CN102569626A - 多芯片集成封装led - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种多芯片集成封装LED，包括位于底层的金属基板，所述的金属基板的上表面镀有银层，所述的金属基板的预定位置向下凹陷形成 若干凹杯 ，各个所述的 凹杯 的底部设置有 电路 、多个LED芯片，所述的 电路包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分 LED 芯片并联于所述的 中间电路与正极电路之间，另一部分 LED 芯片并联于所述的 中间电路与负极电路之间构成通路，所述的凹杯 的内腔中填充有封装胶。本发明 通过重新设计基板和电路，将芯片直接置于金属基板从而提高散热性，镀银凹杯设计将有效增加出光，独特的电路设计将提高芯片可靠性。

Description

多芯片集成封装LED

技术领域

本发明涉及LED芯片封装领域。    

背景技术

多芯片集成封装因其低成本、高亮度成为新一代封装方式，然而传统集成封装基板通常是MCPCB金属基板（铝基板），电路置于绝缘层，电路绝缘层带来的热阻使芯片散热困难；此外芯片通常简单串联或并联，一旦有单颗失效，整个芯片组也随之失效。

发明内容

本发明目的是本方案通过重新设计基板与电路，提高集成封装的散热性、出光效率及可靠性。

本发明所采用的技术方案为：一种多芯片集成封装LED，包括位于底层的金属基板，所述的金属基板的上表面镀有银层，所述的金属基板的预定位置向下凹陷形成若干凹杯，各个所述的凹杯的底部设置有电路、多个LED芯片，所述的电路包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分LED芯片并联于所述的中间电路与正极电路之间，另一部分LED芯片并联于所述的中间电路与负极电路之间构成通路，所述的凹杯的内腔中填充有封装胶。

优选地，所述的金属基板为铝基板。

优选地，所述的金属基板为不锈钢基板。

优选地，所述的封装胶为荧光粉封装胶。

由于采用上述技术方案，本发明通过重新设计基板和电路，将芯片直接置于金属基板从而提高散热性，镀银凹杯设计将有效增加出光，独特的电路设计将提高芯片可靠性。

附图说明

附图1为根据本发明的多芯片集成封装LED的侧视图；

附图2为根据本发明的多芯片集成封装LED的正视图；

其中：1、金属基板；2、银层；3、LED芯片；4、封装胶；5、凹杯；6、电路。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参见附图1与附图2所示，本实施例中的多芯片集成封装LED，包括位于底层的金属基板1，金属基板1的上表面镀有银层2，金属基板1的预定位置向下凹陷形成若干凹杯5，各个凹杯5的底部设置有电路6、多个LED芯片3，电路6包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分LED芯片3并联于中间电路与正极电路之间，另一部分LED芯片3并联于中间电路与负极电路之间构成通路，凹杯5的内腔中填充有封装胶6。其中，金属基板1为铝基板、不锈钢基板或者由其它金属材料制成；封装胶6为荧光粉封装胶。

本发明的设计要点在于：

1.提高散热：集成封装所用基板为金属基板，将芯片直接置于金属基板上，避开传统MCPCB的绝缘层；

2.提高出光：金属基板并且做出若干凹杯，并且基板整面镀银；

3.提高可靠性：使用三条电路（正极电路、中间电路、负极电路），所有芯片都与中间电路联接，万一有单颗芯片失效，也不会影响其余芯片。

从而，将芯片直接置于金属基板从而提高散热性，镀银凹杯设计将有效增加出光，独特的电路设计将提高芯片可靠性。

以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (4)

1.一种多芯片集成封装LED，其特征在于：包括位于底层的金属基板（1），所述的金属基板（1）的上表面镀有银层（2），所述的金属基板（1）的预定位置向下凹陷形成若干凹杯（5），各个所述的凹杯（5）的底部设置有电路（6）、多个LED芯片（3），所述的电路（6）包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分LED芯片（3）并联于所述的中间电路与正极电路之间，另一部分LED芯片（3）并联于所述的中间电路与负极电路之间构成通路，所述的凹杯（5）的内腔中填充有封装胶（6）。

2.根据权利要求1所述的多芯片集成封装LED，其特征在于：所述的金属基板（1）为铝基板。

3.根据权利要求1所述的多芯片集成封装LED，其特征在于：所述的金属基板（1）为不锈钢基板。

4.根据权利要求1所述的多芯片集成封装LED，其特征在于：所述的封装胶（6）为荧光粉封装胶。

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