输出对应的充电电压，从而使得各个驱动模块基于接收到的充电电压驱动对应的发光器件发光，如此，一个像素电路中设置多个发光器件，可以用更小的驱动电流来实现更高的亮度和更低的材料衰减速率，进而实现更长的使用寿命。此外，通过储能模块调整输出至发光器件的充电电压，使得各个发光器件在相同的数据电压的驱动下实现相同的发光亮度，能够提升各个发光器件的发光的均匀性，从而可以进一步延长各个发光器件的使用寿命，使得各个发光器件能够发挥最大效益。
可选地，各个所述发光单元的控制电压均相等。其中，发光单元的控制电压为该发光单元中的扫描模块的控制端接收到的充电电压与该发光单元中的发光器件的导通电压之间的差值。
可选地，所述N个发光单元包括1个第一发光单元和N-1个第二发光单元。其中，所述第一发光单元中的发光器件的导通电压高于各个所述第二发光单元中的发光器件的导通电压。所述第一发光单元中的储能模块包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述扫描模块的第二连接端、该第一发光单元中的驱动模块的控制端均电连接，所述第一电容的第二端与该第一发光单元中的发光器件的第一极电连接。每个所述第二发光单元中的储能模块包括串联于所述扫描模块的第二连接端和该第二发光单元中的发光器件的第一极之间的第二电容和第三电容，所述第二电容和所述第三电容之间的连接节点与该第二发光单元中的驱动模块的控制端电连接。
可选地，各个所述发光单元均为第二发光单元，其中，每个所述第二发光单元中的储能模块包括串联于所述扫描模块的第二连接端和该第二发光单元中的发光器件的第一极之间的第二电容和第三电容。
可选地，N的取值为2。
可选地，所述扫描模块包括第一开关管，所述驱动模块包括第二开关管。
可选地，所述第一开关管、所述第二开关管的类型包括薄膜晶体管。
可选地，所述发光器件的类型包括有机发光二极管。
本申请的第二方面还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极驱动器、源极驱动器以及若干个上述的像素电路；其中，所述栅极驱动器用于生成扫描信号，所述源极驱动器用于生成数据电压；每个像素电路与所述栅极驱动器、所述源极驱动器分别电连接。
本申请的第三方面还提供一种显示装置，所述显示装置包括外壳、电源模组以及上述的阵列基板；其中，所述电源模组与所述阵列基板电连接，所述电源模组用于为所述阵列基板提供驱动电压、参考电压；所述外壳用于固定所述阵列基板和所述电源模组。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种像素电路的电路图。
图2是图1中的发光器件OLED1和发光器件OLED2的电流-电压特性曲线。
图3是本申请实施例提供的另一种像素电路的结构示意图。
图4是图3所示的像素电路的一种具体示例的电路图。
图5是图4中的发光器件OLED1和发光器件OLED2的结构示意图。
图6是图3所示的像素电路的另一种具体示例的电路图。
图7是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。
主要元件符号说明：
像素电路 100、100'
扫描模块 10
扫描信号 Scan
数据电压 Vdata
发光单元 20
第一发光单元 201
第二发光单元 202
发光器件 23、OLED1、OLED2
驱动模块 22
储能模块 21
驱动电压 VDD
参考电压 VSS
电流信号 S1、S2
驱动电流 I1、I2、I11、I12
第一极 231
第二极 232
第一连接端 101、221
第二连接端 102、222
控制端 103、223
电容 CO1、CO2
第一电容 C1
第二电容 C21、C22
第三电容 C31、C32
开关管 T11、T12
第一开关管 T1
第二开关管 T2
采集模块 Sensor1、Sensor2
阳极 31、41
空穴传输层 32、42
发光层 33、43
电子传输层 34、44
阴极 35、45
阵列基板 1000
非显示区 1001
显示区 1002
栅极驱动器 1010
源极驱动器 1020
外壳 2000
显示装置 1
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参阅图1，为解决现有的OLED显示屏中的OLED的使用寿命较短、发光效率和发光亮度较低的问题，本申请实施例提供一种像素电路100'，所述像素电路100'包括开关管T11、开关管T12、储能电容C11以及发光器件OLED1和发光器件OLED2。
其中，所述像素电路100'用于驱动所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2发光。在本申请实施例中，所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2均为有机发光二极管，在其他实施例中，所述发光器件还可以是LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)、也可以是MicroLED(Micro Light-Emitting Diode，微发光二极管)或MiniLED(Mini Light-Emitting Diode，次毫米发光二极管)。所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2并联，即所述发光器件OLED1的阴极和所述发光器件OLED2的阴极均与参考电压端VSS电连接以接收参考电压VSS，所述发光器件OLED1的阳极和所述发光器件OLED2的阳极均与所述开关管T12的源极电连接，所述开关管T12的漏极用于接收驱动电压VDD，所述开关管T12的栅极与所述开关管T11的源极电连接，所述开关管T11的漏极用于接收数据电压Vdata，所述开关管T11的栅极用于接收扫描信号Scan。所述储能电容C11的第一端电连接于所述开关管T12的栅极，所述储能电容C11的第二端电连接于所述开关管T12的源极。示例性地，所述开关管T11在接收到所述扫描信号Scan时导通，所述数据线121上的数据电压Vdata通过所述开关管T11对所述储能电容C11进行充电，以将所述储能电容C11的第一端的电压调节至所述数据电压Vdata，所述开关管T12基于其栅极接收到的所述数据电压Vdata驱动所述发光器件为OLED发光，此时，所述开关管T12的栅源极电压Vgs＝Vg-Vs＝Vdata-Voled，其中，Voled为所述发光器件OLED1的阳极和所述发光器件OLED2在发光时阳极和阴极之间的导通电压。流过所述开关管T12的驱动电流Ids与所述开关管T12的栅源极电压Vgs存在如下关系：
Ids＝(K/2)(Vgs-Vth)2＝(K/2)(Vdata-Voled-Vth)2
其中，K＝Cox×μ×W/L，Cox为单位面积栅极电容；μ为沟道电子运动的迁移率；W/L为所述开关管T12的沟道的宽长比；Vth为所述开关管T12的阈值电压。
现有的OLED显示装置产品中，OLED的发光亮度与流过其的电流呈正相关关系，但OLED存在最佳驱动电流，当流过OLED的电流长时间超过驱动电流，其衰减速率将加快、使用寿命也将缩短。此外，当流过OLED的电流超过最佳驱动电流，OLED的亮度增加量便会逐渐减小，例如，最佳驱动电流为2uA，流过OLED的电流为1uA时亮度为50nit，流过OLED的电流为2uA时亮度为100nit，流过OLED的电流为4uA时亮度为160nit。那么，当流过所述开关管T12的驱动电流Ids为4uA时，现有的像素电路的发光亮度只能达到160nit。相比而言，采用本实施例中的像素电路100'，当流过所述开关管T12的驱动电流Ids为4uA时，流过所述发光器件OLED1的驱动电流I11和流过所述发光器件OLED2的驱动电流I12分别为2uA，则所述像素电路100'的发光亮度可以达到200nit。因此，本申请提供的像素电路100'能够用更小的驱动电流来实现更高的亮度和更低的材料衰减速率，进而实现更长的使用寿命。
经实验发现，在实际产品中，在所述像素电路100'中，由于所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2的地形不同、封装的绝缘性也不同、阳极和阴极的阻抗也会存在一定的差异，使得两个发光器件的电流-电压特性会存在差异。如图2所示，L1为所述发光器件OLED1的电流-电压特性曲线，L2为所述发光器件OLED2的电流-电压特性曲线，在相同的数据电压Vdata的驱动下，流过所述发光器件OLED1的驱动电流I11和流过所述发光器件OLED2驱动电流I12不相等，如此，导致两个OLED器件的亮度、使用寿命和均匀性都会存在差异，使得两个OLED器件无法发挥最大效益。
请参阅图3，本申请实施例还提供另一种像素电路100。所述像素电路100包括扫描模块10，所述扫描模块10和N个发光单元20，其中，N≥2。
具体地，所述扫描模块10包括第一连接端101、第二连接端102和控制端103，所述扫描模块10的第一连接端101用于接收数据电压Vdata，所述扫描模块10的控制端103用于接收扫描信号Scan。
每个发光单元20包括储能模块21、驱动模块22以及发光器件23。其中，所述发光器件23包括第一极231和第二极232，所述发光器件23的第二极232用于接收参考电压VSS。
所述驱动模块22包括第一连接端221、第二连接端222和控制端223，所述驱动模块22的第一连接端221用于接收一驱动电压VDD，所述驱动模块22的第二连接端222与所述发光器件23的第一极231电连接。
所述储能模块21与所述扫描模块10的第二连接端102、所述驱动模块22的控制端223分别电连接。
其中，所述扫描模块10响应于所述扫描信号Scan而导通，各个储能模块21通过导通的所述扫描模块10接收所述数据电压Vdata而充电，并向对应的驱动模块22的控制端223输出对应的充电电压，从而使得各个驱动模块22基于接收到的充电电压驱动对应的发光器件23发光。
本申请提供的像素电路100，设置一个扫描模块10并行驱动N个发光单元20，并在每个发光单元20中设置储能模块21、驱动模块22以及发光器件23，利用储能模块21通过导通的扫描模块10接收数据电压Vdata进行充电，并向对应的驱动模块22输出对应的充电电压，从而使得各个驱动模块22基于接收到的充电电压驱动对应的发光器件23发光，如此，一个像素电路100中设置多个发光器件23，可以用更小的驱动电流来实现更高的亮度和更低的材料衰减速率，进而实现更长的使用寿命。此外，通过储能模块21调整输出至发光器件23的充电电压，使得各个发光器件23在相同的数据电压Vdata的驱动下实现相同的发光亮度，能够提升各个发光器件23的发光的均匀性，从而可以进一步延长各个发光器件23的使用寿命，使得各个发光器件23能够发挥最大效益。
进一步地，所述发光器件23均为电流型发光器件，例如，所述发光器件23的类型包括有机发光二极管，所述发光器件23的第一极、第二极分别对应于有机发光二极管的阳极、阴极。各个所述发光器件23的发光亮度由其所属的发光单元20的控制电压决定，在本申请实施例中，各个所述发光单元20的控制电压均相等。其中，发光单元20的控制电压为该发光单元20中的扫描模块10的控制端接收到的充电电压与该发光单元20中的发光器件23的导通电压之间的差值。如此，通过所述储能模块21调整输出至发光器件23的充电电压，使得各个所述发光单元20的控制电压均相等，从而使得各个所述发光器件23在相同的数据电压Vdata的驱动下能够实现相同的发光亮度。
在一种实施方式中，所述N个发光单元20包括1个第一发光单元201和N-1个第二发光单元202。其中，所述第一发光单元201中的发光器件23的导通电压高于各个所述第二发光单元202中的发光器件23的导通电压。
示例性的，请参阅图4，图4是图3所示的像素电路100的一种具体示例的电路图。如图4所示，N的取值为2，即所述N个发光单元20包括1个第一发光单元201和1个第二发光单元202。所述第一发光单元201中的发光器件23为OLED2、所述第二发光单元202中的发光器件23为OLED1，其中，发光器件OLED2的导通电压Voled2大于发光器件OLED1的导通电压Voled1，电容CO1为发光器件OLED1的本征电容，电容CO2为发光器件OLED2的本征电容。当然，在其他实施例中，N可以大于2。
进一步地，所述第一发光单元201中的储能模块21包括第一电容C1，所述第一电容C1的第一端与所述扫描模块10的第二连接端102、该第一发光单元201中的驱动模块22的控制端223均电连接，所述第一电容C1的第二端与该第一发光单元201中的发光器件23的第一极231电连接。
每个所述第二发光单元202中的储能模块21包括串联于所述扫描模块10的第二连接端102和该第二发光单元202中的发光器件23的第一极231之间的第二电容C21和第三电容C31，所述第二电容C21和所述第三电容C31之间的连接节点与该第二发光单元202中的驱动模块22的控制端223电连接。
进一步地，所述扫描模块10包括第一开关管T1，所述驱动模块22包括第二开关管T2。具体地，所述第一开关管T1的漏极、源极以及栅极与所述扫描模块10的第一连接端101、第二连接端102以及控制端103一一对应。所述第二开关管T2的漏极、源极以及栅极与所述驱动模块22的第一连接端221、第二连接端222以及控制端223一一对应。
示例性的，所述第一开关管T1、所述第二开关管T2的类型包括薄膜晶体管。在本实施例中，所述第一开关管T1、所述第二开关管T2均为高电平导通的晶体管，例如NMOS管。在另一种实施例中，所述第一开关管T1、所述第二开关管T2均为低电平导通晶体管，例如PMOS管。可以理解的是，将所述第一开关管T1、所述第二开关管T2均设计成同一类型的晶体管，有利于简化所述基板1000的制程，有利于降低加工难度、降低生产成本。当然，在其他实施例中，所述第一开关管T1、所述第二开关管T2也可以采用不同类型的晶体管，此处不作限定。需要说明的是，所述第一开关管T1、所述第二开关管T2可以采用非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)，或者采用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)，又或者采用氧化物半导体薄膜晶体管(Oxide TFT)。其中，氧化物半导体薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(Oxide)，比如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)。示例性地，所述第一开关管T1采用氧化物半导体薄膜晶体管，所述第二开关管T2采用低温多晶硅型晶体管，由于低温多晶硅晶体管的迁移率较高，由此，可以提高所述第二开关管T2的导通速度，进而能够提高像素电路100的反应速度。
工作时，所述第一开关管T1接收到所述扫描信号Scan而导通，所述第一发光单元201中的第一电容C1通过导通的所述第一开关管T1接收所述数据电压Vdata充电，并向对应的第二开关管T2的栅极输出充电电压Vb，此时，Vb＝Vdata。流过所述发光器件OLED2的驱动电流I2与所述充电电压Vb、所述发光器件OLED2的导通电压Voled2之间存在如下关系：
I2＝(K/2)(Vgs-Vth)2＝(K/2)(Vb-Voled2-Vth)2＝(K/2)(Vdata-Voled2-Vth)2
所述第二发光单元202中的第二电容C21和第三电容C31通过导通的所述第一开关管T1接收所述数据电压Vdata充电，并向对应的第二开关管T2的栅极输出充电电压Va，此时，Va＝Vdata*C31/(C21+C31)。流过所述发光器件OLED1的驱动电流I1与所述充电电压Va、所述发光器件OLED1的导通电压Voled1之间存在如下关系：
I1＝(K/2)(Vgs-Vth)2＝(K/2)(Va-Voled1-Vth)2＝(K/2)(Vdata*C31/(C21+C31)-Voled1-Vth)2
在本申请实施例中，所述第一发光单元201的控制电压与所述第二发光单元202的控制电压相等，即Vb-Voled2＝Va-Voled1，也即Vdata*C31/(C21+C31)-Voled1＝Vdata-Voled2。因此，I1＝I2，从而，可以使得所述发光器件OLED1和发光器件OLED2的发光亮度相同。
可选地，所述像素电路100还包括N个采集模块，所述N个采集模块与N个发光单元20一一对应，每个采集模块与对应的发光器件23的第一极电连接，用于采集流过该发光器件23的电流。例如图4所示，采集模块Sensor1与发光器件OLED1的阳极电连接，用于采集流过发光器件OLED1的驱动电流I1，得到电流信号S1。采集模块Sensor2与发光器件OLED2的阳极电连接，用于采集流过发光器件OLED2的驱动电流I2，得到电流信号S2。如此，在制作阶段，工程师可以根据电流信号S1和电流信号S2对所述第二电容C21和所述第三电容C31的电容值进行调整，使得驱动电流I1和驱动电流I2相等。
进一步地，请参阅图5，图5是图4中的发光器件OLED1和发光器件OLED2的结构示意图。在本申请实施例中，所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2垂直分布，即所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2层叠设置。具体地，所述发光器件OLED1包括依次层叠的阳极31、空穴传输层32、发光层33、电子传输层34以及阴极35，所述发光器件OLED2包括依次层叠的阳极41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44以及阴极45。其中，所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2之间通过封装层50隔离，具体地，所述发光器件OLED2的阴极45和所述发光器件OLED1的阳极31分别层叠于所述封装层50的相对两侧面。在本申请实施例中，铟锡氧化物(Indium TinOxide，ITO)玻璃透明电极作为有发光器件的阳极，金属电极作为发光器件的阴极。工作时，发光器件的阴极接收所述参考电压VSS，发光器件的阳极通过导通的所述第二开关管T2接收所述驱动电压VDD。在所述驱动电压VDD和所述参考电压VSS的作用下，电子从发光器件的阴极经由电子传输层传输至发光层，空穴从发光器件的阳极经由空穴传输层传输至发光层。之后，电子和空穴在发光层相遇后产生激子，让发光分子激发，经过辐射后发光。
如此，所述发光器件OLED1和所述发光器件OLED2发出的光线叠加，使得所述像素电路100能够在不增加布设面积的情况下提升发光亮度，有利于实现高分辨率。
在另一种实施方式中，各个所述发光单元20均为第二发光单元202，其中，每个所述第二发光单元202中的储能模块21包括串联于所述扫描模块10的第二连接端和该第二发光单元202中的发光器件23的第一极之间的第二电容和第三电容。
示例性的，请参阅图6，图6是图3所示的像素电路100的另一种具体示例的电路图。如图5所示，N的取值为2，即所述N个发光单元202包括2个第二发光单元202。在其中一个第二发光单元202中，发光器件23为OLED1，第二电容为C21，第三电容为C31。在另一个第二发光单元202中，发光器件23为OLED2，第二电容为C22，第三电容为C32。其中，电容CO1为发光器件OLED1的本征电容，电容CO2为发光器件OLED2的本征电容。当然，在其他实施例中，N可以大于2。
在本实施例中，所述扫描模块10、所述驱动模块22、所述发光器件OLED1以及所述发光器件OLED2的电路结构已经在图4所示的实施例中进行详细地介绍，此处不再赘述。
工作时，所述第一开关管T1接收到所述扫描信号Scan而导通，一个第二发光单元202中的第二电容C21和第三电容C31通过导通的所述第一开关管T1接收所述数据电压Vdata充电，并向对应的第二开关管T2的栅极输出充电电压Va，此时，Va＝Vdata*C31/(C21+C31)。流过所述发光器件OLED1的驱动电流I1与所述充电电压Va、所述发光器件OLED1的导通电压Voled1之间存在如下关系：
I1＝(K/2)(Vgs-Vth)2＝(K/2)(Va-Voled1-Vth)2＝(K/2)(Vdata*C31/(C21+C31)-Voled1-Vth)2
另一个第二发光单元202中的第二电容C22和第三电容C32通过导通的所述第一开关管T1接收所述数据电压Vdata充电，并向对应的第二开关管T2的栅极输出充电电压Vb，此时，Vb＝Vdata*C32/(C22+C32)。流过所述发光器件OLED2的驱动电流I2与所述充电电压Vb、所述发光器件OLED2的导通电压Voled2之间存在如下关系：
I2＝(K/2)(Vgs-Vth)2＝(K/2)(Vb-Voled2-Vth)2＝(K/2)(Vdata*C32/(C22+C32)-Voled2-Vth)2
在本申请实施例中，两个第二发光单元202的控制电压相等，即Vb-Voled2＝Va-Voled1，也即Vdata*C31/(C21+C31)-Voled1＝Vdata*C32/(C22+C32)-Voled2。因此，I1＝I2，从而，可以使得所述发光器件OLED1和发光器件OLED2的发光亮度相同。
可选地，所述像素电路100还包括N个采集模块，所述N个采集模块与N个发光单元20一一对应，每个采集模块与对应的发光器件23的第一极电连接，用于采集流过该发光器件23的电流。例如图6所示，采集模块Sensor1与发光器件OLED1的阳极电连接，用于采集流过发光器件OLED1的驱动电流I1，得到电流信号S1。采集模块Sensor2与发光器件OLED2的阳极电连接，用于采集流过发光器件OLED2的驱动电流I2，得到电流信号S2。如此，在制作阶段，工程师可以根据电流信号S1和电流信号S2对所述第二电容C21、所述第二电容C22、所述第三电容C31以及所述第三电容C32的电容值进行调整，使得驱动电流I1和驱动电流I2相等。
请参阅图7，基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种阵列基板1000，所述阵列基板1000包括栅极驱动器1010、源极驱动器1020以及若干个上述任一实施例中的像素电路100。其中，所述栅极驱动器用于生成扫描信号Scan，所述源极驱动器1020用于生成数据电压Vdata，每个像素电路100与所述栅极驱动器1010、所述源极驱动器1020分别电连接。
进一步地，所述阵列基板1000包括显示区1002和环绕所述显示区1002设置的非显示区1001，若干个所述像素电路100设置在所述显示区1002中，所述栅极驱动器1010和所述源极驱动器1020设置在所述非显示区1001中。
请再次参阅图7，基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置1，所述显示装置1包括外壳2000、电源模组(图中未示)以及上述的阵列基板1000。其中，所述电源模组与所述阵列基板1000电连接，所述电源模组用于为所述阵列基板1000提供驱动电压VDD、参考电压VSS。所述外壳2000用于固定所述阵列基板1000和所述电源模组。
示例性的，所述显示装置可以是笔记本电脑显示屏、液晶显示器、液晶电视、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
本申请提供的阵列基板1000和显示装置1，通过在像素电路100中设置一个扫描模块10并行驱动N个发光单元20，并在每个发光单元20中设置储能模块21、驱动模块22以及发光器件23，利用储能模块21通过导通的扫描模块10接收数据电压Vdata进行充电，并向对应的驱动模块22输出对应的充电电压，从而使得各个驱动模块22基于接收到的充电电压驱动对应的发光器件23发光，如此，一个像素电路100中设置多个发光器件23，可以用更小的驱动电流来实现更高的亮度和更低的材料衰减速率，进而实现更长的使用寿命。此外，通过储能模块21调整输出至发光器件23的充电电压，使得各个发光器件23在相同的数据电压Vdata的驱动下实现相同的发光亮度，能够提升各个发光器件23的发光的均匀性，从而可以进一步延长各个发光器件23的使用寿命，使得各个发光器件23能够发挥最大效益。
尽管已经示出和描述了本申请的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种像素电路，包括扫描模块，所述扫描模块包括第一连接端、第二连接端和控制端，所述扫描模块的第一连接端用于接收数据电压，所述扫描模块的控制端用于接收扫描信号；其特征在于，所述像素电路还包括N个发光单元，N≥2；
每个发光单元包括：
发光器件，包括第一极和第二极，所述发光器件的第二极用于接收参考电压；
驱动模块，包括第一连接端、第二连接端和控制端，所述驱动模块的第一连接端用于接收一驱动电压，所述驱动模块的第二连接端与所述发光器件的第一极电连接；以及
储能模块，所述储能模块与所述扫描模块的第二连接端、所述驱动模块的控制端分别电连接；
其中，所述扫描模块响应于所述扫描信号而导通，各个储能模块通过导通的所述扫描模块接收所述数据电压而充电，并向对应的驱动模块的控制端输出对应的充电电压，从而使得各个驱动模块基于接收到的充电电压驱动对应的发光器件发光。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，各个所述发光单元的控制电压均相等；其中，发光单元的控制电压为该发光单元中的扫描模块的控制端接收到的充电电压与该发光单元中的发光器件的导通电压之间的差值。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述N个发光单元包括1个第一发光单元和N-1个第二发光单元；其中，所述第一发光单元中的发光器件的导通电压高于各个所述第二发光单元中的发光器件的导通电压；
所述第一发光单元中的储能模块包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述扫描模块的第二连接端、该第一发光单元中的驱动模块的控制端均电连接，所述第一电容的第二端与该第一发光单元中的发光器件的第一极电连接；
每个所述第二发光单元中的储能模块包括串联于所述扫描模块的第二连接端和该第二发光单元中的发光器件的第一极之间的第二电容和第三电容，所述第二电容和所述第三电容之间的连接节点与该第二发光单元中的驱动模块的控制端电连接。
4.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，各个所述发光单元均为第二发光单元，其中，每个所述第二发光单元中的储能模块包括串联于所述扫描模块的第二连接端和该第二发光单元中的发光器件的第一极之间的第二电容和第三电容。
5.如权利要求1-4任意一项所述的像素电路，其特征在于，N的取值为2。
6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述扫描模块包括第一开关管，所述驱动模块包括第二开关管。
7.如权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关管、所述第二开关管的类型包括薄膜晶体管。
8.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光器件的类型包括有机发光二极管。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括：
栅极驱动器，用于生成扫描信号；
源极驱动器，用于生成数据电压；以及
若干个如权利要求1至8任意一项所述的像素电路，每个像素电路与所述栅极驱动器、所述源极驱动器分别电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
外壳；
电源模组；以及
如权利要求9所述的阵列基板，与所述电源模组电连接；其中，所述电源模组用于为所述阵列基板提供驱动电压、参考电压；所述外壳用于固定所述阵列基板和所述电源模组。
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