CN102650388B - 照明设备 - Google Patents

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Abstract

照明设备包括底座单元；以及发光单元。所述发光单元包括：基底、发光装置、以及反射层。所述基底围绕第一轴设置，所述第一轴沿从所述底座单元朝向所述发光单元的方向。所述基底包括具有从上向下开口的管状配置的部分。所述管状部分包括围绕所述第一轴与多个反射侧表面交替布置的多个光发射侧表面。所述发光装置设置在所述多个光发射侧表面中的每一个上。所述反射层设置在所述多个反射侧表面中的每一个上。所述反射层配置为反射从所述发光装置发射的光的至少部分。

Description

照明设备
相关申请的交叉引用
此申请基于2011年2月28日提交的在先的日本专利申请No.2011-042630并要求该申请的优先权益；于此通过引用并入了该申请的全部内容。
技术领域
于此描述的实施例总体涉及照明设备。
背景技术
使用诸如发光二极管(LED)等的半导体发光装置的照明设备引起了注意。因为从半导体发光装置辐射的光具有高的以直线传播的趋势，所以使用半导体发光装置的照明设备的光分布角窄。具有宽的光分布角的实用的照明设备是期望的。
发明内容
本发明的一方面的优点是提供具有宽光分布角的照明设备。
根据一个实施例，照明设备包括底座单元以及发光单元。所述发光单元包括：基底、发光装置、以及反射层。所述基底围绕第一轴设置，所述第一轴沿从所述底座单元朝向所述发光单元的方向。所述基底包括具有从上向下开口的管状配置的部分。所述管状部分包括围绕所述第一轴与多个反射侧表面交替布置的多个光发射侧表面。所述发光装置设置在所述多个光发射侧表面中的每一个上。所述反射层设置在所述多个反射侧表面中的每一个上。所述反射层配置为反射从所述发光装置发射的光的至少部分。
根据以上配置，能够提供具有宽光分布角的照明设备。
附图说明
图1A和图1B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；
图2A和图2B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；
图3A和3B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；
图4A和4B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性横截面视图；
图5是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性平面视图；
图6A至6C是示例根据实施例的照明设备的操作的示意性视图；
图7A至7C是示例第一参考范例的照明设备的配置的示意性视图；
图8A和8B是示例第二参考范例的照明设备的配置的示意性视图；
图9A至9C是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；
图10A至10D是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；以及
图11A和图11B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。
具体实施方式
现在将参照附图描述实施例。
附图是示意性的或概念上的，并且部分的厚度和宽度之间的关系、部分间的尺寸比例等不必与其真实值相同。此外，甚至对于相同的部分，也可以在附图中不同地示例大小和比例。
附图中，相同参考数字分别表示相同或类似的部分。
实施例
图1A和图1B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。
图1A是透视图；且图1B是平面视图。
如图1A中示例的，根据实施例的照明设备110包括底座(base)单元20和发光单元10E。发光单元10E设置在底座单元20上。图1B中省略了底座单元20。
将从底座单元20朝向发光单元10E的方向视为Z轴方向。将垂直于Z轴的一个轴视为X轴。将垂直于Z轴和X轴的轴视为Y轴。例如，将垂直于Z轴并且沿Z轴观看时通过外接发光单元10E的圆的中心的轴视为中心轴Z0。
如图1A和1B中示例的，发光单元10E包括基底10、发光装置11a、以及反射层12a。
基底10包括具有管状配置的部分。管状部分围绕沿Z轴方向的一个轴(第一轴)设置。第一轴是例如中心轴Z0。管状部分从上方向下开口。换句话说，基底10的上部的直径(X-Y平面中的宽度)小于基底10的下部的直径(X-Y平面中的宽度)。
管状部分包括多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12。多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12围绕第一轴(例如中心轴Z0)交替布置。
多个光发射侧表面11中的每一个基本是例如平面。多个反射侧包面12中的每一个基本是例如平面。
发光装置11a设置在多个发光侧表面11中的每一个上。如以下描述的，一个或多个发光装置11a设置在一个光发射侧表面11上。
反射层12a设置在多个反射侧表面12中的每一个上。反射层12a反射至少部分从发光装置11a发射的光。
因为管状部分从上向下开口，所以多个光发射侧表面11中的每一个相对于中心轴Z0倾斜。还有，多个反射侧表面12中的每一个相对于中心轴Z0倾斜。
图2A和图2B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。
图2A是侧视图；图2B是沿图1A和图2A的线A1-A2的横截面视图。
如图2A中示例的，作为光发射侧表面11的延伸部分的向上延伸的平面与中心轴Z0在例如交点P1处相交。光发射侧表面11和中心轴Z0之间的角度视为倾斜角α。倾斜角α例如不小于10度并且不大于40度。在此范例中，倾斜角α为11.3度。
基底10可以包括例如柔性基底。多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12安置于柔性基底中。其上设置发光装置11a的侧表面是光发射侧表面11。其上主要设置反射层12a的侧表面是反射侧表面12。柔性基底在光发射侧表面11和反射侧表面12之间的边界处弯曲。由此，形成了基底10的管状部分。
换句话说，如图2B中示例的，围绕中心轴Z0设置基底10的管状部分(多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12).
发光装置11a可以包括例如半导体发光装置。具体地，发光装置11a包括LED。例如，发光装置11a包括LED芯片。还有，可以使用包括多个LED芯片的LED封装(包括LED模块等)。
反射层12a包括例如白树脂层。反射层12a包括例如树脂和散布于树脂中的微细颗粒(例如，对可见光具有散射性质的颗粒)。例如，多个微细颗粒散布于树脂中。树脂包括例如硅树脂。微细颗粒包括例如选自以下材料构成的组中的至少之一：氧化铝、氧化钛、钛酸钙、硫化锌、钛酸钡、钛酸钙、以及硫酸钡。
图3A和图3B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。
图3A是示例根据实施例的照明设备的总体配置的范例的侧视图。图3B是示例根据实施例的照明设备的部分的部件的配置的侧视图。
如图3A中示例的，照明设备110还可以包括主体30、底帽(base cap)50、以及外壳60。
底座单元20布置于主体30上。例如，配置为驱动发光装置11a的电源单元(未示例)包含于主体30的内部。底帽50安装至主体30的下部。为供应至发光单元10E的电流的起源的电流经由底帽50供应至照明设备110。底帽50还用于将照明设备110固定至其它器具。
外壳60示例如球体。外壳60覆盖发光单元10E的上部和侧部。换句话说，外壳60覆盖发光单元10E的除连接至底座单元20的部分以外的部分。
底座单元20通过底座单元固定构件28固定至例如主体30。底座单元固定构件28包括例如螺钉等。图1A和图1B省略了底座单元固定构件28。
发光单元10E安装在例如设置在底座单元20上的支架(pedestal)25上。图1A和1B省略了支架25。
图3B示例支架25的配置。如图3B中示例的，支架25的上部的宽度小于下部的宽度。支架25的侧表面设计为接触基底10的背侧表面。基底10的背侧表面是与光发射侧表面11相对的表面和与反射侧表面12相对的侧表面。在例如基底10和支架25之间设置具有高热传导率的粘性片。由此，基底10和支架25彼此热耦合。
在此范例中，基底10通过例如诸如螺钉等的固定构件固定至支架25。例如，基底固定单元27(例如螺钉孔等)设置在支架25的下部中；并且基底10通过图2A中示例的基底固定构件26(例如螺钉等)固定至支架25。图1A和图1B省略了基底固定构件26。
例如，在基底10上的发光装置11a处生成的热经由支架25散掉。支架25包括例如尽速。支架25包括例如铝。由此，能够改善散热。
虽然在这些附图中示例的照明设备110中存在四个光发射侧表面11和四个反射侧表面12，但是光发射侧表面11的数量和反射侧表面12的数量是任意的。
在此范例中，光发射侧表面11是矩形；并且反射侧表面12是三角形。然而，实施例不限于以下描述的。
图4A和图4B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性横截面视图。
即，图4A示例沿图2A的线A1-A2的横截面的部分。图4B示例沿图2A的线A3-A4的横截面的部分。
如图4A和图4B中示例的，基底10被弯曲。基底10包括例如诸如聚酰亚胺树脂等的柔性基底。
基底10的设置有光发射侧表面11的发光装置11a的侧上的表面和基底10的设置有反射侧表面12的反射层12a的侧上的表面称作外表面。与外表面相对的侧上的表面称作内表面。
导电层14设置在基底10的外表面的部分上。例如，导电层14的部分用作光发射侧表面11上的电极层14a。电极层14a电连接至发光装置11a。电极层14a与发光装置11a之间的电连接可以是直接连接，可以借助于连接构件(例如，接合线等)连接，并且可以是任何配置的连接。例如，导电层14的另一部分用作反射侧表面12上的互连层14b。互连层14b连接至例如电极层14a。从而，发光单元10E可以还包括设置在反射侧表面12上的互连层14b。互连层14b电连接至发光装置11a。多个光发射侧表面11的电极层14a可以通过反射侧表面12的互连层14b彼此连接。
导电层14包括例如设置在基底10上的铝层。铝层由例如箔形成。导电层14可以具有设置在基底10上的铜层、设置在铜层上的镍层以及设置在镍层上的铝层构成的叠层结构。或，导电层14可以具有例如设置在基底10上的铜层、设置在铜层上的镍层、设置在镍层上的钯层、以及设置在钯层上的铝层构成的叠层结构。在铝层设置在镍层或钯层上的情况下，使用例如溅射等形成铝层。然而，实施例不限于此。导电层14的配置和导电层14的材料是任意的。
通过使用银层作为导电层14的上层获得了高反射率。该银层可以设置在例如整个导电层14上。可以从例如导电层14的布置发光装置11a(以及连接至发光装置11a的互连部)的部分(光被遮蔽的部分)省略该银层。
发光装置11a设置在光发射侧表面11上。在此范例中，发光装置11a设置在电极层14a上。
例如，在LED芯片用作发光装置11a的情况下，LED芯片的电极(或电连接至LED芯片的电极的连接构件)连接至电极层14a的部分。例如，在LED封装用作发光装置11a的情况下，LED封装的电极连接至电极层14a。
发光单元10E还可以包括波长转换层11b。波长转换层11b设置在多个光发射侧表面11上并覆盖发光装置11a的发光层。波长转换层11b吸收从发光装置11a的发光层发射的光的至少部分并发射波长与发射的光的波长的不同的光。波长转换层11b可以包括例如荧光剂层。在LED芯片用作发光装置11a的情况下，发光装置11a的发光层对应于包括在LED芯片中的层(半导体叠层体)。
例如，发光装置11a的发光层发射相对短的波长的光。波长转换层11b吸收发射的光的部分并将发射的光转换为长波长的光。由此，照明设备110发射例如白光。白光包括带紫色的白光、带蓝色的白光、带绿色的白光、带黄色的白光、以及带红色的白光。
在LED封装用作发光装置11a的情况下，存在发光装置11a的发光层(LED芯片的半导体发光层)和覆盖发光层的荧光层(对应于波长转换层)设置在LED封装内部的许多情况。
发光单元10E还包括外边缘层11c。外边缘层11c沿多个光发射侧表面11中的每一个的外边缘设置。波长转换层11b填充到多个光发射侧表面11中的每一个的外边缘层11c的内侧中。例如，首先，外边缘层11c形成于光发射侧表面11上；并且通过将波长转换层11b填充到周围设置外边缘层11c的区域中，随后形成波长转换层11b。由此，能够以高精度和生产率形成波长转换层11b。
外边缘层11c包括例如透射可见光等的树脂。例如，由于波长转换层11b，从发光装置11a发射的光变为白光。该光(白光)从波长转换层11b的上表面发射到外部并通过外边缘层11c发射到外部。
可以通过与用于波长转换层11b的材料相同的材料形成外边缘层11c。外边缘层11c可以不包括波长转换层。可以在形成外边缘层11c后填充波长转换层11b。此外，可以通过成批处理形成波长转换层11b和外边缘层11c。
反射层12a设置在反射侧表面12上。反射层12a覆盖互连层14b的至少部分。
如图4A和图4B中示例的，反射层12a可以不仅设置在反射侧表面12上，而且设置在光发射侧表面11的部分中。例如，反射层12a可以包括从反射侧表面12延伸到光发射侧表面11的外边缘部分的至少部分上的部分。由此，能够更有效地反射光。
散热层13设置在基底10的内表面上。反射侧表面12布置在散热层13与反射层12a之间。散热层13包括例如金属。散热层13包括例如诸如铜、铝等的材料。散热层13将在发光装置11a处生成的热朝向其上布置发光单元10E的支架25传导。通过设置散热层13改善了散热。
图5是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性平面视图。
图5示例基底10被形成为管状配置之前的状态。换句话说，此图示例基底10未折叠的状态。
如图5中示例的，基底10作为整体具有基本扇状的配置。例如，矩形光发射侧表面11与三角形反射侧表面12围绕一个中心点交替并置。通过使用该配置，通过歪曲基底10来形成管状部分。从而，连续地设置基底10的光发射侧表面11和反射侧表面12。由此，通过互连层14b将光发射侧表面11的电极层14a彼此连接，无需使用其它互连部。
如图5中示例的，在光发射侧表面11的外边缘部分上设置外边缘层11c。波长转换层11b设置在周围设置有外边缘层11c的区域的内部。
如图5中示例的，例如，上孔10u设置在光发射侧表面11的上侧中；并且为通孔的下孔101设置在光发射侧表面11的下侧中。在此范例中，下孔101设置在反射侧表面12的下部中。在此范例中，反射层12a延伸到光发射侧表面11的下部上(例如，反射侧表面12的设置下孔101的高度处的部分)。使用上孔10u和下孔101通过例如基底固定构件26(螺钉等)将基底10固定至支架25。从而，发光单元10E通过通孔(在此范例中，下孔101)固定至底座单元20。
图6A至图6C是示例根据实施例的照明设备的操作的示意性视图。在如图6A和图6B中示例的照明设备110中，第一光L1从光发射侧表面11的主表面(例如，从波长转换层11b的主表面)发射。第二光L2从光发射侧表面11(例如，从外边缘层11c)在侧表面的方向发射。第二光L2主要沿平行于光发射侧表面11的方向(侧表面方向)发射。
如图6C示例的，第二光L2的部分朝向反射侧表面12传播，并且被反射层12a反射成为第三光L3。
从而，在根据实施例的照明设备110中，由于发射第一至第三光L1至L3，所以光分布角宽。换句话说，在宽的范围上辐射均匀的光。
如上所述，照明设备10包括设置有发光装置11a的光发射侧表面11和设置有发光装置11a的反射侧表面12。由此，设计的灵活性增大。还有，制造工艺的各种约束更少，并且制造更容易。
例如，连接至发光装置11a的电极(电极层14a)的电连接端子能够设置在反射侧表面12的末端上而不是光发射侧表面11上。由此，例如，能够释放(enlarge)光发射侧表面11上其中布置发光装置11a的区域。换句话说，通过分开的光发射侧表面11和反射侧表面12增大了光发射侧表面11内部的设计的自由度。
用于固定的区域(例如，设置图5中示例的下孔101等的区域)设置在基底10中，用于将基底10安装至支架25(或底座单元20)。在该情况下，在实施例中，用于固定的此区域能够设置在反射侧表面12上，而不是在光发射侧表面11上。因为诸如发光装置11a等的功能装置未设置在反射侧表面12上，所以放松了与基底固定的以避免对功能装置的负作用相关的约束。
还有，例如，当在将基底单元20固定至主体30的工艺中联接用于固定的螺钉(基底单元固定构件28)时，通过将螺钉的安装部分设定为对应于反射侧表面12的部分，减小了在安装操作期间刮擦光发射侧表面11的发光装置11a的风险。还有，减小了在此工艺中刮擦波长转换层11b、外边缘层11c等的风险。换句话说，降低了对制造工艺的约束。
从而，在实施例中，增大了光发射侧表面11的设计、电连接的设计、用于固定基底10的设计等的灵活性。于是，能够增大基底10的固定工艺和底座单元20的固定工艺的容限。结果，能够减小照明设备110的尺寸。从而，实施例的实用可用性高。
图7A至图7C是示例第一参考范例的照明设备的配置的示意性视图。
图7A示例第一参考范例的照明设备119a的发光单元10E。这些附图中省略了基底单元20。图7B示例基底10未折叠的状态。图7C示例整个照明设备119a的配置。
虽然发光单元10E的基底10在如图7A至7C中示例的照明设备119a中具有管状配置，但是上部的直径(宽度)等于下部的直径(宽度)。仅设置光发射侧表面11；并且不设置反射侧表面。光发射侧表面11平行于中心轴Z0并且不倾斜。
如图7A中示例的，在该情况下，第一光L1从光发射侧表面11发射；并且第二光L2从侧表面发射。第一光L1主要沿X-Y平面传播。第二光L2沿Z轴传播。因此，例如，在发光单元10E的中心以上存在第一光L1和第二光L1不进入(或光的强度弱)的区域。因此，照明设备119a的亮度不均匀。
在如图7B中示例的照明设备119a中，多个光发射侧表面11以径向配置布置在基底10未折叠的状态(即将基底10形成为管状配置之前的状态)。在多个光发射侧表面11之间存在围绕径向配置的中心布置的空间。在连续设置基底10的情况下，此空间是从用于形成基底10的板去除的部分。换句话说，材料使用效率低。在通过组合用于形成光发射侧表面11的多个板来形成基底10的情况下，形成基底10的工艺是必须的；工艺是复杂的；并且生产率低。
从而，在第一参考范例的照明设备119a中，亮度不均匀。还有，材料使用效率低；或工艺复杂并且生产率低。因为四个侧表面中的每一个是光发射侧表面11，所以设计的灵活性低；并且制造工艺的容限也低。换句话说，实用可用性低。
相反地，在根据实施例的照明设备110中，光发射侧表面11和反射侧表面12相对于Z轴倾斜；并且，例如从第二光L2和第一光L1中选择的至少之一进入发光单元10E的中心以上的区域。此外，通过使用在反射层12a处反射的第三光L3，有效地反射了光；并且光进一步传开。从而，在实施例中，光分布角能够宽。
如图5中示例的，在基底10未折叠的状态，基底10作为整体具有基本扇状的配置；并且光发射侧表面11和反射侧表面12是连续的并且成整体。因此，材料使用效率高；处理容易；并且生产率高。于是，设计的灵活性高；并且制造工艺的容限也宽。
从而，根据实施例，能够提供具有宽光分布角的实用照明设备。
图8A和图8B是示例第二参考范例的照明设备的配置的示意性视图。
图8A是示意性透视视图；以及图8B是示意性平面视图。
在如图8A和8B中示例的第二参考范例的照明设备119b中，基底10的管状部分从上向下开口。即，管状部分具有截平的八边形棱锥配置(截平的多边形棱锥配置)。仅设置光发射侧表面11；并且不设置光反射侧表面。每个光发射侧表面11是梯形。在这些梯形中，上侧的长度比下侧的长度显著短。光发射侧表面11相对于Z轴倾斜。
在照明设备119b中，因为光发射侧表面11倾斜，所以存在可以获得宽光分布角的可能性。然而，照明设备119b的实用可用性不足。即照明设备119b的每个侧表面是光发射侧表面11。因此，设计的灵活性低；并且制造工艺的容限也低。
已经作为常规LED电灯泡提出了如第一参考范例中那样的光发射侧表面11平行于中心轴的配置。为了增大该配置的光的均匀性，存在其中光发射侧表面11如第二参考范例中那样倾斜的配置。在该常规配置中，基底10的每个侧表面是光发射侧表面11。
然而，根据发明人的研究，获悉以上记载的配置的实用可用性不足。换句话说，为了使LED电灯泡更实用，获悉必须增大光发射侧表面、电连接、以及基底固定的设计的灵活性并增大制造工艺的容限。关于这些点，常规配置是不足的。通过集中于该实用可用性，发明人发现了新问题。实施例的配置解决了这些问题。换句话说，根据实施例，能够设置照明设备，其中，照明设备具有宽光分布角、生产率高、设计的灵活性高、并且工艺的容限宽。
在实施例中，通过光发射侧表面11为矩形(接近矩形的梯形)照明设备11a能够更合适地布置在光发射侧表面11的内部。换句话说，在多个发光装置11a设置在一个光发射侧表面11上的情况下，期望以例如均匀间隔布置多个发光装置11a。由此，提高了安装发光装置11a(包括，例如LED芯片的安装、引线接合以及LED封装的安装等)的效率。
在其中管状部分具有截平的多边形棱锥配置并且光发射侧表面为梯形的照明设备119b中，在发光装置11a的间隔恒定的情况下，在光发射侧表面11的内部的竖直方向上并置的发光装置11a的数量必须改变。例如，在在竖直方向上并置的发光装置11a串联连接的情况下，亮度不期望地按列不同，因为串联连接的发光装置11a的数量不同。因此，亮度不均匀。
相反，在如图8A和8B示例的照明设备119b中，在光发射侧表面11的上部的发光装置11a的间隔比下部的发光装置11a的间隔小的情况下，安装发光装置11a的效率降低。于是，因为发光装置11a的间隔在上部处小，所以存在温度在光发射侧表面11的上部处过度升高的情况。
相反，在根据实施例的照明设备110中，在光发射侧表面11为矩形或接近矩形的梯形的情况下，能够以均匀间隔布置多个发光装置11a。由此，安装发光装置11a的效率高。因为不存在发光装置11a的间隔过度小的部分，所以抑制了过度的温度升高。
换句话说，在实施例中，能够通过反射侧表面12的设计容易地修改光发射侧表面11的倾斜角。因此，在光发射侧表面11内部的设计中，能够将发光装置11a设计为最佳地布置。换句话说，结果，因为能够独立地设计倾斜角和光发射装置11a的布置，所以能够通过简单的设计，实现极优的光发射特性。相反，例如，在第二参考范例中，难以实现发光装置11a的最佳倾斜和最佳布置，因为这些功能不是分开的。从而，根据实施例，能够提供具有宽光分布角的实用照明设备。
图9A至图9C是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。
这些附图示例光发射侧表面11的发光装置11a的布置的范例。
在根据如图9A中示例的实施例的照明设备110a中，在一个光发射侧表面11中设置六个发光装置11a。在此范例中，在竖直方向上并置的三个发光装置11a通过互连部11ie串联连接。具有三个连接的发光装置11a的电路的一端连接至上电极11ue。电路的另一端连接至下电极11le。多个列(三个发光装置11a的列)设置在两个电极之间。每列的发光装置11a的数量相同(在此范例中为三个)。例如，电极层14a(导电层14)用于上电极11ue和下电极11le。
在根据如图9B中示例的实施例的照明设备110b中，三十个发光装置11a设置在一个光发射侧表面11中。在此范例中，在竖直方向上并置的十个发光装置11a通过互连部11ie串联连接。三个列(在此范例中，列包括十个发光装置11a)设置在上电极11ue与下电极11le之间。一列的发光装置11a的数量相同(在此范例中为十个)。
从而，在实施例中，例如，将发光装置11a多重设置在多个光发射侧表面11中的每一个中。期望以均匀间隔布置多个光发射侧表面11中的每一个的多个发光装置。由此，获得了高生产率。
在发光装置11a多重设置在光发射表面11中的每一个中的情况下，第一组多个发光装置11a彼此串联连接；并且第二组多个发光装置11a彼此串联连接。包括在第一组中的发光装置11a的数量基本与包括在第二组中的发光装置11a的数量相同。换句话说，串联连接的发光装置11a的数量相同。由此，第一组的亮度与第二组的亮度相同。换句话说，获得了均匀亮度。
在光发射侧表面11中，在竖直方向上并置的发光装置11a的数量是任意的。还有，在横向方向上并置的发光装置11a的数量是任意的。
如图9C中示例的，一个发光装置11a可以设置在一个光发射侧表面11中。
也在照明设备110a至110c中，能够设置具有宽光分布角的实用照明设备。
虽然图5中示例的范例中，下孔101设置在反射侧表面12的下部中，但是实施例不限于此。例如，下孔101可以设置在光发射侧表面11的部分中。用于将基底安装至底座单元20的方法是任意的。
现在将描述根据实施例的光发射侧表面11和反射侧表面12的配置的范例。
如图1A中示例的，例如，将多个光发射侧表面11中的一个视为第一光发射侧表面11a。将多个反射侧表面12中的一个视为第一反射侧表面12A。
第一光发射侧表面11A沿垂直于第一轴(例如中心轴Z0)的方向具有光发射侧表面宽度。在上部(例如上端)处的光发射侧表面宽度是光发射侧表面上部宽度11uw。在下部(例如下端)处的光发射侧表面宽度是光发射侧表面下部宽度11lw。
第一反射侧表面12A沿垂直于第一轴的方向具有反射侧表面宽度。在上部(例如上端)处的反射侧表面宽度是反射侧表面上部宽度12uw。在下部(例如下端)处的反射侧表面宽度是反射侧表面下部宽度12lw。
在实施例中，光发射侧表面上部宽度11uw与光发射侧表面下部宽度11lw的比大于反射侧表面上部宽度12uw与反射侧表面下部宽度12lw的比。
图10A至图10D是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。
这些附图示例光发射侧表面11和反射侧表面12的平坦配置的范例。
在如图10A和图10B中示例的以上描述的照明设备110中，光发射侧表面11是矩形；并且反射侧表面12是三角形。在该情况下，反射侧表面上部宽度12uw(例如上端的宽度)与反射侧表面下部宽度12lw(例如下端的宽度)的比为0。换句话说，光发射侧表面上部宽度11uw与光发射侧表面下部宽度11lw的比比反射侧表面上部宽度12uw与反射侧表面下部宽度12lw的比高。
虽然照明设备110的光发射侧表面11的配置为矩形，但是光发射侧表面11的配置包括具有圆角的矩形。还有，光发射侧表面11的配置包括由从矩形切掉的角形成的多边形。
在根据如图10C和图10D示例的实施例的照明设备111中，光发射侧表面11和反射侧表面12是梯形。光发射侧表面11具有接近矩形的配置；并且反射侧表面12具有接近三角形的配置。光发射侧表面11的上部的宽度比反射侧表面12的上部的宽度宽。换句话说，也在该情况下，光发射侧表面上部宽度11uw与光发射侧表面下部宽度11lw的比高于反射侧表面上部宽度12uw与反射侧表面下部宽度12lw的比。也在该情况下，光发射侧表面11的配置包括具有圆角的梯形。光发射侧表面11的配置包括由从梯形切掉的角形成的多边形。
在实施例中，光发射侧表面上部宽度11uw(例如上端的宽度)与光发射侧表面下部宽度11lw(例如下端的宽度)的比设定为例如不小于0.8并且不大于1。换句话说，通过光发射侧表面11为矩形或接近矩形的梯形，能够以均匀间隔布置多个发光装置11a；并且能够提高安装的效率。因为不存在发光装置11a的间隔过度小的部分，所以能够抑制过度的温度升高。
另一方面，反射侧表面上部宽度12uw(例如上端的宽度)与反射侧表面下部宽度12lw(例如下端的宽度)的比设定为不小于0且不大于0.5。换句话说，通过为三角形或接近三角形的梯形的反射侧表面12，连接至反射侧表面12的光发射侧表面11能够相对于Z轴倾斜。由此，在发光单元10E的中心以上能够存在第一光L1和第二光L2进入的区域。
通过反射侧表面12具有尽可能为三角形的配置，能够减小发光单元10E的尺寸。在反射侧表面12为三角形的情况下，减小发光单元10E的尺寸的效果特别大。通过反射侧表面12为三角形，能够减小基底10的总的表面积。因此，反射侧表面12为三角形是特别有利的。
现在将描述波长转换层11b和反射层12a的范例。
如图4A中示例的，波长转换层11b的厚度t11b为例如不小于500微米(μm)并且不大于1500μm。由此，能够以高效率将从发光装置11a发射的光转换为白光。例如，波长转换层11b的厚度t11b不小于800μm并且不大于900μm。然而，实施例不限于此。波长转换层11b的厚度t11b是任意的。
反射层12a的厚度t12a为例如不小于20μm并且不大于50μm是有利的。当反射层12a的厚度t12a比20μm薄时，存在反射光的能力低的情况。当反射层12a的厚度t12a比50μm厚时，存在例如基底10和反射层12a的叠层结构的柔性低的情况。
例如，在反射层12a设置在基底10上后，弯曲基底10。在该情况下，如果在反射层12a从反射侧表面12延伸到光发射侧表面11上的情况下，反射层12a的厚度t12a过度地厚，则基底10的可成形性差，或在一些情况下，反射层12a可以破裂。通过合适地设定反射层12a的厚度t12a，能够获得高的可成形性；并且能够抑制反射层12a的破损。
树脂材料在被弯曲以用作反射层12a时不易裂缝是期望的。由此，抑制了弯曲期间裂缝等的出现。通过使用硅树脂作为反射层12a，容易抑制该裂缝的出现。然而，实施例不限于此。用作反射层12a的树脂的材料是任意的。
散布于反射层12a的树脂中的微细颗粒的直径(例如直径的平均值)不小于0.1μm是有利的。由此，提高了光散射效率；并且容易获得高反射率。然而，实施例不限于此。直径是任意的。
波长转换层11b的厚度t11b比反射层12a的厚度t12a后是有利的。通过将波长转换层11b的厚度t11b设定为比反射层12a的厚度t12a厚，从波长转换层11b的上部发射的光的部分合适地入射到反射层12a上并且被有效地反射。由此，反射特性得到了改善；并且光分布性质得到了改善。
通过将波长转换层11b和反射层12a设定为具有诸如以上记载的那些的条件，获得了光发射侧表面11的足够的波长转换特性；并且甚至在基底10被弯曲时，获得了不易破裂的反射层12a。
在实施例中，设置在基底10的外表面中的导电层14可以用于电连接。另一方面，设置设置在基底10的内表面中的散热层13用于散热。导电层14包括例如Cu层并且导电层14的厚度为例如不小于12μm并且不大于70μm是有利的。通过将厚度设定为例如不小于12μm，容易获得好的电可连接性(以确保可容许的电流)。通过将厚度设定为不大于70μm，柔性好。然而，实施例不限于此。厚度是任意的。
散热层13的厚度为例如比13μm厚是有利的。由此，容易获得好的散热。然而，实施例不限于此。厚度是任意的。
从而，发光单元10E还可以包括：导电层14，设置在反射侧表面12上，导电层14的至少部分覆盖有反射层12a；以及散热层13，设置在反射侧表面12的与其上设置反射层12a的侧相对的的侧上。例如，散热层13的厚度比导电层14的厚度厚。
为了改善散热，散热层13的表面积设定为尽可能大。换句话说，在实施例中，例如，散热层13的表面积大于导电层14的表面积。由此，容易获得好的散热。
用作基底10的聚酰亚胺层用于电绝缘并且用作散热路径。基底10的厚度为例如不小于12μm并且不大于38μm是有利的。通过将厚度设定为不小于12μm，容易获得好的电绝缘(经受电压)。通过将厚度设定为不大于38μm，容易确保散热路径(减小的热阻)。然而，实施例不限于此。厚度是任意的。
图11A和图11B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。
这些附图示例照明设备110的发光单元10E与外壳60之间的关系。
如图11A中示例的，作为光发射侧表面11的延伸部分的向上延伸的平面与中心轴Z0在交点P1相交。交点P1在外壳60的朝向发光单元10E的侧上。换句话说，作为多个光发射侧表面11的延伸部分的向上延伸的平面在其周围设置外壳60的空间内部彼此相交(例如在交点P1)。
由此，改善了从外壳60向外部发射的光的强度的均匀性。由此，例如，减小了提供给外壳60的散射性质的程度。由此，例如，能够提高外壳60的光透射率；并且能够提高效率。
换句话说，在实施例中，基于外壳60的规格(例如外壳60的高度等)合适地设定发光单元10E的基底10的光发射侧表面11的倾斜角α。
如上所述，在实施例中，因为设置了光发射侧表面11和反射侧表面12，所以能够通过修改反射侧表面12的配置而不修改光发射侧表面11的设计，能够容易地修改倾斜角α。从而，在实施例中，设定倾斜角α的设计能够更容易；并且实用可用性高。
如图11B中示例的，发光单元10E的基底10布置在例如以中心轴Z0为中心的位置。外壳60也布置在以中心轴Z0为中心的位置。换句话说，沿第一轴(例如中心轴Z0)观察管状部分时外接基底10的管状部分的圆的中心基本与沿第一轴观察外壳60的下端时外接外壳60的下端的圆的中心匹配。由此，从发光单元10E发射的光均匀地入射在外壳60上。此外，提高了从外壳60向外部发射的光的均匀性。
根据实施例，提供了具有宽光分布角的实用照明设备。
在上文中，参照具体范例描述了本发明的范例性实施例。然而，本发明的实施例不限于这些具体范例。例如，通过合适地选择包括在照明设备中的诸如基底、发光装置、反射层、基底单元、主体、底帽、外壳、现有技术等的部件的具体配置，本领域技术人员可以类似地实践本发明；并且该实践在获得类似的效果的程度上包括在本发明的范围中。
此外，由本领域技术人员基于以上作为本发明的实施例描述的照明设备通过合适的设计修改可实践的所有照明设备在包括本发明的精神的程度上也在本发明的范围内。
虽然已经描述了某些实施例，但是仅通过范例描绘了这些实施例，并且这些实施例不是意在限定本发明的范围。实际上，于此描述的新的实施例可以以各种其它形式具体化；此外，可以不脱离本发明的精神进行于此描述的实施例的形式的各种省略、替代和改变。所附的权利要求和它们的等同物意在覆盖落入本发明的范围和精神内的该形式或修改。

Claims (18)

1.一种照明设备，包括：
底座单元；以及
设置在所述底座单元上的发光单元，
所述发光单元包括：
基底，围绕第一轴设置，所述第一轴沿从所述底座单元朝向所述发光单元的方向，所述基底包括具有从上向下开口的管状配置的部分，所述管状部分包括围绕所述第一轴与多个反射侧表面交替布置的多个光发射侧表面；
发光装置，设置在所述多个光发射侧表面中的每一个上；以及
反射层，设置在所述多个反射侧表面中的每一个上，所述反射层配置为反射从所述发光装置发射的光的至少部分，
其中所述管状部分从上向下开口，使得所述多个光发射侧表面中的每一个和所述多个反射侧表面中的每一个相对于所述第一轴倾斜。
2.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述多个光发射侧表面中的一个具有光发射侧表面上端宽度和光发射侧表面下端宽度，所述光发射侧表面上端宽度为所述多个光发射侧表面中的所述一个的上端的宽度，所述光发射侧表面下端宽度为所述多个光发射侧表面中的所述一个的下端的宽度，所述光发射侧表面上端宽度和所述光发射侧表面下端宽度为沿垂直于所述第一轴的方向的光发射侧表面宽度；
所述多个反射侧表面中的一个具有反射侧表面上端宽度和反射侧表面下端宽度，所述反射侧表面上端宽度为所述多个反射侧表面中的所述一个的上端的宽度，所述反射侧表面下端宽度为所述多个反射侧表面中的所述一个的下端的宽度，所述反射侧表面上端宽度和所述反射侧表面下端宽度为沿垂直于所述第一轴的方向的反射侧表面宽度；以及
所述光发射侧表面上端宽度与所述光发射侧表面下端宽度的比大于所述反射侧表面上端宽度与所述反射侧表面下端宽度的比。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个反射侧表面中的每一个是三角形。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个发射侧表面中的每一个为矩形。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射层具有从所述反射侧表面延伸到所述光发射侧表面的外边缘部分的至少部分上的部分。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射层包括硅树脂和散布于所述硅树脂中的微细颗粒。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发光装置多重设置在所述多个光发射侧表面中的每一个中，第一组多重发光装置彼此串联连接，第二组多重发光装置彼此串联连接，并且包括在所述第一组中的所述发光装置的数量与包括在所述第二组中的所述发光装置的数量相同。
8.根据权利要求1所述的设备，还包括覆盖所述发光单元的外壳，其中：
作为所述多个光发射侧表面的延伸部分的向上延伸的平面在由所述外壳限定的空间内彼此相交。
9.根据权利要求1所述的设备，还包括覆盖所述发光单元的外壳，
沿所述第一轴观察所述管状部分时外接所述基底的所述管状部分的圆的中心配置为与沿所述第一轴观察所述外壳的下端时外接所述外壳的所述下端的圆的中心匹配。
10.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述发光单元还包括：
导电层，设置在所述反射侧表面上，所述导电层的至少部分由所述反射层覆盖；以及
散热层，设置在所述反射侧表面上，所述反射侧表面布置在所述散热层与所述反射层之间；并且
所述散热层的表面积大于所述导电层的表面积。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述导电层的厚度不小于12μm，并且不大于70μm。
12.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述反射层包括设置在所述光发射侧表面上的部分。
13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发光单元还包括：
外边缘层，沿所述多个光发射侧表面中的每一个的外边缘设置；以及
波长转换层，填充到针对所述多个光发射侧表面中的每一个的所述外边缘层的内侧中以覆盖所述发光装置，所述波长转换层配置为吸收从所述发光装置发射的光的至少部分，以发射波长与从所述发光装置发射的光的波长不同的光。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述波长转换层的厚度比所述反射层的厚度厚。
15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射层的厚度不小于20μm，并且不大于50μm。
16.根据权利要求1所述的设备，其中，所述基底的厚度不小于12μm，并且不大于38μm。
17.根据权利要求2所述的设备，其中，所述光发射侧表面上端宽度与所述光发射侧表面下端宽度的所述比不小于0.8，并且不大于1。
18.根据权利要求2所述的设备，其中，所述反射侧表面上端宽度与所述反射侧表面下端宽度的所述比不小于0，并且不大于0.5。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326518B1 (ko) 2011-09-02 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
US8680755B2 (en) * 2012-05-07 2014-03-25 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting device having reflectors for indirect light emission
CN103791255B (zh) * 2012-10-31 2016-06-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯泡
CN202955537U (zh) * 2012-12-04 2013-05-29 上海三思电子工程有限公司 可实现大角度发光的led球泡灯
CN103388772B (zh) * 2013-07-08 2016-01-20 李忠凯 一种具有灯杯结构的多出光面led灯具
KR102089625B1 (ko) * 2013-07-31 2020-03-16 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
JP6102864B2 (ja) * 2013-09-10 2017-03-29 三菱電機株式会社 ランプ
JP6135476B2 (ja) * 2013-11-20 2017-05-31 三菱電機株式会社 ランプ
JP6048376B2 (ja) * 2013-11-20 2016-12-21 三菱電機株式会社 ランプ
WO2015109548A1 (zh) * 2014-01-25 2015-07-30 东莞励国照明有限公司 倾斜led铝基板的全射角led灯泡及其制造工艺
US9951911B2 (en) * 2014-01-29 2018-04-24 Philips Lighting Holding B.V. LED bulb
US20150285471A1 (en) * 2014-04-02 2015-10-08 Jen Shieh Shih Light mechanism
JP2015207383A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 住友電気工業株式会社 Ｌｅｄ照明装置及びｌｅｄ照明装置の製造方法
CN204141334U (zh) * 2014-10-10 2015-02-04 佛山燊业光电有限公司 一种全方位无暗斑的led球泡灯
CN104819399B (zh) * 2015-05-12 2018-01-30 东莞市闻誉实业有限公司 装饰灯
US10302280B2 (en) * 2017-07-19 2019-05-28 Arash Ayel Low waste, multi-light, multi-side LED lamp

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883344B1 (ko) * 2008-08-08 2009-02-12 김현민 Ｌｅｄ 조명램프
CN101793362A (zh) * 2010-04-06 2010-08-04 广东金莱特电器股份有限公司 一种led灯泡

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688042A (en) * 1995-11-17 1997-11-18 Lumacell, Inc. LED lamp
US6488397B1 (en) * 1999-01-28 2002-12-03 Bridgestone Corporation Linear luminous body and production method thereof and scanner
US7728345B2 (en) * 2001-08-24 2010-06-01 Cao Group, Inc. Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
US6682211B2 (en) * 2001-09-28 2004-01-27 Osram Sylvania Inc. Replaceable LED lamp capsule
US7135034B2 (en) * 2003-11-14 2006-11-14 Lumerx, Inc. Flexible array
US7014337B2 (en) * 2004-02-02 2006-03-21 Chia Yi Chen Light device having changeable light members
JP2005340184A (ja) * 2004-04-30 2005-12-08 Du Pont Toray Co Ltd Ｌｅｄ照明装置
US7249869B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
JP2006244725A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Atex Co Ltd Ｌｅｄ照明装置
US7758210B2 (en) * 2005-03-03 2010-07-20 Dialight Corporation Beacon light with light-transmitting element and light-emitting diodes
KR20070112411A (ko) * 2005-03-29 2007-11-23 쿄세라 코포레이션 반사 부재, 이것을 이용한 발광 장치 및 조명 장치
US20070159828A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Ceramate Technical Co., Ltd. Vertical LED lamp with a 360-degree radiation and a high cooling efficiency
EP2062295A1 (en) * 2006-10-19 2009-05-27 Panasonic Corporation Light-emitting device and display unit and lighting unit using the same
US8206009B2 (en) * 2007-09-19 2012-06-26 Cooper Technologies Company Light emitting diode lamp source
US7585090B2 (en) * 2007-12-21 2009-09-08 Tsu Yao Wu Light-emitting-diode lamp
WO2009100160A1 (en) * 2008-02-06 2009-08-13 C. Crane Company, Inc. Light emitting diode lighting device
JP3141579U (ja) * 2008-02-27 2008-05-08 株式会社エーシーイー Ｌｅｄ照明器具
JP2009289649A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Arumo Technos Kk Ｌｅｄ照明灯
CN101614385B (zh) * 2008-06-27 2012-07-04 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管灯具
US8109660B2 (en) * 2008-08-07 2012-02-07 Relume Technologies, Inc. Globe deployable LED light assembly
EP2424779B1 (en) * 2009-05-01 2019-10-02 Excelitas Technologies Corp. Staggered led based high intensity light
CN102032480B (zh) * 2009-09-25 2013-07-31 东芝照明技术株式会社 灯泡型灯以及照明器具
WO2011064667A2 (en) * 2009-11-26 2011-06-03 Dsem Holdings Sdn. Bhd Solid state lamp having vapor chamber
US8562161B2 (en) * 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883344B1 (ko) * 2008-08-08 2009-02-12 김현민 Ｌｅｄ 조명램프
CN101793362A (zh) * 2010-04-06 2010-08-04 广东金莱特电器股份有限公司 一种led灯泡

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