CN102568369A - 平面显示器、位移缓存器及其控制方法 - Google Patents

平面显示器、位移缓存器及其控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102568369A
CN102568369A CN2012100634934A CN201210063493A CN102568369A CN 102568369 A CN102568369 A CN 102568369A CN 2012100634934 A CN2012100634934 A CN 2012100634934A CN 201210063493 A CN201210063493 A CN 201210063493A CN 102568369 A CN102568369 A CN 102568369A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
electric property
property coupling
displacement buffer
buffer unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100634934A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102568369B (zh
Inventor
陈沛桦
丁友信
傅春霖
卢朝文
林男颖
徐伟钧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Publication of CN102568369A publication Critical patent/CN102568369A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102568369B publication Critical patent/CN102568369B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
    • G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
    • G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/38—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using electrochromic devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit

Abstract

一种平面显示器、位移缓存器及其控制方法在此揭露，位移缓存器包含多个位移缓存单元，其中至少一位移缓存单元电性耦接前一级位移缓存单元与后一级位移缓存单元，此位移缓存单元包含信号输入电路、信号输出电路、下拉电路与切换电路。信号输入电路，电性耦接前一级位移缓存单元，用以接收一来自前一级位移缓存单元的逻辑信号；信号输出电路，经由一控制信号端电性耦接信号输入电路，且电性耦接后一级位移缓存单元，接收一第一频率信号；切换电路电性耦接下拉电路与控制信号端，其中下拉电路通过切换电路与控制信号端选择性的电性耦接或电性隔离。

Description

平面显示器、位移缓存器及其控制方法
【技术领域】
本发明是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种位移缓存器。
【背景技术】
近年来由于工商发达、社会进步，相对提供的产品亦主要针对便利、确实、经济实惠为主旨，因此，当前开发的产品亦比以往更加进步，而得以贡献社会。
平面显示器，例如：液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)、场发射显示器、有机发光二极管显示器或电子纸，因具有外型轻薄、耗电量少以及低辐射污染等特性，目前已逐渐取代传统桌上型计算机的CRT监视器，且被广泛地应用在笔记型计算机、手机、电视等电子产品。而平面显示器每列画素通常的设计为每一列画素的循序更新，因此，需要位移缓存器根据频率信号与其它信号来产生逐一更新的控制信号。
然而由于余电子产品日渐精密，电子电路设计条件也更加严苛，例如频率信号传递上若造成明显的延迟，即有可能使得根据频率信号来产生扫描信号的位移缓存器输出产生异常。
由此可见，上述现有的位移缓存单元，显然仍存在不便与缺陷，而有待加以进一步改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的方式被发展完成。因此，如何能防止移缓存单元的输出端无法输入正常信号至下一级，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
【发明内容】
因此，本发明之一态样是在提供一种平面显示器、位移缓存器及其控制方法，用以解决上述的问题。
依据本发明一实施例，一种位移缓存器包含多个位移缓存单元，其中至少一位移缓存单元电性耦接前一级位移缓存单元与后一级位移缓存单元，此位移缓存单元包含信号输入电路、信号输出电路、下拉电路与切换电路。信号输入电路用以接收一来自前一级位移缓存单元的逻辑信号；信号输出电路，电性耦接信号输入电路与后一级位移缓存单元，并接收一第一频率信号，其中信号输出电路经由一控制信号端电性耦接信号输入电路；下拉电路，电性耦接信号输入电路与信号输出电路，并接收一第一工作电压，用以下拉控制信号端的电压；切换电路，电性连接耦接下拉电路与控制信号端，其中下拉电路通过切换电路与控制信号端选择性的电性连接耦接或电性隔离。
当第一频率信号与前一级位移缓存单元所接收之一第二频率信号均为逻辑低位准时，将控制信号端与下拉电路电性隔离；当第一频率信号与第二频率信号中有任一者为逻辑高位准时，切换电路将控制信号端与下拉电路电性耦接。
切换电路包含一对晶体管，该对晶体管分别包含一第一端、一第二端与一栅极端，该对晶体管的二第一端皆电性耦接至信号控制端且对晶体管的二第二端电性耦接至下拉电路，该对晶体管的二栅极分别用以接收第一频率信号与第二频率信号。
信号输入电路包含第一反向器与第一晶体管。第一反向器的输入端接收来自前一级位移缓存单元的逻辑信号；第一晶体管具有一栅极电性耦接第一反向器的输入端、一第一端电性耦接反向器的输出端、以及一第二端电性耦接控制信号端。
信号输出电路包含第二晶体管与第二反向器。第二晶体管具有一栅极电性耦接控制信号端、一第一端用以接收第一频率信号、以及一第二端，电性耦接后一级位移缓存单元；第二反向器具有一输入端电性耦接第二晶体管的第二端、一输出端电性耦接下拉电路。
下拉电路包含第三晶体管与第四晶体管。第三晶体管具有一栅极电性耦接第一反向器的输出端、一第一端电性耦接第二反向器的输出端、以及一第二端；第四晶体管具有一栅极电性耦接第三晶体管的第二端、一第一端电性耦接第一工作电压、以及一第二端电性耦接切换电路。
上述的位移缓存器亦可包含一电容器。电容器具有一第一端与一第二端，第一端电性耦接一第二工作电压，第二端电性耦接控制信号端。
依据本发明另一实施例，一种平面显示器包含多个画素、多条数据线、多条扫描线与上一实施例所述的位移缓存器，多条数据线，分别电性耦接这些画素，用以传输画素电压以驱动这些画素；多条扫描线跟这些数据线交错设置，分别电性耦接这些画素，用以控制这些画素的更新；多个位移缓存单元分别电性耦接扫描线，用以产生复数扫描信号以控制画素的更新。
依据本发明又一实施例，一种位移缓存器的控制方法，位移缓存器包含多个位移缓存单元，其中至少一位移缓存单元包含信号输入电路、信号输出电路与下拉电路，信号输出电路经由一控制信号端电性耦接信号输入电路，信号输出电路并用以接收一第一频率信号，控制方法包含：通过信号输入电路接收前一级位移缓存单元的逻辑信号；通过信号输入电路产生控制信号端的控制电压；通过控制信号端的控制电压控制信号输出电路；通过信号输出电路产生一输出信号；通过下拉电路下拉控制信号端的控制电压；其中，当第一频率信号与前一级位移缓存单元所接收之一第二频率信号均为逻辑低位准时，将控制信号端与下拉电路电性隔离。
当第一频率信号与第二频率信号中有任一者为逻辑高位准时，将控制信号端与下拉电路电性耦接。
综上所述，本发明的技术方案与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。通过上述技术方案，可达到相当的技术进步，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有下列优点：
1.下拉电路通过切换电路与控制信号端选择性的电性耦接或电性隔离，避免位移缓存单元不正常放电；以及
2.通过克服位移缓存单元不正常放电的问题，大幅增加系统的稳定性。
以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供更进一步的解释。
【附图说明】
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：
图1是低温多晶硅面板上驱动扫描线的某一级位移缓存单元；
图2是图1的位移缓存单元在正常状态下的时序图；
图3是图1的位移缓存单元在异常状态下的时序图；
图4是依照本发明一实施例之一种平面显示器的示意图；
图5是依照本发明一实施例之一种位移缓存单元的电路图；
图6是图5的位移缓存单元的时序图；以及
图7是图5的位移缓存单元的频率延迟运作时序图。
【主要组件符号说明】
100：位移缓存单元        130：下拉电路
200：平面显示器          210：画素
220：数据线              230：扫描线
300：位移缓存器            310～330：位移缓存单元
410：信号输入电路          411：第一反向器
412：第一晶体管            420：信号输出电路
421：第二晶体管            422：第二反向器
430：下拉电路              431：第三晶体管
432：第四晶体管            440：切换电路
441、442：一对晶体管       450：电容器
SR_in：输入端              SR_out：输出端
Vboost：控制信号端         Vclock：第一频率信号
Vxclock：第二频率信号      VSS：第一工作电压
VDD：第二工作电压          时间：T1、T2、T3
【具体实施方式】
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，可参照所附的图式及以下所述各种实施例，图式中相同的号码代表相同或相似的组件。另一方面，众所周知的组件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本发明造成不必要的限制。
于实施方式与申请专利范围中，涉及『耦接(coupled with)』的描述，其可泛指一组件通过其它组件而间接连接至另一组件，或是一组件无须通过其它组件而直接连接至另一组件。
于实施方式与申请专利范围中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则『一』与『该』可泛指单一个或多个。
本文中所使用的『约』、『大约』或『大致』用以修饰任何可些微变化的数量，但这种些微变化并不会改变其本质。于实施方式中若无特别说明，则代表以『约』、『大约』或『大致』所修饰的数值的误差范围一般是容许在百分的二十以内，较佳地是于百分的十以内，而更佳地则是于百分五的以内。
本发明的技术态样是一种位移缓存器，其可应用在平面显示器，或是广泛地运用在相关的技术环节。值得一提的是，本技术方案可避免位移缓存单元不正常放电。以下将搭配图式来说明此位移缓存器的具体实施方式。
图1为低温多晶硅面板上驱动扫描线的某一级位移缓存单元100，当输入端SR_in输入逻辑低位准Vgl时，控制信号端Vboost被抬升到逻辑高准位Vgh，此时当级信号Vclock输入逻辑高准位Vgh，如表一所示：
《表一》
  Vclock   Vxclock   SR_out的输出
  逻辑低位准   逻辑高位准   正常
  逻辑高位准   逻辑低位准   正常
  逻辑低位准   逻辑低位准   异常
  逻辑高位准   逻辑高位准   正常
控制信号端Vboost因电容效应再被往上推升并保持在逻辑高准位，当级信号的输出端SR_out输出正常信号Vgl，打开扫描线，当级信号SR_out输出的同时也输入信号至下一级位移缓存单元，下一级位移缓存单元则由Vxclock输入逻辑低位准Vgl，当级位移缓存单元100回到逻辑高位准Vgh，依此类推，信号脉冲的关系如图2所示，依据位移缓存单元100正常输出的准则，当级信号的Vclock/Vxclock必须要为逻辑高准位Vgh，若当级信号的Vclock/Vxclock仍未达到高准位，如图3所示，而前一级SR的Vclock/Vxclock已达到低准位，此时Vclock/Vxclock皆为低准位时，当级位移缓存单元100的下拉电路130会将控制信号端Vboost拉到低准位，导致输出端SR_out无法输入正常信号至下一级，导致运作异常。
图4是依照本发明一实施例之一种平面显示器的示意图。如图4所示，平面显示器200包含多个画素210、多条数据线220、多条扫描线230与位移缓存器300，多条数据线220，分别电性耦接这些画素，用以传输画素电压以驱动这些画素210；扫描线230跟数据线220交错设置，分别电性耦接这些画素，用以控制这些画素210的更新。
位移缓存器300包含多个位移缓存单元310、320、330。位移缓存单元310、320、330分别电性耦接对应的扫描线230，用以产生复数扫描信号以控制画素210的更新，其中多个位移缓存单元310、320、330分别间隔的接收第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock，亦即当位移缓存单元310接收第二频率信号Vxclock则下一级位移缓存单元320接收第一频率信号Vclock，再下一级则接收第二频率信号Vxclock，此外在本实施例中，第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock具有非零相位差，例如第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock理想上应互为反向。藉此，平面显示器200得以正常运作。
为了对位移缓存单元作更进一步的阐述，参照图5。图5是依照本发明一实施例之一种位移缓存单元的电路图。图5中以位移缓存单元320为例，然此并不限制本发明，实务上，每一位移缓存单元均可具有相同或相似的结构，熟习此项技艺者应视当时需要弹性设计之。
位移缓存单元320电性耦接前一级位移缓存单元310与后一级位移缓存单元330，位移缓存单元320包含信号输入电路410、信号输出电路420、下拉电路430与切换电路440。信号输入电路410，电性耦接前一级位移缓存单元310，用以自SR_in端接收一来自前一级位移缓存单元310的逻辑信号；信号输出电路420电性耦接信号输入电路410与后一级位移缓存单元320，并接收一第一频率信号Vclock，其中信号输出电路420经由一控制信号端Vboost电性耦接信号输入电路；下拉电路430电性耦接信号输入电路410与信号输出电路420，并接收一第一工作电压VSS，用以下拉控制信号端Vboost的电压；切换电路440电性耦接下拉电路430与控制信号端Vboost，其中下拉电路430通过切换电路440与控制信号端Vboost选择性的电性耦接或电性隔离。
关于下拉电路430与控制信号端Vboost电性耦接或电性隔离的时机，参照下表二：
《表二》
  Vclock   Vxclock   SR_out的输出
  逻辑低位准   逻辑高位准   正常
  逻辑高位准   逻辑低位准   正常
  逻辑低位准   逻辑低位准   正常
  逻辑高位准   逻辑高位准   正常
当第一频率信号Vclock与前一级位移缓存单元310所接收之一第二频率信号Vxclock均为逻辑低位准时，切换电路440将将控制信号端Vboost与下拉电路430电性隔离。藉此，下拉电路430无法将控制信号端Vboost拉到逻辑低准位，便可避免位移缓存单元320不正常放电。
当第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock中有任一者为逻辑高位准时，切换电路440将控制信号端Vboost与下拉电路430电性耦接。藉此，位移缓存单元320正常运作。
切换电路440包含一对晶体管441、442，该对晶体管441、442每一者包含一第一端、一第二端与一栅极端，该对晶体管的二第一端皆电性耦接至信号控制端Vboost且对晶体管的二第二端电性耦接至下拉电路430，该对晶体管的二栅极分别用以接收第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock。于使用时，一晶体管的栅极端由Vclock控制开关，另一晶体管的栅极端由Vxclock控制开关，当Vclock以及Vxclock皆为逻辑低准位时，切换电路440关闭。此电路的优点在于仅需两个晶体管即可实现切换电路440，节省成本及减少组件占据的空间。
信号输入电路410包含第一反向器411与第一晶体管412。第一反向器411的输入端SR_in接收来自前一级位移缓存单元310的逻辑信号；第一晶体管412具有一栅极电性耦接第一反向器411的输入端SR_in、一第一端电性耦接反向器411的输出端、以及一第二端电性耦接控制信号端Vboost。于使用时，通过信号输入电路410接收前一级位移缓存单元310的逻辑信号，进而通过信号输入电路410产生控制信号端Vboost的控制电压，如图6所示。于本实施例中，第一晶体管412可为第一P型金氧半导体，通过第一反向器411可增进信号的推动力。
信号输出电路420包含第二晶体管421与第二反向器422。第二晶体管421具有一栅极电性耦接控制信号端Vboost、一第一端用以接收第一频率信号Vclock、以及一第二端电性耦接后一级位移缓存单元330；第二反向器422具有一输入端电性耦接第二晶体管421的第二端、一输出端SR_out电性耦接下拉电路430。于使用时，通过信号输出电路420产生一输出信号，如图6所示。于本实施例中，第二晶体管421可为第一N型金氧半导体，通过第二反向器422可增进信号的推动力。
下拉电路430包含第三晶体管431与第四晶体管432。第三晶体管431具有一栅极电性耦接第一反向器411的输出端、一第一端电性耦接第二反向器422的输出端、以及一第二端；第四晶体管432具有一栅极电性耦接第三晶体管的第二端、一第一端电性耦接第一工作电压VSS、以及一第二端电性耦接切换电路440。于使用时，通过下拉电路430下拉控制信号端Vboost的控制电压，如图6所示。于本实施例中，第三晶体管431可为第二P型金氧半导体，第四晶体管432可为第二N型金氧半导体。
位移缓存器320亦可包含一电容器450。电容器450具有一第一端与一第二端，第一端电性耦接一第二工作电压VDD，第二端电性耦接控制信号端Vboost。于使用时，电容器450具有充电的功能。
本发明的另一技术态样是一种位移缓存器的控制方法。以位移缓存器300为例，其包含多个位移缓存单元310、320、330，其中至少一位移缓存单元320包含信号输入电路410、信号输出电路420与下拉电路430，信号输出电路420经由一控制信号端Vboost电性耦接信号输入电路410，信号输出电路420并用以接收一第一频率信号Vclock。此控制方法包含下列步骤(应了解到，在本实施例中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行)：通过信号输入电路410接收前一级位移缓存单元310的逻辑信号；通过信号输入电路410产生控制信号端Vboost的控制电压；通过控制信号端Vboost的控制电压控制信号输出电路420；通过信号输出电路420产生一输出信号；通过下拉电路430下拉控制信号端Vboost的控制电压；其中，当第一频率信号Vclock与前一级位移缓存单元310所接收之一第二频率信号Vxclock均为逻辑低位准时，将控制信号端Vboost与下拉电路430电性隔离。
当第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock中有任一者为逻辑高位准时，将控制信号端Vboost与下拉电路430电性耦接。
请参考图7，图7是图5的位移缓存单元的频率延迟运作时序图，图7与图6的差别在于第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock并非相差180度相位差，因此在T3时间内，若使用图1所载的位移缓存器，则会出现如图3的异常输出，但由于当第一频率信号Vclock与前一级位移缓存单元310所接收之一第二频率信号Vxclock均为逻辑低位准时，将控制信号端Vboost与下拉电路430电性隔离，因此可避免错误发生。
根据第图7的运作时序图，请一併参考图5的电路，在T1时间的前，控制信号端Vboost信号为逻辑低位准，在T1时间，通过信号输入电路410输入端SR_in接收前一级位移缓存单元310的逻辑信号的位准由逻辑高位准转换为逻辑低位准，因此通过被开启的第一晶体管412将控制信号端Vboost的控制电压转换为逻辑高位准，近而将第二晶体管421开启，因此第一频率信号Vclock可通过第二晶体管421传输至下一级位移缓存单元330以及第二反向器422，此时输出端SR_out的输出信号为逻辑高位准。
在T2时间内，输入端SR_in接收的前一级位移缓存单元310的逻辑信号位准由逻辑低位准转换为逻辑高位准，进而导通第三晶体管431，而第四晶体管432则因输出端SR_out的输出信号为逻辑高位准而被导通，然而，切换电路440因第一频率信号Vclock与第二频率信号Vxclock同时为逻辑低位准，进而将控制信号端Vboost与下拉电路430电性隔离，避免控制信号端Vboost的位准被致能后的下拉电路430下拉。
进入T3时间的后，由于第一频率信号Vclock由逻辑低位准转换为逻辑高位准，因此通过电容耦合在近一次拉高控制信号端Vboost的控制电压，并且进而增加第二晶体管421的导通程度，而输出端SR_out的输出信号则因第一频率信号Vclock由逻辑低位准转换为逻辑高位准，而转换为逻辑低位准转。
在T3时间的后，第一频率信号Vclock由逻辑高位准转换为逻辑低位准，进而使输出端SR_out的输出信号转换为逻辑高位准，因此导通第四晶体管432，此外，因为第一频率信号Vclock由逻辑高位准，使得控制信号端Vboost与下拉电路430电性耦接，因此下拉电路430下拉控制信号端Vboost。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种位移缓存器，其包含：
多个位移缓存单元，其中至少一位移缓存单元电性耦接前一级位移缓存单元与后一级位移缓存单元，该至少一位移缓存单元包含：
一信号输入电路，电性耦接前一级位移缓存单元，用以接收一来自前一级位移缓存单元的逻辑信号；
一信号输出电路，电性耦接该信号输入电路与后一级位移缓存单元，并接用以收一第一频率信号，其中该信号输出电路经由一控制信号端电性耦接该信号输入电路；
一下拉电路，电性耦接该信号输入电路与该信号输出电路，并用以接收一第一工作电压，下拉该控制信号端的电压；以及
一切换电路，该下拉电路通过该切换电路电性耦接至该控制信号端。
2.根据权利要求1所述的位移缓存器，其特征在于：
当该第一频率信号与前一级位移缓存单元所接收之一第二频率信号均为逻辑低位准时，该切换电路将该控制信号端与该下拉电路电性隔离；以及
当该第一频率信号与第二频率信号中有任一者为逻辑高位准时，该切换电路将该控制信号端与该下拉电路电性耦接。
3.根据权利要求2所述的位移缓存器，其特征在于，该切换电路包含一对晶体管，该对晶体管分别包含一第一端、一第二端与一栅极端，该对晶体管的二第一端皆电性耦接至该信号控制端且该对晶体管的二第二端电性耦接至该下拉电路，该对晶体管的二栅极分别用以接收该第一频率信号与该第二频率信号。
4.根据权利要求1所述的位移缓存器，其特征在于，该信号输入电路包含：
一第一反向器，其输入端接收该来自前一级位移缓存单元的逻辑信号；以及
一第一晶体管，具有一栅极电性耦接该第一反向器的输入端、一第一端电性耦接该反向器的输出端、以及一第二端电性耦接该控制信号端。
5.根据权利要求4所述的位移缓存器，其特征在于，该信号输出电路包含：
一第二晶体管，具有一栅极电性耦接该控制信号端、一第一端用以接收该第一频率信号、以及一第二端，电性耦接后一级位移缓存单元；以及
一第二反向器，具有一输入端电性耦接该第二晶体管的第二端、一输出端电性耦接该下拉电路。
6.根据权利要求5所述的位移缓存器，其特征在于，该下拉电路包含：
一第三晶体管，具有一栅极电性耦接该第一反向器的输出端、一第一端电性耦接该第二反向器的输出端、以及一第二端；以及
一第四晶体管，具有一栅极电性耦接该第三晶体管的第二端、一第一端电性耦接该第一工作电压、以及一第二端电性耦接该切换电路。
7.根据权利要求1所述的位移缓存器，其特征在于，更包含：
一电容器，具有一第一端与一第二端，该第一端电性耦接一第二工作电压，该第二端电性耦接该控制信号端。
8.一种平面显示器，包含：
多个画素；
多条数据线，分别电性耦接所述多个画素，用以传输画素电压以驱动所述多个画素；
多条扫描线，分别电性耦接所述多个画素，跟所述多个数据线交错设置，用以控制所述多个画素的更新；以及
根据权利要求1所述的位移缓存器，其中所述位移缓存单元分别电性耦接所述扫描线，用以产生复数扫描信号以控制所述画素的更新。
9.一种位移缓存器的控制方法，该位移缓存器包含多个位移缓存单元，其中至少一位移缓存单元包含一信号输入电路、一信号输出电路与一下拉电路，该信号输出电路经由一控制信号端电性耦接该信号输入电路，该信号输出电路并用以接收一第一频率信号，该控制方法包含：
通过该信号输入电路接收前一级位移缓存单元的逻辑信号；
通过该信号输入电路产生该控制信号端的控制电压；
通过该控制信号端的控制电压控制该信号输出电路；
通过该信号输出电路产生一输出信号；以及
通过该下拉电路下拉该控制信号端的控制电压；
其中，当该第一频率信号与前一级位移缓存单元所接收之一第二频率信号均为逻辑低位准时，将该控制信号端与该下拉电路电性隔离。
10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，更包含：
当该第一频率信号与第二频率信号中有任一者为逻辑高位准时，将该控制信号端与该下拉电路电性耦接。
CN201210063493.4A 2011-12-05 2012-03-12 平面显示器、位移缓存器及其控制方法 Active CN102568369B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100144677 2011-12-05
TW100144677A TWI451383B (zh) 2011-12-05 2011-12-05 平面顯示器、位移暫存器及其控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102568369A true CN102568369A (zh) 2012-07-11
CN102568369B CN102568369B (zh) 2014-03-19

Family

ID=46413663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210063493.4A Active CN102568369B (zh) 2011-12-05 2012-03-12 平面显示器、位移缓存器及其控制方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9318064B2 (zh)
CN (1) CN102568369B (zh)
TW (1) TWI451383B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10223975B2 (en) * 2013-10-18 2019-03-05 Apple Inc. Organic light emitting diode displays with improved driver circuitry
CN103680388B (zh) * 2013-12-26 2015-11-11 深圳市华星光电技术有限公司 用于平板显示的可修复的goa电路及显示装置
CN104464817B (zh) * 2014-12-05 2018-06-15 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其移位寄存器
TWI566229B (zh) * 2015-06-03 2017-01-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置之時序控制器及其操作方法
CN105679248B (zh) * 2016-01-04 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200709166A (en) * 2005-08-25 2007-03-01 Au Optronics Corp A shift register driving method
US7233308B2 (en) * 2003-05-12 2007-06-19 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Shift register
CN101533623A (zh) * 2009-02-26 2009-09-16 深圳华映显示科技有限公司 可抑制临界电压漂移的闸极驱动电路
CN101552040A (zh) * 2009-04-28 2009-10-07 友达光电股份有限公司 液晶显示器的移位寄存器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW564429B (en) * 2002-08-08 2003-12-01 Au Optronics Corp Shift register circuit
TWI282081B (en) * 2002-08-13 2007-06-01 Au Optronics Corp Shift register circuit
US7319452B2 (en) * 2003-03-25 2008-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register and display device having the same
TWI393093B (zh) * 2004-06-30 2013-04-11 Samsung Display Co Ltd 移位暫存器，具有該移位暫存器之顯示裝置，及其驅動方法
US7310402B2 (en) * 2005-10-18 2007-12-18 Au Optronics Corporation Gate line drivers for active matrix displays
TW200820164A (en) * 2006-10-16 2008-05-01 Au Optronics Corp Display driving method
TWI404007B (zh) * 2008-10-15 2013-08-01 Au Optronics Corp 移位暫存裝置及其移位暫存器
KR101512336B1 (ko) 2008-12-29 2015-04-15 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 구비한 표시 장치
TWI421872B (zh) * 2009-03-24 2014-01-01 Au Optronics Corp 能降低耦合效應之移位暫存器
TWI410944B (zh) * 2009-06-10 2013-10-01 Au Optronics Corp 顯示裝置之移位暫存器
TWI381640B (zh) * 2009-07-14 2013-01-01 Au Optronics Corp 具雙向傳輸機制之移位暫存器電路
CN101783124B (zh) * 2010-02-08 2013-05-08 北京大学深圳研究生院 栅极驱动电路单元、栅极驱动电路及显示装置
US8537094B2 (en) * 2010-03-24 2013-09-17 Au Optronics Corporation Shift register with low power consumption and liquid crystal display having the same
TWI397259B (zh) 2010-05-10 2013-05-21 Au Optronics Corp 移位暫存器電路
TWI415052B (zh) * 2010-12-29 2013-11-11 Au Optronics Corp 開關裝置與應用該開關裝置之移位暫存器電路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7233308B2 (en) * 2003-05-12 2007-06-19 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Shift register
TW200709166A (en) * 2005-08-25 2007-03-01 Au Optronics Corp A shift register driving method
CN101533623A (zh) * 2009-02-26 2009-09-16 深圳华映显示科技有限公司 可抑制临界电压漂移的闸极驱动电路
CN101552040A (zh) * 2009-04-28 2009-10-07 友达光电股份有限公司 液晶显示器的移位寄存器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI451383B (zh) 2014-09-01
US20130141315A1 (en) 2013-06-06
US9318064B2 (en) 2016-04-19
TW201324474A (zh) 2013-06-16
CN102568369B (zh) 2014-03-19
US9847138B2 (en) 2017-12-19
US20160189798A1 (en) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202443728U (zh) 移位寄存器、栅极驱动器及显示装置
CN103680636B (zh) 移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置
CN101937718B (zh) 双向移位寄存器
US8188961B2 (en) Liquid crystal display device and method for decaying residual image thereof
CN103258500B (zh) 一种移位寄存单元及显示装置
CN103489425B (zh) 电平转换电路、阵列基板及显示装置
CN103996371B (zh) 显示驱动电路、阵列基板及触摸显示装置
CN105118463B (zh) 一种goa电路及液晶显示器
US20150318052A1 (en) Shift register unit, gate drive circuit and display device
CN102855938B (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
CN101364390B (zh) 平面显示器
CN105679229A (zh) 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN103050106A (zh) 栅极驱动电路、显示模组和显示器
CN102654986A (zh) 移位寄存器的级、栅极驱动器、阵列基板以及显示装置
CN104183219A (zh) 扫描驱动电路和有机发光显示器
CN106504720A (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动装置和显示装置
CN103413514A (zh) 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
CN103021358A (zh) 一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器件
CN105374331A (zh) 栅极驱动电路和使用栅极驱动电路的显示器
CN102568369B (zh) 平面显示器、位移缓存器及其控制方法
CN105304021A (zh) 移位寄存器电路、栅极驱动电路及显示面板
CN202838909U (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
CN108257568A (zh) 移位寄存器、栅极集成驱动电路、显示面板及显示装置
CN103871388B (zh) 显示面板、栅极驱动器与控制方法
CN105390116A (zh) 栅极驱动电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant