CN102130212B - 一种太阳能电池制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种太阳能电池制作方法，该方法是在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，在薄膜沉积初期，NH3与SiH4的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，SiH4与NH3的气体比例逐渐由0.370∶1降低至0.176∶1，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。新的PECVD薄膜能够将电池的反射率大幅降低为原有的60％，在此基础上，成品电池片在原有效率上提高∽0.1％，相应的电池组件功率提升1∽2W(60P).整个新生产过程未增加任何附加成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池制作方法。
背景技术
在对太阳能的利用方面，太阳能发电是一种十分重要的手段。在这方面，开发新技术，寻找新材料，不断的提高光电转换效率，降低成本，提高转换效率一直是大家最为关心的问题，其中最为直接的一种方法便是降低电池表面的反射率，增加光的透射，从而增加参与光电转换的光能量。
目前较为成熟的降低放射率方法主要有：
1、表面制绒：利用粗糙表面反射率低这一特性，在电池表面制作绒面，通过光的多次反射来降低光的反射率。
2、减反射膜：利用光的相消干涉原理，在电池表面镀一层光学薄膜，通过调节光学薄膜的厚度、折射率等的因素以达到最大减反效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种太阳能电池制作方法，降低太阳能电池表面的反射率，提高电池片的效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能电池制作方法，在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH4的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，SiH4与NH3的气体比例逐渐由0.370∶1降低至0.176∶1，，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。
沉积是的温度控制在350～400℃的范围内，多层渐进膜的折射率为2.0～2.2。
本发明的有益效果是：新的PECVD薄膜能够将电池的反射率大幅降低为原有的60％，在此基础上，成品电池片在原有效率上提高∽0.1％，相应的电池组件功率提升1∽2W(60P).整个新生产过程未增加任何附加成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；
图1是本发明的多层渐进膜的光学效果图；
具体实施方式
本发明的太阳能电池制作方法，是在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，该方法是在多晶硅太阳能电池的制作基础上，对PECVD镀膜工艺进行改善来实现的。传统工艺下PECVD所沉积的是一层单一成分薄膜，薄膜自上而下成分未发生大的变化，这种薄膜对特定波长的减反效果尤为明显，但是对于全波长的太阳光则略显不足。这里通过改变镀膜过程中的工艺条件沉积渐进膜来实现更加优化的减反效果。渐进膜的沉积方式无论是板式还是管式均可实现。在薄膜沉积初期，考虑到薄膜直接生长在硅基底上，这样需要沉积富硅含量的氮化硅薄膜，NH3与SiH4的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，在该薄层内含有大量未配对的自由H基，这些H基为后道的烧结进行体钝化提供自由基。随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，SiH4与NH3的气体比例逐渐由0.370∶1降低至0.176∶1，。这样会在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，这样可以很好的匹配正电极的丝网印刷，保持电极形状。通过这样的工艺可以一次性性沉积多层折射率及致密性不同的渐进膜，以到达最佳的光学减反效果，经过匹配组件玻璃，从外观上看呈现为黑色电池片.整个薄膜工艺是在一个变化的温度区间进行的，温度控制在350-400℃的范围内，沉积的膜厚为50-100nm，折射率为2.0-2.2。
该太阳能电池制作方法生产出来的电池片呈黑色，经过组件层压后匹配EVA及玻璃，整个组件外观呈现为黑色.通过降低反射率能够提高整个电池组件的功率，并且可针对该黑色电池片采用黑色背板与边框制作黑组件，此组件可用于屋顶光伏发电系统，美化建筑的同时增加攻率输出。
Claims (2)
1.一种太阳能电池制作方法，在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，其特征是：镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH4的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，SiH4与NH3的气体比例逐渐由0.370∶1降低至0.176∶1，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征是：沉积是的温度控制在350～400℃的范围内，多层渐进膜的折射率为2.0～2.2。
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