CN102608871A

CN102608871A - 光刻设备和器件制造方法

Info

Publication number: CN102608871A
Application number: CN2012100109556A
Authority: CN
Inventors: M·J·E·G·布瑞克尔斯; 马赛尔·弗兰克斯·赫尔特杰斯; N·J·M·博施
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2011-01-20
Filing date: 2012-01-13
Publication date: 2012-07-25
Anticipated expiration: 2032-01-13
Also published as: KR101428606B1; TWI452443B; US8891063B2; NL2008007A; KR20120084679A; CN102608871B; TW201234135A; JP2012151478A; US20120188528A1; JP5656886B2

Abstract

本发明涉及一种光刻设备和器件制造方法。所述光刻设备包括：用于容纳物体W的载物台WT；用于移动所述载物台的致动器；和用于将所述物体W转移至所述载物台WT或从所述载物台WT转移物体W的输送装置HW。所述光刻设备设置有与所述致动器和/或所述输送装置可操作地连接的控制器。所述控制器被编程和/或布置以驱动所述致动器和所述输送装置，以便保证在沿着所述物体转移至所述载物台或从所述载物台转移所述物体的转移方向的转移期间，所述载物台和所述输送装置在垂直于转移方向的方向基本上相互跟随。

Description

光刻设备和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和一种制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成了图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一单个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

光刻设备包括用于容纳物体的载物台。所述设备设置有用于移动载物台的致动器和用于将物体移动至载物台或从载物台移动物体的输送装置。载物台和输送装置之间的振动可能不利地影响所述设备。

发明内容

期望最小化载物台和输送装置之间的振动效应。

根据本发明的实施例，提供了一种光刻设备，包括：用于容纳物体的载物台；用于移动所述载物台的致动器；用于将所述物体转移至所述载物台或从所述载物台转移物体的输送装置；和与所述致动器和/或所述输送装置可操作地连接的控制器。所述控制器被编程和/或布置以驱动所述致动器和所述输送装置，以便使得在沿着所述物体转移至所述载物台或从所述载物台转移所述物体的转移方向的转移期间所述载物台和所述输送装置在垂直于转移方向的方向基本上相互跟随(follow eachother)。

根据本发明的另一实施例，提供了一种器件制造方法，包括：沿着转移方向将物体从输送装置转移至载物台，反之亦然(从载物台将物体转移至输送装置)；和在转移期间沿着垂直于所述转移方向的方向控制所述输送装置和/或所述载物台的位置。载物台和所述输送装置在垂直于所述转移方向的方向上相互跟随。

本发明的另外的特征和优点，以及本发明的各实施例的结构和操作被在下文关于附图进行了详细描述。注意到，本发明不限于此处描述的特定实施例。此处显示这样的实施例仅是为了说明目的。相关领域的技术人员将基于此处包含的教导明白另外的实施例。

附图说明

此处并入说明书且形成了说明书的一部分的附图示出了本发明，且与所述描述一起进一步用于说明本发明的原理，和使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1示出根据本发明的一实施例的光刻设备。

图2示出了根据本发明的一实施例的光刻设备的细节。

图3公开了根据本发明的一实施例的用于控制器的控制方案。

图4公开了根据本发明的一实施例的控制器的示意图。

结合附图通过下文阐述的详细描述，将更加明白本发明的特征和优点，在附图中相同的附图标记在全文中表示对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。元件首次出现的附图用相应的附图标记中最左边的数字表示。

具体实施方式

本说明书公开了包括本发明的特征的一个或更多的实施例。所公开的实施例仅示例性说明本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由随附的权利要求限定。

所描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的提及表示所述的实施例可以包括特定的特征、结构或特点，但是每个实施例不一定包括特定的特征、结构或特点。此外，这些措词不必表示同一实施例。此外，当特定特征、结构或特点被关于实施例进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，结合其他的实施例实现这样特征、结构或特点在本领域技术人员的知识范围内。

本发明的实施例的特征可以在硬件、固件、软件或其任何组合中实施。本发明实施例的特征还可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，其可以通过一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输成机器(例如计算装置)可读形式的信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存装置；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)，以及其他。此外，固件、软件、例行程序、指令可以在此处被描述成执行特定动作。然而，应该认识到，这样的描述仅是为了方便并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或用于执行所述固件、软件、例行程序、指令等的其他装置造成。

然而，在更加详细地描述这样的实施例之前，呈现出本发明的实施例可以被实施的示例性环境是有益的。

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)或任何其他适合的辐射)；掩模支撑结构(例如掩模台)MT，构造成用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。所述设备还包括衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑件”，构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。所述光刻设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，该投影系统PS配置成将图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

掩模支撑结构MT支撑图案形成装置MA，即承受图案形成装置MA的重量。它以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述掩模支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述掩模支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述掩模支撑结构MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。此处使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以被认为是与更上位的术语“图案形成装置”同义。

此处使用的术语“图案形成装置”MA应当被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束B的图案可能不与衬底的目标部分中的期望图案完全一致(例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束B的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型和衰减型相移掩模类型以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B中。

此处使用的术语“投影系统”PS可以被广义地解释成包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。此处使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如此处所示，所述设备是透射类型的(例如采用透射式掩模)。可替代地，所述设备可以是反射型的(例如采用上文所述的类型的可编程反射镜阵列或采用反射式掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台WT或“衬底支撑件”(和/或两个或更多的掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台或支撑件，或可以在一个或更多个台或支撑件上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它的台或支撑件用于曝光。

光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被折射率相对高的液体(例如水)覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而是意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。

参考图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在掩模支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA形成图案。在已经横穿掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成图1中的第二定位装置PW的一部分的、借助于长行程致动器可移动的长行程框架LoS(参见图2)和借助于短行程致动器相对于长行程框架可移动的短行程框架SS来实现所述衬底台WT或“衬底支撑件”的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将所示的光刻设备用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将掩模台MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT或“衬底支撑件”沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在对掩模台MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑件”相对于掩模台MT或“掩模支撑件”的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。

3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT或“掩模支撑件”保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT或“衬底支撑件”进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。在这一模式中，通常可以采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT或“衬底支撑件”的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上文所述的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2示出了根据本发明的一实施例的光刻设备的细节。光刻设备可以设置有输送装置HW，用于将物体(例如衬底W)转移至载物台(例如衬底台WT)或从其转移物体。输送装置HW可以构造成和布置成上下移动衬底W以使其到达衬底台WT的表面。输送装置HW和衬底台WT可以设置有真空或静电夹具以将衬底WT夹持至输送装置HW或衬底台WT。输送装置HW可以包括多个销，所述销可以移动穿过衬底台WT中的孔。在图2中示出了这些销中的两个销，但是利用三个销可能是有利的，以便保持衬底是平衡的。输送装置被安装在长行程框架Los上，衬底台WT借助于短行程致动器相对于长行程框架Los是可移动的。在转移期间，存在借助于输送装置HW和衬底台WT来确定衬底W的位置的瞬间。在这样的瞬间期间，输送装置HW和衬底台WT之间的任何移动可能导致衬底W中的张力和/或衬底台表面和/或输送装置HW上的磨损。在借助于静电或真空夹持将衬底W夹至衬底台WT上之后，输送装置WH可以被从衬底W上释放。然而，在将衬底W夹持至衬底台WT的过程中引起的张力在衬底的曝光期间可能仍然保留在衬底W中。所述张力可能造成重叠误差，这是由于衬底的曝光部分可能不位于其被期望的位置上和/或所述曝光部分可能被变形。

图3公开了与致动器和/或输送装置可操作地连接的控制器的控制方案。设定点产生器SPG产生长行程框架LoS所需要的位置(图2)。该设定点用于确定经由前馈短行程控制器FFss的短行程致动器的前馈和确定经由前馈长行程控制器FFlos的长行程致动器的前馈。另外，该设定点与比较器comp1中的长行程框架的测量位置进行比较，以计算位置误差信号Elos。位置误差信号Elos被用作短行程控制器FFlos2ss和长行程控制器Clos的输入，其在两个子系统被使用耦接的测量系统来同步的情况下是特别重要的。短行程控制器FFlos2ss包括计算器，该计算器构造成计算在垂直于物体的转移方向的X和Y方向上和围绕所述转移方向的旋转方向(RZ)上的输出信号，以作为表示在X、Y和Rz上的长行程的位置误差Elos的输入信号的函数来控制短行程致动器。所述输出信号与来自前馈短行程控制器FFss的前馈信号和短行程误差信号Ess结合。短行程误差信号Ess借助于差分位置传感器SS-Diff进行计算，用于测量载物台相对于长行程框架的位置。该测量结果被与所需要的值进行比较，该所述需要的值在这一情形中是0，通过第二比较器comp2来确定短行程位置误差Ess，所述短行程位置误差Ess在短行程控制器Css中被处理以确定所需要的力输出Uss。所需要的力输出、短行程控制器FFlos2ss的输出信号以及FFss的前馈被相加，作为短行程致动器的输入。短行程致动器、载物台WT以及短行程传感器被描述为图3中的短行程系统Pss。载物台WT SS-DIFF的位置被用在第二比较器comp2的反馈回路中。

长行程控制器Clos将使用位置误差Elos来计算力Ulos，所述力Ulos将被与由长行程致动器的前馈FFlos计算的力相加，以移动长行程框架。长行程致动器、长行程框架和长行程位置传感器显示为图3中的短行程系统Plos。长行程框架LoS2BF的位置被反馈至第一比较器comp1。

通过借助于短行程控制器FFlos2ss设置从长行程致动器至短行程致动器的前馈，长行程框架的移动不会导致衬底台的大的位置误差(如由差分位置传感器SS-DIFF所测量的)。在安装在长行程框架上的输送装置HW和衬底台WT之间的移动可以以这种方式被最小化。

图4公开了短行程控制器FFlos2ss的示意图。长行程框架相对于预先编程的位置的在X、Y和Rz上的位置误差(EX、EY和ERz)被分别在二阶滤波器2FX、2FY和2FRz中滤波。随后，这一被滤波的误差的一阶、二阶、三阶和四阶导数被分别在计算器4DX、4DY和4DRz中针对于X、Y和Rz方向计算。二阶滤波器可以被手动地校准，计算器4DX、4DY和4DRz还可以设置有可以被手动地校准的额外的滤波器。在X、Y和Rz上的被滤波的位置误差被馈送至位置增益矩阵PMa。在X、Y和Rz上的一阶导数被馈送至速度增益矩阵VMa。在X、Y和Rz上的二阶导数被馈送至加速度增益矩阵AMa。在X、Y和Rz上的三阶导数被馈送至跃度(jerk)增益矩阵JMa。在X、Y和Rz上的四阶导数被馈送至急变(即跃度的导数)(snap)增益矩阵SMa。上述增益矩阵可以使用最小二乘(LSQ)拟合来校准。在X、Y和Rz上的每一增益矩阵的输出被相加以便分别计算短行程致动器所需要的力OFX、OFY和OFRz。短行程控制器FFlos2ss仅在衬底输送装置将衬底转移至衬底台WT或从衬底台WT转移衬底时被接通。在正常曝光期间，短行程控制器FFlso2ss被断开。增益矩阵PMa，VMa，AMa，JMa和SMa可以被有限脉冲响应形式或无限脉冲响应形式所替代，以在控制器的最终阶上具有更多的自由度。在测试期间，可以估算，如果短行程控制器FFlos2ss被接通，则与短行程控制器FFlos2ss未被接通的情形相比，伺服误差ess可以被减小50％。

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情形中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm的范围内的波长)以及粒子束，诸如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。

尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。

以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对所述的本发明进行修改。

应该认识到，具体实施方式部分，而不是发明内容和摘要部分，用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐明由本发明人设想的本发明的所有示例性实施例中的一个或更多个示例性实施例，但不是本发明的全部示例性实施例，因而不是要以任何方式限制本发明和随附的权利要求。

借助示出具体功能的实施及其关系的功能构建块，在上文描述了本发明。为了描述方便，这些功能构建块的边界在本文中是任意限定的。可以限定可替代的边界，只要特定功能及其关系被适当地执行即可。

具体实施例的前述说明如此充分地揭示了本发明的一般特性，使得其他人通过应用本领域的知识可以在不需要过多的实验且在不背离本发明的一般思想的情况下容易地修改和/或适应用于各种应用的这样的具体实施例。因此，基于这里给出的教导和引导，这种适应和修改是在所公开的实施例的等价物的范围和含义内。应当理解，这里的措词或术语是为了描述的目的，而不是限制性，使得本说明书的术语或措辞由本领域技术人员根据教导和引导进行解释。

本发明的宽度和范围不应该受上述的任何示例性实施例的限制，而应该仅根据随附的权利要求及其等价物来限定。

Claims

1.一种光刻设备，包括：

(a)用于容纳物体的载物台；

(b)用于移动所述载物台的致动器；

(c)用于将所述物体转移至所述载物台或从所述载物台转移物体的输送装置；

(d)与所述致动器和/或所述输送装置可操作地连接的控制器，其中所述控制器被编程和/或布置以驱动所述致动器和所述输送装置，以便使得在沿着所述物体转移至所述载物台或从所述载物台转移所述物体的转移方向的转移期间所述载物台和所述输送装置在垂直于转移方向的方向基本上相互跟随。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述输送装置被构造和布置成沿着所述转移方向移动所述物体，所述控制器被布置成沿着垂直于所述转移方向的方向驱动所述致动器，以便沿着所述垂直方向跟随所述输送装置的移动。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述输送装置被构造和布置成在沿着所述转移方向移动所述物体的同时沿着垂直于所述转移方向的方向跟随所述载物台。

4.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中所述致动器包括短行程致动器和长行程致动器。

5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述输送装置被安装在能够借助于所述长行程电机移动的长行程框架上。

6.根据权利要求4或5所述的光刻设备，其中所述控制器包括短行程控制器，用于控制所述短行程致动器使得所述载物台跟随所述输送装置。

7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中所述短行程控制器设置有输入端，所述输入端用于接收表示所述长行程框架相对于预先编程的位置的位置误差的输入信号。

8.根据权利要求7所述的光刻设备，其中所述长行程的位置误差沿着垂直于所述转移方向的X和Y方向和围绕所述转移方向的旋转方向(RZ)。

9.根据权利要求6或7所述的光刻设备，其中所述短行程控制器包括用于计算输出信号的计算器，以作为表示所述长行程的位置误差的输入信号的函数来控制所述短行程致动器。

10.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述短行程控制器的所述计算器被构造成计算在垂直于所述转移方向的X和Y方向上和在围绕所述转移方向的旋转方向(RZ)上的输出信号，以作为表示所述长行程的位置误差的输入信号的函数来控制所述短行程致动器。

11.根据权利要求9或10所述的光刻设备，其中所述计算器被编程和/或布置以计算表示所述长行程电机的位置误差的输入信号的一阶导数、二阶导数、三阶导数和四阶导数，以计算输出信号用于控制所述短行程致动器。

12.根据权利要求11所述的光刻设备，其中所述短行程控制器被以用于所述一阶导数、二阶导数、三阶导数和四阶导数的3×3增益矩阵编程和/或布置来计算用于控制所述短行程致动器的输出信号。

13.根据权利要求5-12中任一项所述的光刻设备，其中所述光刻设备设置有差分位置传感器，用于测量所述载物台相对于所述长行程框架的位置。

14.根据权利要求12所述的光刻设备，其中所述短行程控制器设置有与所述差分位置传感器相连接的输入端。

15.一种器件制造方法，包括步骤：

(a)沿着转移方向将物体从输送装置转移至载物台或将物体从载物台转移至输送装置；

(b)在转移期间沿着垂直于所述转移方向的方向控制所述输送装置和/或所述载物台的位置，使得所述载物台和所述输送装置在垂直于所述转移方向的方向上相互跟随。