CN102569109A - 一种增大芯片键合面积的方法 - Google Patents
一种增大芯片键合面积的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102569109A CN102569109A CN2012100015915A CN201210001591A CN102569109A CN 102569109 A CN102569109 A CN 102569109A CN 2012100015915 A CN2012100015915 A CN 2012100015915A CN 201210001591 A CN201210001591 A CN 201210001591A CN 102569109 A CN102569109 A CN 102569109A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- bonding
- chip
- carry out
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种增大芯片键合面积的方法，采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。用这种方法进行晶圆片/硅片或晶圆片/晶圆片键合，键合后衬底片键合面积高达99.99％以上、无键合材料外溢、无空洞，键合强度高，键合率高达99％以上，其制得的衬底片不但键合区不存在污染层、多晶层、氧化层，而且提高后续工艺的成品率，降低生产成本。从而可使制得到的二极管发光器件性能得到大大的提高，可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。
Description
技术领域
本发明专利涉及一种用于增大芯片键合面积的方法
背景技术
半导体照明产业在全球已经兴起，在国家中长期科技规划战略研讨会上，已将“新世纪照明工程”推荐为重大项目，发展半导体照明工程已经到了新时期。芯片键合技术是半导体光电子和电力电子领域的重要技术，它是通过两芯片之间添加某种粘合剂，随后通过化学或物理方法将其键合在一起，成为新衬底片。目前，现有的芯片键合工艺，芯片蒸发时采用背放式镀锅(如图2所示)，边缘处由于被蒸镀盖板(图3)环遮挡，蒸发材料不能沉积在晶圆片边缘处，从而导致键合面积小、键合区产生空洞、存在夹层，键合后衬底片边缘有键合材料溢出，在后续加工工艺中出现键合层脱落、电压偏高、外观不良等异常，致使大量的晶粒损失、良品率低、制造成本提高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述缺点，本发明提出一种用于增大芯片键合面积的方法。该方法可以将待键合晶圆片的边缘处均蒸发有键合材料，晶圆片可以很好的键合在一起，增大芯片键合的面积，提高键合率。
本发明一种增大芯片键合面积的方法，采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。采用本发明方法，晶圆片边缘处完全裸露在蒸镀腔体中。在蒸发时，蒸发材料可以直接沉积在晶圆片的任何裸露部位。在键合时由于晶圆片边缘处均有键合材料，致使键合面积增大、键合率提高。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
1、键合面积大。正放式镀锅蒸发时可以在晶圆片边缘处沉积上蒸发材料。提高芯片边缘处利用率、键合后的衬底片将边缘(2～5mm)处完美的键合在一起，可实现整个面积的键合，键合强度高。以及有利于后续工艺的实施。
2.键合率高，减少后续电极制作工艺键合层脱落异常发生。
3、工艺简单。在装片或蒸发过程中晶圆片表面不需要进行专门的表面结合键增强处理，不仅省时、省力，而且可节省大量化学药品及设备使用率。
4、蒸发周期短。蒸发好的晶圆片即可快速地进行下一步工艺，不需等待。
5、对设备没有额外要求，并且设备操作简单方便。
附图说明
图1、正放式镀锅示意图；
图2、背放式镀锅示意图；
图3、蒸镀盖板示意图；
图4、晶圆片承载垫片示意图；
图5、弹簧夹固定晶圆片示意图。
具体实施方式：
本发明可采用以下实施方法实现：
(1)将晶圆片清洗干净；
(2)在镀膜机中放入蒸镀靶材，然后晶圆片放置在正放式的镀锅中，镀锅放入镀膜机中；
(3)抽真空4.5×10-4Pa，开始蒸发。
(4)蒸发完成后，将晶圆片从正放式镀锅中取下，进行键合作业。
Claims (1)
1.一种增大芯片键合面积的方法，其特征在于：采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100015915A CN102569109A (zh) | 2011-07-07 | 2012-01-05 | 一种增大芯片键合面积的方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110189245.X | 2011-07-07 | ||
| CN201110189245XA CN102251217A (zh) | 2011-07-07 | 2011-07-07 | 增大芯片键合面积的方法 |
| CN2012100015915A CN102569109A (zh) | 2011-07-07 | 2012-01-05 | 一种增大芯片键合面积的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102569109A true CN102569109A (zh) | 2012-07-11 |
Family
ID=44978779
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110189245XA Pending CN102251217A (zh) | 2011-07-07 | 2011-07-07 | 增大芯片键合面积的方法 |
| CN2012100015915A Pending CN102569109A (zh) | 2011-07-07 | 2012-01-05 | 一种增大芯片键合面积的方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110189245XA Pending CN102251217A (zh) | 2011-07-07 | 2011-07-07 | 增大芯片键合面积的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN102251217A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050133164A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Andreas Fischer | Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift |
| CN2887888Y (zh) * | 2005-12-15 | 2007-04-11 | 群康科技(深圳)有限公司 | 真空蒸镀装置 |
| CN101844740A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-09-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于金硅共晶的低温键合方法 |
-
2011
- 2011-07-07 CN CN201110189245XA patent/CN102251217A/zh active Pending
-
2012
- 2012-01-05 CN CN2012100015915A patent/CN102569109A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050133164A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Andreas Fischer | Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift |
| CN2887888Y (zh) * | 2005-12-15 | 2007-04-11 | 群康科技(深圳)有限公司 | 真空蒸镀装置 |
| CN101844740A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-09-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于金硅共晶的低温键合方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102251217A (zh) | 2011-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100541843C (zh) | 一种氮化镓基发光二极管p型层透明导电膜及其制作方法 | |
| CN102130244B (zh) | 一种基于金刚石薄膜的led散热基底及其制作方法 | |
| CN101308838B (zh) | 一种高导通电压倒装led集成芯片及制造方法 | |
| CN102509731A (zh) | 交流式垂直发光元件及其制作方法 | |
| CN102709452A (zh) | 荧光透明陶瓷led封接结构及其封接方法 | |
| CN102637783A (zh) | 一种垂直结构白光发光二极管及其制造方法 | |
| CN204144301U (zh) | 一种垂直结构发光二极管 | |
| CN102569573A (zh) | 改善热传导的led芯片 | |
| CN102569109A (zh) | 一种增大芯片键合面积的方法 | |
| CN102709412B (zh) | 高亮度及低衰减的led发光二极管的制造方法 | |
| CN102064249B (zh) | 一种新型氮化镓led芯片电极结构的制作方法 | |
| CN102185046A (zh) | 垂直结构氮化镓基led的制作方法 | |
| CN101055898A (zh) | 光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法 | |
| CN204102928U (zh) | 一种出光效率高的倒装led芯片、及其led器件 | |
| CN214898480U (zh) | 一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置 | |
| CN102214746A (zh) | 一种氮化镓基功率型led芯片制作方法 | |
| CN101304063A (zh) | 发光二极管的制作方法 | |
| CN101330078B (zh) | 带静电保护的高导通电压led集成芯片及制造方法 | |
| CN101330080B (zh) | 一种高导通电压正装led集成芯片及制造方法 | |
| CN102214754B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| WO2008141863A2 (en) | Backside contacting on thin layer photovoltaic cells | |
| CN107658346A (zh) | 一种高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法 | |
| CN202585350U (zh) | 一种通过键合实现的新型晶圆片 | |
| CN204045634U (zh) | 导电导热良好的倒装led芯片、及其led器件 | |
| CN102569031A (zh) | 一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: BEIJING SHIDAIHAODING TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: YANG JIYUAN Effective date: 20140129 |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100081 HAIDIAN, BEIJING TO: 100085 HAIDIAN, BEIJING |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20140129 Address after: 100085, room 1, building 1, 2503 information road, Beijing, Haidian District Applicant after: BEIJING TIMES HAODING TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 100081 No. 3, Nanping house, 46 South Street, Haidian District, Beijing, Zhongguancun Applicant before: Yang Jiyuan |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120711 |