CN102629026B - 一种取向膜摩擦装置和摩擦方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种取向膜摩擦装置和摩擦方法，涉及液晶显示领域，用以解决对设有至少两种不同排布方向像素电极的阵列基板的取向膜摩擦，所造成的取向膜摩擦效果不均匀的问题。所述取向膜摩擦方法，利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕；所述摩擦辊上有摩擦布，所述阵列基板上设有至少两个不同排布方向的像素电极；所述至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致。本发明提供的方案适用于液晶显示面板生产过程中取向膜的摩擦工艺。

Description

一种取向膜摩擦装置和摩擦方法

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种取向膜摩擦装置和摩擦方法。

背景技术

由于具有宽视角、高对比度、低功耗的显示器越来越受到广泛的关注。为了实现超宽视角、提高显示品质，设计了多种实现的方案。

如图1所示，为一种显示器的阵列基板，其在一个亚像素结构中的两个(或者三个及三个以上)像素电极的排布方向是不同的；其中，向两像素电极对称轴左侧倾斜的像素电极称为第一像素电极11，向两像素电极对称轴右侧倾斜的像素电极称为第二像素电极12。每个亚像素结构中的第一像素电极11和第二像素电极12为凸起的条状结构，即形成像素电极的阵列基板01表面是不平坦的，对该阵列基板01上的取向膜02进行取向摩擦工艺，就会造成摩擦效果不均匀的问题：首先，贴附在摩擦辊的摩擦布上的所有绒毛方向是一致的；当贴附有摩擦布的摩擦辊和涂覆有PI(Polyimide，聚酰亚胺)取向膜02的阵列基板01接触并相互摩擦的过程中，若绒毛在取向膜02上摩擦留下的沟痕方向与第一像素电极11的排布方向一致，则说明该阵列基板的第一像素区域21的凸起处和凹陷处都可被均匀地摩擦，但此时阵列基板的第二像素区域22的凸起处可以和绒毛接触，而凹陷处则很难接触到绒毛，这就导致了第二像素区域22摩擦不均匀，当然整个阵列基板的取向膜摩擦也是不均匀的；同样，若绒毛在取向膜02上摩擦留下的沟痕方向与第二像素电极12的排布方向一致，则也会导致整个阵列基板的取向膜摩擦效果不均匀。在液晶显示面板中，取向摩擦不均匀的阵列基板会引起液晶分子在取向膜表面的定向效果降低，甚至还会造成液晶显示面板在黑态下的漏光现象。所以，对设有至少两个不同排布方向像素电极的阵列基板的取向膜进行摩擦的过程中，会造成取向膜摩擦效果不均匀的这一问题亟待解决。

发明内容

本发明的实施例提供一种取向膜摩擦装置和摩擦方法，用以解决对设有至少两种不同排布方向像素电极的阵列基板的取向膜进行摩擦的过程中，所造成的取向膜摩擦效果不均匀的问题。

为解决上述问题，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种取向膜摩擦装置，包括：至少一个摩擦辊，所述摩擦辊上有摩擦布；所述至少一个摩擦辊用于对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕；所述阵列基板上设有至少两个不同排布方向的像素电极；所述至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致；

所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向一致，或与所述阵列基板上该像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称。

一种取向膜摩擦方法，包括：利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕；所述摩擦辊上有摩擦布，所述阵列基板上设有至少两个不同排布方向的像素电极；

所述至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致。

本发明实施例提供的一种取向膜摩擦装置和摩擦方法，通过利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，可以在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕，且至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致；这就使得每一像素电极所在像素区域的取向膜的凸起处和凹陷处都可被均匀地摩擦，从而使得整个阵列基板的取向膜摩擦效果均匀。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种设有两个不同排布方向的像素电极的阵列基板示意图；

图2为实施例一提供的一种取向膜摩擦装置和摩擦方法的示意图；

图3为实施例二提供的一种取向膜摩擦装置和摩擦方法的示意图；

图4为实施例三提供的一种取向膜摩擦装置和摩擦方法的示意图；

图5为实施例四提供的一种取向膜摩擦装置和摩擦方法的示意图。

附图标记：01-阵列基板，02-取向膜；11-第一像素电极，12-第二像素电极；21-第一像素区域，22-第二像素区域；31-摩擦辊；41、51、61-第一摩擦辊，42、52、62-第二摩擦辊。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的一种取向膜摩擦装置，包括：至少一个摩擦辊，所述摩擦辊上贴附有摩擦布；所述至少一个摩擦辊用于对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦；

所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向一致，或与所述阵列基板上该像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称。

其中，在本发明所有实施例中所述摩擦辊是指贴附有摩擦布的摩擦辊，所述摩擦体为绒毛或其他具有摩擦特征的类似物；另外，摩擦辊在取向膜上留下一种沟痕所进行的摩擦，称为一次摩擦。所述像素电极的排布方向是指该像素电极长度的方向。

进一步的，所述取向膜摩擦装置还包括：控制器；所述控制器用于控制所述摩擦辊绕其长轴的旋转方向；

在所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向一致的情况下，所述控制器用于控制该一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致；从而使得所述一个摩擦辊在阵列基板的取向膜上摩擦留下的沟痕与所述其中一个像素电极的排布方向一致。

在所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上该像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称的情况下，所述控制器用于控制该一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反；从而使得所述一个摩擦辊在阵列基板的取向膜上摩擦留下的沟痕与所该像素电极的排布方向一致。

进一步的，上述取向膜摩擦装置还可以用于对彩膜基板进行摩擦；此时，所述至少一个摩擦辊还用于对彩膜基板的取向膜进行至少两次摩擦。

本发明还提供了使用上述取向膜摩擦装置对取向膜进行摩擦的方法，该方法包括：

利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕；所述摩擦辊上贴附有摩擦布，所述阵列基板上设有至少两个不同排布方向的像素电极；

所述至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致。

优选的，所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向一致；

此时，所述利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕包括：

所述一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致，该一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与所述其中一个像素电极的排布方向一致的沟痕。

或者优选的，所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称；

此时，所述利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕包括：

所述一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反，该一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与所述其中一个像素电极的排布方向一致的沟痕。

另外，上述取向膜摩擦方法还包括：利用至少一个摩擦辊对彩膜基板的取向膜进行至少两次摩擦，在彩膜基板的取向膜上留下至少两种沟痕；其中，在彩膜基板的取向膜上留下的至少两种沟痕的方向与在阵列基板的取向膜上留下的至少两种沟痕的方向一一对应，且相对应的两方向一致。

本发明实施例提供的一种取向膜摩擦装置和摩擦方法，通过利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，可以在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕，且至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致；这就使得每一像素电极所在像素区域的取向膜的凸起处和凹陷处都可被均匀地摩擦，从而使得整个阵列基板的取向膜摩擦效果均匀。

实施例一：

下面将针对具体情况，对上述取向膜摩擦装置进行详细描述。所述具体情况如图2所示，取向膜摩擦装置包括一个摩擦辊31，该摩擦辊31对设有两个不同排布方向的像素电极的阵列基板01的取向膜02进行摩擦。在本发明实施例中，所述阵列基板上设有两个不同排布方向的像素电极，即第一像素电极11和第二像素电极12。

如图2所示的取向膜摩擦示意图中，取向膜摩擦装置包括：一个摩擦辊31，所述摩擦辊31上贴附有摩擦布；所述一个摩擦辊31用于对阵列基板01的取向膜02进行两次摩擦。

对于阵列基板上其中一个像素电极而言，所述摩擦辊上摩擦布的绒毛的倾斜方向与该像素电极的排布方向一致；或者，与该像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称。图2所示的取向膜摩擦示意图中，对于阵列基板01上的第一像素电极11而言，所述摩擦辊31上摩擦布的绒毛的倾斜方向与该第一像素电极11的排布方向一致；另外，由于在本发明实施例中阵列基板上，第一像素电极11的排布方向和第二像素电极12的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称，故对于阵列基板01上的第二像素电极12而言，所述摩擦辊31上摩擦布的绒毛的倾斜方向与第二像素电极12的排布方向以该阵列基板01的行进方向为轴呈轴对称。

如图2所示，取向膜摩擦装置还包括：控制器；所述控制器用于控制所述摩擦辊绕其长轴的旋转方向；

对于第一像素电极11而言，所述摩擦辊上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第一像素电极11的排布方向一致，此时，所述控制器用于控制该摩擦辊31绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向一致。

在本发明所有实施例中，所述摩擦辊绕其长轴的旋转方向是指，该摩擦辊绕其长轴旋转在其与阵列基板接触点的切线方向。

例如，图2中的阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，所述控制器用于控制摩擦辊31绕其长轴为逆时针旋转，且在其与阵列基板01接触点的切线方向为自北向南；此时，该摩擦辊31绕其长轴的旋转方向与阵列基板01的行进方向一致，使得摩擦辊31在阵列基板01的取向膜02上摩擦留下的沟痕与第一像素电极11的排布方向一致。

对于第二像素电极12而言，所述摩擦辊31上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第二像素电极12的排布方向以该阵列基板01的行进方向为轴呈轴对称，所述控制器用于控制该一个摩擦辊31绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向相反。

例如，图2中的阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，所述控制器用于控制摩擦辊31绕其长轴为顺时针旋转，且在其与阵列基板接触点的切线方向为自南向北；此时，该摩擦辊31绕其长轴的旋转方向与阵列基板01的行进方向相反，使得摩擦辊31在阵列基板01的取向膜02上摩擦留下的沟痕与第二像素电极12的排布方向一致。

针对图2中的取向膜摩擦装置，本发明实施例还提供了与之相对应的取向膜摩擦方法。在图2所示的取向膜摩擦装置中的摩擦辊31上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第一像素电极11的排布方向一致，且第一像素电极11的排布方向和第二像素电极12的排布方向以该阵列基板01的行进方向为轴呈轴对称，也就是说，该摩擦辊31上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第二像素电极12的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称。所述取向摩擦方法包括：

(1)阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制摩擦辊31绕其长轴的逆时针旋转，即该摩擦辊31的旋转方向为自北向南；该摩擦辊对阵列基板01的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板01的取向膜02上留下一种与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕。

(2)阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制摩擦辊31绕其长轴的顺时针旋转，即该摩擦辊31的旋转方向为自南向北；该摩擦辊对阵列基板01的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板01的取向膜02上留下一种与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕。

上述两步骤，可以按照先步骤(1)再步骤(2)的顺序，也可以按照先步骤(2)再步骤(1)的顺序。

本发明实施例提供的方案，利用一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行两次摩擦，其中进行一次摩擦，在该取向膜上留下与第一像素电极的排布方向一致的沟痕，进行另一次摩擦，在该取向膜上留下与第二像素电极的排布方向一致的沟痕；从而使得第一像素区域21、第二像素区域22的凸起处和凹陷处都被均匀的摩擦，进而使得整个取向膜摩擦效果均匀。

需要说明的是，为使彩膜基板的取向膜和阵列基板的取向膜产生一致的摩擦效果，故上述取向膜摩擦装置及摩擦方法也都适用于对彩膜基板的取向膜的摩擦。

实施例二：

本发明实施例提供另一种取向膜摩擦装置及摩擦方法。如图3所示，取向膜摩擦装置包括两个摩擦辊，分别为第一摩擦辊41和第二摩擦辊42；所述摩擦辊41、42对设有两个不同排布方向的像素电极的阵列基板01的取向膜02进行摩擦。在本发明实施例中，所述阵列基板上设有两个不同排布方向的像素电极，即第一像素电极11和第二像素电极12。

如图3所示的取向膜摩擦示意图中，取向膜摩擦装置包括：两个摩擦辊41、42，所述摩擦辊41、42上贴附有摩擦布；所述两个摩擦辊41、42用于对阵列基板01的取向膜02进行两次摩擦。

其中，所述两个摩擦辊41、42用于对阵列基板01的取向膜02进行两次摩擦是指，第一摩擦辊41对阵列基板01的取向膜02进行一次摩擦，第二摩擦辊42对阵列基板01的取向膜02进行另一次摩擦。本发明实施例中的这种设计是使用两个摩擦辊41、42同时分别对阵列基板01的取向膜02进行一次摩擦，相对于实施例一而言，本实施例中的方案有利于提高摩擦效率；当然，需要说明的是，若是两个摩擦辊41、42先后对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，也是可以的。

图3所示的取向膜摩擦示意图中，第一摩擦辊41上摩擦布的绒毛的倾斜方向与该第一像素电极11的排布方向一致；第二摩擦辊42上摩擦布的绒毛的倾斜方向与第二像素电极12的排布方向一致。

取向膜摩擦装置还包括：控制器；所述控制器用于控制所述摩擦辊绕其长轴的旋转方向；每个摩擦辊连接一个控制器或者所述两个摩擦辊共同连接一个控制器，图3所示以两个摩擦辊41、42共同连接一个控制器为例，该控制器用于控制与其连接的两个摩擦辊的绕其长轴的旋转方向。

所述第一摩擦辊41上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板上第一像素电极11的排布方向一致，此时，所述控制器用于控制第一摩擦辊41绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向一致；所述第二摩擦辊42上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板上第二像素电极12的排布方向一致，此时，所述控制器用于控制该第二摩擦辊42绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向一致。

例如，图3中的阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，所述控制器用于控制摩擦辊41、42绕其长轴为逆时针旋转，且在摩擦辊41、42与阵列基板01接触点的切线方向为自北向南；此时，摩擦辊41、42绕其长轴的旋转方向与阵列基板01的行进方向一致，使得摩擦辊41、42在阵列基板01的取向膜02上摩擦留下的沟痕分别与第一像素电极11、第二像素电极12的排布方向一致。

针对图3中的取向膜摩擦装置，本发明实施例还提供了与之相对应的取向膜摩擦方法。在图3所示的取向膜摩擦装置中的第一摩擦辊41上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第一像素电极11的排布方向一致，且第二摩擦辊42上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第二像素电极12的排布方向一致。所述取向摩擦方法包括：

所述第一摩擦辊41绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向一致，该第一摩擦辊41对阵列基板的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜02上留下一种方向与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕；例如，阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制第一摩擦辊41绕其长轴的逆时针旋转，即第一摩擦辊41的旋转方向为自北向南，使得第一摩擦辊41在阵列基板的取向膜02上留下与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕。

并且，所述第二摩擦辊42绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向一致，该第二摩擦辊42对阵列基板的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜02上留下一种方向与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕；例如，阵列基板的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制第二摩擦辊42绕其长轴的逆时针旋转，即第二摩擦辊42的旋转方向为自北向南，使得第二摩擦辊42在阵列基板的取向膜02上留下与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕。

本发明实施例提供的方案，利用两个摩擦辊对阵列基板01的取向膜02进行两次摩擦，第一摩擦辊41在该取向膜上留下与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕，同时第二摩擦辊42在该取向膜上留下与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕；从而使得第一像素区域21、第二像素区域22的凸起处和凹陷处都被均匀的摩擦，进而使得整个取向膜摩擦效果均匀。

需要说明的是，为使彩膜基板的取向膜和阵列基板的取向膜产生一致的摩擦效果，故上述取向膜摩擦装置及摩擦方法也都适用于对彩膜基板的取向膜的摩擦。

实施例三：

本发明实施例提供另一种取向膜摩擦装置及摩擦方法。如图4所示，取向膜摩擦装置包括两个摩擦辊，分别为第一摩擦辊51、第二摩擦辊52；所述摩擦辊对设有两个不同排布方向的像素电极的阵列基板的取向膜02进行摩擦。在本发明实施例中，所述阵列基板上设有两个不同排布方向的像素电极，即第一像素电极11和第二像素电极12。

如图4所示的取向膜摩擦示意图中，取向膜摩擦装置包括：两个摩擦辊51、52，所述摩擦辊51、52上贴附有摩擦布；所述两个摩擦辊51、52用于对阵列基板01的取向膜02进行两次摩擦。

其中，所述两个摩擦辊用于对阵列基板01的取向膜02进行两次摩擦是指，第一摩擦辊51对阵列基板01的取向膜02进行一次摩擦，第二摩擦辊52对阵列基板01的取向膜02进行另一次摩擦。

进一步的，图4所示的取向膜摩擦示意图中，第一摩擦辊51上摩擦布的绒毛的倾斜方向与该第一像素电极11的排布方向一致；第二摩擦辊52上摩擦布的绒毛的倾斜方向与第二像素电极12的排布方向以该阵列基板01的行进方向为轴呈轴对称。

取向膜摩擦装置还包括：控制器；所述控制器用于控制所述摩擦辊绕其长轴的旋转方向；每个摩擦辊连接一个控制器或者所述两个摩擦辊共同连接一个控制器，图4所示以两个摩擦辊51、52共同连接一个控制器为例，该控制器用于控制与其连接的两个摩擦辊51、52的绕其长轴的旋转方向。

所述第一摩擦辊51上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第一像素电极11的排布方向一致，此时，所述控制器用于控制该第一摩擦辊51绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致；所述第二摩擦辊52上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第二像素电极12的排布方向以该阵列基板01的行进方向为轴呈轴对称，此时，所述控制器用于控制该第二摩擦辊52绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向相反。

例如，图4中的阵列基板的行进方向为自北向南。自西向东看，所述控制器用于控制第一摩擦辊51绕其长轴为逆时针旋转，且在第一摩擦辊51与阵列基板接触点的切线方向为自北向南；此时，第一摩擦辊51绕其长轴的旋转方向与阵列基板01的行进方向一致，使得第一摩擦辊51在阵列基板01的取向膜02上摩擦留下的沟痕与第一像素电极11的排布方向一致。同样的，自西向东看，所述控制器用于控制第二摩擦辊52绕其长轴为顺时针旋转，且在第二摩擦辊52与阵列基板接触点的切线方向为自南向北；此时，第二摩擦辊52绕其长轴的旋转方向与阵列基板01的行进方向相反，使得第二摩擦辊52在阵列基板的取向膜02上摩擦留下的沟痕与第二像素电极12的排布方向一致。

针对图4中的取向膜摩擦装置，本发明实施例还提供了与之相对应的取向膜摩擦方法。在图4所示的取向膜摩擦装置中的第一摩擦辊51上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板01上第一像素电极11的排布方向一致，且第二摩擦辊52上摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述阵列基板上第二像素电极12的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称。所述取向摩擦方法包括：

所述第一摩擦辊51绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向一致，该第一摩擦辊51对阵列基板的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜02上留下一种方向与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕；例如，阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制第一摩擦辊51绕其长轴的逆时针旋转，即第一摩擦辊51的旋转方向为自北向南，使得第一摩擦辊51在阵列基板的取向膜02上留下与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕。

并且，所述第二摩擦辊52绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反，该第二摩擦辊52对阵列基板的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜02上留下一种方向与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕；例如，阵列基板的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制第二摩擦辊52绕其长轴的顺时针旋转，即第二摩擦辊52的旋转方向为自南向北，使得第二摩擦辊52在阵列基板01的取向膜02上留下与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕。

本发明实施例提供的方案，利用两个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行两次摩擦，第一摩擦辊在该取向膜上留下与第一像素电极的排布方向一致的沟痕，同时第二摩擦辊在该取向膜上留下与第二像素电极的排布方向一致的沟痕；从而使得第一像素区域21、第二像素区域22的凸起处和凹陷处都被均匀的摩擦，进而使得整个取向膜摩擦效果均匀。

实施例四：

本发明实施例提供又一种取向膜摩擦装置及摩擦方法。如图5所示，取向膜摩擦装置包括两个摩擦辊，分别为第一摩擦辊61、第二摩擦辊62；所述摩擦辊对设有两个不同排布方向的像素电极的阵列基板的取向膜02进行摩擦。在本发明实施例中，所述阵列基板上设有两个不同排布方向的像素电极，即第一像素电极11和第二像素电极12。

并且，所述第一摩擦辊61上的摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述第一像素电极11的排布方向以阵列基板01的行进方向为轴呈轴对称，所述第二摩擦辊62上的摩擦布的绒毛的倾斜方向与所述第二像素电极12的排布方向以阵列基板01的行进方向为轴呈轴对称。

取向膜摩擦装置还包括：控制器；所述控制器用于控制所述摩擦辊绕其长轴的旋转方向；每个摩擦辊连接一个控制器或者所述两个摩擦辊共同连接一个控制器，图5所示以两个摩擦辊61、62共同连接一个控制器为例，该控制器用于控制与其连接的两个摩擦辊的绕其长轴的旋转方向。

例如，图5所示的摩擦示意图中，所述控制器用于控制第一摩擦辊61绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向相反，还用于控制第二摩擦辊62绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向相反。

例如图5所示的摩擦装置进行取向膜摩擦的方法包括：

所述第一摩擦辊61绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向相反，该第一摩擦辊61对阵列基板的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜02上留下一种方向与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕；例如，阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制第一摩擦辊61绕其长轴的顺时针旋转，即第一摩擦辊61的旋转方向为自南向北，使得第一摩擦辊61在阵列基板的取向膜02上留下与第一像素电极11的排布方向一致的沟痕。

并且，所述第二摩擦辊62绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板01的行进方向相反，该第二摩擦辊62对阵列基板的取向膜02进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜02上留下一种方向与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕；例如，阵列基板01的行进方向为自北向南；自西向东看，控制器控制第二摩擦辊62绕其长轴的顺时针旋转，即第二摩擦辊62的旋转方向为自南向北，使得第二摩擦辊62在阵列基板的取向膜02上留下与第二像素电极12的排布方向一致的沟痕。

本发明实施例提供的方案，利用两个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行两次摩擦，第一摩擦辊在该取向膜上留下与第一像素电极的排布方向一致的沟痕，同时第二摩擦辊在该取向膜上留下与第二像素电极的排布方向一致的沟痕；从而使得第一像素区域21、第二像素区域22的凸起处和凹陷处都被均匀的摩擦，进而使得整个取向膜摩擦效果均匀。

需要说明的是，为使彩膜基板的取向膜和阵列基板的取向膜产生相同的摩擦效果，故上述取向膜摩擦装置及摩擦方法也都适用于对彩膜基板的取向膜的摩擦。

上述实施例的取向膜摩擦装置及摩擦方法适用于基板上具有至少两个的不同区域的取向。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种取向膜摩擦装置，其特征在于，包括：至少一个摩擦辊，所述摩擦辊上有摩擦布；所述至少一个摩擦辊用于对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕；所述阵列基板上设有至少两个不同排布方向的像素电极；所述至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致；

所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向一致，或与所述阵列基板上该像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称。

2.根据权利要求1所述的取向膜摩擦装置，其特征在于，还包括：控制器；所述控制器用于控制所述摩擦辊绕其长轴的旋转方向；

在所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向一致的情况下，所述控制器用于控制该一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致；

在所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上该像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称的情况下，所述控制器用于控制该一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反。

3.根据权利要求1或2所述的取向膜摩擦装置，其特征在于，所述至少一个摩擦辊还用于对彩膜基板的取向膜进行至少两次摩擦。

4.一种取向膜摩擦方法，其特征在于，包括：利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕；所述摩擦辊上有摩擦布，所述阵列基板上设有至少两个不同排布方向的像素电极；

所述至少两种沟痕的方向与所述至少两个不同排布方向的像素电极的排布方向一一对应，且相对应的两方向一致。

5.根据权利要求4所述的取向膜摩擦方法，其特征在于，所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向一致；

所述利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕包括：

所述一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致，该一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与所述其中一个像素电极的排布方向一致的沟痕。

6.根据权利要求4所述的取向膜摩擦方法，其特征在于，所述至少一个摩擦辊中的一个摩擦辊上摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述阵列基板上其中一个像素电极的排布方向以该阵列基板的行进方向为轴呈轴对称；

所述利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕包括：

所述一个摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反，该一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与所述其中一个像素电极的排布方向一致的沟痕。

7.根据权利要求4所述的取向膜摩擦方法，其特征在于，所述摩擦辊的个数为两个，分别为第一摩擦辊和第二摩擦辊；所述阵列基板上设有两个不同排布方向的像素电极，分别为第一像素电极和第二像素电极；且所述第一摩擦辊上的摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述第一像素电极的排布方向一致，所述第二摩擦辊上的摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述第二像素电极的排布方向一致；

所述利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕包括：

所述第一摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致，该第一摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与第一像素电极的排布方向一致的沟痕；并且，

所述第二摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致，该第二摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与第二像素电极的排布方向一致的沟痕。

8.根据权利要求4所述的取向膜摩擦方法，其特征在于，所述摩擦辊的个数为两个，分别为第一摩擦辊和第二摩擦辊；所述阵列基板上设有两个不同排布方向的像素电极，分别为第一像素电极和第二像素电极；且所述第一摩擦辊上的摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述第一像素电极的排布方向一致，所述第二摩擦辊上的摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述第二像素电极的排布方向以阵列基板的行进方向为轴呈轴对称；

所述利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕包括：

所述第一摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向一致，该第一摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与第一像素电极的排布方向一致的沟痕；并且，

所述第二摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反，该第二摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与第二像素电极的排布方向一致的沟痕。

9.根据权利要求4所述的取向膜摩擦方法，其特征在于，所述摩擦辊的个数为两个，分别为第一摩擦辊和第二摩擦辊；所述阵列基板上设有两个不同排布方向的像素电极，分别为第一像素电极和第二像素电极；且所述第一摩擦辊上的摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述第一像素电极的排布方向以阵列基板的行进方向为轴呈轴对称，所述第二摩擦辊上的摩擦布的摩擦体的倾斜方向与所述第二像素电极的排布方向以阵列基板的行进方向为轴呈轴对称；

所述利用至少一个摩擦辊对阵列基板的取向膜进行至少两次摩擦，在阵列基板的取向膜上留下至少两种沟痕包括：

所述第一摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反，该第一摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与第一像素电极的排布方向一致的沟痕；并且，

所述第二摩擦辊绕其长轴的旋转方向与所述阵列基板的行进方向相反，该第二摩擦辊对阵列基板的取向膜进行一次摩擦，使得在阵列基板的取向膜上留下一种方向与第二像素电极的排布方向一致的沟痕。

10.根据权利要求4～9任一项所述的取向膜摩擦方法，其特征在于，还包括：利用至少一个摩擦辊对彩膜基板的取向膜进行至少两次摩擦，在彩膜基板的取向膜上留下至少两种沟痕；其中，在彩膜基板的取向膜上留下的至少两种沟痕的方向与在阵列基板的取向膜上留下的至少两种沟痕的方向一一对应，且相对应的两方向一致。