CN102623572A - 一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法 - Google Patents

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范志东
孙小娟
李倩
王志国
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Abstract

本发明提供了一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，包括以下步骤：在反应装置中充入氮气，将反应装置中的温度升至反应温度；在预反应压强下，以恒定流量向反应装置中充入氨气，在反应装置中发射预反应射频，使其保持一段时间；预反应压强不变、反应射频下，向反应装置中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置，持续沉积120-200s；预反应压强、反应射频均不变，再次向反应装置中充入硅烷，使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中，持续沉积500-700s。本方法使氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果均得到了提高，并最终实现了提高太阳能电池片的光电转换效率。

Description

一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法。
背景技术
太阳能光电产业作为21世纪的一种新型产业，受到了人们的普遍关注，其原因除了全球石化能源价格不断上涨之外，另一个重要原因就在于在人们的不懈努力之下，太阳能电池的光电转换效率已经提高到了比较实用的范围，在一定程度上改变了人们的生活。
太阳能电池在进行光电转换的过程中，除了吸收一部分的阳光以实现光电转换外，不可避免的还会反射一部分阳光，从而造成了太阳能的浪费。所以为了减少太阳能电池对阳光的反射，在太阳能电池的生产过程中，一般会在太阳能电池的表面设置氮化硅减反射薄膜，以减少太阳能电池对阳光的反射，使得其能够吸收更多的阳光，提高太阳能电池的光电转换效率(光电转换效率：太阳光入射到太阳能电池内，转换成的电能与太阳能的百分比，值越大，代表太阳光利用率越高)。在太阳能电池生产的过程中，氮化硅减反射薄膜是通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition的英文缩写，等离子增强化学气相沉积，一种借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，并在基片上沉积出薄膜，是半导体工业中普遍用来沉积多种材料的技术，其过程为：将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，并沉积到基片表面上。在这其中，反应室内的压力、基片的温度、气体的流动速率、气体通过基片的路程、气体的化学成份、一种气体相对于另一种气体的比率、反应的中间产品起的作用、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等因素都会对生成的沉积减反射薄膜造成影响，在太阳能电池领域中，基片为太阳能电池片)制备的，采用管式设备沉积氮化硅减反射薄膜的制造过程是以石英炉管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片太阳能电池片的石墨舟插进石英管中，使得发生化学反应后生成的氮化硅沉积到太阳能电池片上。
在太阳能电池领域中，因氮化硅减反射薄膜具有良好的绝缘性、化学稳定性和致密性等特点，被广泛地用于半导体的绝缘介质层或钝化层，而且氮化硅减反射薄膜对减少太阳电池片中的少子复合和光的反射损失和提高太阳电池片的光电转换效率有很大的帮助。采用PECVD方法沉积减反射薄膜的种类有很多，按照减反射薄膜纵向结构分类，可以分为单层减反射薄膜、双层减反射薄膜和多层减反射薄膜，目前在太阳能电池的工业生产中，氮化硅单层减反射薄膜和双层减反射薄膜使用较多，而双层减反射薄膜具有更好的钝化和减反射特性被广泛采用，其主要工艺过程如下：
1)在氮气的保护下，将石英炉管升温至氮化硅减反射薄膜沉积的温度350-460℃；
2)在压强为1200-2000mtorr(毫托，压强的单位)，氨气流量为2-3L，射频功率为4500-5500W，进行预沉积200-300s；
3)在压强为1200-2000mtorr，氨气：硅烷流量为3∶1-5∶1，射频功率为5300-6300W，沉积时间为20-60s，进行第一层氮化硅减反射薄膜的沉积；
4)在压强为1200-2000mtorr，氨气：硅烷流量为15∶1-18∶1，射频功率为5300-6300W，沉积时间为600-800s，进行第二层氮化硅减反射薄膜的沉积。
利用此种方法得到的氮化硅减反射薄膜的膜厚为80-95nm，折射率为1.9-2.1，钝化(利用氮化硅减反射薄膜里的氢使晶体硅材料的太阳能电池片沉底中的缺陷造成的悬挂键得以饱和，同时可以使金属杂质失去其电活性，提高少数载流子寿命从而起到钝化的作用)效果提高了30-40％，反射率则较制绒后降低了65-75％。在此氮化硅减反射薄膜中，第一次膜厚为10-15nm，厚度较薄，其中在生成的过程中得到的氢含量较低，不能较好的起到钝化作用，而第二层氮化硅减反射薄膜的厚度在氮化硅减反射薄膜的厚度一定的情况下则相对较厚，折射率也就相对较高，进而使得减反射效果相对下降，最终使得光电转换效率无法得到进一步的提高。
综上所述，如何提供一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，以实现提高氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果，进而进一步提高太阳能电池片的光电转换效率，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，实现了提高氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果，进而进一步提高了太阳能电池片的光电转换效率。
为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，用于在太阳能电池片上制备氮化硅减反射薄膜，包括以下步骤：
1)在反应装置中充入氮气，并将反应装置中的温度升至反应温度；
2)在预反应压强下，向所述反应装置中持续充入氨气，并在反应装置中持续发射预反应射频；
3)所述预反应压强不变，发射反应射频的情况下，向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置中，并持续沉积120-200s以得到第一层氮化硅减反射薄膜；
4)所述预反应压强和所述反应射频均不变的情况下，再次向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中，并持续沉积500-599s以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，所述反应装置为石英炉管。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，所述反应温度为350-460℃。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，步骤2)中所述氨气持续进入所述反应装置的流量为2-3L/s。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，所述预反应压强为1500-2000mtorr。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，所述预反应射频的功率为4500-5500W。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，所述预反应射频持续发射的时间为200-300s。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，所述第一射频的功率为5300-6300W。
优选的，上述制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，所述第一流量比为3∶1-5∶1。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：
本发明提供的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，与现有技术相比，在沉积第一层减反射薄膜时，将沉积时间由20-60s延长到120-200s，使得第一层减反射薄膜的厚度由原来的10-15nm增加到20-25nm，其中氢元素含量大大增多，从而提高了钝化效果；在沉积第二层减反射薄膜的过程中，氨气和硅烷的流量比由原来的15∶1-18∶1改为8∶1-10∶1，沉积时间由原来的600-800s缩短为500-700s，这样就使得氮化硅减反射薄膜的总厚度在始终保持80-95nm的前提下，通过减少氨气和硅烷的流量和沉积时间，来实现减小第二层减反射薄膜的厚度，由于氨气与硅烷的沉积比例发生了改变，所以第二层减反射薄膜的折射率也会发生改变，进而导致了氮化硅减反射薄膜的折射率由1.9-2.0提高至2.05-2.3，使得氮化硅减反射薄膜的减反射效果也得到了提高，并最终实现了提高太阳能电池片光电转换效率的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，实现了提高氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果，进而进一步提高了太阳能电池片的光电转换效率。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考附图1，图1为本发明实施例提供的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜方法的流程示意图。
本发明提供的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，用于在太阳能电池片上制备氮化硅减反射薄膜，包括以下步骤：
S101在反应装置中充入氮气，并将反应装置中的温度升至反应温度，充入氮气是用作衬底的原位等离子体清洗以改善氮化硅减反射薄膜生长初始表面，提高其生长质量；
S102在预反应压强下，向反应装置中持续充入氨气，并在反应装置中持续发射预反应射频，使其保持一段预反应时间，氨气为氮化硅减反射薄膜的形成提供氮原子；
S103在步骤S102预反应压强不变，发射反应射频的情况下，向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置中，并持续沉积120-200s以得到第一层氮化硅减反射薄膜；
S104在步骤S103预反应压强和反应射频均不变的情况下，再次向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中，并持续沉积500-599s以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
上述实施例提供的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，与现有技术相比，将沉积第一层减反射薄膜的时间由20-60s改为120-200s，优选的为120-140s，更优选的为140-160s，更优选的为160-180s，更优选的为180-200s，进而使得生成的第一层减反射薄膜的厚度由原来的10-15nm增加到20-25nm；在沉积第二层减反射薄膜的过程中，氨气和硅烷的流量比由原来的15∶1-18∶1变为8∶1-10∶1，优选的为8∶1，更优选的为9∶1，更优选的为10∶1，沉积时间也由原来的600-800s缩短为500-599s，优选的为500-525s，更优选的为525-550s，更优选的为550-575s，更优选的为575-599s。经过以上工艺的更改，本实施例提供的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法与现有技术相比，氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果均得到了提高，并最终实现了提高太阳能电池片光电转换效率的目的。
具体的，本实施例提供的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法中，步骤S101)中反应装置为石英炉管。在太阳能电池领域中，制备氮化硅减反射薄膜的主要设备有管式扩散炉和平板式扩散炉两种，而管式扩散炉大多数采用石英炉管作为沉积腔室，石英炉管因其具有耐高温、耐腐蚀、热稳定性好、电绝缘性好等优点，能够较为理想的满足沉积氮化硅减反射薄膜的工作要求。
为了使得制备氮化硅减反射薄膜的氨气和硅烷能够更好、更彻底的发生反应，步骤S101)中反应温度为350-460℃，此温度是氨气和硅烷最适合发生化学反应的温度，有助于提高氮化硅减反射薄膜的沉积效率。
为了使沉积得到的氮化硅减反射薄膜能够更加精确的实现工艺要求，使的沉积第一层减反射薄膜的效果更好，步骤S102)中氨气持续进入反应装置的流量为2-3L/s。在沉积前，在反应装置中以一定的流量充入氨气进行预沉积，为下一步进行的第一层减反射薄膜的沉积准备一个良好的沉积环境，使得沉积过程更顺利、沉积效果更佳。
同样的，为了得到符合工艺要求的氮化硅减反射薄膜，步骤S102)中的预反应压强为1500-2000mtorr。现有技术中，预反应压强为1200-2000mtorr。将预反应压强限定到的更小的范围内，是为下一步的，持续时间更长的沉积第一层减反射薄膜提供一个合适的沉积环境。此外，步骤S102)中的预反应射频的功率为4500-5500W，预反应射频持续发射的时间为200-300s。
在沉积第一层减反射薄膜时，步骤S103)中第一射频的功率为5300-6300W，氨气与硅烷的第一流量比为3∶1-5∶1。
实施例1
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为350℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1500mtorr的预反应压强，并以2L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为4500W的预反应射频，使其保持200s的预反应时间，再然后在反应射频功率为5300W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为3∶1的比例进入石英管中，并使其沉积120s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为8∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积500s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为20nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.05。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例2
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为375℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1565mtorr的预反应压强，并以2.15L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为4650W的预反应射频，使其保持215s的预反应时间，再然后在反应射频功率为5450W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为3.25∶1的比例进入石英管中，并使其沉积130s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为8.25∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积515s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为20.65nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.07。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例3
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为380℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1625mtorr的预反应压强，并以2.25L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为4750W的预反应射频，使其保持225s的预反应时间，再然后在反应射频功率为5550W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为3.5∶1的比例进入石英管中，并使其沉积140s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为8.5∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积525s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为21.25nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.1。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例4
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为395℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1690mtorr的预反应压强，并以2.4L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为4875W的预反应射频，使其保持240s的预反应时间，再然后在反应射频功率为5675W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为3.75∶1的比例进入石英管中，并使其沉积150s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为8.75∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积540s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为21.9nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.14。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例5
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为410℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1750mtorr的预反应压强，并以2.5L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为5000W的预反应射频，使其保持250s的预反应时间，再然后在反应射频功率为5800W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为4∶1的比例进入石英管中，并使其沉积160s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为9∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积550s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为22.5nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.18。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例6
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为425℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1810mtorr的预反应压强，并以2.6L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为5125W的预反应射频，使其保持260s的预反应时间，再然后在反应射频功率为5925W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为4.25∶1的比例进入石英管中，并使其沉积170s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为9.25∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积560s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为22.1nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.21。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例7
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为440℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1875mtorr的预反应压强，并以2.75L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为5250W的预反应射频，使其保持275s的预反应时间，再然后在反应射频功率为6050W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为4.5∶1的比例进入石英管中，并使其沉积180s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为9.5∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积575s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为23.75nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.24。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例8
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为450℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为1940mtorr的预反应压强，并以2.9L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为5375W的预反应射频，使其保持290s的预反应时间，再然后在反应射频功率为6175W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为4.75∶1的比例进入石英管中，并使其沉积190s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为9.5∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积590s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为24.4nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.27。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
实施例9
首先向石英炉管中充入氮气，在氮气的保护下将石英炉管中的温度升至温度值为460℃的反应温度，然后在石英炉管中施加压力值为2000mtorr的预反应压强，并以3L/s的流量向石英炉管中持续充入氨气，同时向石英炉管中发射功率为5500W的预反应射频，使其保持300s的预反应时间，再然后在反应射频功率为6300W的情况下，向石英炉管中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比为5∶1的比例进入石英管中，并使其沉积200s，以得到第一层氮化硅减反射薄膜，最后再次向石英炉管中持续充入硅烷，使得氨气与硅烷以流量比为10∶1的比例进入石英炉管中，并持续沉积599s，以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
由本实施例参数值制得的氮化硅减反射薄膜，第一层减反射薄膜的膜厚为25nm，第二层减反射薄膜的折射率为2.3。第一层减反射薄膜厚度的增加，使得其中所含的氢元素更多，进而提高了其钝化效果；生成第二层减反射薄膜的氨气和硅烷的比例降低，使得其中的各元素的含量比发生变化，进而导致折射率也发生了变化，最终使其得到提高。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，用于在太阳能电池片上制备氮化硅减反射薄膜，其特征在于，包括以下步骤：
1)在反应装置中充入氮气，并将反应装置中的温度升至反应温度；
2)在预反应压强下，向所述反应装置中持续充入氨气，并在反应装置中持续发射预反应射频；
3)所述预反应压强不变，发射反应射频的情况下，向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置中，并持续沉积120-200s以得到第一层氮化硅减反射薄膜；
4)所述预反应压强和所述反应射频均不变的情况下，再次向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中，并持续沉积500-599s以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述反应装置为石英炉管。
3.根据权利要求2所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述反应温度为350-460℃。
4.根据权利要求1所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，步骤2)中所述氨气持续进入所述反应装置的流量为2-3L/s。
5.根据权利要求4所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述预反应压强为1500-2000mtorr。
6.根据权利要求5所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述预反应射频的功率为4500-5500W。
7.根据权利要求6所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述预反应射频持续发射的时间为200-300s。
8.根据权利要求1所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述反应射频的功率为5300-6300W。
9.根据权利要求8所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，中所述第一流量比为3∶1-5∶1。
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