CN102575335A - 用于沉积具有图形的有机薄膜的方法和系统 - Google Patents

用于沉积具有图形的有机薄膜的方法和系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102575335A
CN102575335A CN2010800470806A CN201080047080A CN102575335A CN 102575335 A CN102575335 A CN 102575335A CN 2010800470806 A CN2010800470806 A CN 2010800470806A CN 201080047080 A CN201080047080 A CN 201080047080A CN 102575335 A CN102575335 A CN 102575335A
Authority
CN
China
Prior art keywords
source
hole
flow passage
conductivity
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800470806A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102575335B (zh
Inventor
P·E·布罗斯
J·西尔维奈尔
J·J·布朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Universal Display Corp
Original Assignee
Universal Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Universal Display Corp filed Critical Universal Display Corp
Publication of CN102575335A publication Critical patent/CN102575335A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102575335B publication Critical patent/CN102575335B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/85954—Closed circulating system
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87249—Multiple inlet with multiple outlet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/877—With flow control means for branched passages

Abstract

本申请提供了高生产量OVJP系统和方法，它们可以使用具有不同传导性的多个流动通路，以便能够在滞后时间相对较短的情况下沉积。高生产量的OVJP系统可以包括流动管，该流动管的截面面积比一个或多个孔(源材料可以在沉积过程中通过该孔排出)的直径大得多。使用这样的结构可以在滞后时间减小的情况下沉积。

Description

用于沉积具有图形的有机薄膜的方法和系统
相关申请的交叉引用
本申请要求美国临时专利申请No.61/240638的优先权，该美国临时专利申请No.61/240638的申请日为2009年9月8日，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。
技术领域
本发明涉及有机薄膜的沉积，更具体地说，本发明涉及一种用于沉积有机薄膜的方法和系统，该方法和系统具有减小的滞后时间和/或增加的沉积效率。
背景技术
由于多种原因，越来越希望有使用有机材料的光电子装置。用于制造这种装置的许多材料相对便宜，所以有机光电子装置具有优于无机装置的成本优势潜力。此外，有机材料的固有特性(例如它们的柔性)可以使得它们良好地适用于特殊应用，例如制造在柔性基体上。有机光电子装置的示例包括有机发光装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于普通材料的性能优点。例如，有机发射层发射光的波长通常可以很容易地利用合适掺杂剂来调节。
OLED使用有机薄膜，当横过该装置施加电压时该有机膜会发光。OLED成为越来越吸引人的技术，用于多种用途中，例如平板显示器、照明以及背后照明。在美国专利No.5844363、6303238和5707745中介绍了几种OLED材料和结构，这些文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。
对于磷光发射分子的一种用途是全色显示器。对于这种显示器的工业标准要求像素适合发射特殊颜色(称为“饱和的”颜色)。特别是，这些标准要求饱和的红色、绿色、和蓝色像素。颜色可以使用本领域公知的CIE坐标来度量。
这里使用的术语“有机”包括聚合物材料以及小分子有机材料，它们可以用于制造有机光电子装置。“小分子”是指不是聚合物的任何有机材料，并且“小分子”实际上可以相当大。在一些情况下小分子可以包括重复的单元。例如，使用一个长链烷基作为取代物并不将分子从该“小分子”类别中除去。小分子还可以包含在聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧基(pendent group)或者作为该主链的一部分。小分子还可以用作树枝状化合物的核心部分，该树枝状化合物由构建在该核心部分上的一系列化学壳组成。树枝状化合物的核心部分可以是荧光或磷光的小分子发射体。树枝状化合物可以是“小分子”，并且认为目前在OLED领域中使用的所有树枝状化合物都是小分子。
这里使用的“顶部”的意思是最远离基体，而“底部”是指距该基体最近。当将第一层描述为“布置在”第二层“上”时，该第一层更远离基体布置。在该第一与第二层之间可能存在其它层，除非明确说明，该第一层与第二层是“相接触的”。例如，可以将一个阴极描述为“布置在”阳极“上”，即使在其间有多个有机层。
OLED和上述定义的更多详细内容可以在美国专利No.7279704中找到，该专利的全部内容结合到本申请中，作为参考。
发明内容
这里提供了高生产量的OVJP系统和方法，它们可以使用具有不同传导性的多个流动通路，以便能够在滞后时间相对较短的情况下沉积。高生产量的OVJP系统可以包括流动管，该流动管的截面面积比一个或多个孔(源材料可以在沉积过程中通过该孔排出)的直径大得多。
例如，高生产量OVJP装置或系统可以包括：外壳，例如流动管，该外壳有第一端、第二端以及布置在该第一端和第二端之间的至少一个孔；有机分子源，该有机分子源与外壳流体连通；载体气体源，该载体气体源与有机分子源流体连通；旁通阀；第一流动通路，该第一流动通路从该源通过旁通阀；以及第二流动通路，该第二流动通路从该源通过该至少一个孔。第二流动通路可以从有机源通过在外壳中的多个孔。各孔可以有至少大约5至10μm至大约100μm的宽度。各孔有大约3000μm2或更小的截面面积。孔可以有大约3x 105μm2至大约3x 106μm2的总截面面积。外壳的截面面积可以比孔的截面面积大得多，并可以为孔的总截面面积的至少大约100倍。当旁通阀打开时，第一流动通路的传导性可以为第二流动通路的传导性的至少大约100、200、500、1000倍或更大，即在第一和第二流动通路之间的传导性比率可以为100∶1、200∶1、500∶1、1000∶1或者更大。当旁通阀关闭时，第一流动通路的传导性可以为零或近似零。与第二端相比，有机分子源可以布置成更靠近封闭容积的第一端，且旁通阀可以布置在封闭容积的第二端处。一个或多个喷嘴可以与在外壳中的该至少一个孔连接。喷嘴的长度可以超过大约0.1cm、超过大约0.5cm或者在大约0.1至1cm的范围内。当旁通阀打开时，由源产生的有机分子的至少95％或更多或者基本全部都可以沿第一流动通路运动。当旁通阀关闭时，由源产生的有机分子的至少95％或更多或者基本全部都可以沿第二流动通路运动。系统可以包括真空源，该真空源与外壳的第二端流体连通。系统可以包括阻挡机构，该阻挡机构可从第一位置运动至第二位置，在该第一位置中，阻挡机构覆盖该至少一个孔，在该第二位置中，该至少一个孔露出。阻挡机构例如可以包括至少一个遮挡板，其中，各遮挡板布置成覆盖至少一个孔。当操作时，OVJP系统或装置可以有相对较短滞后时间，例如不超过大约1秒或1分钟。
操作OVJP系统或装置的方法可以包括：打开旁通阀，以使得载体气体流动，从而传输来自源的有机材料通过第一流动通路，该第一流动通路从源通过旁通阀，当旁通阀打开时，该第一流动通路有第一传导性；以及关闭旁通阀，以使得载体气体流动，从而传输有机材料通过第二流动通路，该第二流动通路从源通过该至少一个孔，该第二流动通路有第二传导性，其中，第一传导性是第二传导性的至少大约100、200或500倍。系统可以包括前面所述的任意或全部特征。
附图说明
图1表示了有机发光装置。
图2表示了反向有机发光装置，它没有单独的电子传输层。
图3表示了对于使用具有1mm直径的喷嘴进行的试验沉积的、膜厚度与时间的曲线图。
图4A表示了示例高生产量OVJP系统的示意图。
图4B表示了示例高生产量OVJP系统的示意图，其中有稀释阀和流动通路。
图5A表示了示例高生产量OVJP系统在装料模式中的示意图。
图5A表示了示例高生产量OVJP系统在沉积模式中的示意图。
具体实施方式
通常，一种OLED包括布置在阳极与阴极之间并与它们电连接的至少一个有机层。当施加电流时，阳极向该有机层中注入空穴(hole)，而阴极注入电子。注入的空穴和电子各自朝相反电荷的电极迁移。当电子和空穴位于相同分子上时，形成一个“激发子”，该激发子是具有激发能态的局域电子-空穴对。当该激发子通过一种光电发射机理而松弛时将发射光。在一些情况下，激发子可以位于激基缔合物或激基复合物上。也可以发生非辐射机理，如热松弛，但是通常认为不希望这样。
最初的OLED使用了发射分子，该发射分子从它们的单重态发射光(“荧光”)，例如在美国专利No.4769292中公开，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。荧光发射通常在小于10纳秒的时间范围内发生。
最近，已经证实了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。Baldo等人的“Highly Efficient Phosphorescent Emission fromOrganic Electroluminescent Devices，”Nature期刊，395卷，151-154，1998；(“Baldo-I”)以及Baldo等人的“Very high-efficiency greenorganic light-emitting devices based on electrophosphorescence，”Appl.Phys.Lett.，75卷，No.3，4-6(1999)(“Baldo-II”)，这两篇文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。在美国专利No.7279704的第5-6栏中更详细地描述了磷光，该文献的内容结合到本申请中，作为参考。
图1表示了一种有机发光装置100。附图并不必须按比例绘制。装置100可以包括基体110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155以及阴极160。阴极160是一种复合阴极，具有第一导电层162以及第二导电层164。装置100可以通过顺序沉积所述层来制造。这些不同层的特性和功能以及示例材料在US7279704的第6-10栏中更详细介绍，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。
可以获得用于这些层中每一个的更多示例。例如，在美国专利No.5844363中公开了一种柔性和透明的基体-阳极组合，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。p-掺杂的空穴传输层的示例是以50∶1的摩尔比掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA，如在美国专利申请公开文件No.2003/0230980中公开，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。在授予Thompson等人的美国专利No.6303238中公开了发射材料和主体材料的示例，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。n-掺杂的电子传输层的示例是以1∶1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如在美国专利申请公开文件No.2003/0230980中公开，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。美国专利No.5703436和5707745(这两篇文献的全部内容结合到本申请中，作为参考)公开了包括复合阴极的阴极示例，该复合阴极具有薄金属层如Mg:Ag，具有覆盖的透明、导电和溅射沉积的ITO层。阻挡层的理论和使用在美国专利No.6097147和美国专利申请公开No.2003/0230980中更详细介绍，这两篇文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。注入层的示例在美国专利申请公开文件No.2004/0174116中提供，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。保护层的说明可以在美国专利申请公开文件No.2004/0174116中找到，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。
图2表示了反向OLED 200。该装置包括基体210、阴极215、发射层220、空穴传输层225以及阳极230。装置200可以通过顺序沉积所述层来制造。因为最常见的OLED构造具有布置在阳极上的阴极，而装置200具有布置在阳极230下面的阴极215，因此装置200可以称为“反向”OLED。与关于装置100所述的那些材料相类似的材料可以用于装置200的相应层中。图2提供了一些层如何从装置100的结构中省略的一个示例。
图1和图2中所示的简单分层结构通过非限定示例来提供，应当理解，本发明的实施例可以与多种其它结构结合使用。所述的具体材料和结构在本质上是示例性的，可以使用其它材料和结构。功能性的OLED可以通过将所述的不同层以不同的方式进行组合而实现，或者可以基于设计、性能和成本因素而完全省略多个层。也可以包括没有特别介绍的其它层。可以使用与那些特别介绍的材料不同的材料。尽管在这里提供的很多示例将不同层描述为包括单一材料，但是应当理解，可以使用多种材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物，或者更普通的混合物。还有，这些层可以具有各种子层。在这里给予这些不同层的名称并不是要进行严格限制。例如，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并将空穴注入发射层220中，也可以介绍为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，OLED可以介绍为具有布置在阴极与阳极之间的“有机层”。该有机层可以包括单层，或者可以进一步包括如对于例如图1和图2所述的不同有机材料的多个层。
也可以使用没有特别介绍的结构和材料，如包括聚合材料(PLED)的OLED，如授予Friend等人的美国专利No.5247190中所公开，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。作为还一示例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆垛，例如在授予Forrest等人的美国专利5707745中所述，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。该OLED结构可以偏离图1和图2中所示的简单分层结构。例如，基体可以包括有角度的反射表面，以便改善输出耦合(out-coupling)，如在授予Forrest等人的美国专利No.6091195中所述的台面结构和/或在授予Bulovic等人的美国专利No.5834893中所述的坑式结构，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。
除非另外明确说明，不同实施例的任何层都可以通过任何适合的方法来沉积。对于这些有机层，优选的方法包括热蒸发、喷墨(如美国专利No.6013982和6087196中所述，这两篇文献的全部内容结合到本申请中，作为参考)、有机气相沉积(OVPD)(如授予Forrest等人的美国专利No.6337102中所述，该文献的全部内容结合到本申请中，作为参考)以及通过有机蒸汽喷印(OVJP)进行的沉积(如美国专利7404862和7431968，和Shtein等人的美国专利申请公开文件2005/0087131中所述，这些文献的全部内容结合到本申请中，作为参考)。其它适合的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的方法。基于溶液的方法优选是在氮气或惰性气体中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的形成图形方法包括通过掩模沉积、冷焊接(如在美国专利No.6294398和6468819中所述，这两篇文献的全部内容结合到本申请中，作为参考)以及与一些沉积方法(如喷墨、OVJD和/或OVJP)相关的图形形成。还可以使用其它方法。可以改变将要沉积的材料，以使得它们与特殊沉积方法兼容。
OVJP技术可以用于多种用途中，包括在OLED或其它有机装置中的各种层的沉积。一些OVJP系统使用包括以下步骤的沉积方法：1)在坩埚中加热有机材料，使得它蒸发；2)使得惰性载体气体例如氮气经过热有机材料，从而在载体气体中夹带有机蒸气；以及3)使得具有有机蒸气的载体气体沿管向下流动，其中，它通过喷嘴而喷射至基体上，以便形成薄的、横向形成图形的有机膜。例如，一系列的像素或者其它凸起特征可以沉积在基体上，并可以横过与基体平行的平面形成图形。目前已经发现，夹带、传输和喷射有机分子的该方法可能导致非最佳或不可接受的高“滞后时间”。如这里所使用的，OVJP系统的“滞后时间”是指在系统首先置于沉积模式或结构中的时间和系统到达足以以恒定或基本恒定速率输出或沉积有机材料的平衡状态的时间之间的延迟。在一些结构中，“滞后时间”可以等效于在当载体气体的速率或有机物的温度变化时的时间和当在喷嘴处的沉积速率响应该变化而稳定在新值时的时间之间的延迟。通常，滞后时间可以在传输管线的长度增加时增加，或者在传输管线或喷嘴的直径减小时增加。而且，有机材料还可能在沉积运行之间当在隔离时(即在两个阀之间)保持在相对较高温度，这时，在源腔室中的压力可能变成等于在源温度下的源材料蒸气压力。为了开始沉积，阀快速开口于流动管，该流动管通常处于较低压力。这可能导致源容器中快速压力降以及有机蒸气的快速膨胀和冷却。这可能导致喷嘴的沉积速率的明显瞬变。
为了限制这些不希望的瞬变，这里所述的高生产量OVJP系统可以将通过系统的蒸气流快速地从沉积输出转换至旁路系统，同时引起很小瞬变或并不引起瞬变。
作为示例，OVJP技术可以用于沉积像素结构，例如用于高分辨率显示器，其中，可能需要在每次显示或沉积运行中开始和停止有机材料流多次。一些用途可能需要或受益于相对较小喷嘴，例如出口直径不超过大约30μm或更小的喷嘴。不过，较小喷嘴可能明显限制气体通过喷嘴和(因此)通过OVJP流动管的流量，这可能使得系统操作的滞后时间方面变差。例如，图3表示了对于使用1mm直径的喷嘴的试验沉积在经过一定时间时的膜厚度。如图所示，即使对于相对较大的1mm直径喷嘴，系统能够花费超过两个小时来达到平衡状态(其中，沉积速率可接受的高和相对恒定)。
在一些情况下，可能希望使用小于1mm直径的喷嘴。不过，较小直径的喷嘴可能进一步降低从源至喷嘴的传导性，从而导致相对很长的滞后时间，这可能使得系统不能高效或不适合用于高分辨率沉积。小喷嘴还可以使得载体气体流速相对较低，这可能导致有机蒸气对着气体流扩散和源交叉污染。
为了减小或消除这些问题，可以使用高生产量OVJP系统，该高生产量OVJP系统提供了从有机源至一个或多个相对较小沉积孔的相对很高传导性的通道。高生产量OVJP系统的示例在图4A中表示。系统可以包括外壳410，该外壳410与高生产量泵或其它真空源415流体连通，该高生产量泵或其它真空源415可以通过旁通阀450而与外壳410分离。外壳410可以称为流动管，尽管应当知道，外壳并不需要为圆柱形或者具有恒定或均匀截面。例如，外壳410的优选形状可以为具有半圆柱形截面或者包括基本平的部分的其它截面的形状。源435可以布置在外壳410的一端处，旁通阀450布置在另一端。旁通阀可以在打开时引导或允许材料流通向泵415，并当关闭时阻碍或防止流向泵415。当泵415驱动和源阀445打开时，流过质量流控制器430的载体气体可以从一个或多个源435传输源分子，可以沿外壳410向下流动。系统还可以包括一个或多个质量流控制器430，以便控制流过外壳410的载体气体流量。外壳410可以包括一个或多个相对较小孔420，源材料可以通过该孔420排出，用于沉积在基体上。孔可以相对较小，例如直径或宽度不超过大约5-10μm，或者面积不超过大约18-75μm2。通常，各孔在任何位置的宽度在大约5至大约100μm的范围内。该宽度可以是直径，例如当使用圆形孔时，或者它可以是孔的最长或其它尺寸，例如当使用正方形或矩形孔时。在优选结构中，外壳410可以包括布置成与基体(有机材料将沉积在该基体上)基本平行的平或基本平的部分，孔布置在该部分中。优选是，孔420包括线性阵列的孔，因为这样的结构可能允许基体相对于孔运动，用于沉积两维阵列的材料。尽管表示为直的，但是本领域技术人员应当知道，外壳410可以为弯曲、直的或者它们的任意组合。优选是，外壳410靠近基体的部分基本或完全平行于基体，和/或基本或完全为平的。流动管可以有不同截面，尽管优选是包含孔420的边缘基本为平的。外壳410可以在包括孔420的区域中具有壁相对薄的部分。冷板455或其它冷表面可以布置在旁通阀和泵之间，以便收集要被收集或者循环返回系统中的过多的有机材料。
图4B表示了高生产量OVJP系统的另一示例，它包括由稀释阀440和质量流控制器425控制的气体进口。稀释阀440可以用于控制在流动管410中载体气体流中的源材料的浓度，并可以与源控制阀445同时操作。如这里所述，除非另外说明，应当理解，系统的稀释分支(包括稀释质量容积控制器425和稀释阀440)可以与源流量的操作同时操作或者用于提高源流量的操作，或者可以完全省略。
操作高生产量OVJP系统(例如图4A和4B中所示的示例系统)的方法可以包括驱动泵415和打开旁通阀450和源阀445。在该结构中，从源435通过旁通阀450的流动通路可以有比从源通过一个或多个孔420的流动通路高得多的传导性，因此，相对非常少的材料(优选是基本没有材料或没有材料)可以流过孔420。载体气体和传输的蒸气可以通过源阀445和旁通阀450而横过流动管410。然后，旁通阀450可以关闭，从而使得载体气体和传输的材料沿着流动通路穿过孔420，然后材料可以沉积在基体上。如后面更详细所述，当旁通阀450打开时，从源通过旁通阀的流动通路的传导性可以比从源通过孔的流动通路的传导性大得多。源-旁通阀流动通路的传导性可以是源-孔流动通路的传导性的至少100、200、500或1000倍。因此，当旁通阀打开时，几乎没有或者没有载体气体和源材料流过该孔。优选是，当旁通阀打开时，至少大约95％(更优选是基本全部或者大约100％)的、由源产生和/或由载体气体传输的有机分子沿着通过旁通阀的流动通路运动。类似的，当旁通阀关闭时，优选是至少大约95％(更优选是基本全部或者大约100％)的传输有机分子沿着通过该至少一个孔的流动通路运动。
这里使用的“流动通路”是指气体(例如载体气体)和在气体流中承载的其它材料(例如由气体传输的源材料的分子)沿着其运动的通路。流动通路可以包括多个特定通路，特殊气体分子或者其它物理上分离的实体可以横过该通路，例如，流动通路包括穿过多个相邻孔的各个通路。特殊流动通路具有相关传导性，该传导性表示气体和其它流体流可以横过该流动通路的容易性。流动通路的传导性可以大致与该流动通路经过的最小截面面积成比例。对于包括通过多个相对紧密间隔孔(例如在相同表面中的多个孔)的通路的流动通路，这些孔可以认为是流动通路经过的单个截面面积。在这种情况下，孔的总截面面积可以处理为流体流通过的单个截面面积，用于确定流动通路的传导性。
操作高生产量OVJP系统的一种特殊示例方法在图5中表示。图5A表示了处于第一或旁通模式的高生产量OVJP系统，其中，旁通阀打开，载体气体流过。载体气体和有机蒸气可以从载体气体源和有机源快速充装流动管和继续横过流动通路510(阴影区)通过旁通阀，直到达到动态平衡。由于在旁通阀450和孔420之间的较大传导性差异，因此很少或者没有材料可以通过该孔。基体可以在该阶段进行布置或者离开孔，或者阻挡机构可以用于完全防止载体气体和有机蒸气通过该孔的任何运动。例如，盖、遮挡板、塞子、帽或者其它机构可以布置在孔上面或者孔内，以便完全阻止气体流过该孔，从而消除沉积。阻挡机构可以包括微机械部件，例如当使用微机械遮挡板时。单个装置可以用于覆盖多个孔，或者阻挡机构可以包括多个装置，各装置覆盖一个或多个孔。例如，各遮挡板可以用于覆盖各孔，或者单个帽或遮挡板可以用于覆盖多个孔。阻挡机构可以被加热，以便防止冷凝。
图5B表示了在处于沉积模式进行操作的过程中图5A中所示的OVJP系统。在该模式中，旁通阀可以关闭，有机蒸气和载体气体可以沿着从源通过孔420的流动通路520运动，然后，源材料可以沉积在基体上。可能希望当旁通阀关闭时减小载体气体流速，以便在流动管中保持恒定或基本恒定的压力。
应当知道，与其它OVJP系统相反，如图4和5中所示的高生产量OVJP系统可以排除较长蒸汽传送管线，该蒸汽传送管线例如在流动管410和布置于基体上面的喷嘴之间。这样的蒸气传送管线将限制蒸气沿传送管线向下流动，并可能当源首先开口于蒸气流时(例如通过打开相关阀445而开口)导致不希望的压力瞬变和其它影响。
通过在装料模式和沉积模式(分别如图5A和5B中所示)之间转变，流动管可以根据需要填充或“充装”不同有机材料。这使得系统能够与管中的孔的位置相对应地沉积有机薄膜线，例如通过使得基体沿与流动管平行的方向在该孔附近运动而沉积。
在一些结构中，一个或多个喷嘴可以附接在一个或多个孔420上。这里使用的“喷嘴”是指在材料离开一个或多个孔420之后指引、引导或以其它方式控制材料流的机构。喷嘴例如可以是与孔对齐的相对较短管。喷嘴可以有恒定截面面积，例如均匀管，或者它可以有非均匀截面面积。例如，截面面积可以与距流动管的距离成比例地减小。具有减小直径和/或截面面积的喷嘴可以称为“渐缩喷嘴”。喷嘴可以有小于孔(喷嘴附接在该孔上)的截面面积，在这种情况下，包括在喷嘴内的区域的流动通路可以至少局部由喷嘴的截面面积来限定。通常，优选是在高生产量OVJP系统中使用的各喷嘴有最小长度。这里使用的喷嘴长度是指流体在离开流动管的孔(喷嘴附接在该孔上)之后为了离开喷嘴而必须横过的附加距离。在这里所述的高生产量OVJP系统中使用的喷嘴可以有大约0.1、0.5cm的最小长度，或者在它们之间的任意长度。通常，喷嘴优选是可以足够短，以便不会引起附加滞后时间。例如，优选是喷嘴可以不超过大约1cm。在一些结构中，优选是喷嘴可以不长于喷嘴直径的大约10倍。喷嘴的各种组合可以与一个或多个孔一起使用。例如，当使用多个孔时，单个喷嘴可以附接在各孔上，或者喷嘴可以附接在一个或多个孔上，以使得通过喷嘴的流动通路可以包括通过多个孔的流动通路。在一些结构中，可以使用例如在美国专利申请No.12/729479(标题为“Compact Organic Vapor JetPrinting Print Head”，申请日为2010年3月23日)和/或美国专利申请No.12/729448(标题为“Nozzle Geometry for Organic Vapor JetPrinting”，申请日为2010年3月23日)中所述的喷嘴和喷嘴几何形状。这两篇文献的全部内容结合到本申请中，作为参考。
这里所述的高生产量OVJP系统可以以相对较短的滞后时间来操作(与其它OVJP系统不同，该其它OVJP系统可能由于有机蒸气从源至沉积区域的缓慢运行速率而具有相当长的滞后)。可以认为，这里所述的高生产量OVJP系统可以获得不超过大约1分钟的滞后时间，优选是不超过大约1秒，尽管根据使用特殊系统的特殊结构或用途还可以接受其它滞后时间。
通常，流动管可以与OVJP系统的其它给定物理限制(例如操作空间)所适用的宽度一样宽。优选是，流动管的截面面积足以保持在旁通流动通路和沉积流动通路之间的所需传导性比率。例如，在具有100个喷嘴阵列的系统中(各喷嘴的孔具有大约750μm2的截面面积)，可以希望流动管具有大约3.75x 107μm2的截面面积，以便保持大约500∶1的传导性比率。作为另一示例，在具有100个正方形孔的结构中(各孔具有大约30μm的宽度)，具有至少大约4.5x 107μm2的截面面积的流动管可以用于保持大约500∶1的传导性比率。也可以使用1000∶1或更大的传导性比率。应当理解，该示例提供为示例说明，也可以使用其它结构，例如使用不同数目或不同尺寸的喷嘴。通常，流动管的截面面积在大约1500μm2至大约5x 107μm2的范围内或者更大。作为特殊示例，设置成沉积具有1000线的显示器的系统可以使用等效于21mm管或者具有大约1150-1200mm2截面面积的流动管。OVJP系统的整个结构或者它的一部分可以小型化，例如通过使用MEMS、微流体和/或本领域技术人员已知的其它制造方案来蚀刻至硅或其它合适材料中。
在图5A-B所示的各模式中，稀释阀可以打开或关闭，且稀释气体供给系统中，以便调节由系统输出的有机材料的浓度。除非另外特别说明，使用稀释源和相关阀不会对流动状态或在不同流动状态之间的差异产生较大影响，如本文中所述。本领域技术人员很容易知道在这里所述的OVJP系统和方法中的稀释源的基本使用和操作。
这里所述的高生产量OVJP的各种部件和部分可以被加热，以便防止在这些部件上凝结。例如，参考图4-5，任意或全部的源阀445、旁通阀450和外壳410可以被加热。外壳410可以非均匀加热，例如，在它被加热以便在外壳中产生温度梯度的情况下。
如前所述，流动通路可以经过在单个表面中的多个孔。例如，在这里所述的高生产量OVJP系统中，流动通路可以经过在流动管中的多个相对较小孔。为了估计或计算该流动通路的传导性，孔可以处理成截面面积等于各个孔的截面面积总和的单个孔。通常，这种近似技术在孔更紧密间隔时更准确，这样，通过孔的气体流基本不会受到插入其间的材料的影响。
对于图4-5所述的一个或多个孔以及附接在它上面的任何喷嘴都可以有这样的尺寸，该尺寸选择为匹配或产生在沉积于基体上的有机材料薄膜中的所需特征。例如，这里所述的OVJP系统可以用于在有机膜中沉积多个独立的、物理分离的特征，例如用于显示器或其它发光装置的像素。孔和形成的特征可以有从大约5-10μm至大约100μm范围内的宽度或直径。合适孔尺寸的特殊示例包括具有5-100μm直径的圆形孔、具有5-100μm宽度的正方形孔、以及具有5-100μm宽度和5-100μm长度的矩形孔。作为特殊示例，可以使用具有大约30x 100μm尺寸的矩形孔来沉积具有相同或大致相同尺寸的像素。如前所述，可以使用多个孔，并可以建模为截面面积等于或相当于孔的总截面面积的单个孔，用于确定通过这些孔的流动通路的传导性。例如，当使用多个孔来沉积特征例如像素时，如前所述，可以使用线性或两维阵列的孔。在一些结构中，可以使用大约100-1000个孔。在特殊结构中，可以使用100-1000个具有30x 100μm尺寸的孔(因此提供了大约3x106-3x 107μm2的总截面面积)，以便沉积像素或其它特征的阵列。其它尺寸也可以使用。
通常，通过孔的传导性可以建模为“气体生产量”的比率，即横过流动通路的气体容积与在孔两侧区域之间的压力差的比值。对于较短的近似圆形孔和在分子流动状态(努森数小于1)中的压力，传导性C与vA成比例，其中，v是平均分子速度，A是孔的截面面积。当孔的厚度增加时，截面面积对传导性有更大的影响。对于较长的基本圆形管和分子流动状态，传导性与vd3/L成比例，其中，d是管直径，L是长度。因为这里所述的OVJP系统通常在分子流动状态中操作，因此流动通路经过的最小截面面积可以用作一个流动通路相对于另一流动通路的相对传导性的可靠指示。因此，高生产量OVJP系统可以在流动管的截面面积和输出孔的截面面积之间的关系方面被介绍。优选是，流动管的截面面积可以为一个或多个孔的截面面积的至少大约100倍，更优选是至少大约200倍，更优选是至少大约500倍。为了比较目的，特殊流动通路经过的最小孔可以用作流动通路的传导性的限制因素。因此，如前所述，这里所述的流动通路的传导性是指通过最小孔或一组孔(流动通路经过该孔)的传导性。关注的其它值可以包括：流动通路的平均传导性，它是指对于各孔或其它外壳(流动通路经过该孔或外壳)的估计或计算的传导性的平均值；以及计算的传导性，它是指流动通路的精确建模或计算的传导性。
根据本发明实施例制造的装置可以包含在多种消费产品中，包括平板显示器、计算机监测器、电视、广告牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、手机、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、数码相机、摄像放像机、取景器、微显示器、车辆、大面积墙、剧院或体育场屏幕、或者标志。可以使用各种控制机构来对根据本发明制造的装置进行控制，包括被动基质以及主动基质。很多装置将用于对人舒适的温度范围内，如18℃至30℃、更优选在室温下(20-25℃)。
这里所述的材料和结构可以在除OLED之外的装置中应用。例如，其他光电子装置如有机太阳能电池和有机光电探测器可以使用这些材料和结构。更通常，有机装置如有机晶体管可以使用这些材料和结构。
应当理解，这里所述的各种实施例只是示例，而不是将限制本发明的范围。例如，这里所述的很多材料和结构可以由其它材料和结构来代替，而并不背离本发明的精神。因此，要求保护的本发明可以包括来自这里所述的特殊示例和优选实施例的变化形式，如本领域技术人员可知。应当知道，本发明为何工作的各种理论并不是进行限制。

Claims (25)

1.一种装置，包括：
外壳，所述外壳具有第一端、第二端以及布置在所述第一端和第二端之间的至少一个孔；
有机分子源，所述有机分子源与外壳流体连通；
载体气体源，所述载体气体源与有机分子源流体连通；
旁通阀；
第一流动通路，所述第一流动通路从源通过旁通阀，所述第一流动通路具有第一传导性；以及
第二流动通路，所述第二流动通路从源通过所述至少一个孔，所述第二流动通路具有第二传导性；
当旁通阀打开时，第一传导性为第二传导性的至少大约100倍。
2.根据权利要求1所述的装置，其中：当旁通阀关闭时，第一传导性大约为零。
3.根据权利要求1所述的装置，其中：，有机分子源布置成比封闭容积的第二端更靠近第一端，旁通阀布置在封闭容积的第二端处。
4.根据权利要求1所述的装置，其中：当旁通阀打开时，由源产生的有机分子的至少95％沿第一流动通路运动。
5.根据权利要求4所述的装置，其中：当旁通阀打开时，由源产生的有机分子基本全部沿第一流动通路运动。
6.根据权利要求5所述的装置，其中：当旁通阀关闭时，由源产生的有机分子基本全部沿第二流动通路运动。
7.根据权利要求1所述的装置，其中：第一传导性比第二传导性大至少200倍。
8.根据权利要求1所述的装置，其中：第一传导性比第二传导性大至少500倍。
9.根据权利要求1所述的装置，其中：第一传导性比第二传导性大至少1000倍。
10.根据权利要求1所述的装置，还包括：一个或多个喷嘴，所述一个或多个喷嘴附接在所述至少一个孔上。
11.根据权利要求10所述的装置，其中：所述一个或多个喷嘴中的每一个的长度都超过大约0.5cm。
12.根据权利要求10所述的装置，其中：所述一个或多个喷嘴中的每一个的长度都超过大约0.1cm。
13.根据权利要求10所述的装置，其中：所述一个或多个喷嘴中的每一个的长度都在大约0.1cm至大约1cm的范围内。
14.根据权利要求1所述的装置，其中：所述至少一个孔包括多个孔，第二流动通路从有机源通过所述多个孔。
15.根据权利要求14所述的装置，其中：所述多个孔具有在大约3x 105μm2至大约3x 106μm2范围内的总截面面积。
16.根据权利要求14所述的装置，其中：所述外壳的截面面积为所述多个孔的总截面面积的至少大约100倍。
17.根据权利要求14所述的装置，其中：各孔具有至少大约5至10μm的宽度。
18.根据权利要求14所述的装置，其中：各孔具有在大约5μm至大约100μm范围内的宽度。
19.根据权利要求14所述的装置，其中：各孔具有大约3000μm2或更小的截面面积。
20.根据权利要求1所述的装置，还包括：真空源，所述真空源与外壳的第二端流体连通。
21.根据权利要求1所述的装置，还包括：阻挡机构，所述阻挡机构可从第一位置运动至第二位置，在所述第一位置中，阻挡机构覆盖所述至少一个孔，在所述第二位置中，所述至少一个孔被露出。
22.根据权利要求1所述的装置，其中：阻挡机构包括至少一个遮挡板，各遮挡板布置成覆盖至少一个孔。
23.根据权利要求1所述的装置，其中：当操作时，所述装置具有不超过大约1分钟的滞后时间。
24.根据权利要求1所述的装置，其中：当操作时，所述装置具有不超过大约1秒的滞后时间。
25.一种操作OVJP系统的方法，所述OVJP系统具有外壳、有机源、旁通阀以及布置在外壳中位于有机源和旁通阀之间的至少一个孔，所述方法包括：
打开旁通阀，以使得载体气体流动，从而传输来自有机源的有机材料通过第一流动通路，所述第一流动通路从有机源通过旁通阀，当旁通阀打开时，所述第一流动通路具有第一传导性；以及
关闭旁通阀，以使得载体气体流动，从而传输有机材料通过第二流动通路，所述第二流动通路从有机源通过所述至少一个孔，所述第二流动通路具有第二传导性，
第一传导性是第二传导性的至少大约100倍。
CN201080047080.6A 2009-09-08 2010-09-03 用于沉积具有图形的有机薄膜的方法和系统 Active CN102575335B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24063809P 2009-09-08 2009-09-08
US61/240,638 2009-09-08
US12/874,368 US8801856B2 (en) 2009-09-08 2010-09-02 Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films
US12/874,368 2010-09-02
PCT/US2010/047780 WO2011031631A1 (en) 2009-09-08 2010-09-03 Method and system for deposition of patterned organic thin films

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102575335A true CN102575335A (zh) 2012-07-11
CN102575335B CN102575335B (zh) 2016-01-27

Family

ID=43647989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080047080.6A Active CN102575335B (zh) 2009-09-08 2010-09-03 用于沉积具有图形的有机薄膜的方法和系统

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8801856B2 (zh)
EP (1) EP2475800B1 (zh)
JP (1) JP5662452B2 (zh)
KR (1) KR101665748B1 (zh)
CN (1) CN102575335B (zh)
IN (1) IN2012DN02870A (zh)
WO (1) WO2011031631A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104107742A (zh) * 2014-06-30 2014-10-22 含山县关镇机械厂 新型的破碎机齿辊

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8801856B2 (en) 2009-09-08 2014-08-12 Universal Display Corporation Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US11168391B2 (en) 2016-04-11 2021-11-09 Universal Display Corporation Nozzle exit contours for pattern composition
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US20190386256A1 (en) 2018-06-18 2019-12-19 Universal Display Corporation Sequential material sources for thermally challenged OLED materials

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63307255A (ja) * 1987-06-08 1988-12-14 Oki Electric Ind Co Ltd 有機機能性材料薄膜の製造方法及びその製造装置
US6190732B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2795370A (en) * 1957-06-11 Combination fixture
US2588255A (en) * 1948-11-13 1952-03-04 James H Larsh Liquid mixing device
US3192939A (en) * 1962-01-15 1965-07-06 Alfred M Moen Anti-scald valve assembly
US3930908A (en) 1974-09-30 1976-01-06 Rca Corporation Accurate control during vapor phase epitaxy
DE3585901D1 (de) 1984-02-13 1992-05-27 Iii Jerome J Schmitt Verfahren und vorrichtung fuer gasstrahlniederschlag von leitfaehigen und dielektrischen duennen festfilmen und so hergestellte erzeugnisse.
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5256205A (en) 1990-05-09 1993-10-26 Jet Process Corporation Microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin film materials
US5356673A (en) 1991-03-18 1994-10-18 Jet Process Corporation Evaporation system and method for gas jet deposition of thin film materials
US5421888A (en) 1992-05-12 1995-06-06 Sony Corporation Low pressure CVD apparatus comprising gas distribution collimator
JP3303357B2 (ja) * 1992-10-07 2002-07-22 株式会社日立製作所 気相化学反応装置
US5759634A (en) 1994-03-11 1998-06-02 Jet Process Corporation Jet vapor deposition of nanocluster embedded thin films
US5650197A (en) 1994-03-11 1997-07-22 Jet Process Corporation Jet vapor deposition of organic molecule guest-inorganic host thin films
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JP3360098B2 (ja) 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
US5554220A (en) 1995-05-19 1996-09-10 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities
IT1275826B1 (it) 1995-10-30 1997-10-17 Nuovo Pignone Spa Valvola perfezionata per la regolazione e misura di una portata massica di gas
US6048630A (en) 1996-07-02 2000-04-11 The Trustees Of Princeton University Red-emitting organic light emitting devices (OLED's)
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6258170B1 (en) 1997-09-11 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Vaporization and deposition apparatus
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6165554A (en) 1997-11-12 2000-12-26 Jet Process Corporation Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6037241A (en) 1998-02-19 2000-03-14 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a semiconductor material
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
US6358323B1 (en) * 1998-07-21 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved control of process and purge material in a substrate processing system
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6066357A (en) 1998-12-21 2000-05-23 Eastman Kodak Company Methods of making a full-color organic light-emitting display
TW451275B (en) 1999-06-22 2001-08-21 Tokyo Electron Ltd Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6537607B1 (en) 1999-12-17 2003-03-25 Texas Instruments Incorporated Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
DE10007059A1 (de) 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6572706B1 (en) 2000-06-19 2003-06-03 Simplus Systems Corporation Integrated precursor delivery system
DE10048759A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Aixtron Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD
US6660126B2 (en) * 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US7404862B2 (en) * 2001-09-04 2008-07-29 The Trustees Of Princeton University Device and method for organic vapor jet deposition
US7431968B1 (en) * 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US7744957B2 (en) 2003-10-23 2010-06-29 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus for depositing material
US6716656B2 (en) 2001-09-04 2004-04-06 The Trustees Of Princeton University Self-aligned hybrid deposition
CN1287002C (zh) * 2001-09-04 2006-11-29 普林斯顿大学理事会 喷射沉积有机物蒸汽的方法和装置
US6562405B2 (en) 2001-09-14 2003-05-13 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
JP2004277772A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Tokyo Electron Ltd 処理装置
KR100555849B1 (ko) * 2003-11-27 2006-03-03 주식회사 셈테크놀러지 중성입자빔 처리장치
JP4707959B2 (ja) * 2004-02-20 2011-06-22 日本エー・エス・エム株式会社 シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2005252050A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成方法および装置
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US8128753B2 (en) * 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US7537018B1 (en) * 2005-05-03 2009-05-26 Waters Investments Limited Method and apparatus for controlling partial vapor pressure in a sorption analyzer
US20070264427A1 (en) * 2005-12-21 2007-11-15 Asm Japan K.K. Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition
US7334599B2 (en) * 2006-02-14 2008-02-26 Horng Lai Industrial Co., Ltd. Single lever faucet with spray
JP2007273515A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 薄膜形成装置
US7879401B2 (en) * 2006-12-22 2011-02-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet deposition using an exhaust
KR101055606B1 (ko) 2008-10-22 2011-08-10 한국과학기술원 유기 드라이 젯 프린팅 헤드 및 이를 이용한 프린팅 장치 및 방법
US8801856B2 (en) 2009-09-08 2014-08-12 Universal Display Corporation Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63307255A (ja) * 1987-06-08 1988-12-14 Oki Electric Ind Co Ltd 有機機能性材料薄膜の製造方法及びその製造装置
US6190732B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YIRU SUN ET AL: "Direct patterning of organic light-emitting devices by organic-vapor jet printing", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104107742A (zh) * 2014-06-30 2014-10-22 含山县关镇机械厂 新型的破碎机齿辊

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120048714A (ko) 2012-05-15
JP5662452B2 (ja) 2015-01-28
US20110059259A1 (en) 2011-03-10
WO2011031631A1 (en) 2011-03-17
KR101665748B1 (ko) 2016-10-12
JP2013503978A (ja) 2013-02-04
EP2475800B1 (en) 2020-04-22
CN102575335B (zh) 2016-01-27
US8801856B2 (en) 2014-08-12
IN2012DN02870A (zh) 2015-07-24
EP2475800A1 (en) 2012-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102575335B (zh) 用于沉积具有图形的有机薄膜的方法和系统
US11205751B2 (en) Nozzle design for organic vapor jet printing
KR102605330B1 (ko) 초순수 가스 분위기에서 기상으로부터 다층 유기 박막을 인쇄하기 위한 장치 및 방법
CN105316623B (zh) 在有机材料的蒸气喷射沉积期间调节流动的系统和方法
US11196030B2 (en) High efficiency vapor transport sublimation source using baffles coated with source material
CN107574407B (zh) 用于将材料薄膜沉积在衬底上的设备和方法
KR20190101303A (ko) 모듈식 한정형 유기 프린트 헤드 및 시스템
KR20210134518A (ko) 유기 증기 제트 프린팅을 제어하는 공압식 셔터
EP2137335B1 (en) Fine control of vaporized organic material
CN103003464B (zh) 有机气相喷射印刷
US11552247B2 (en) Organic vapor jet nozzle with shutter
US11946131B2 (en) Sublimation cell with time stability of output vapor pressure
US11313033B2 (en) Linear source apparatus, system and method of use
KR102660221B1 (ko) 출력 증기압의 시간 안정성을 갖는 승화 셀
KR20220148129A (ko) Ovjp 시스템 및 승화 공급원
CN115483358A (zh) Ovjp注射块
CN117042562A (zh) 有机蒸气喷射印刷系统
JP2012052187A (ja) 蒸着装置、成膜方法及び有機ｅｌ装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant