JP2001067937A - 透明導電膜形成基板 - Google Patents
透明導電膜形成基板Info
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- JP2001067937A JP2001067937A JP23719999A JP23719999A JP2001067937A JP 2001067937 A JP2001067937 A JP 2001067937A JP 23719999 A JP23719999 A JP 23719999A JP 23719999 A JP23719999 A JP 23719999A JP 2001067937 A JP2001067937 A JP 2001067937A
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- conductive film
- film
- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明導電膜の表面が平坦であり、その上に形
成される材料膜の厚さを均一化することのできる透明導
電膜形成基板を提供する。 【解決手段】 透明基板１の上に所定のパターンの誘電
体の膜２を形成し、この誘電体の膜２を埋没させ、かつ
誘電体の膜２の上に薄膜４が形成されるようにして透明
導電膜３をフラット状に形成する。
成される材料膜の厚さを均一化することのできる透明導
電膜形成基板を提供する。 【解決手段】 透明基板１の上に所定のパターンの誘電
体の膜２を形成し、この誘電体の膜２を埋没させ、かつ
誘電体の膜２の上に薄膜４が形成されるようにして透明
導電膜３をフラット状に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜形成基
板に関し、特に、形成した透明導電膜に凹凸のない透明
導電膜形成基板に関する。
板に関し、特に、形成した透明導電膜に凹凸のない透明
導電膜形成基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶あるいは有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）等のディスプレイにおいては、光を透過さ
せることのできる電気配線（電極）が必要であり、通
常、これには、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）ある
いはＳｎＯ2 等が使用される。特に、ＩＴＯは、抵抗が
低いことと配線加工が容易なことから、この用途に多く
用いられている。
ネッセンス）等のディスプレイにおいては、光を透過さ
せることのできる電気配線（電極）が必要であり、通
常、これには、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）ある
いはＳｎＯ2 等が使用される。特に、ＩＴＯは、抵抗が
低いことと配線加工が容易なことから、この用途に多く
用いられている。
【０００３】従来の透明導電膜形成基板における導電膜
は、フォトリソプロセスによって形成されるのが普通で
ある。ガラス基板の全面にＩＴＯの膜を０．０５〜０．
５μｍの厚さに設け、これにフォトレジストを塗布して
露光と現像を行った後、エッチング処理を施すことによ
って不要部分を除去し、所定のパターンの縞（ストライ
プ）状の配線形状とされる。
は、フォトリソプロセスによって形成されるのが普通で
ある。ガラス基板の全面にＩＴＯの膜を０．０５〜０．
５μｍの厚さに設け、これにフォトレジストを塗布して
露光と現像を行った後、エッチング処理を施すことによ
って不要部分を除去し、所定のパターンの縞（ストライ
プ）状の配線形状とされる。
【０００４】有機ＥＬ等の用途においては、この基板の
上に数１０ｎｍ厚さの有機材料の伝導膜が複数層形成さ
れ、さらに、その上に、上記した配線の形成方向とは直
角方向の縞（ストライプ）状のＩＴＯによる透明導電膜
の配線が形成される。この構成において上下の配線の間
に形成される有機材料の膜の厚さは、できるだけ均一で
あることが必要であり、凹凸等の発生は極力避けること
が重要となる。
上に数１０ｎｍ厚さの有機材料の伝導膜が複数層形成さ
れ、さらに、その上に、上記した配線の形成方向とは直
角方向の縞（ストライプ）状のＩＴＯによる透明導電膜
の配線が形成される。この構成において上下の配線の間
に形成される有機材料の膜の厚さは、できるだけ均一で
あることが必要であり、凹凸等の発生は極力避けること
が重要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の透明導
電膜形成基板によると、透明導電膜の配線の中におい
て、透明導電膜を有する部分と有しない部分に凹凸の段
差が生ずることは避けられず、従って、この上に形成さ
れる膜の厚さの均一化には限界がある。
電膜形成基板によると、透明導電膜の配線の中におい
て、透明導電膜を有する部分と有しない部分に凹凸の段
差が生ずることは避けられず、従って、この上に形成さ
れる膜の厚さの均一化には限界がある。
【０００６】このため、厚さの薄い部分の電界が大きく
なることによる劣化を原因とした非発光部が生ずる恐れ
があるばかりでなく、この部分でのリーク電流が大きく
なり、結果として発光効率の低下を招くことがある。特
に、有機ＥＬにおいては、低い抵抗を確保するために透
明導電膜を厚く形成しなければならず、透明導電膜の凹
凸とそれによる影響は大きなものとなる。
なることによる劣化を原因とした非発光部が生ずる恐れ
があるばかりでなく、この部分でのリーク電流が大きく
なり、結果として発光効率の低下を招くことがある。特
に、有機ＥＬにおいては、低い抵抗を確保するために透
明導電膜を厚く形成しなければならず、透明導電膜の凹
凸とそれによる影響は大きなものとなる。
【０００７】従って、本発明の目的は、透明導電膜の表
面が平坦であり、その上に形成される材料膜の厚さを均
一化することのできる透明導電膜形成基板を提供するこ
とにある。
面が平坦であり、その上に形成される材料膜の厚さを均
一化することのできる透明導電膜形成基板を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、透明基板の上に透明導電膜を形成した透
明導電膜形成基板において、前記透明基板の上にストラ
イプ等の所定のパターンで形成された誘電体の膜と、前
記誘電体の膜を内部に埋没させ、前記誘電体の膜の上に
薄膜を形成するように前記透明基板の上にフラット状に
形成された透明導電膜を有することを特徴とする透明導
電膜形成基板を提供するものである。
達成するため、透明基板の上に透明導電膜を形成した透
明導電膜形成基板において、前記透明基板の上にストラ
イプ等の所定のパターンで形成された誘電体の膜と、前
記誘電体の膜を内部に埋没させ、前記誘電体の膜の上に
薄膜を形成するように前記透明基板の上にフラット状に
形成された透明導電膜を有することを特徴とする透明導
電膜形成基板を提供するものである。
【０００９】上記した誘電体の膜は、ＭｇＯ、ＺｎＯ、
あるいはＰＬＺＴ〔（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3 〕等より構成され、この誘電体の膜は、基板の上に
縞状など所定のパターンに形成される。本発明において
は、この誘電体の膜を覆うように透明導電膜が形成され
る結果、透明導電膜には、誘電体の膜の形成パターンに
応じた形状、言い換えれば、誘電体の膜によって区画さ
れ、設定される所定の形状の配線パターンが与えられる
ことになる。
あるいはＰＬＺＴ〔（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3 〕等より構成され、この誘電体の膜は、基板の上に
縞状など所定のパターンに形成される。本発明において
は、この誘電体の膜を覆うように透明導電膜が形成され
る結果、透明導電膜には、誘電体の膜の形成パターンに
応じた形状、言い換えれば、誘電体の膜によって区画さ
れ、設定される所定の形状の配線パターンが与えられる
ことになる。
【００１０】そして、本発明の透明導電膜においては、
誘電体の膜の上にフラット状に形成された部分が薄膜で
あり、従って、この部分の電気抵抗は大きくなる一方、
上記した誘電体の膜によって与えられる配線パターンの
部分は充分な厚さの故に抵抗値が小さくなり、この結
果、薄膜の部分が関与しない所定の形状の配線が形成さ
れることになる。
誘電体の膜の上にフラット状に形成された部分が薄膜で
あり、従って、この部分の電気抵抗は大きくなる一方、
上記した誘電体の膜によって与えられる配線パターンの
部分は充分な厚さの故に抵抗値が小さくなり、この結
果、薄膜の部分が関与しない所定の形状の配線が形成さ
れることになる。
【００１１】しかも、透明導電膜は、誘電体の膜を埋没
させて形成されるため、その表面はフラット状で平坦な
ものとなり、従って、この上に形成される有機ＥＬ等の
材料の膜は均一な厚さに形成され、透明導電膜の凹凸を
原因とした前述のような不具合の発生は防止されること
になる。
させて形成されるため、その表面はフラット状で平坦な
ものとなり、従って、この上に形成される有機ＥＬ等の
材料の膜は均一な厚さに形成され、透明導電膜の凹凸を
原因とした前述のような不具合の発生は防止されること
になる。
【００１２】透明導電膜の構成材としては、抵抗値が低
いＩＴＯの使用が好適であり、その誘電体の膜上への薄
膜の形成厚さは、０．０５μｍ以下に設定することが好
ましい。薄膜を０．０５μｍを超えて形成することは、
この部分に導電性が生ずるようになるので避けるべきで
ある。
いＩＴＯの使用が好適であり、その誘電体の膜上への薄
膜の形成厚さは、０．０５μｍ以下に設定することが好
ましい。薄膜を０．０５μｍを超えて形成することは、
この部分に導電性が生ずるようになるので避けるべきで
ある。
【００１３】本発明による透明導電膜形成基板の適用対
象としては、主に有機ＥＬあるいは液晶等のディスプレ
イ類が挙げられるが、自動車の窓の結露防止のための導
電膜などディスプレイ以外の用途にも適用することがで
きる。透明導電膜を有し、形成する透明導電膜の表面に
平坦性が要求される用途であれば適用可能である。
象としては、主に有機ＥＬあるいは液晶等のディスプレ
イ類が挙げられるが、自動車の窓の結露防止のための導
電膜などディスプレイ以外の用途にも適用することがで
きる。透明導電膜を有し、形成する透明導電膜の表面に
平坦性が要求される用途であれば適用可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明による透明導電膜形
成基板の実施の形態を説明する。図１において、１は３
０ｃｍ×４０ｃｍの大きさを有する無アルカリガラスの
透明基板、２は基板１の上に形成されたＭｇＯの誘電体
の膜を示し、幅Ａが５０μｍ、間隔Ｂが１００μｍの１
５０μｍピッチの縞状に形成されている。
成基板の実施の形態を説明する。図１において、１は３
０ｃｍ×４０ｃｍの大きさを有する無アルカリガラスの
透明基板、２は基板１の上に形成されたＭｇＯの誘電体
の膜を示し、幅Ａが５０μｍ、間隔Ｂが１００μｍの１
５０μｍピッチの縞状に形成されている。
【００１５】この誘電体の膜２は、透明基板１の上にフ
ォトレジストを塗布して、これに所定のフォトリソプロ
セスを施すことによって所定のパターンを形成し、その
後、これにＭｇＯの熱分解法原料を０．５μｍの厚さに
塗布し、１５０℃で１時間の乾燥を行った後、残存レジ
ストを除去し、３００℃で１時間の仮焼結と５００℃で
１時間の本焼結を施すことによって形成した。
ォトレジストを塗布して、これに所定のフォトリソプロ
セスを施すことによって所定のパターンを形成し、その
後、これにＭｇＯの熱分解法原料を０．５μｍの厚さに
塗布し、１５０℃で１時間の乾燥を行った後、残存レジ
ストを除去し、３００℃で１時間の仮焼結と５００℃で
１時間の本焼結を施すことによって形成した。
【００１６】３は透明導電膜を示し、ＩＴＯの熱分解法
材料を塗布し、加熱焼結することによって形成されてい
る。この透明導電膜３は、０．５５μｍの厚さに設けら
れており、従って、誘電体の膜２の上には、厚さｔが
０．０５μｍの薄膜４が形成されている。そして、この
ように誘電体の膜２を内部に埋没する結果、透明導電膜
３は平坦な表面状態を呈している。
材料を塗布し、加熱焼結することによって形成されてい
る。この透明導電膜３は、０．５５μｍの厚さに設けら
れており、従って、誘電体の膜２の上には、厚さｔが
０．０５μｍの薄膜４が形成されている。そして、この
ように誘電体の膜２を内部に埋没する結果、透明導電膜
３は平坦な表面状態を呈している。
【００１７】以上の構成において、誘電体の膜２によっ
て区画された部分（配線部）５の抵抗を測定したとこ
ろ、ＩＴＯの配線として充分な５×１０-4Ω・ｃｍの値
を示した。これに対して薄膜４の部分は、抵抗率が極端
に高いために実質的な電気伝導度を示さず、この結果、
透明導電膜３は、誘電体の膜２によって所定のパターン
に形成された配線部５に基づく配線構成を有しているこ
とが確認された。
て区画された部分（配線部）５の抵抗を測定したとこ
ろ、ＩＴＯの配線として充分な５×１０-4Ω・ｃｍの値
を示した。これに対して薄膜４の部分は、抵抗率が極端
に高いために実質的な電気伝導度を示さず、この結果、
透明導電膜３は、誘電体の膜２によって所定のパターン
に形成された配線部５に基づく配線構成を有しているこ
とが確認された。
【００１８】以上の構成の透明導電膜形成基板６の透明
導電膜３の上に有機ＥＬ用のｐ型伝導膜とｎ型伝導膜を
形成してこれに電極を設けた有機ＥＬと、［０００３］
と［０００４］に基づく従来の有機ＥＬを準備し、これ
らに電流を流してその信頼性を対比したところ、従来の
有機ＥＬの電極の端部には非発光部が現れたのに対し、
本実施形態による有機ＥＬは全く安定であり、長期に亙
って非発光部の発生が認められなかった。
導電膜３の上に有機ＥＬ用のｐ型伝導膜とｎ型伝導膜を
形成してこれに電極を設けた有機ＥＬと、［０００３］
と［０００４］に基づく従来の有機ＥＬを準備し、これ
らに電流を流してその信頼性を対比したところ、従来の
有機ＥＬの電極の端部には非発光部が現れたのに対し、
本実施形態による有機ＥＬは全く安定であり、長期に亙
って非発光部の発生が認められなかった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による透明
導電膜形成基板によれば、透明基板の上にストライプ等
の所定のパターンの誘電体の膜を形成し、この誘電体の
膜を埋没させ、かつ誘電体の膜の上に薄膜が形成される
ようにして透明導電膜をフラット状に形成しているた
め、透明導電膜には、誘電体の膜のパターンに応じた所
定の配線部が形成されるとともに表面が平坦なものとな
り、従って、従来のように透明導電膜の凹凸を原因とし
た不具合が生じない良好な透明導電膜形成基板を提供す
ることができる。
導電膜形成基板によれば、透明基板の上にストライプ等
の所定のパターンの誘電体の膜を形成し、この誘電体の
膜を埋没させ、かつ誘電体の膜の上に薄膜が形成される
ようにして透明導電膜をフラット状に形成しているた
め、透明導電膜には、誘電体の膜のパターンに応じた所
定の配線部が形成されるとともに表面が平坦なものとな
り、従って、従来のように透明導電膜の凹凸を原因とし
た不具合が生じない良好な透明導電膜形成基板を提供す
ることができる。
【図１】本発明による透明導電膜形成基板の実施の形態
を示す説明図。
を示す説明図。
１ 透明基板 ２ 誘電体の膜 ３ 透明導電膜 ４ 薄膜 ５ 配線部 ６ 透明導電膜形成基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/28 Ｈ０５Ｂ 33/28 ５Ｇ３２３ // Ｂ３２Ｂ 7/02 １０４ Ｂ３２Ｂ 7/02 １０４ Ｆターム(参考） 2H092 GA13 HA04 HA07 HA14 HA28 MA13 MA17 MA29 NA19 3D025 AA02 AC11 AD01 3K007 AB00 CA00 CA01 CB01 DA00 EB00 FA01 FA03 4F100 AA18B AA25B AA33C AR00B AT00A BA03 BA07 BA10A BA10C BA44B DC22B GB41 HB00B JG01C JG05B JL01 JN01A JN01C YY00C 5G307 FA01 FB01 FC07 FC10 5G323 BA04 BB01 BC01
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板の上に透明導電膜を形成した透明
導電膜形成基板において、前記透明基板の上にストライ
プ等の所定のパターンで形成された誘電体の膜と、 前記誘電体の膜を内部に埋没させ、前記誘電体の膜の上
に薄膜を形成するように前記透明基板の上にフラット状
に形成された透明導電膜を有することを特徴とする透明
導電膜形成基板。 - 【請求項２】前記透明導電膜は、インジウム・スズ酸化
物より構成されることを特徴とする請求項１項記載の透
明導電膜形成基板。 - 【請求項３】パターン形成された前記誘電体の膜の上に
形成された前記薄膜は、０．０５μｍ以下の厚さを有す
ることを特徴とする請求項１項記載の透明導電膜形成基
板。 - 【請求項４】前記誘電体の膜は、ＭｇＯ、ＺｎＯ、およ
びＰＬＺＴより選択された１つの材料で構成されること
を特徴とする請求項１項記載の透明導電膜形成基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23719999A JP2001067937A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 透明導電膜形成基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23719999A JP2001067937A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 透明導電膜形成基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001067937A true JP2001067937A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17011853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23719999A Pending JP2001067937A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 透明導電膜形成基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001067937A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011232682A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Sony Corp | 配線構造体、およびその製造方法 |
| JP2012163789A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Sony Corp | 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器 |
| KR101209047B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
1999
- 1999-08-24 JP JP23719999A patent/JP2001067937A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101209047B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2011232682A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Sony Corp | 配線構造体、およびその製造方法 |
| JP2012163789A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Sony Corp | 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041129 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050111 |
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