CN102630125A - 导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置。导电元件包括：基板，具有第一波形表面和第二波形表面；以及层压膜，形成在第一波形表面上并且两层或多层层压，层压膜形成导电图案，并且第一波形表面和第二波形表面满足以下关系：0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8这里，Am1：第一波形表面中振动的平均宽度，Am2：第二波形表面中振动的平均宽度，λm1：第一波形表面的平均波长，Am2：第二波形表面的平均波长。

Description

导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置
技术领域
本发明涉及一种导电元件及其制造方法、一种配线元件、一种信息输入装置、一种显示装置以及一种电子装置。具体地，本发明涉及一种导电图案部分形成在基板表面上的导电元件。
背景技术
在过去，作为用来在由玻璃、塑料等形成的绝缘基板上以预定电路图案形成导电层的方法，使用平版印刷的电路图案形成方法已经被广泛地使用。在该电路图案形成方法中，通常采用分步重复方法(step and repeatmethod)或与其相近的方法。具体地，在所述形成方法中，电路图案通过“金属层涂覆”→“光刻胶涂覆”→“曝光”→“显影”→“去除”→“光刻胶剥离”的处理来形成。结果，使用平版印刷的电路图案形成方法具有很低的生产能力。
因此，提出了使用丝网印刷的电路图案形成方法来实现生产能力的提高。使用丝网印刷的电路图案形成方法是这样的方法，其中，通过掩模使用刮板在绝缘基板上涂覆金属浆等，预定电路图案的导电层通过之后的烘焙形成。由于使用丝网印刷的电路图案形成方法的生产能力是优良的，所以，研究了与多种装置相关的申请。例如，在日本未审查专利申请公开第2009-266025号中，公开了一种方法，其中，使用丝网印刷来形成触摸面板的电极。此外，在日本未审查专利申请公开第2005-149807号中，公开了一种方法，其中，使用丝网印刷来形成图像显示装置的电极。
然而，存在以下问题，即，丝网印刷中的掩模是昂贵的，掩模的精确定位很复杂，并且掩模中的孔容易变得堵塞。结果，期望能够实现优良的生产能力的除了丝网印刷以外的电路图案形成方法。
发明内容
因此，期望提供能够实现精确性和高的生产能力的导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置、显示装置以及电子装置。
根据本发明的第一实施方式，导电元件设置有：基板，具有第一波形表面和第二波形表面，以及层压膜，形成在第一波形表面上并且两层或多层层压，并且层压膜形成导电图案，并且第一波形表面和第二波形表面满足以下关系。
0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8
(这里，Am1：第一波形表面中振动的平均宽度，Am2：第二波形表面中振动的平均宽度，λm1：第一波形表面的平均波长，λm2：第二波形表面的平均波长)
根据本发明的第二实施方式，导电元件的制造方法包括：通过相对于具有第一波形表面和第二波形表面的基板的表面层压的两层或多层形成层压膜，并且由于相对于形成在第一波形表面和第二波形表面中的第二波形表面上的层压膜被去除而形成在第一波形表面上的层压膜被保留来形成导电图案部，其中，第一波形表面和第二波形表面满足以下的关系：
0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8
(这里，Am1：第一波形表面中振动的平均宽度，Am2：第二波形表面中振动的平均宽度，λm1：第一波形表面的平均波长，λm2：第二波形表面的平均波长)
在本发明中，优选的是，第一波形表面和第二波形表面满足以下的关系，并且第二波形表面的平均波长λm2为可见光波长或者更小。
(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)≤1.8
在本发明中，优选的是，第一波形表面和第二波形表面满足以下的关系，并且第一波形表面的平均波长λm1以及第二波形表面的平均波长λm2为可见光波长或者更小。
0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8
在本发明中，优选的是，第一波形表面和第二波形表面满足以下的关系，并且第二波形表面的平均波长λm2为100μm以上。
(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)≤1.8
在本发明中，优选的是，第一波形表面和第二波形表面满足以下的关系，并且第一波形表面的平均波长λm1以及第二波形表面的平均波长λm2为100μm以上。
0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8
在本发明中，优选的是，形成在第二波形表面的残余膜为进一步设置的层压膜的一部分，并且层压膜与残余膜满足以下的关系：
S1＞S2(这里，S1：层压膜的面积，S2：残余膜的面积)
在以这种方式满足所述关系的情况下，优选的是，形成在第一波形表面上的层压膜以连续的方式形成在第一波形表面上，而形成在第二波形表面上的残余膜以不连续的方式形成在第二波形表面上。
在本发明中，优选的是，残余膜形成在第二波形表面，并且为进一步设置的层压膜的一部分，并且层压膜与残余膜满足以下的关系：
d1＞d2(这里，d1：层压膜的厚度，d2：残余膜的厚度)
在本发明中，优选的是，层压膜设置有导电层和形成在导电层上的功能层，并且功能层由与导电层不同的材料形成。优选的是，层压膜使用去除速率彼此不同的材料形成。优选的是，导电层为包括氧化物半导体的透明导电层。优选的是，氧化物半导体包括铟锡氧化物或者氧化锌。优选的是，导电层为无定形态和多晶态的混合物。优选的是，导电层包括从由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种。优选的是，功能层包括从由氧化物和过渡金属化合物组成的组中选择的至少一种。优选的是，功能层包括从由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种。优选的是，功能层包括为无定形态和多晶态的混合的层和为多晶态的层中的至少一种。
在本发明中，如果导电元件应用至配线元件、信息输入装置、显示装置或者电子装置，那么是合适的。
如上所述，根据本发明的实施方式，可以实现精度且高的生产能力。
附图说明
图1A是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的一个配置实例的平面图；图1B是沿着图1A中示出的线IB-IB的截面图；图1C是表示图1B中示出的第一区域的一部分的放大的截面图；图1D是表示图1B中示出的第二区域的一部分的放大的截面图；
图2A是表示多个结构体以二维方式排列的第二区域的放大的透视图；图2B是表示多个结构体以二维方式排列的第二区域的放大的平面图；
图3A是表示多个结构体以一维方式排列的第二区域的放大的透视图；图3B是表示多个结构体以一维方式排列的第二区域的放大的平面图；
图4A是示出了用于制造基板的辊式母盘的一个配置实例的透视图；图4B是表示图4A中示出的辊式母盘的一部分的放大透视图；
图5A是表示辊式母盘的一部分的截面图；图5B是表示第二区域的一部分的放大透视图；图5C是示出了第二区域的一部分的放大的平面图；
图6是示出了辊式母盘曝光装置的一个配置实例的概图；
图7A至图7C为根据本发明第一实施方式的用于描述导电元件的制造方法的一个实例的步骤示图；
图8A至图8C为根据本发明第一实施方式的用于描述导电元件的制造方法的一个实例的步骤示图；
图9A至图9C为根据本发明第一实施方式的用于描述导电元件的制造方法的一个实例的步骤示图；
图10A是示出根据本发明的第二实施方式的导电元件的一个配置实例的平面图；图10B是沿着图10A中示出的线XB-XB的截面图；图10C是表示图10B中示出的第一区域的一部分的放大的截面图；图10D是表示图10B中示出的第二区域的一部分的放大的截面图；
图11A是示出了用于制造基板的辊式母盘的一个配置实例的透视图；图11B是表示图11A中示出的辊式母盘的一部分的放大的截面图；
图12A是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的一个配置实例的截面图；图12B是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的一个变形实例的截面图；
图13A是示出根据本发明第四实施方式的导电元件的一个配置实例的平面图；图13B是沿着图13A中示出的线XIIIB-XIIIB的截面图；图13C是表示图13B中示出的第一区域的一部分的放大的截面图；图13D是表示图13B中示出的第二区域的一部分的放大的截面图；
图14是示出根据本发明第五实施方式的液晶显示器元件的一个配置实例的透视图；
图15是示出根据本发明第六实施方式的设置有触摸面板的显示装置的一个配置实例的透视图；
图16A是示出根据本发明第六实施方式的触摸面板的第一配置实例的透视图；图16B是示出了第一基板的一个配置实例的分解透视图；
图17A是示出根据本发明第六实施方式的触摸面板的第二配置实例的透视图；图17B是示出第一基板的一个配置实例的分解透视图；
图18A是示出根据本发明第七实施方式的IC卡的一个配置实例的平面图；图18B是表示图18A中示出的IC卡的一部分的放大的平面图；
图19A是示出根据本发明第八实施方式的显示装置的配置的一个实例的截面图；图19B是表示图19A中示出的放大的配线区域的放大截面图；图19C是表示图19A中示出的放大的非配线区域的放大截面图；
图20A是示出根据参考实例的用在制造透明的导电片中的石英母版的形成表面的模型图；图20B是示出根据参考实例的透明导电片的导电或非导电高点的模型图；
图21是示出根据实例的通过光学显微镜观察的导电片的图像的示图；以及
图22是示出蚀刻时间与相对于初始表面电阻的倒数(虚拟厚度变化)之间关系的图表。
具体实施方式
将参照附图以下面的顺序来描述本发明的实施方式。
1.第一实施方式(通过利用存在与不存在波形表面在基板表面上形成导电图案部的实例)
2.第二实施方式(通过利用两种波形表面的不同在基板表面上形成导电图案部的实例)
3.第三实施方式(在两个基板表面上形成导电图案部的实例)
4.第四实施方式(结构体是凹形的实例)
5.第五实施方式(关于显示装置的应用实例)
6.第六实施方式(关于信息输入装置的应用实例)
7.第七实施方式(关于IC卡的应用实例)
8.第八实施方式(关于显示装置的应用实例)
<1.第一实施方式>
[导电元件的配置]
图1A是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的一个配置实例的平面图。图1B是沿着图1A中示出的线IB-IB的截面图。图1C是表示图1B中示出的第一区域的一部分的放大的截面图。图1D是表示图1B中示出的第二区域的一部分的放大的截面图。下面，将在导电元件1的主表面的平面中彼此交叉的两个方向设为X方向和Y方向，而将垂直于主平面的方向称作Z方向。
根据第一实施方式的导电元件1设置有基板2和层压膜4，其中，基板2具有交替形成的第一区域R1和第二区域R2，层压膜4形成在第一区域R1和第二区域R2中的第一区域R1中。层压膜4以连续的方式形成在第一区域R1上以成为导电图案部。导电图案部例如为配线图案、电极图案等。优选的是，层压膜4为两层或多层层压的层压膜并且包括至少一个导电层4a。
导电元件1例如为印刷基板、图像显示元件等。作为印刷基板，例如，存在刚性基板、柔性基板、刚性-柔性基板等。作为图像显示元件，例如，存在液晶显示元件、电致发光(EL)元件(例如，有机EL元件和无机EL元件)等。
(第一区域与第二区域)
例如，平坦表面Sp1形成在基板的第一区域R1中的表面上而层压膜4以连续的方式形成在平坦表面Sp1上。另一方面，例如，波形表面Sw2形成在基板的第二区域R2中的表面中，并且存在层压膜4不形成在波形表面Sw2上的状态。由此，第二区域R2起到用来在相邻的第一区域R1上形成的层压膜4之间进行绝缘的绝缘区域的作用。关于此，以连续的方式形成在第一区域R1上的层压膜4朝向第一区域R1的延伸方向具有导电性并用作导电图案部。
优选的是，平坦表面Sp1和波形表面Sw2满足以下关系：
(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)≤1.8
(这里，Am1：平坦表面Sp1中振动的平均宽度，Am2：波形表面Sw2中振动的平均宽度，λm1：平坦表面Sp1的平均波长，λm2：波形表面Sw2的平均波长)
这里，由于可以假设平坦表面Sp1为振动的平均宽度Am1是“0”的波形表面，故可以限定振动的平均宽度Am1和平坦表面Sp1的平均波长λm1以及上述比率(Am1/λm1)。
当比率(Am2/λm2)大于1.8时，当转印波形表面Sw2时容易存在剥落缺陷且波形表面Sw2容易损坏。
这里，波形表面Sw2的比率(Am2/λm2)确定如下。首先，切割导电元件1的横截面以包括波形表面Sw2的振动的宽度处于其最大值的位置，并使用透射电子显微镜(TEM)对该横截面进行成像。接着，根据已经成像的TEM照片来确定波形表面Sw2的波长λ2和振动宽度A2。通过在从导电元件1随机选择的10个位置处重复执行这种测量并将测量值简单地平均(算术平均)来确定波形表面Sw2的平均波长λm2和振动的平均宽度Am2。接着，使用平均波长λm2和振动的平均宽度Am2来确定波形表面Sw2的比率(Am2/λm2)。
波形表面Sw2例如为波长为可见光波长或更短的一维或者二维波形表面，并且具体地，为多个结构体3以为可见光的波长或更短的排列节距一维或二维排列的凹凸表面。
当波形表面Sw2朝向一个方向切割以包括波形表面Sw2中的振动宽度处于其最大位置时，横截面的形状为三角形波形、正弦波形、二次曲线、或者二次曲线的一部分重复的波形、与这些相似的形式等。作为二次曲线，存在圆形、椭圆形、抛物线等。
波形表面Sw2的平均波长λm2优选地在100nm以上的范围内。当平均波长λm2小于100nm时，存在波形表面Sw2的制造困难的趋势。
此外，波形表面Sw2的平均波长λm2优选地在100μm以下的范围内。当平均波长λm2超过100μm时，对于在压印和膜形成的期间步骤和覆盖有问题，并且发生缺陷。
优选的是，层压膜4或者层压膜的一部分根本不作为残余膜存在于第二区域R2中，但是如果达到第二区域R2起到绝缘区域作用的程度可以作为残余膜存在。在第二区域R2中存在残余膜的情况下，优选的是，形成在第一区域R1中的层压膜4和形成在第二区域R2中的残余膜满足以下关系：
S1＞S2
(这里，S1：层压膜的面积，S2：残余膜的面积)
在以这种方式满足的该关系的情况下，优选的是，层压膜4以连续的方式形成在第一区域R1中而残余膜以诸如岛状的非连续的方式形成在第二区域R2中。
此外，在第二区域R2中存在残余膜的情况下，优选的是，形成在第一区域R1中的层压膜4和形成在第二区域R2中的残余膜满足以下关系：
d1＞d2
(这里，d1：层压膜的厚度，d2：残余膜的厚度)
在以这种方式满足该关系的情况下，优选的是，残余膜的厚度薄于层压膜4的厚度至在实际中不表现出导电性且第二区域R2用作绝缘区域的程度。
这里，如上所述，由于残余膜并不用作导电图案部，在图1B和图1D中省略了残余膜的图形表示。此外，在图1A中，示出了以连续的方式形成在第一区域R1中层压膜4(即，导电图案部)具有线性形式的形状的实例，但是导电图案的形状并不限于此，并且根据电路、元件等的设计可以设置为期望的形状。
下面，将依次描述构成导电元件1的基板2、结构体3和层压膜4。
(基板)
基板2例如为透明或者不透明的基板。作为基板2的材料，可以使用诸如塑料材料的有机材料或者诸如玻璃的无机材料。
作为玻璃，例如，使用碱石灰玻璃、铅玻璃、硬质玻璃、石英玻璃、液晶玻璃等(“Handbook of Chemistry”basic edition，P.I-537，reference TheChemical Society of Japan edition)。作为塑料材料，考虑到诸如透明度、反射率和散射的光学特性以及诸如抗震性、耐热性以及耐久性的其他各种特性，诸如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯以及其他烷基(甲基)丙烯酸酯、诸如苯乙烯的具有乙烯基单体的共聚物的(甲基)丙烯酸树脂，诸如聚碳酸酯、二甘醇二丙烯碳酸酯(diethylene glycol bis allyl carbonate，CR-39)的聚碳酸酯树脂，诸如(溴化)双酚A型的双(甲基)苯烯酸酯的单聚合物或者共聚物、(溴化)双酚A单(甲基)丙烯酸酯的尿烷-变性单体的聚合物或者共聚物的热固化(甲基)丙烯酸树脂，聚酯，特别是，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯汽油(polyethylene naphthalate)以及不饱和聚酯、丙烯腈苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚亚安酯、环氧树脂、多芳基化合物、聚醚砜、聚醚酮、环烯烃共聚物(产品名称：arton和zeonor)等是优选的。此外，考虑到耐热性，还可以使用芳族聚酸胺基树脂。
在将塑料材料用作基板2的情况下，可以作为表面处理来设置内涂层以进一步提高塑料表面的表面能量、涂覆特性、滑动特性、平坦表面特性等。作为内涂层，例如，存在有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯酸变性的聚酯、聚亚安酯等。此外，可以对基板2的表面执行的电晕放电或者UV辐射处理，以获得与所设置的内涂层相同的效果。
在基板2为塑料膜的情况下，可以利用以下方法获得基板2，例如，拉伸上述树脂，或者在上述树脂被溶剂稀释以后以膜形沉积并被干燥等。此外，基板2的厚度例如约为25μm至500μm。
作为基板2的形状，例如，存在膜形、板形或者块形，但并不特别地限定于这些形状。这里，片被限定为包括在膜中。
(结构体)
波形表面Sw2例如为多个结构体3排列在第二区域R2中的凹凸表面。结构体3例如具有相对于基板1的表面的凸形。例如，结构体3与基板2分开形成，或者与基板2整体地形成。在结构体3和基板2分开形成的情况下，如必要，可以在结构体3与基板2之间设置基层。基层是在结构体3的底部表面侧与结构体3整体地形成的层，并通过固化具有与结构体3等相同的能量线固化特性的复合树脂形成。基层的厚度不具体地限定，并且如有必要能够适当地选择。
优选的是，结构体3的纵横比率(Hm/Pm)满足以下关系。
0＜(Hm/Pm)≤1.8
(这里，Hm：结构体3的平均高度，Pm：结构体3的平均排列节距)
当比率(Hm/Pm)大于1.8时，当转印结构体3时容易存在剥落缺陷且结构体3容易损坏。
这里，结构体3的纵横比率(Hm/Pm)确定如下。首先，切割导电元件1的横截面以包括结构体3的高度处于其最大值的位置，并使用透射电子显微镜(TEM)对该横截面进行成像。接下来，根据已经成像的TEM照片来确定结构体3的排列节距P和高度H。通过在从导电元件1随机选择的10个位置处重复执行这种测量并将所述测量值简单地平均(算术平均)来确定结构体3的平均排列节距Pm和平均高度H。接着，使用平均排列节距Pm和平均高度Hm来确定结构体3的纵横比率(Hm/Pm)
作为多个结构体3的排列，例如，可以使用一维或者二维排列。作为结构体3的排列，例如，可以使用规则的排列或者不规则的排列，并且优选的是，根据母盘的制造方法，从上述排列中选择适当的排列。
优选的是，考虑到降低导电元件表面中的光的反射，结构体3的平均排列节距Pm为具有降低反射目的的光的波长带或更小波长带。具有降低反射目的的光的带长波例如为紫外光的波长带、可见光的波长带或者红外线的波长带。这里，紫外光的波长带为等于或者大于10nm且等于或小于360nm的波长带，可见光的波长带为等于或大于360nm且等于或小于830nm的波长带，而红外光的波长带是等于或大于830nm且等于或小于1mm的波长带。具体地，平均排列节距Pm优选地等于或大于180nm且等于或小于350nm，更优选地等于或大于100nm且等于或小于320nm，并且更优选地等于或大于110nm且等于或小于280nm。当平均排列节距Pm小于180nm时，存在结构体3的制造困难的趋势。另一方面，当平均排列节距Pm超过350nm时，容易发生可见光的衍射。
下面，将参照图2A至图3B以具体的方式描述其中多个结构体3以一维方式或二维方式排列的第二区域R2。
图2A是表示多个结构体以二维方式排列的第二区域的放大的透视图。图2B是表示多个结构体以二维方式排列的第二区域的放大的平面图。例如，多个结构体3以二维的方式排列在第二区域R2中的轨道(轨迹，track)T的多行上。作为轨道T的形状，可以使用线性形式、弧形形式等，可以使具有这些形状的轨道T波动。排列在轨道T的多行上的多个结构体3例如可以是预定方式的规则的排列图案。作为结构体3的排列图案，存在诸如四方栅格形、六方栅格形等的栅格形图案，并且该栅格形图案可以弯曲。可以使结构体3的高度在基板2的表面中以规则或不规则的方式变化。此外，结构体3可以以随机方式排列。
作为结构体3的具体形状，例如，存在锥形、圆柱形、针形、半球形、椭圆半球形、多边形等，但并不限于这些形状并且可以采用其他形状。作为锥形，例如，存在顶部被削尖的锥形，顶部是平坦的锥形，具有顶部为凸形或者凹形的弯曲表面的锥形等，但并不限于这些形状。此外，锥形的圆锥形表面可以被弯曲成凹形或者凸形。在利用后述的辊式母盘曝光装置(参见图6)制造辊式母盘的情况下，优选的是，采用具有顶部为凸形的弯曲的表面的椭圆锥形或顶部为平坦形状的椭圆梯形锥形作为结构体3的形状，并且形成在其底部表面中的椭圆形的纵轴的方向与轨道T的延伸方向相匹配。
图3A是表示多个结构体以一维方式排列的第二区域的放大的透视图；图3B是表示多个结构体以一维方式排列的第二区域的放大的平面图；多个结构体3例如沿着轨道T以一维的方式排列在第二区域R2中的轨道T的多行上。作为轨道T的形状，可以使用线性形式、弧形形式等，并且可以使具有这些形状的轨道波动。
例如，结构体3是朝向一个方向延伸的柱形体，例如其截面形状可以是三角形、曲线R附接至顶部的三角形、多边形、半球形、椭圆半球形、抛物线形等，但并不限于这些形状。作为结构体3的具体形状，例如，可以存在透镜形、棱镜形等，但并不限于这些形状。可以使结构体3的高度朝向轨道方向改变。此外，结构体3在轨道方向上可以是不连续的。
(层压膜)
例如，层压膜4设置有形成在第一区域R1上的导电层4a以及形成在导电层4a上的功能层4b。优选的是，层压膜4由去除速率不同的材料(具体地，具有不同去除速率的层压膜)配置。作为导电层4a，例如，可以使用金属层、透明导电层、金属氧化物复合层、过渡金属复合层等，但并不限于此。作为功能层4b的材料，优选至少一种与导电层4a不同的材料，此外，优选的是，在去除过程中存在分解速率差。
作为透明导电层，例如，可以使用无机物透明导电层。优选的是，无机物透明导电层具有作为主要成分的透明氧化物半导体。作为透明氧化物半导体，例如，可以使用诸如SnO2、InO2、ZnO或CdO的二元化合物，包括作为二元化合物的组成元素的锡、铟、锌、镉中至少一种元素的三元化合物(three-dimensional compound)，或者多元(复合)氧化物。作为透明氧化物半导体的具体实例，例如，存在铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、铝掺杂锌氧化物(AZO(Al2O3，ZnO))、SZO、氟掺杂锡氧化物(FTO)、氧化锡(SnO2)、镓掺杂锌氧化物(GZO)、铟锌氧化物(IZO(In2O3，ZnO))等。具体地，考虑到更高的可靠性、较低的电阻率等，铟锡氧化物(ITO)是优选的。考虑到提高导电性，优选构成透明氧化物复合膜的材料为无定形态和多晶态的混合物。
作为金属层的材料，例如，可以使用从由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种。
作为功能层4b，期望至少相对于导电层4a对蚀刻剂的溶解或蚀刻速率是不同的，并且期望具有这样的状态，例如，蚀刻剂的耐久性通过利用诸如SiO2的金属氧化物层、过渡金属化合物或者具有不同晶体状态的膜使功能层4b成为多晶来改进。优选的是，功能层4b包括为无定形态和多晶态的混合物的层和具有多晶态的层中的至少一种。此外，作为功能层4b，如果相对于导电层4a的溶解速率不同那么也可以使用金属，并且如果与导电层4a材料类型不同，可以使用包括从组成Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu的组中选择的至少一种的材料。
优选的是，在第一区域R1中的层压膜4的表面电阻是5000Ω/□以下。当超过5000Ω/□时，电阻便容易过度增加并且不能用作电极。
[辊式母盘的配置]
图4A是示出了用于制造基板的辊式母盘的一个配置实例的透视图；图4B是表示图4A中示出的辊式母盘的一部分的放大的透视图。辊式母盘11是用于如上所述在基板表面上形成结构体3的母盘。例如，辊式母盘11具有圆柱形或圆筒形的形状，并且多个第一区域R1和第二区域R2交替设置在圆柱表面或者圆筒表面上。在图4A和图4B中，示出了第一区域R1和第二区域R2在圆周方向上延伸并形成环形的情况，但是第一区域R1和第二区域R2的形状不限于该实例，并且根据所需的导电图案部的形状(即，形成在第二区域中的层压膜4的形状)来进行选择。作为辊式母盘11的材料，例如，可以使用玻璃，但是材料不特别地限定。
图5A是表示辊式母盘的一部分的放大的截面图。图5B是示出了第二区域的一部分的放大的透视图。图5C是示出了第二区域的一部分的放大的平面图。例如，为凹部的多个结构体12以可见光的波长或者更小的节距设置在辊式母盘11的第二区域R2中，同时，例如，为凹部的结构体12未形成在第一区域R1中并且第一区域R1为平坦表面。
辊式母盘11的第一区域R1和第二区域R2分别与基板2的第一区域R1和第二区域R2相对应。即，形成在辊式母盘11的第一区域R1上的平坦表面Sp1用于形成基板2的第一区域R1的平坦表面Sp1。形成在辊式母盘11的第二区域R2上的波形表面Sw2用于形成基板2的第二区域R2的波形表面Sw2。具体地，辊式母盘11的波形表面Sw2具有与上述基板2的表面上的波形表面Sw2的凸凹形状相反的形状。即，辊式母盘11的结构体12具有与上述基板2的表面上的结构体3的凸凹形状相反的形状。
[曝光装置的配置]
图6是示出了辊式母盘曝光装置的一个配置实例的概图。下面，将参照图6描述辊式母盘曝光装置的配置。这里，辊式母盘曝光装置例如可以配置有作为母盘的光盘记录装置。
激光光源21是用于使作为膜粘附在作为记录介质的母盘11的表面上的光刻胶曝光的光源，并且例如，以波长λ＝266nm振荡用于记录的激光14。从激光源21发射的激光14在该状态下作为平行光束前进并且照向电光调制器(EOM)22。穿过电光调制器22的激光14被镜23反射，并被引导至调制光学系统25。
镜23是利用偏振束分束器的配置并且具有偏振光一个分量被反射而偏振光的其他分量穿过的功能。光电二极管24接收穿过镜23的偏振分量的光，并基于接收的光信号控制电光调制器22来执行激光14的相位修正。
在调制光学系统25中，激光14利用聚光透镜26会聚在由玻璃(SiO2)等形成在声光调制器(AOM)27中。在通过被声光调制器27进行强度调制而发散之后，利用透镜28使激光14成为平行光束。从调制光学系统发射的激光14被反射镜31反射，并且以水平和平行的方式被引导至移动光学台32。
移动光学台32设置有扩束器33和物镜34。在利用扩束器33形成必要的光束形状以后，引导至移动光学台32的激光14经由物镜34照射母盘11上的光刻胶层。母盘11位于连接至主轴马达35的旋转台36上。然后，当母盘11旋转且激光14在母盘11的高度方向上移动时，通过激光14间歇地照射光刻胶层来执行光刻胶层曝光处理。所形成潜像基本上为长轴沿着圆周方向的椭圆形。利用移动光学台32沿着箭头R方向的移动来执行激光14的移动。
例如，曝光装置设置有用来在光刻胶层上形成与预定的二维图案(诸如四方栅格形状或者六方栅格形状)对应的潜像的控制机构37。控制机构37设置有格式器29和驱动器30。格式器29设置有极性反转部，并且极性反转部控制激光14对光刻胶层的照射时间。驱动器30通过接收来自极性反转部的输出来控制声光调制器27。
在辊式母盘曝光装置中，对于每个轨道，记录装置的旋转控制器与用于每个轨道的极性反转格式器信号同步，以空间地连接二维图案，产生一信号，并利用声光调制器27来对该信号进行强度调制。通过利用一定角速度(CAV)以适当的旋转次数、适当的调制频率以及适当的发送节距进行图案化，可以记录诸如四方栅格形状或六方栅格形状的预定的二维图案。
[导电元件的制造方法]
下面，将参照图7A至图9C描述根据本发明的第一实施方式的导电元件1的制造方法的一个实例。
(光刻胶沉积处理)
首先，如图7A所示，准备具有圆柱形或者圆筒形的辊式母盘11。辊式母盘11例如为玻璃母盘。接着，如图7B所示，在辊式母盘11的表面上形成光刻胶层13。作为用于光刻胶层13的材料，例如，可以使用机光刻胶或者无机光刻胶。作为有机光刻胶，例如，可以使用酚醛清漆型光刻胶(novolac type resist)或者化学膨胀型光刻胶(chemical amplification typeresist)。此外，作为无机光刻胶，例如，可以使用金属化合物中的一种、两种或多种。
(曝光处理)
如图7C所示，使用上述辊式母盘曝光装置，当辊式母盘11旋转时将激光(曝光光束)14照射至光刻胶层13上。此时，激光14在激光14沿着辊式母盘11的高度方向(平行于具有圆柱形或者圆筒形的辊式母盘11的中心轴线的方向)移动时进行照射。此时，只有与配线图案之间的绝缘区域对应的第二区域R2是形成潜像的曝光部，而与导电图案部对应的第一区域R1未被曝光并且为非曝光部。根据激光14的轨线的潜像15例如以可见光的波长或更小的节距形成。
例如，潜像15被设置为使得在辊式母盘表面中存在多行轨道，并且形成诸如四方栅格形状或六方栅格形状的预定的二维图案。潜像15例如为长轴方向在轨道的延伸方向上的椭圆形。
(显影处理)
接着，例如，在辊式母盘11旋转的同时，将显影液滴在光刻胶层13上，如图8A所示，在光刻胶层13上执行显影处理。如图所示，在使用正型光刻胶形成光刻胶层13的情况下，由于与非曝光部相比，在曝光部(利用激光14曝光)中相对于显影液的溶解速率增大，所以在光刻胶层13中形成了根据潜像(曝光部)15的图案。由此，在第二区域R2的光刻胶层13中形成了具有预定二维图案(诸如四方栅格形状或者六方栅格形状)的开口部，同时开口部未形成在第一区域R1的光刻胶层13中，并且保持了整个第一区域R1被光刻胶层13覆盖的状态。即，仅在第二区域R2中在辊式母盘表面上形成具有开口图案的掩模。
(蚀刻处理)
接下来，利用作为掩模形成在辊式母盘11上的光刻胶层13的图案(光刻胶图案)对辊式母盘11的表面执行辊蚀刻处理。由此，经由辊式母盘表面中的第二区域R2中的开口部执行蚀刻处理，如图8B所示，在第二区域R2中形成了诸如椭圆锥形或者圆形去顶锥形(长轴方向在轨迹的延伸方向上)的结构体(凹部)12。另一方面，在辊式母盘表面的第一区域R1中，由于整个区域都被光刻胶层13所覆盖，所以未执行蚀刻并保持了辊式母盘表面的平坦表面形状。作为蚀刻方法，例如，可以使用干蚀刻。
(转印处理)
接着，例如，如图8C所示，将涂覆有转印材料15的诸如膜的基板2紧密地粘附至辊式母盘11，在转印材料15被诸如紫外线的照射能量射线固化之后，去除变得与已经固化的转印材料15结合的基板2。由此，如图9A所示，能够获得具有形成了平坦表面Sp1的第一区域R1和形成了波形表面Sw2的第二区域R2的基板2。
对于转印材料15，例如，可以使用能量射线固化树脂组合物(energyray curing resin compound)。能量射线固化树脂组合物为能够使用能量射线的照射而固化的树脂组合物。作为能量射线，能量射线被表示为能够成为用于诸如基团、阳离子或者阴离子的聚合反应的触发，诸如电子射线、紫外线、红外线、激光射线、可见光射线、电离辐射线(X射线、α射线、β射线、γ射线等)、微波射线、或者高频射线。如果有必要，能量射线固化树脂组合物可以与其他树脂作为混合物使用，并可以与诸如热固化树脂组合物的另一固化树脂组合物作为混合物使用。此外，能量射线固化树脂组合物可以为有机-无机混合材料。此外，可以混合并使用两种或者多种能量射线固化树脂组合物。作为能量射线固化树脂组合物，优选使用利用紫外线固化的紫外线固化树脂。
紫外线固化树脂例如为单官能单体、双官能单体或者多官能单体，具体地，为以下示出的材料或者其混合物。作为单官能单体，例如可以使用，羧基酸(丙烯酸)、羟基化合物(丙烯酸-2-羟基乙酯(2-hydroxyethylacrylate)，丙烯酸-2-羟丙基酯(2-hydroxypropyl acrylate)、丙烯酸4-羟丁酯(4-hydroxybutyl acrylate))、烷基、脂环族化合物(异丁基丙烯酸脂、聚丙烯酸叔丁酯(t-butyl acrylate)、丙烯酸异辛酯(iso-octyl acrylate)、丙烯酸十二酯(lauryl acrylate)、十八烷丙烯酸酯(stearyl acrylate)、丙烯酸异辛酯(iso-bornyl acrylate)、环己基丙烯酸酯(cyclohexyl acrylate))，其他官能性单体(丙烯酸2-甲氧基乙酯(2-methoxyethyl acrylate)、甲氧基乙烯基乙二醇丙烯酸酯(methoxyethylene glycol acrylate)、烯丙酸2-乙氧乙酯(2-ethoxyethyl acrylate)、丙烯酸氢糠酯(tetrahydrofurfuryl acrylate)、苯甲基丙烯酸酯(benzyl acrylate)、丙烯酸卡必酯(ethyl carbitol acrylate)、丙烯酸苯氧基乙基酯(phenoxyethyl acrylate)、丙烯酸-N，N-二甲胺基乙酯(N，N-dimethylaminoethyl acrylate)、丙烯酰胺丙基二甲基胺(N，N-dimethylaminopropylacryl amide)、N，N-二甲基丙烯酰胺(N，N-dimethylacrylamide)、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺(N-isopropylacrylamide)、N，N-二乙基丙烯酰胺(N，N-diethyl acrylamide)、N-乙烯基吡咯烷酮(N-vinyl pyrrolidone)、全氟辛基丙烯酸乙酯(2-(perfluorooctyl)ethyl acrylate)、3-全氟己基-2-羟丙基丙烯酸酯(3-perfluorohexyl-2-hydroxypropyl acrylate)、3-全氟辛基-2-甲基丙烯酸羟丙酯(3-perfluorooctyl-2-hydroxypropyl acrylate)、2-全氟癸基丙烯酸乙酯(2-(perfluorodecyl)ethyl acrylate)、2-(全氟-3-甲基丁基)乙烷基丙烯酸酯(2-(perfluoro-3-methylbutyl)ethyl acrylate)、2，4，6-三溴苯丙烯酸酯(2，4，6-tribromophenol acrylate)、2，4，6-三溴苯甲基丙烯酸酯(2，4，6-tribromophenol methacrylate)、2-(2，4，6-三溴苯氧基乙烷基丙烯酸酯)(2-(2，4，6-tribromophenoxy)ethyl acrylate))、丙烯酸2-乙基己酯(2-ethylhexyl acrylate)等。
作为双官能单体，例如，可以使用二缩三丙二醇二丙烯酸酯(tri(propylene glycol)diacrylate)、三羟甲基丙烷二烯丙基醚(trimethylolpropane diallyl ether)、催化氨基丙烯酸酯(urethane acrylate)等。
作为多官能单体，例如，可以使用三羟甲基丙烷三丙烯(trimethylolpropane triacrylate)、双季戊四醇五丙烯酸酯()dipentaerythritolpentaacrylate，聚二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、双三羟甲基丙烷丙烯酸酯(ditrimethylolpropane tetraacrylate)等。
作为起发剂，例如，可以使用2，2-二甲氧基-1，2苯基乙酮(2，2-dimethoxy-1，2-diphenylethane-1-one)、1-羟基-环己基苯基酮(1-hydroxyl-cyclohexylphenylketon)、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1丙酮(2-hydroxyl-2-methyl-1-phenlypropane-1-one)等。
关于诸如紫外线固化树脂的能量射线固化树脂化合物，可以添加填充剂或功能性添加剂。作为填充剂，例如，可以使用无机微粒或者有机微粒。作为无机微粒，例如，可以使用诸如SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2或Al2O3的金属氧化物微粒。作为功能性添加剂，例如，可以使用匀染剂(levelingagent)、表面调节剂、防起泡剂等。
作为基板2的材料，例如，存在甲基异丁烯酸盐(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基甲基丙烯酸-苯乙烯共聚物、双乙酸盐纤维素、三乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚亚甲基、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚亚安酯、玻璃等。
基板2的形成方法并不受特别地限制，例如，可以使用注射成型方法、挤压成型方法、浇铸成型方法等。如果有必要，可以对基板表面执行诸如电晕处理的表面处理。
(层压膜的沉积处理)
接着，如图9B中所示，通过基板表面上的第一区域R1和第二区域R2上层压两层或多层而形成层压膜4。具体地，例如，层压膜4由导电层4a和功能层4b依次层压在基板表面上的第一区域R1和第二区域R2上而形成。作为层压膜4的沉积方法，例如，除了诸如热CVD、等离子CVD或光CVD的CVD方法(化学气相沉积：利用化学反应从气相沉积薄膜的技术)以外，可以使用诸如真空蒸发、等离子沉积、溅射或者离子镀的PVD方法(物理蒸汽沉积：在真空中物理气化的材料凝结在基板上从而形成薄膜的技术)。此外，可以在加热基板2的同时形成层压膜4。
(退火处理)
接着，如果必要，对层压膜4执行退火处理。由此，层压膜4或包含在层压膜4中的无机透明导电层例如处于无定形态和多晶态的混合状态。
(层压膜去除处理)
接着，如图9C中所示，对形成层压膜4的基板表面执行蚀刻处理。由此，层压膜4保留在第一区域R1中，而层压膜4在第二区域R2中被去除。具体地，例如，导电层4a和功能层4b保留在第一区域R1中，而导电层4a和功能层4b在第二区域R2中被去除。因此，形成在第一区域R1中的层压膜4用作导电图案部，而第二区域R2用作导电图案部之间的绝缘区域。作为蚀刻处理，可以使用湿法蚀刻或者干法蚀刻，并且可以结合使用二者。作为湿法蚀刻的蚀刻液，例如，可以使用硫酸、盐酸、硝酸、或者氯化铁中的一种或多种。此外，草酸，醋酸、磷酸和硝酸的混合物，以及硝酸铈铵的水溶液可以用作蚀刻液。作为干法蚀刻，可以使用等离子蚀刻或者反应离子蚀刻(RIE)。
这里，作为去除，存在这样的意义(1)层压膜4从第二区域R2被完全取走，(2)层压膜4在第二区域R2中处于不表现出导电性程度的非连续状态(例如，孤岛状态)，以及(3)在第二区域R2中层压膜4的厚度薄到不表现出导电性的厚度。
具体地，优选的是，形成在平坦表面Sp1上的层压膜4保持为使得以连续的方式连接，而形成在波形表面Sw2上的层压膜4利用诸如形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4的膜特性、相态等的差异而实际上被去除。由此，导电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2中的平坦表面Sp1上。
此外，优选的是，形成在平坦表面Sp1上的层压膜4保持为使得以连续的方式连接，而形成在波形表面Sw2上的层压膜4利用诸如形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4的膜特性、相态等的差异而被去除并处于诸如孤岛状态的非连续状态。由此，导电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2中的平坦表面Sp1上。
此外，优选的是，利用诸如形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4的膜特性、相态等的差异使形成在波形表面Sw2上的层压膜4的厚度与形成在平坦表面Sp1上的层压膜4的厚度相比被极大地薄化。由此，导电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2中的平坦表面Sp1上。
(清洗处理)
接着，如果必要，对执行了蚀刻处理的基板表面进行清洗。
基于以上处理，能够获得作为目标的导电元件1。
在第一实施方式中，层压膜4由相对于具有平坦表面Sp1和波形表面Sw2的基板表面而层压的两层或多层形成。然后，在平坦表面Sp1和波形表面Sw2中，通过利用形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上层压膜4的状态的差异使形成在平坦表面Sp1上的层压膜4保留而形成在波形表面Sw2上层压膜4被去除来形成导电图案部。以这种方式，可以实现具有高精度并且具有高生产能力的导电元件1。
<2.第二实施方式>
[导电元件的配置]
图10A是示出根据本发明第二实施方式的导电元件的一个配置实例的平面图。图10B是沿着图10A中示出的线XB-XB的截面图。图10C是表示图10B中示出的第一区域的一部分的放大的截面图；图10D是表示图10B中示出的第二区域的一部分的放大的截面图。根据第二实施方式的导电元件1与第一实施方式的不同点在于，通过利用形成在第一区域R1中的第一波形表面Sw1与形成在第二区域R2中的第二波形表面Sw2之间的差异(例如，振动的平均宽度的差异)改变形成在第一区域R1和第二区域R2中的层压膜4的蚀刻速率来形成配线图案等。
(第一区域与第二区域)
第一波形表面Sw1形成在第一区域R1中的基板的表面中而层压膜4以连续的方式形成在第一波形表面Sw1上。另一方面，第二波形表面Sw2形成在第二区域R2中的基板的表面中，并且存在层压膜4未形成在第二波形表面Sw2上的状态。第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2例如为可见光波长或者更小的波形表面。因此，区域R2起到用来对形成在相邻的第一区域R1上的层压膜4进行绝缘的绝缘区域的作用。关于此，以连续的方式形成在第一区域R1上的层压膜4朝向第一区域R1的延伸方向具有导电性并且用作导电图案部。
此外，优选的是，波形表面Sw1的平均波长λm1和波形表面Sw2的平均波长λm2在100μm以下的范围内。当平均波长λm1和平均波长λm2超过100μm时，对于在压印和膜形成的期间步骤和覆盖存在问题，并且发生缺陷。
优选的是，层压膜4被形成为跟随第一结构体31的表面形状以使得防反射作用不会因为第一区域R1中的第一结构体31而受到妨碍，并且第一结构体31的表面形状与层压膜4具有基本上相似的形状。这是因为抑制了由于层压膜4的形状而导致的折射率分布(refractive index profile)的变化，并且可以保持优良的防反射特性或者透明特性。优选的是，构成层压膜4的材料为无定形态和多晶态的混合物。这是因为，在第一结构体31的高度很低的情况下，可以形成具有使得第一结构体31的防反射作用不受到妨碍的膜厚度的层压膜4。即，这是因为，能够保持层压膜4跟随第一结构体31的形状的形状。
优选的是，第二波形表面Sw2的振动的平均宽度Am2相对于平均波长λm2的比率(Am2/λm2)大于第一波形表面Sw1的振动的平均宽度Am1相对于平均波长λm1的比率(Am1/λm1)。这是因为，由此，光学特性和电选择性的兼容性是可能的。具体地，优选的是，比率(Am1/λm1)和比率(Am2/λm2)满足以下关系：
0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8
(这里，Am1：第一波形表面Sw1中振动的平均宽度，Am2：第二波形表面Sw2中振动的平均宽度，λm1：第一波形表面Sw1的平均波长，Am2：第二波形表面Sw2的平均波长)
当比率(Am2/λm2)大于1.8时，当转印波形表面Sw2时容易存在剥落缺陷且波形表面Sw2容易损坏。
这里，以与第一实施方式中的波形表面Sw2相同的方式测量波形表面Sw1的比率(Am1/λm1)。
可以独立地选择波形表面Sw1和波形表面Sw2的形状、波长和振动宽度。具体地说，例如，波形表面Sw1和波形表面Sw2每个可以是一维或者二维的分离的波形表面。此外，波形表面Sw1和波形表面Sw2的波长和振动宽度每个可以独立设为纳米级或微米级的波长或者振动宽度。
优选的是，层压膜4的任何部分都不会作为残余膜而存在于第二区域R2中，但是如果达到第二区域R2起到绝缘区域作用的程度，则层压膜4可以作为残余膜而存在。在这种情况下，优选的是，形成在第一区域R1中的层压膜4的面积大于形成在第二区域R2中的层压膜4或者层压膜4的一部分。具体地，优选的是，层压膜4以连续的方式形成在第一区域R1中而层压膜4或者层压膜的一部分以诸如岛状的非连续的方式形成在第二区域R2中。此外，形成在第二区域R2中的层压膜4或者层压膜一部分的厚度薄于形成在第一区域R1中的层压膜4的厚度至实际上不表现出导电性并且第二区域R2起到绝缘区域作用的程度。
(结构体)
第一波形表面Sw1例如为多个第一结构体31以可见光的波长或者更小的排列节距形成的凹凸表面。第二波形表面Sw2例如为多个第二结构体32以可见光的波长或者更小的排列节距形成的凹凸表面。优选的是，第一结构体31的平均纵横比率(Hm1/Pm1)小于第二结构体32的平均纵横比率(Hm2/Pm2)。具体地，优选的是，第一结构体31和第二结构体32满足以下关系。
0＜(Hm1/Pm1)＜(Hm2/Pm2)≤1.8
(这里，Hm1：第一结构体31的平均高度，Hm2：第二结构体32的平均高度，Pm1：第一结构体31的平均排列节距，Pm2：第二结构体32的平均排列节距)
当比率(Hm2/Pm2)大于1.8时，当转印第二结构体32时存在容易剥落的缺陷并且第二结构体32容易损坏。
这里，以与第一实施方式中的结构体3的纵横比率(Hm/Pm)相同的方式测量第一结构体31的纵横比率(Hm1/Pm1)与第二结构体32的纵横比率(Hm2/Pm2)。
关于第一结构体31和第二结构体32，除了上述以外，可以与第一实施方式中的结构体3相同。这里，第一结构体31和第二结构体32的排列图案、形状等不必是相同的，并且两个结构体可以采用不同的排列图案、形状等。
[辊式母盘的配置]
图11A是示出了用于制造基板2的辊式母盘的一个配置实例的透视图。图11B是表示图11A中示出的辊式母盘的一部分的放大的截面图。根据第二实施方式的辊式母盘11与第一实施方式的不同点在于，第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2设置在第一区域R1和第二区域R2这两个区域中。
辊式母盘11的第一波形表面Sw1例如基于第一结构体121而形成，第一结构体121具有以可见光的波长或者更小的节距排列的凹形。辊式母盘11的第二波形表面Sw2例如基于第二结构体122而形成，第二结构体122具有以可见光的波长或者更小的节距排列的凹形。辊式母盘11的第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2每个都具有为与基板2的第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2的凹部与凸部的反转的形状。
辊式母盘11的第一区域R1和第二区域R2分别对应于基板2的第一区域R1和第二区域R2。即，具有形成在辊式母盘11的第一区域R1上的凹形的第一结构体121用于形成具有形成在基板2的第一区域R1中的凸形的第一结构体31。具有形成在辊式母盘11的第二区域R2上的凹形的第二结构体122用于形成具有形成在基板2的第二区域R2中的凸形的第二结构体32。优选的是，与第一结构体121的纵横比率相比，第二结构体122的纵横比率更大。
[导电元件的制造方法]
在第二实施方式的蚀刻处理中，层压膜4保留在第一区域R1中，而层压膜4在第二区域R2中由于对形成层压膜4的基板表面执行蚀刻处理而被去除。具体地，优选的是，利用诸如形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2上的层压膜4的膜特性、相态等的差异，形成在第一波形表面Sw1上的层压膜4被保留为使得以连续的方式连接，而形成在第二波形表面Sw2上的层压膜4在实际中被去除。由此，导电图案部可以选择性地形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2中的第一波形表面Sw1上。
此外，优选的是，利用诸如形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2上的层压膜4的膜特性、相态等的差异，形成在第一波形表面Sw1上的层压膜4被保留为使得以连续的方式连接，而形成在第二波形表面Sw2上的层压膜4被去除并处于诸如孤岛状的非连续状态。由此，导电图案部可以选择性地形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2中的第一波形表面Sw1上。
此外，优选的是，利用诸如形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2上的层压膜4的膜特性、相态等的差异使形成在第二波形表面Sw2上的层压膜4的厚度与形成在第一波形表面Sw1上的层压膜4的厚度相比被极大地薄化。由此，导电图案部可以选择性地形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2中的第一波形表面Sw1上。
在第二实施方式中，由于第一结构体31和第二结构体32形成在第一区域R1和第二区域R2两个区域的每个中，因此可以提高导电元件1的防反射特性。在诸如这种配置的情况下，优选的是，用作导电图案部的第一区域R1的层压膜4的形状跟随形成在第一区域R1中的第一结构体31的形状。这是因为，由此，能够抑制防反射特性和/或透明特性的作用的减小。
已经执行调制(例如，幅度调制和/或频率调制)的波形表面形成在基板表面上，并且可以通过形成在基板表面上的层压膜4，根据基板2的波形表面的调制的差异来改变层压膜4的状态。因此，可以根据基板2的波形表面的调制的差异改变层压膜4相对于蚀刻液体的溶解速率。即，可以利用基板2的波形表面的调制的差异在基板表面上形成期望的导电图案部。
在使用纳米结构体在基板表面上形成波形表面的情况下，可以提高可见性和光学特性。可以实现期望的电阻而不使坏光学特性劣化。
在由导电层形成的配线形成在基板表面(例如，数字式电阻触摸面板、静电电容式触摸面板等)上的相关领域的信息输入装置中，由于导电层和基板的反射率不同，因此配线容易被看到且显示质量容易变差。另一方面，在根据本发明的实施方式的信息输入装置中，由于不考虑层压膜4的存在或不存在都实现了低反射性和高透射性，因此可以抑制配线的可见性。
<3.第三实施方式>
图12A是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的一个配置实例的截面图。根据第三实施方式的导电元件1与第一实施方式的不同点在于，通过将第一区域R1和第二区域R2设置在基板2的两个主表面上并且层压膜4以连续的方式仅形成在两个区域中的第一区域R1中，导电图案部形成在基板2的两个表面上。此外，如图12B所示，在基板2的第一区域R1中形成有通孔，通孔由诸如导电墨的导电材料填充，并且诸如形成在基板2的两个表面上的电路的导电图案部可以被电连接。
在第三实施方式中，由于导电图案部形成在基板2的两个表面上，因此与第一实施方式相比，更多的电路等可以被安装在导电元件1上。
<4.第四实施方式>
图13A是示出根据本发明第四实施方式的导电元件的一个配置实例的平面图。图13B是沿着图13A中示出的线XIIIB-XIIIB的截面图；图13C是表示图13B中示出的第一区域的一部分的放大的截面图；图13D是表示图13B中示出的第二区域的一部分的放大的截面图。根据第四实施方式的导电元件1与第一实施方式的不同点在于，具有凹形的多个结构体3被排列在基板表面上的第二区域R2中。
除此之外，第四实施方式与第一实施方式相同。
在第四实施方式中，由于在第一实施方式中具有凸形的结构体的形状在被反转时变成为凹形，因此可以获得与第一实施方式相同的效果。
<5.第五实施方式>
图14是示出根据本发明第五实施方式的液晶显示器元件的一个配置实例的透视图。如图14所示，液晶显示元件是无源矩阵驱动型(也称作简单的矩阵驱动型)的显示元件并且具有被设置为相对并以预定间隙分开的第一基板101和第二基板111以及被设置在第一基板101与第二基板111之间的液晶层121。
在第一基板101的两个主表面中，具有线性形状的第一区域R1和第二区域R2交替重复地设置在与第二基板111相对的一个主表面上。关于第一区域R1和第二区域R2的第一基板101的表面配置与上述第一至第四实施方式中的任一个的导电元件中的基板的表面配置相同。例如，第一区域R1中的第一基板表面为多个结构体以可见光的波长或者更小的排列节距形成的波形表面，并且残余膜以诸如孤岛状态的非连续的方式形成。另一方面，在第二区域R2中，不形成结构体，第二区域R2为平坦表面，并且层压膜以连续的方式形成。因此，在第一基板101的两个主表面中，在与第二基板111相对的一个主表面中，由以连续的方式形成的层压膜形成的多个水平(X)电极(第一电极)102形成为带状。
在第二基板111的两个主表面中，具有线性形状的第一区域R1和第二区域R2交替重复地设置在与第一基板101相对的一个主表面上。关于第一区域R1和第二区域R2的第二基板111的表面配置与上述第一至第四实施方式中的任一个的导电元件中的基板的表面配置相同。例如，第一区域R1中的第二基板表面为多个结构体以可见光的波长或者更小的排列节距形成的波形表面，并且残余膜以诸如孤岛状态的非连续的方式形成。另一方面，在第二区域R2中，不形成结构体，第二区域R2为平坦表面，并且层压膜以连续的方式形成。因此，在第二基板111的两个主表面中，在与第一基板101相对的一个主表面中，由以连续的方式形成的层压膜形成的多个垂直(Y)电极(第二电极)112形成为带状。
第一基板101和第二基板111上的第一区域R1和第二区域R2为相互交叉的关系。即，第一基板101上的水平电极102和第二基板111上的垂直电极112是相互交叉的关系。
在第五实施方式中，例如，可以利用存在或不存在波形表面或者存在或者不存在结构体来制造液晶显示元件的电极。此外，在例如波形表面的波长或者结构体的排列节距为可见光的波长或者更小的情况下，可以提高液晶显示元件的防反射特性和/或透明特性。
此外，如在上述的第二实施方式中，纵横比率等不同的结构体可以形成在第一区域R1和第二区域R2的每个中。由此，可以进一步提高液晶显示元件的防反射特性和/或透明特性。在诸如此的配置中，优选的是，用作水平电极102和垂直电极112的第二区域R2中的透明层压膜的形状为跟随形成在第二区域R2中的结构体的形状。这是因为，由此，可以利用结构体抑制防反射特性和/或透明特性的作用的减小。
<6.第六实施方式>
图15是示出根据本发明第六实施方式的设置有触摸面板的显示装置的一个配置实例的透视图。如图15中所示，触摸面板(信息输入装置)201设置在显示装置202上。显示装置202和触摸面板201例如经由粘结剂结合。此外，正面面板(表面构件)203可以进一步设置在触摸面板201的表面上。触摸面板201和正面面板(表面构件)203例如经由粘结剂结合。
作为显示装置202，例如，可以使用诸如液晶显示器、CRT(阴极射线管)显示器、PDP(等离子显示面板)、EL(电致发光)显示器或者SED(表面传导电子发射器显示器)的各种类型的显示装置。触摸面板201例如为电阻膜方法或者静电电容方法的触摸面板。作为电阻膜方法的触摸面板，例如，存在矩阵电阻膜方法的触摸面板。作为静电电容方法的触摸面板，例如，存在配线传感器方法或者ITO栅格方法的投影式静电电容方法。
(第一配置实例)
图16A是示出根据本发明第六实施方式的触摸面板的第一配置实例的透视图。触摸面板201是矩阵电阻膜方法的触摸面板，并且设置有第一基板211和第二基板221，第一基板211和第二基板221被设置为相对并且经由点间隔件(图中省略)被预定的间隙分开。
图16B是示出了第一基板的一个配置实例的分解透视图。这里，由于第二基板221具有与第一基板211基本上相同的配置，因此省略了分解透视图的描述。在第一基板211的两个主表面中，具有线性形状的第一区域R1和第二区域R2交替重复地设置在与第二基板221相对的一个主表面上。关于第一区域R1和第二区域R2的第一基板211的表面配置与上述第一至第四实施方式中的任一个的导电元件中的基板的表面配置相同。例如，第一区域R1中的第一基板表面为多个结构体以可见光的波长或者更小的排列节距形成的波形表面，并且残余膜以诸如孤岛状态的非连续的方式形成。另一方面，在第二区域R2中，不形成结构体，第二区域R2是平坦表面，并且层压膜以连续的方式形成。因此，第一基板211的两个主表面中，在与第二基板221相对的一个主表面中，由以连续的方式形成的层压膜形成的多个水平(X)电极(第一电极)212形成为带状。
在第二基板221的两个主表面中，具有线性形状的第一区域R1和第二区域R2交替重复地设置在与第一基板211相对的一个主表面上。关于第一区域R1和第二区域R2的第二基板221的表面配置与上述第一至第四实施方式中的任一个的导电元件中的基板的表面配置相同。例如，第一区域R1中的第二基板表面为多个结构体以可见光的波长或者更小的排列节距形成的波形表面，并且残余膜以诸如孤岛状态的非连续的方式形成。另一方面，在第二区域R2中，不形成结构体，第二区域R2是平坦表面，并且层压膜以连续的方式形成。于是，在第二基板221的两个主表面中，在与第二基板211相对的一个主表面中，由以连续的方式形成的层压膜形成的多个垂直(Y)电极(第二电极)222形成为带状。
第一基板211和第二基板221上的第一区域R1和第二区域R2是相互交叉的关系。即，第一基板211上的水平电极212和第二基板221上的垂直电极222是相互交叉的关系。
(第二配置实例)
图17A是示出根据本发明第六实施方式的触摸面板的第二配置实例的透视图。触摸面板是具有ITO栅格方法的投影式静电电容方法的触摸面板，并且设置有重叠的第一基板231和第二基板241。
图17B是示出了第一基板的一个配置实例的分解透视图。这里，由于第二基板241具有与第一基板231基本上相同的配置，因此省略了对分解透视图的描述。在第一基板231的两个主表面中，具有线性形状的第一区域R1和第二区域R2交替重复地设置在与第二基板241相对的一个主表面上，并且相邻的第一区域R1之间被第二区域R2分开。在第二基板241的两个主表面中，具有线性形状的第一区域R1和第二区域R2交替重复地设置在与第一基板231相对的一个主表面上，并且相邻的第一区域R1之间被第二区域R2分开。关于第一区域R1和第二区域R2的第一基板母盘231和第二基板241的表面配置与上述第一至第四实施方式中的任一个的导电元件中的基板的表面配置相同。
在第一基板231的第一区域R1中，具有预定形状的单元区域C1在X轴向方向上被重复地连接，而在第二区域R2中，具有预定形状的单元区域C2在X轴向方向上被重复地连接。在第二基板241的第一区域R1中，具有预定形状的单元区域C1在Y轴向方向上被重复地连接，而在第二区域R2中，具有预定形状的单元区域C2在Y轴向方向上被重复地连接。作为单元区域C1和单元区域C2的形状，例如，存在菱形、三角形、四边形等，但并不限于这些形状。
第一区域R1中的第一基板表面或者第二基板表面例如为多个结构体以可见光的波长或者更小的排列节距形成的波形表面，并且例如残余膜以诸如孤岛状态的非连续的方式形成。另一方面，在第二区域R2中的第一基板表面或第二基板表面，不形成结构体，第二区域R2是平坦表面，并且层压膜以连续的方式形成。因此，在第一基板231的两个主表面中，在与第二基板241相对的一个主表面中，形成了由以连续的方式形成的层压″膜形成的多个水平(X)电极(第一电极)232。此外，在第二基板241的两个主表面中，在与第二基板231相对的一个主表面中，形成了由以连续的方式形成的层压膜形成的多个垂直(Y)电极(第二电极)242。水平电极232和垂直电极242具有与第二区域R2相同的形状。
第一基板231上的水平电极232和第二基板241上的垂直电极242是相互交叉的关系。在第一基板231和第二基板241重叠的状态下，第一基板231上的第一区域R1和第二基板241上的第二区域R2重叠，并且第一基板231上的第二区域R2与第二基板241上的第一区域R1重叠。
在第六实施方式中，例如，可以利用存在或不存在波形表面或者存在或不存在结构体来制造触摸面板201的电极。此外，在例如波形表面的波长或者结构体的排列节距为可见光的波长或者更小的情况下，可以提高触摸面板201的防反射特性和/或透明特性。
此外，如在上述的第二实施方式中，纵横比率等不同的结构体可以形成在第一区域R1和第二区域R2的每个中。由此，可以进一步提高触摸面板201的防反射特性和/或透明特性。在诸如此的配置中，优选的是，用作电极的第一区域R1中的层压膜的形状跟随形成在第一区域R1中的结构体的形状。这是因为，由此，可以利用结构体抑制防反射特性和/或透明特性的作用的减小。
<7.第七实施方式>
图18A是示出根据本发明第七实施方式的IC卡的一个配置实例的平面图。图18B是表示图18A中示出的IC卡的一部分的放大的平面图。IC卡是所谓的非接触式IC卡，并且设置有基板301、天线线圈302以及IC芯片303。天线线圈302的两端相对于IC芯片303连接。此外，在基板301的两个表面上设置有外涂层(图中未示出)。
作为基板301的形状，可以使用膜形、片形或者板形，但是不特别限定这些形状，并且可以根据IC卡1所需的特性来任意地选择和使用。作为用于基板301的材料，考虑到耐用、方便等，优选使用具有弹性的树脂材料。作为这样的树脂材料，例如，可以使用PEN(聚乙烯萘二甲酸)、PET(聚乙烯对苯二酸盐)、聚酰亚胺(PI)或者聚酯，但并不特定地限于此，并且可以根据IC卡所需的特性从在相关技术领域中常用的树脂材料中任意地选择和使用。
例如，第一区域R1和第二区域R2在基板301的一个主表面上的外周部中以螺旋状交替地形成。关于第一区域R1和第二区域R2的基板301的表面配置与上述第一至第四实施方式中的任一个的导电元件中的基板的表面配置相同。例如，第一区域R1中的基板表面为多个结构体以极小节距形成的波形表面，并且残余膜以诸如孤岛状态的非连续的方式形成。另一方面，第二区域R2中的基板，不形成结构体，第二区域R2是平坦表面，并且层压膜以连续的方式形成。因此，由连续形成的层压膜形成的天线线圈302被形成为跟随基板301的一个主表面上的外周部中的第二区域R2的形状。这里，如在上述的第二实施方式中，纵横比率等不同的结构体可以形成在第一区域R1和第二区域R2的每个中。
外涂层配置在IC卡的正面和背面上，并且例如，具有诸如PET(聚乙烯对苯二酸盐)、PBT(聚丁烯对苯二酸盐)、PEG(聚乙烯乙二醇)的聚合体材料，使得PET为主要成分，但并不特别地限于此，并且可以根据IC卡所需的特性从在相关技术领域中常用的树脂材料中任意地选择和使用。
天线线圈302为具有通过在基板301上缠绕多次形成的环线圈形状的电磁感应线圈，并且电磁感应线圈的两端均连接至IC芯片303。天线线圈302通过接收由读/写器产生的交变磁场而感生AC电压，并且将AC电压供给至IC芯片303。
IC芯片303利用从天线线圈302供给的电源被驱动，并且控制IC卡1中的各个部分。例如，IC芯片303经由天线线圈302执行与读/写器之间的通信。具体地，IC芯片303与读/写器执行相互认证和数据的交换。
在第七实施方式中，例如，可以利用存在或不存在波形表面或存在或不存在结构体来制造IC卡的天线线圈302。因此，由于可以不用蚀刻等制造IC卡的天线线圈302，因此可以提高IC卡的生产力。
<8.第八实施方式>
图19A是示出根据本发明的第八实施方式的显示装置的一个配置的一个实例的截面图。图19B是表示图19A中示出的放大的配线区域的放大的截面图。图19C是表示图19A中示出的放大的非配线区域的放大的截面图。在第八实施方式中，与第一实施方式相同的位置或者相对的位置用相同的参考标号表示。显示装置400是所谓的微囊体电泳方法(microcapsule electrophoresis method)的电子纸，并且设置有第一导电元件401、与第一导电元件401相对设置的第二导电元件402以及设置在两个元件之间的微囊体层(介质层)403。这里，描述了本发明被应用于关于微囊体电泳方法的电子纸的实例，但是电子纸并不限于该实例，并且如果存在介质层设置在相对设置的导电元件之间的配置，便能够应用本发明。这里，除了液体或固体之外，诸如空气的气体可以包括在介质中。此外，在介质中，可以包括诸如囊体、涂料或颗粒的构件。除了微囊体电泳方法，作为本发明能够应用的电子纸，例如还存在诸如扭曲球方法(twistball method)、热可写方法、调色剂显示方法、面内式电泳方法或者电子微粒式电泳方法的电子纸。
微囊体层403包括多个微囊体431。在微囊体中，例如，充有分散了黑色颗粒和白色颗粒的透明液体(分散溶液)。
第一导电元件401设置有基板2和层压膜4，基板2在与第二导电元件402相对的侧面上具有平坦表面Sp1和波形表面Sw2，层压膜形成在基板2上的波形表面Sw2上。此外，如果有必要，基板2可以经由诸如粘结剂的粘结层411结合至诸如玻璃的支撑体412。第二导电元件402设置有基板2和层压膜4，基板2在与第一导电元件401相对的侧面上具有平坦表面Sp1和波形表面Sw2，层压膜形成在基板2上的波形表面Sw2上。
根据电子纸400的驱动方法，第一导电元件401和第二导电元件402的层压膜4以预定的电极图案形状形成。作为驱动方法，例如，存在简单矩阵驱动方法、有源矩阵驱动方法、分段驱动方法(segment driving method)等。
除此之外，第八实施方式与第一实施方式相同。
[实例]
下面，将使用实例来具体地描述本发明，但是本发明不仅限于这些实例。
在实例(下面的比较实例和参考实例)中，利用四端电阻测量装置(fourend resistance measuring device)来测量导电片的表面电阻。这里，探测器顶端边缘针的直径为R100μm，针节距为1mm。
(参考实例1)
(转印处理)
首先，如图20A所示，准备石英母版，其中，平坦表面区域(第一区域)R1和纳米结构体形成区域(第二区域)R2以带状形成在形成表面上。接着，将紫外线固化树脂涂覆至石英母版的形成表面上，具有易粘结层的PET片被粘结，并且当照射紫外光并且执行固化时去除PET片。由此，在PET片的表面上，具有凸形的多个纳米结构体形成在纳米结构体形成区域(第二区域)R2上，同时获得在平坦表面区域(第一区域)R1中形成平坦表面的光学片。结构体的排列节距为250nm，结构体的高度为200nm，结构体的形状为圆形去顶锥形，并且结构体的排列为六方排列(sixdirectional arrangement)。
(沉积处理)
接着，利用溅射方法在光学片的形成表面上形成ITO层。极限真空度为0.00015Pa，沉积过程中真空度为0.24Pa，形成过程中引入Ar气和O2气，并且其混合比率为Ar∶O2＝200∶13。此外，可以调节当被换算为平坦表面时膜厚度为30nm的形成条件。这里，平板换算膜厚基本上等于波形表面的峰值部分的膜厚。
(退火处理)
接着，对形成了ITO层的光学片在空气中150℃下退火30分钟。由此，促进了ITO层的多重结晶。接着，为了确认促进的状态，通过以X射线衍射(XRD)测量ITO层来确认In2O3峰值。
(蚀刻处理)
接着，将已经执行退火处理的光学片浸入PH值约为3的溶液中20秒。
(清洗处理)
接着，使用纯净水清洗已经执行蚀刻处理的光学片。
由此，获得了作为目标的透明导电片。
(导电/非导电的评估)
利用检测器用在图20B中示出的点对根据如上所述获得的参考实例1的透明导电片的表面的导电性或非导电性进行评估。评估结果在表1中示出。
表1示出了根据参考实例1的透明导电片的评估结果。
表1
  A和B之间   E和A之间   C和D之间
 参考实例1   绝缘   绝缘   2000Ω(导电)
通过表1可以得到如下理解。
在透明导电片表面中，纳米结构体形成区域(第二区域)R2处于绝缘状态，而平坦表面区域(第一区域)R1处于导电状态。因此，仅通过顺序地执行压印处理、沉积处理和蚀刻处理，可以在基板表面上形成诸如配线或者电极的必要的导电图案部。即，可以提高生产能力。
(实例1-1)
(转印处理)
首先，制造石英母版，其中，具有平坦表面(第一波形表面)的第一区域和具有波形表面(第二波形表面)的第二区域以带状交替地形成在同一表面上。
接着，将紫外线固化树脂涂覆至石英母版的形成表面上，具有易粘结层的PET片被粘结，并且当照射紫外光并且执行固化时去除PET片。由此，制造了第一区域和第二区域被转印的光学片(纳米压印膜)。
(形状测量)
接着，测量所制造的光学片的转印表面上的振动的平均波长λm和平均宽度Am，并且根据测量值来确定(Am/λm)的比率。结果在表2中示出。
(沉积处理)
接着，利用溅射方法在光学片的形成表面上形成ITO层。
下面，示出了ITO层的形成过程中的形成条件。
极限真空度：0.00015Pa
沉积过程中的真空度：0.24Pa
气体种类：Ar气与O2气的混合物
气体混合物的混合比率(体积比率)：Ar∶O2＝200∶13
平板换算膜厚：36nm
这里，平板换算膜厚为当以与在光学片表面上形成ITO层的情况相同方式的形成条件在平板上形成ITO层时的膜厚度，并且基本上等于波形表面的峰值部的膜厚度。
接着，当保持真空状态时，利用溅射方法在ITO层上形成Ag层。
下面，示出了Ag层的形成过程中的形成条件。
沉积过程中的真空度：0.11Pa
气体种类：Ar气
气流量：100sccm
平板换算膜厚：200nm
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的光学片的表面电阻。结果在表2中示出。
(去除处理)
接着，将光学片浸入在PH值约为3的溶液中20秒。
(清洗处理)
接着，使用纯净水对光学片进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的导电片。
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的导电片的表面电阻。结果在表2中示出。
(实例1-2)
(转印处理)
首先，制造石英母版，其中具有波形表面(第一波形表面)的第一区域和具有平坦表面(第二波形表面)的第二区域以带状交替地形成在同一表面上。
接着，将紫外线固化树脂涂覆至石英母版的形成表面上，具有易粘结层的PET片被粘结，并且当照射紫外光并且执行固化时去除PET片。由此，制造了第一区域和第二区域被转印的光学片(纳米压印膜)。
(形状测量)
接着，测量所制造的光学层的转印表面上的振动的平均波长λm和平均宽度Am，并且根据测量值来确定(Am/λm)的比率。结果在表3中示出。
(沉积处理)
接着，利用溅射方法在光学片的形成表面上形成ITO层。
下面，示出了ITO层的形成过程中的形成条件。
极限真空度：0.00015Pa
沉积过程中的真空度：0.24Pa
气体种类：Ar气与O2气的混合物
气体混合物的混合比率(体积比率)：Ar∶O2＝200∶13
平板换算膜厚：40nm
这里，平板换算膜厚为当以与在光学片表面上形成ITO层的情况相同方式的形成条件在平板上形成ITO层时的膜厚度，并且基本上等于波形表面的峰值部的膜厚度。
接着，当保持真空状态时，利用溅射方法在ITO层上形成Ag层。
下面，示出了Ag层的形成过程中的形成条件。
沉积过程中的真空度：0.11Pa
气体种类：Ar气
气流量：100sccm
平板换算膜厚：200nm
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的光学片的表面电阻。结果在表3中示出。
(去除处理)
接着，将光学片浸入PH值约为3的溶液中60秒。
(清洗处理)
接着，使用纯净水对光学片进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的导电片。
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的导电片的表面电阻。结果在表3中示出。
(表面观察)
接着，利用光学显微镜观察如上所述制造的导电片的表面。结果在图21中示出。
表2示出了根据实例1-1的导电片的测量结果。
表2
表3示出了根据实例1-2的导电片的测量结果。
表3
Figure BDA0000134406690000402
根据表2和表3可以得到如下理解。
在导电片表面中，ITO层和Ag层在去除处理中被从具有波形表面的第二区域去除并且第二区域处于绝缘状态，而在具有平坦表面的第一区域中ITO层和Ag层在去除处理中并没有被去除并被保留并且第一区域保持为导电状态。
因此，即使在膜配置为多层配置以降低电阻的情况下，能够确保去除选择性并且ITO层和Ag层可以保留在平坦表面区域中。即，可以容易地制造低电阻配线。
(实例1-3)
首先，制造石英母版，其中具有第一波形表面的第一区域和具有第二波形表面的第二区域以带状交替地形成在同一表面上。
接着，将紫外线固化树脂涂覆至石英母版的形成表面上，具有易粘结层的PET片被粘结，并且当照射紫外光并且执行固化时去除PET片。由此，制造了第一区域和第二区域被转印的光学片(纳米压印膜)。
(形状测量)
接着，测量所制造的光学片的转印表面上的振动的平均波长λm和平均宽度Am，并且根据测量值来确定(Am/λm)的比率。结果在表4中示出。
(沉积处理)
接着，利用溅射方法在光学片的形成表面上形成ITO层。
下面，示出了ITO层的形成过程中的形成条件。
极限真空度：0.00015Pa
沉积过程中的真空度：0.24Pa
气体种类：Ar气与O2气的混合物
气体混合物的混合比率(体积比率)：Ar∶O2＝200∶13
平板换算膜厚：36nm
这里，平板换算膜厚为当以与在光学片表面上形成ITO层的情况相同方式的形成条件在平板上形成ITO层时的膜厚度，并且基本上等于结构体的峰值部的膜厚度。
接着，当保持真空状态时，利用溅射方法在ITO层上形成Ag层。
下面，示出了Ag层的形成过程中的形成条件。
沉积过程中的真空度：0.11Pa
气体种类：Ar气
气流量：100sccm
平板换算膜厚：200nm
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的光学片的表面电阻。结果在表4中示出。
(去除处理)
接着，将光学片浸入PH值约为3的溶液中20秒。
(清洗处理)
接着，使用纯净水对光学片进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的导电片。
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的导电片的表面电阻。结果在表4中示出。
表4示出了根据实例1-3的导电片的测量结果。
表4
Figure BDA0000134406690000421
根据表4可以得到如下理解。
在导电层表面中，在去除处理中ITO层和Ag层从具有高比率(Am/λm＝0.76)的第二区域被去除，并且第二区域处于绝缘状态。另一方面，ITO层和Ag层在去除处理中并未从具有低比率(Am/λm＝0.6)的第一区域中去除并且保留在第一区域中，并且第一区域保持为导电状态。
因此，即使在第一区域与第二区域的两个区域中都形成波形表面的情况下，通过调节比率(Am/λm)的大小能够确保去除选择性，并且ITO层Ag层可以保留在具有低比率(Am/λm＝0.6)的第一区域中。即，可以容易地制造低电阻配线。
(实例2-1)
(转印处理)
首先，制造石英母版，其中，具有波形表面(第一波形表面)的第一区域和具有平坦表面(第二波形表面)的第二区域以带状交替地形成在同一表面上。
接着，将紫外线固化树脂涂覆至石英母版的形成表面上，具有易粘结层的PET片被粘结，并且当照射紫外光并且执行固化时去除PET片。由此，制造了第一区域和第二区域被转印的光学片(纳米压印膜)。
(形状测量)
接着，测量光学片的转印表面上的振动的平均波长λm和平均宽度Am，并且根据测量值来确定(Am/λm)的比率。结果在表5中示出。
(沉积处理)
接着，利用溅射方法在光学片的形成表面上形成ITO层。
下面，示出了ITO层的形成过程中的形成条件。
极限真空度：0.00015Pa
沉积过程中的真空度：0.24Pa
气体种类：Ar气与O2气的混合物
气体混合物的混合比率(体积比率)：Ar∶O2＝200∶13
平板换算膜厚：36nm
这里，平板换算膜厚为当以与在光学片表面上形成ITO层的情况相同方式的形成条件在平板上形成ITO层时的膜厚度，并且基本上等于结构体的峰值部的膜厚度。
接着，当保持真空状态时，利用溅射方法在ITO层上形成SiO2层。
下面，示出了SiO2层的形成过程中的形成条件。
沉积过程中的真空度：0.28Pa
气体种类：Ar气与O2气的混合物
Ar气流量100sccm
O2气流量180sccm
平板换算膜厚：5nm
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的光学片的表面电阻。结果在表5中示出。
(去除处理)
接着，将光学片浸入PH值约为3的溶液中60秒。
(清洗处理)
接着，使用纯净水对光学片进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的导电片。
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的导电片的表面电阻。结果在表5中示出。
(比较实例2-1)
除了省略了形成SiO2层以外，以与实例2-1相同的方式制造光学片。此外，以与实例2-1相同的方式测量去除处理之前与之后的光学片的表面电阻。结果在表6中示出。
表5示出了根据实例2-1的导电片的测量结果。
表5
表6示出了根据比较实例2-1的光学片的测量结果。
表6
Figure BDA0000134406690000452
根据表5和表6可以得到如下理解。
在实例2-1中，在导电片表面中，ITO层和SiO2层在去除处理中从具有波形表面的第二区域被去除并且第二区域处于绝缘状态，而ITO层和SiO2层在去除处理中没有从具有平坦表面的第一区域中被去除并保留在第一区域中，并且第一区域保持为导电状态。
在仅形成ITO层的比较实例2-1中，当经过60秒钟的去除处理时，不考虑是平坦表面或者波形表面区域，ITO层被去除，区域处于绝缘状态。
因此，即使采用作为金属层的Ag层被作为光刻胶层的SiO2替代使用的多层配置的情况下，仍能够确保去除选择性并且ITO层和SiO2层可以保留在平坦表面区域中。此外，通过使SiO2层层压在ITO层上，在去除处理中能够提高ITO层的耐久性并且极大地提高去除选择性。
(实例2-2)
首先，制造石英母版，其中，具有第一波形表面的第一区域和具有第二波形表面的第二区域以带状交替地形成在同一表面上。
接着，将紫外线固化树脂涂覆至石英母版的形成表面上，具有易粘结层的PET片被粘结，并且当照射紫外光并且执行固化时去除PET片。由此，制造了第一区域和第二区域被转印的光学片(纳米压印膜)。
(形状测量)
接着，测量光学片的转印表面上的振动的平均波长λm和平均宽度Am，并且根据测量值来确定(Am/λm)的比率。结果在表7中示出。
(沉积处理)
接着，利用溅射方法在光学片的形成表面上形成ITO层。
下面，示出了ITO层的形成过程中的形成条件。
极限真空度：0.00015Pa
沉积过程中的真空度：0.24Pa
气体种类：Ar气与O2气的混合物
气体混合物的混合比率(体积比率)：Ar∶O2＝200∶13
平板换算膜厚：36nm
这里，平板换算膜厚为当以与在光学片表面上形成ITO层的情况相同方式的形成条件在平板上形成ITO层时的膜厚度，并且基本上等于结构体的峰值部的膜厚度。
接着，当保持真空状态时，利用溅射方法在ITO层上形成SiO2层。
下面，示出了SiO2层的形成过程中的形成条件。
沉积过程中的真空度：0.28Pa
气体种类：Ar气与O2气的混合物
氩气流量：100sccm
O2气流量：180sccm
平板换算膜厚：5nm
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的光学片的表面电阻。结果在表7中示出。
(去除处理)
接着，将光学片浸入PH值约为3的溶液中60秒。
(清洗处理)
接着，使用纯净水对光学片进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的导电片。
(表面电阻测量)
接着，测量如上所述制造的导电片的表面电阻。结果在表7中示出。
(比较实例2-2)
除了省略了形成SiO2层以外，以与实例2-2相同的方式制造光学片。此外，以与实例2-2相同的方式测量去除处理之前与之后的光学片的表面电阻。结果在表8中示出。
表7示出了根据实例2-2的导电片的测量结果。
表7
Figure BDA0000134406690000471
表8示出了根据比较实例2-2的光学片的测量结果。
表8
Figure BDA0000134406690000481
根据表7和表8可以得到如下理解。
在实例2-2中，在导电层表面中，ITO层和SiO2层在去除处理从具有高比率(Am/λm＝0.64)的第二区域被去除，并且第二区域处于绝缘状态中。另一方面，ITO层和SiO2层在去除处理没有从具有低比率(Am/λm＝0.52)的第一区域中被去除并保留在第一区域中，并且保留的第一区域处于导电状态。
在仅形成ITO层的比较实例2-2中，当经过60秒钟的去除处理时，ITO层被去除，不考虑高比率(Am/λm)的大小，区域处于绝缘状态。
因此，即使即使采用作为金属层的Ag层被作为光刻胶层的SiO2替代使用的多层配置的情况下，通过调节比率(Am/λm)的大小能够确保去除的选择性并且ITO层和SiO2层可以保留在具有低比率(Am/λm＝0.52)的第一区域中。此外，通过使SiO2层层压在ITO层上，在去除处理中能够提高ITO层的耐久性并且极大地提高去除选择性。
(参考实例2-1)
(沉积处理)
首先，准备具有光滑表面的PET层。接着，利用溅射方法在PET片上形成ITO层。极限真空度为0.00015Pa，沉积处理中真空度为0.24Pa，在形成过程中引入Ar气和O2气，并且Ar气和O2气的混合比率是Ar∶O2＝20∶1。此外，调节ITO层的膜厚度是30nm的形成条件。
(退火处理)
接着，对形成有ITO层的PET片在空气中150℃下退火60分钟。由此，促进了ITO层的多重结晶。接着，为了确认促进的状态，通过以X光衍射(XRD)测量ITO层确认In2O3的峰值。
基于以上，获得了作为目标的光学片。
(参考实例2-2)
(沉积处理和退火处理)
首先，以与参考实例2-1相同的方式执行沉积处理和退火处理，制造了已经执行退火处理的具有ITO层的PET膜。
(蚀刻处理)
接着，将已经执行了退火处理的PET膜浸入PH值约为3的溶液中10秒，从而执行ITO层的蚀刻。
(清洗处理)
接着，对已经执行了蚀刻处理的PET片顺序用纯净水进行清洗，用IPA(异丙醇)进行清洗以及用纯净水进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的光学片。
(参考实例2-3)
除了浸入时间变为20秒以外，以与参考实例2-2相同的方式获得光学片。
(参考实例2-4)
除了浸入时间变为30秒以外，以与参考实例2-2相同的方式获得光学片。
(参考实例2-5)
除了浸入时间变为40秒以外，以与参考实例2-2相同的方式获得光学片。
(参考实例2-6)
除了浸入时间变为50秒以外，以与参考实例2-2相同的方式获得光学片。
(参考实例2-7)
除了浸入时间变为60秒以外，以与参考实例2-2相同的方式获得光学片。
(参考实例3-1)
(转印处理)
首先，准备石英母版，其中具有凹形的纳米结构体形成在形成表面上。接着，将紫外线固化树脂涂覆至形成有纳米结构体的石英母版，具有易粘结层的PET片被粘结，并且当照射紫外光并且执行固化时剥离PET片。由此，获得了在其表面上形成有多个纳米结构体的PET片。
下面，示出了形成在PET片表面上的纳米结构体的配置的细节。
结构体的排列：六方栅格排列
结构体的凹凸形状：凸形
结构体的整体形状：圆形去顶锥形
结构体的排列节距：250nm
结构体的高度：90nm
结构体的纵横比率：0.36
(沉积处理)
接着，在利用溅射方法在形成有纳米结构体PET片的表面上形成ITO层。极限真空度为0.00015Pa，在沉积处理中真空度为0.24Pa，在形成处理中引入Ar气和O2气，并且Ar气和O2气的混合比率是Ar∶O2＝20∶1。此外，调整为当被换算为平坦表面时膜厚度为30nm的形成条件。这里，平板换算膜厚为当以与在形成有纳米结构体的PET片表面上形成ITO层的情况相同方式的形成条件在平板上形成ITO层时的膜厚度。根据对本发明的理解，平板换算膜厚基本上等于结构体的峰值部的膜厚度。
(退火处理)
接着，对形成有ITO层的PET片在空气中在150℃下退火60分钟。由此，促进了ITO层的多重结晶。接着，为了确认促进的状态，通过以X光衍射(XRD)测量ITO层来确认In2O3的峰值。
基于以上，获得了作为目标的光学片。
(参考实例3-2)
(沉积处理和退火处理)
首先，以与参考实例3-1相同的方式执行沉积处理和退火处理，从而制造了已经了执行退火处理的具有ITO层的PET膜。
(蚀刻处理)
接着，将已经执行了退火处理的PET膜浸入PH值约为3的溶液中10秒，从而执行ITO层的蚀刻。
(清洗处理)
接着，对已经执行了蚀刻处理的PET片顺序用纯净水进行清洗，用IPA进行清洗以及用纯净水进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的光学片。
(参考实例3-3)
除了浸入时间变为20秒以外，以与参考实例3-2相同的方式获得光学片。
(参考实例4-1)
除了结构体的排列节距是250nm、结构体的高度是120nm而纵横比率是0.48以外，以与参考实例3-1相同的方式获得光学层。
(参考实例4-2)
除了结构体的排列节距是250nm、结构体的高度是120nm而纵横比率是0.48以外，以与参考实例3-2相同的方式获得光学层。
(参考实例4-3)
除了结构体的排列节距是250nm、结构体的高度是120nm而纵横比率是0.48以外，以与参考实例3-3相同的方式获得光学层。
(参考实例5-1)
除了结构体的排列节距是250nm、结构体的高度是155nm而纵横比率是0.62以外，以与参考实例3-1相同的方式获得光学层。
(参考实例5-2)
除了结构体的排列节距是250nm、结构体的高度是155nm而纵横比率是0.62以外，以与参考实例3-2相同的方式获得光学层。
(参考实例5-3)
除了结构体的排列节距是250nm、结构体的高度是155nm而纵横比率是0.62以外，以与参考实例3-3相同的方式获得光学层。
(参考实例6-1)
(沉积处理和退火处理)
除了使用下面的棱镜片以外，以与参考实例3-1相同的方式执行沉积处理和退火处理，并制造了已经执行了退火处理的具有ITO层的棱镜片。
基于以上，获得了作为目标的光学片。
下面，示出了棱镜片的细节。
棱镜(结构体)的排列：一维排列
棱镜的凹凸形状：凸形
棱镜的形状：横截面为等腰三角形的柱形
棱镜的排列间隔：10μm
棱镜的高度：5μm
棱镜的纵横比率：0.50
(参考实例6-2)
(沉积处理和退火处理)
首先，以与参考实例6-1相同的方式执行沉积处理和退火处理，并且制造已经执行退火处理的具有ITO层的棱镜片。
(蚀刻处理)
接着，将已经执行了退火处理的棱镜片浸入PH值约为3的溶液中10秒，从而执行ITO层的蚀刻。
(清洗处理)
接着，对已经至此进行了蚀刻处理的棱镜片顺序用纯净水进行清洗、用IPA进行清洗和用纯净水进行清洗。
基于以上，获得了作为目标的光学片。
(参考实例6-3)
除了浸入时间变为20秒以外，以与参考实例6-2相同的方式获得光学片。
(参考实例6-4)
除了浸入时间变为30秒以外，以与参考实例6-2相同的方式获得光学片。
(参考实例6-5)
除了浸入时间变为40秒以外，以与参考实例6-2相同的方式获得光学片。
(表面电阻)
利用四端针方法测量如上所述获得的参考实例2-1到6-5的光学片的表面的表面电阻值。结果在表9中示出。
(变化初始速率的倒数)
利用下面的等式确定如上所述获得的参考实例2-1至6-5的光学片的表面中变化初始速率的倒数(虚拟厚度的变化)。结果在表10中和图22中示出。
(初始表面电阻的变化速率的倒数)＝(蚀刻之前样品的表面电阻)/(蚀刻之后样品的表面电阻)
表9示出了参考实例2-1至6-5的光学片的表面电阻的评估结果。
表9
Figure BDA0000134406690000541
单位：Ω/□
表10示出了参考实例2-1至6-5的光学片的改变的初始速率的倒数的评估结果。
表10
Figure BDA0000134406690000542
(变化速率的初始倒数)＝(蚀刻之前样品的表面电阻)/(蚀刻之后样品的表面电阻)
根据表9和表10和图22可以得到如下理解。
在ITO层形成在平坦表面上的参考实例2-1至2-7中，由于蚀刻，ITO膜的膜厚度趋于几乎不发生变化，表面电阻基本上恒定。另一方面，在ITO层形成在多个结构体上的参考实例3-1至3-3、参考实例4-1至4-3、参考实例5-1至5-3中，由于蚀刻，ITO层的厚度趋于极大地减小，表面电阻极大地增加。
甚至多个结构体以微米级排列节距形成的参考实例6-1到6-5中，表现出与多个结构体级纳米级排列节距形成的参考实例3-1至3-3、参考实例4-1至4-3、参考实例5-1至5-3相同的趋势。
上面，已经详细地描述了本发明的实施方式，但是本发明不限于上述实施方式，并且根据本发明的技术原理可以进行各种变形。
例如，上述实施方式的配置、方法、处理、形状、材料、数值等仅仅是示例性的，并且如果必要，可以使用不同的配置、方法、处理、形状、材料、数值等。
此外，只要不偏离本发明的实质，上述实施方式的配置、方法、处理、形状、材料、数值等能够相互结合。
此外，在上述的实施方式中，已经描述了本发明应用于具有配线形成在一个表面或者两个表面的单层的导电元件的实例，但是本发明不限于该实例并且还可以应用于具有多层的导电元件。
此外，在上述实施方式中，已经作为实例描述了配线形成在具有平坦表面的基板表面的情况，但是形成配线的表面并不限于平坦表面，并且配线可以形成在具有弯曲表面形状的基板表面上。
此外，在上述实施方式中，已经描述了本发明应用于液晶显示元件的实例，但是本发明不限于此实例，而是还可以应用于具有无源矩阵驱动方法的多种显示元件(例如，EL元件、电子纸等)。
此外，在上述实施方式中，已经描述了本发明应用于以两个基板重叠的配置的投影式静电电容方法的触摸面板的实例，但是本发明不限于此实例。例如，本发明还可以应用于以电极形成在一个基板的两侧上的配置的投影式静电电容方法的触摸面板。
此外，在上述的实施方式中，已经描述了本发明应用于作为电子装置的显示装置和信息输入装置的实例，但是本发明不限于该实例，并且能够应用于包括显示元件、配线元件(例如，印刷基板)等的多种电子装置。
本发明包含关于2011年2月7日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2011-024466的内容，其全部内容结合于此作为参考。
本领域的普通技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种变形、组合、子组合和修改，只要它们在所附权利要求或其等同替换的范围内。

Claims (22)

1.一种导电元件，包括：
基板，具有第一波形表面和第二波形表面；以及
层压膜，形成在所述第一波形表面上，并且层压有两层或更多层，
其中，所述层压膜形成导电图案，并且
所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：
0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8
这里，Am1：所述第一波形表面中振动的平均宽度，Am2：所述第二波形表面中振动的平均宽度，λm1：所述第一波形表面的平均波长，λm2：所述第二波形表面的平均波长。
2.根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：
(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，
所述第二波形表面的平均波长λm2为可见光的波长或者更小。
3.根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：
0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，
所述第一波形表面的平均波长λm1与所述第二波形表面的平均波长λm2为可见光的波长或者更小。
4.根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：
(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，
所述第二波形表面的平均波长λm2为100μm以上。
5.根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：
0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，
所述第一波形表面的平均波长λm1与所述第二波形表面的平均波长λm2为100μm以上。
6.根据权利要求1所述的导电元件，进一步包括：
残余膜，形成在所述第二波形表面上，并且为所述层压膜的一部分，
其中，所述层压膜和所述残余膜满足以下关系：
S1＞S2，这里，S1：所述层压膜的面积，S2：所属残余膜的面积。
7.根据权利要求6所述的导电元件，
其中，形成在所述第一波形表面上的所述层压膜以连续的方式形成在所述第一波形表面上，而形成在所述第二波形表面上的所述残余膜以不连续的方式形成在所述第二波形表面上。
8.根据权利要求1所述的导电元件，进一步包括：
残余膜，形成在所述第二波形表面上，并且为所述层压膜的一部分，
其中，所述层压膜和所述残余膜满足以下关系：
d1＞d2
这里，d1：所述层压膜的厚度，d2：所述残余膜的厚度。
9.根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述层压膜设置有导电层和形成在所述导电层上的功能层，并且，
所述功能层由与所述导电层不同的材料形成。
10.根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述层压膜使用彼此去除速率不同的材料形成。
11.根据权利要求9所述的导电元件，
其中，所述导电层为包括氧化物半导体的透明导电层。
12.根据权利要求11所述的导电元件，
其中，所述氧化物半导体包括铟锡氧化物或氧化锌。
13.根据权利要求9所述的导电元件，
其中，所述导电层为无定形态和多晶态的混合物。
14.根据权利要求9所述的导电元件，
其中，所述导电层包括从由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种。
15.根据权利要求9所述的导电元件，
其中，所述功能层包括从由氧化物和过渡金属化合物组成的组中选择的至少一种。
16.根据权利要求9所述的导电元件，
其中，所述功能层包括从由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种。
17.根据权利要求9所述的导电元件，
其中，所述功能层包括无定形态与多晶态混合的层和多晶态的层中的至少一种。
18.一种配线元件，包括：
根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。
19.一种信息输入装置，包括：
根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。
20.一种显示装置，包括：
根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。
21.一种电子装置，包括：
根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。
22.一种导电元件的制造方法，包括：
对于具有第一波形表面和第二波形表面的基板的表面，通过层压两层或更多层来形成层压膜；以及
利用所述层压膜来形成导电图案部，其中，相对于从所述第一波形表面和所述第二波形表面去除形成在所述第二波形表面上的所述层压膜，保留形成在所述第一波形表面上的所述层压膜，
其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：
0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8
这里，Am1：所述第一波形表面中振动的平均宽度，Am2：所述第二波形表面中振动的平均宽度，λm1：所述第一波形表面的平均波长，λm2：所述第二波形表面的平均波长。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112136076A (zh) * 2018-06-29 2020-12-25 豪雅镜片泰国有限公司 眼镜镜片

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120044355A (ko) * 2009-07-03 2012-05-07 호야 가부시키가이샤 기능 경사형 무기 레지스트, 기능 경사형 무기 레지스트가 부착된 기판, 기능 경사형 무기 레지스트가 부착된 원통 기재, 기능 경사형 무기 레지스트의 형성 방법 및 미세 패턴 형성 방법과 무기 레지스트와 그 제조 방법
CN103235676B (zh) * 2013-05-31 2016-12-28 普乐新能源（蚌埠）有限公司 电子白板用电容触摸屏的制备方法
GB2518363A (en) * 2013-09-18 2015-03-25 Novalia Ltd Circuit board assembly
JP7110623B2 (ja) * 2018-03-01 2022-08-02 大日本印刷株式会社 転写シート、転写シートの製造方法、及び加飾成形品の製造方法
KR102501016B1 (ko) * 2018-06-29 2023-02-21 호야 렌즈 타일랜드 리미티드 안경 렌즈
JP7229242B2 (ja) * 2018-06-29 2023-02-27 ホヤ レンズ タイランド リミテッド 眼鏡レンズの製造方法
JP6660424B2 (ja) * 2018-07-20 2020-03-11 ミネベアミツミ株式会社 入力装置
JP2020074238A (ja) * 2020-02-07 2020-05-14 ミネベアミツミ株式会社 入力装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5356488A (en) * 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
CN1277736A (zh) * 1997-08-22 2000-12-20 比利时西门子公司 在基片上的两层布线之间制作电学上导电的交叉连接的方法
EP1107320A2 (en) * 1999-11-30 2001-06-13 Sharp Kabushiki Kaisha Sheet manufacturing method, sheet, sheet manufacturing apparatus, and solar cell
US20020197460A1 (en) * 2000-07-19 2002-12-26 Naomi Kaneko Substrate with an electrode and method of producing the same
US20080220559A1 (en) * 2001-10-24 2008-09-11 Kyocera Corporation Solar cell, manufacturing method thereof and electrode material
US20080304155A1 (en) * 2007-06-06 2008-12-11 Sony Corporation Optical element, method for producing same, replica substrate configured to form optical element, and method for producing replica substrate
CN101512682A (zh) * 2006-09-28 2009-08-19 富士胶片株式会社 自发光显示装置及其制造方法、透明导电性薄膜、电致发光元件、太阳能电池用透明电极及电子纸用透明电极

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000238178A (ja) 1999-02-24 2000-09-05 Teijin Ltd 透明導電積層体
JP2001067937A (ja) * 1999-08-24 2001-03-16 Hitachi Cable Ltd 透明導電膜形成基板
US7046905B1 (en) * 1999-10-08 2006-05-16 3M Innovative Properties Company Blacklight with structured surfaces
JP2005149807A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 画像表示パネル用基板の製造方法
US20060043638A1 (en) 2004-08-26 2006-03-02 3M Innovative Properties Company Method of forming microstructures with multiple discrete molds
WO2008069164A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antireflection film and display device
JP4935627B2 (ja) * 2007-10-30 2012-05-23 ソニー株式会社 光学素子および光学素子作製用原盤の製造方法
JP4553031B2 (ja) 2008-04-25 2010-09-29 ソニー株式会社 タッチパネル及びその製造方法
KR101091196B1 (ko) * 2008-08-14 2011-12-09 한국전기연구원 탄소나노튜브가 코팅된 폴리카보네이트 투명전도성 필름 및이를 이용한 터치패널
JP5439783B2 (ja) * 2008-09-29 2014-03-12 ソニー株式会社 光学素子、反射防止機能付き光学部品、および原盤
JP2011024466A (ja) 2009-07-23 2011-02-10 Institute Of Physical & Chemical Research キク品種「新神２」の識別方法
TWI467214B (zh) * 2009-09-02 2015-01-01 Dexerials Corp A conductive optical element, a touch panel, an information input device, a display device, a solar cell, and a conductive optical element
JP4626721B1 (ja) * 2009-09-02 2011-02-09 ソニー株式会社 透明導電性電極、タッチパネル、情報入力装置、および表示装置
JP5659551B2 (ja) * 2010-04-28 2015-01-28 ソニー株式会社 透明導電性素子、入力装置、および表示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5356488A (en) * 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
CN1277736A (zh) * 1997-08-22 2000-12-20 比利时西门子公司 在基片上的两层布线之间制作电学上导电的交叉连接的方法
EP1107320A2 (en) * 1999-11-30 2001-06-13 Sharp Kabushiki Kaisha Sheet manufacturing method, sheet, sheet manufacturing apparatus, and solar cell
US20020197460A1 (en) * 2000-07-19 2002-12-26 Naomi Kaneko Substrate with an electrode and method of producing the same
US20040104121A1 (en) * 2000-07-19 2004-06-03 Matsushita Elec. Ind. Co. Ltd. Substrate with an electrode and method of producing the same
US20080220559A1 (en) * 2001-10-24 2008-09-11 Kyocera Corporation Solar cell, manufacturing method thereof and electrode material
CN101512682A (zh) * 2006-09-28 2009-08-19 富士胶片株式会社 自发光显示装置及其制造方法、透明导电性薄膜、电致发光元件、太阳能电池用透明电极及电子纸用透明电极
US20080304155A1 (en) * 2007-06-06 2008-12-11 Sony Corporation Optical element, method for producing same, replica substrate configured to form optical element, and method for producing replica substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112136076A (zh) * 2018-06-29 2020-12-25 豪雅镜片泰国有限公司 眼镜镜片

Also Published As

Publication number Publication date
US20120199384A1 (en) 2012-08-09
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EP2485572A2 (en) 2012-08-08
US8742530B2 (en) 2014-06-03

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