CN102566188A - 显示装置结构、电泳显示器的显示面板结构及其制造方法 - Google Patents
显示装置结构、电泳显示器的显示面板结构及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102566188A CN102566188A CN2011100382712A CN201110038271A CN102566188A CN 102566188 A CN102566188 A CN 102566188A CN 2011100382712 A CN2011100382712 A CN 2011100382712A CN 201110038271 A CN201110038271 A CN 201110038271A CN 102566188 A CN102566188 A CN 102566188A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulation course
- metal level
- display device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 180
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 53
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 44
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 34
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 23
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims description 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- VIRZZYBEAHUHST-UHFFFAOYSA-N bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-triene Chemical compound C1CC=2C1=CC=CC2.C2CC=1C2=CC=CC1 VIRZZYBEAHUHST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
- G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示装置结构，其基板含主动区域以及相邻于主动区域的静电保护电路区域，第一金属层、第一绝缘层与非晶硅层依序设置于基板之上。第一开口穿凿闸第一绝缘层，以暴露出部分的第一金属层，第二金属层则位于第一绝缘层或是非晶硅层之上，其中第二金属层是填满第一开口以与第一金属层接触，第二绝缘层和平坦层依续设置于第二金属层上，其中平坦层所在区域是重叠于静电保护电路区域。第二开口穿凿第二绝缘层和平坦层以曝露第二金属层，其中第三金属层是填满第二开口以与第二金属层接触。
Description
技术领域
本发明是有关于一种显示装置结构及其制造方法，且特别是有关于一种电泳显示装置结构及其制造方法。
背景技术
电泳显示装置亦称电子纸显示装置(Electronic Paper Display；EPD)，其具有轻薄且有弹性的外型以及极低的功率损耗，电泳显示装置提供使用者有如阅读书本般的感受。电泳显示装置具有更新数据的功能，可借由电子墨水(electronic ink，E-ink)的技术并透过电荷更新数据。电子墨水的技术可适用于不需要前光或背光反射的电泳显示装置，其在较大的亮度范围下依然可观赏使用，例如直射的阳光下，或不需电源而保持一画面。
电子墨水主要由数百万微小的微粒子所组成，每一微粒子的体积约略等同于人类毛发的体积。一般而言，每个微粒子含有正电荷白粒子及负电荷黑粒子，这些粒子悬浮在清液当中。当施加电场时，正电荷白粒子将移动至一端而使其呈现白色，负电荷黑粒子则拉至微粒子的另一端而使其呈现黑色。
在电子墨水显示装置的制程中，静电电荷会累积在制程设备、制程人员身上、显示面板，或其它地方。因此在制程中，当电子墨水显示面板接触制程设备、制程人员、或带有静电电荷的物质时，将产生静电放电(electrostaticdischarge，ESD)的现象。因为在电子墨水显示装置中的元件具有非常小的体积，所以由静电放电会对电子墨水显示装置上的电路造成巨大损害。以目前现有的电子墨水显示装置而言，静电放电通常会导致显示面板上的线瑕疵(linedefects)或是画面异常，特别是位于显示区之外的外部电路或是显示区靠近外部矩阵中行或列的画素。这将使得电子墨水显示面板的制造良率降低且产品生命周期减少。
如图1A以及图1B所绘示的传统显示装置结构剖面图，此显示装置结构主要包括主动区域111、静电保护电路区域109与测试电路区域115。由于第一金属层103与第二金属层105，通常需要透过最外层的第三金属层101来连接，其中在贴附前端层压显示面板的制程时，前端层压显示面板上所带的静电容易由第三层金属传导至外部电路或前端层压显示面板导致线路短路造成画面显示有缺陷或异常。另一方面，显示区外面的数据线或是扫描线的电压会使前端层压显示面板(Front Plane Laminate；FPL)107中的离子释出，在长时间的电性驱动下，这些离子加上水气会形成腐蚀绝缘层的化学物质，因而破坏绝缘层使得绝缘层下方的金属层未受到保护，在高温高湿的环境下，水气会渗入使得第二金属层105与第一金属层103腐蚀导致面板产生缺陷或异常。
有鉴于此，如何避免显示装置受到静电放电电流的损害和提高产品的寿命，已变成电泳显示装置在技术发展上一项重要的课题。
发明内容
因此，本发明的一目的是在提供一种显示装置制造方法，能够强化抗静电能力并降低金属腐蚀，并减少制程步骤，使制程简单化。
依据本发明一实施例，显示装置制造方法是用以制造一电泳显示器面板，此制造方法是提供一基板并在基板上定义出一主动区域以及相邻于主动区域的一静电保护电路区域；在基板上形成一第一金属层，并利用一第一道光罩制程图案化(Patterning)第一金属层；于第一金属层之上依序形成一第一绝缘层(闸绝缘层)以及一非晶硅层；利用一第二道光罩制程图案化非晶硅层；利用一第三道光罩制程图案化第一绝缘层以形成一第一开口，第一开口是用以暴露出部分的第一金属层；在第一绝缘层或非晶硅层之上形成一第二金属层，其中第二金属层是填满第一开口以与第一金属层接触；利用一第四道光罩制程图案化第二金属层以形成一源极区域以及一漏极区域；在第二金属层上形成一第二绝缘层与一平坦层，并利用一第五道光罩制程图案化第二绝缘层与平坦层；然后在平坦层上形成一第三金属层，并以一第六道光罩制程图案化第三金属层。
本发明的再一目的是在提供一种显示装置制造方法，能够强化抗静电能力并降低金属腐蚀，延长显示装置的使用周期。
依照本发明的再一实施例，显示装置制造方法是制造一电泳显示器面板，此制造方法是提供一基板，并在基板上定义出一主动区域以及相邻于主动区域的一静电保护电路区域。接着在基板上形成一第一金属层，并利用一第一道光罩制程图案化第一金属层，于第一金属层之上依序形成一第一绝缘层以及一非晶硅层，然后利用一第二道光罩制程图案化非晶硅层，并利用一第三道光罩制程图案化第一绝缘层以形成一第一开口，此第一开口是用以暴露出部分的第一金属层。接着在第一绝缘层或非晶硅层之上形成一第二金属层，其中第二金属层是填满第一开口以与第一金属层接触，再利用一第四道光罩制程图案化第二金属层以形成一源极区域以及一漏极区域，并在第二金属层上形成一第二绝缘层与一平坦层，使平坦层所在区域重叠于静电保护电路区域，并利用一第五道光罩制程图案化第二绝缘层与平坦层，然后在平坦层上形成一第三金属层，并以一第六道光罩制程图案化第三金属层。
本发明的又一目的是在提供一种显示装置制造方法，能够强化抗静电能力并降低金属腐蚀，避免前端层压显示面板所释出的离子，腐蚀显示装置的内部电路。
依照本发明的又一实施例，显示装置制造方法是制造一电泳显示器面板，此制造方法是提供一基板，并在基板上定义出一主动区域以及相邻于主动区域的一数据线扇入区域；在基板上形成一第一金属层，并利用一第一道光罩制程图案化第一金属层；于第一金属层之上依序形成一第一绝缘层以及一非晶硅层；利用一第二道光罩制程图案化非晶硅层；利用一第三道光罩制程图案化第一绝缘层以形成一第一开口，此第一开口是用以暴露出部分的第一金属层；在第一绝缘层或非晶硅层之上形成一第二金属层，其中第二金属层是填满第一开口以与第一金属层接触。然后利用一第四道光罩制程图案化第二金属层以形成一源极区域以及一漏极区域，在第二金属层上形成一第二绝缘层与一平坦层，使平坦层所在区域重叠于一前端层压显示面板区域覆盖下的数据线扇入区域，或是使平坦层所在区域重叠于扫描线扇入区域，并利用一第五道光罩制程图案化第二绝缘层与平坦层；之后在平坦层上形成一第三金属层，并以一第六道光罩制程图案化第三金属层。
本发明的更一目的是在提供一种显示装置结构，能够强化抗静电能力并降低金属腐蚀。
依照本发明的更一实施例，显示装置结构含有一基板、一第一金属层、一第一绝缘层、一非晶硅层、一第一开口、一第二开口、一第二绝缘层以及一平坦层。基板具有一主动区域以及相邻于主动区域的一静电保护电路区域，第一金属层位于基板之上。第一绝缘层位于主动区域的第一金属层之上，非晶硅层位于第一绝缘层之上。第一开口穿凿第一绝缘层以及非晶硅层，以暴露出部分的第一金属层。第二金属层位于主动区域内的第一绝缘层以及非晶硅层之上，其中第二金属层是填满第一开口以与第一金属层接触。第二开口穿凿第二金属层以暴露出部分的非晶硅层。第二绝缘层设置于第二金属层上并填满第二开口以接触非晶硅层。平坦层设置于第二绝缘层之上，其中平坦层所在区域是重叠于静电保护电路区域。
本发明的另一目的是在提供一种电泳显示器的显示面板结构，能够避免数据线扇入区域被水气腐蚀，强化抗静电能力并降低金属腐蚀。
依照本发明的另一实施例，电泳显示器的显示面板结构包含一基板、一第一金属层、一第一绝缘层、一非晶硅层、一第二金属层、一第二绝缘层、一平坦层，以及一第三金属层。基板具有一主动区域以及相邻于主动区域的一数据线扇入区域；第一金属层位于基板之上；第一绝缘层位于主动区域的第一金属层之上；非晶硅层位于第一绝缘层之上；第二金属层位于主动区域内的第一绝缘层或非晶硅层之上；第二绝缘层设置于第二金属层上；平坦层设置于该第二绝缘层之上，其中该平坦层所在区域是重叠于一前端层压显示面板区域覆盖下的该数据线扇入区域；第三金属层则设置于平坦层上。
以上实施例的显示装置制造方法以及显示装置结构，是以六道光罩制程来制造显示装置结构，并利用开口使第一金属层直接连接到第二金属层，并将平坦层涂布至显示装置的的静电保护电路与测试电路之上，来强化显示装置的抗静电能力并防止水气腐蚀金属。
附图说明
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：
图1A以及图1B是绘示两种传统显示装置结构的剖面图；
图2A是绘示本发明一实施方式显式装置的面板电路图；
图2B是绘示本发明一实施方式的显式装置的配置俯视图；
图2C以及2D是绘示本发明一实施方式显式装置的部分面板电路图；
图2E是绘示本发明一实施方式显式装置的部分剖面图；
图3A是绘示本发明一实施方式的显示装置制造方法流程图；
图3B是绘示本发明一实施方式静电保护电路区域的显示装置结构剖面图；
图3C，其是绘示本发明另一实施方式主动区域的显示装置结构剖面图；
图3D是绘示本发明一实施方式显示装置结构的剖面图。
【主要附图标记说明】
101：第三金属层 103：第一金属层
105：第二金属层 107：前端层压显示面板
109：静电保护电路区域 111：主动区域
115：测试电路区域 201：数据线扇入区域
203：扫描线扇入区域 205：主动区域
207：前端层压显示面板 209：保护平板
211：数据线 213：扫描线
215：导电透明金属 217：平坦层
231：静电保护电路 233：测试电路区域
237：画素电路 239：静电放电环
241：二极管 301～317：步骤
331：基板 333：第一金属层
335：第一绝缘层 337：第二绝缘层
339：平坦层 341：前端层压显示面板
343：第二金属层 344：第三金属层
345：非晶硅层 347：第一开口
349：第二开口 351：静电保护电路
353：测试电路 355：主动区域
具体实施方式
以上实施例的显示装置制造方法以及显示装置结构，是以六道光罩制程来制造显示装置结构，并利用开口使第一金属层连接到第二金属层，使平坦层涂布至显示装置的静电保护电路与测试电路之上，来强化显示装置的抗静电能力并防止水气腐蚀金属。
请同时参照图2A至图2E，其中图2A是绘示本发明一实施方式显式装置的面板电路图，图2B则绘示本发明一实施方式的显式装置的配置俯视图，图2C以及2D绘示本发明一实施方式显式装置的部分面板电路图，图2E则绘示由图2D切线AA’看入的剖面图。显示装置面板主要含有显示影像的主动区域205、用来防止静电伤害显示装置元件的静电保护电路区域231，以及用来测试显像功能的测试电路区域233。主动区域205主要由数个画素电路237所构成。静电保护电路区域231含有二极管241与静电放电环239，其中二极管241负责将数据线211与扫描线213上的静电传导至静电放电环239上。
从图2B至2E可以看出，保护平板209所在区域覆盖前端层压显示面板207，此前端层压显示面板207会重叠于一部分的数据线扇入区域201与一部分的扫描线扇入区域203，前端层压显示面板207内含导电胶221、胶囊粒子(Capsules)223与导电透明金属215和塑料基板219。由于扫描线213与数据线211的第一或第二金属层位于前端层压显示面板207之下，其中此数据线或是扫描线的电压会使前端层压显示面板(Front Plane Laminate；FPL)107中的离子释出，在长时间的电性驱动下，这些离子加上水气会形成腐蚀绝缘层的化学物质，因而破坏绝缘层使得绝缘层下方的金属层未受到保护，在高温高湿的环境下，水气会渗入使得第二金属层105与第一金属层103腐蚀导致面板产生缺陷或异常。
请参照图3A，其是绘示本发明一实施方式的显示装置制造方法流程图，显示装置制造方法是制造一电泳显示器面板，此方法是提供一基板并在此基板上定义出主动区域以及相邻于主动区域的静电保护电路区域(步骤301)，然后在基板上形成第一金属层，并利用第一道光罩制程图案化(Patterning)此第一金属层(步骤303)；之后于第一金属层之上依序形成一第一绝缘层(可为闸绝缘层)以及一非晶硅层(步骤305)，并利用第二道光罩制程图案化非晶硅层(步骤307)。
接着步骤307之后，继续利用一第三道光罩制程来图案第一绝缘层以形成第一开口(步骤309)，第一开口是用以暴露出部分的第一金属层，然后在第一绝缘层或是非晶硅层之上形成第二金属层(步骤311)，其中第二金属层是填满第一开口以与第一金属层接触。借由此第一开口，第二金属层可直接与第一金属层连接，不需要再借由第三金属层来进行连接，因此可避免静电或水气沿着较外层的第三金属层进入第一、第二金属层，伤害第一、第二金属层及其上的结构。
跟着利用一第四道光罩制程来图案化第二金属层以形成一源极区域以及一漏极区域，(步骤313)然后在第二金属层上形成一第二绝缘层与一平坦层，并利用一第五道光罩制程图案化第二绝缘层与平坦层(步骤315)，平坦层与第二绝缘层的材质可为树脂(Resin)、氮化硅(SiNx)、压克力光阻或苯环丁烯(Benzocyclobutene)聚合物，其中此平坦层所在区域是重叠于静电保护电路区域以及数据线扇入区域、扫描线扇入区域，平坦层的面积则可选择性地大于或等于前端层压显示面板的面积，避免前端层压显示面板所释出的离子腐蚀数据线或扫描线的金属而产生线缺陷。
最后在平坦层上形成第三金属层，并以第六道光罩制程图案化此第三金属层(步骤317)。除此之外，还可在第三金属层之上实施任何半导体相关制程，例如设置前端层压显示面板(Front Plane Laminate)，以形成一电泳显示装置(Electronic Paper Display；EPD)。
在此一实施方式的显示装置制造方法当中，步骤301还可在基板上相邻于主动区域处多定义出一数据线扇入区域、一扫描线扇入区域或一测试电路区域，并使平坦层所在区域重叠于前端层压显示面板区域下的数据线扇入区域90％以上的面积，或使平坦层所在区域重叠于前端层压显示面板区域下的扫描线扇入区域90％以上的面积；平坦层所在区域亦可重叠于测试电路区域，避免数据线、扫描线与测试电路遭受静电与水气的损害。
请参照图3B，其是绘示本发明一实施方式静电保护电路区域的显示装置结构剖面图。显示装置结构主要含有基板331、第一金属层333、第一绝缘层335、非晶硅层345、第一开口347、第二金属层343、第二绝缘层337、平坦层339以及以及任何半导体制程下所形成的结构，例如一前端层压显示面板341。
基板331含有主动区域以及相邻于主动区域的静电保护电路区域，还可以进一步地含有数据线扇入区域与扫描线扇入区域来容置数据线与扫描线，此一附图主要绘示基板331的静电保护电路区域以及其上的结构。第一金属层333是位于基板331之上，第一绝缘层335与非晶硅层345依序叠置于第一金属层333之上。第一开口347穿凿非晶硅层345，以暴露出部分的第一金属层333，第二金属层343位于第一绝缘层335或是非晶硅层345之上，其中第二金属层343是填满第一开口347以与第一金属层333接触。
第二绝缘层337设置于第二金属层343上并接触非晶硅层345，平坦层339则设置于第二绝缘层337之上，其中平坦层339所在区域是重叠于静电保护电路区域、测试电路区域以及前端层压显示面板区域下的数据线扇入区域、扫描线扇入区域，此平坦层339与第二绝缘层337的材质分别为树脂(Resin)与氮化硅(SiNx)。进一步地，还可将前端层压显示面板341设置于平坦层339之上，来形成一电泳显示装置。
在此一实施例当中，第二金属层343可透过第一开口347与第一金属层333接触，不再需要借由额外的第三金属层来连接，可避免静电或水气沿着较外层的第三金属层进入第一、第二金属层，伤害第一、第二金属层及其上的结构；此外，平坦层339所在区域是重叠于静电保护电路区域以及数据线扇入区域、扫描线扇入区域，因此可更全面地保护这些区域，避免这些区域与其上的结构受到静电或是水气的损害。
请参照图3C，其是绘示本发明另一实施方式主动区域显示装置结构的剖面图。此一实施例当中，大部分的元件符号与图3B的实施例相同，用来标示相同的材料层；此一实施例额外增加了第三金属层344与第二开口349，其中第二开口349穿凿第二绝缘层337和平坦层339以曝露第二金属层343，第三金属层344是填满第二开口349以与第二金属层343接触。
请参照图3D，其是绘示本发明一实施方式显示装置结构的剖面图。由此图3D可以看出，平坦层339所在区域是重叠于静电保护电路区域351、测试电路区域353，避免水气腐蚀静电保护电路区域351、测试电路区域353上的电子元件。
以上实施例的显示装置制造方法以及显示装置结构，以同一道光罩制程来图案化第二绝缘层以及平坦层，故只需六道光罩制程即可制造显示装置结构；更利用开口使第一金属层直接连接到第二金属层，不再需要额外的金属层；此外，是将平坦层涂布至显示装置的的静电保护电路与测试电路之上，来强化显示装置的抗静电能力并防止水气腐蚀金属。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何在本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。
Claims (23)
1.一种显示装置制造方法，以制造一电泳显示器面板，其特征在于，该制造方法包含：
提供一基板，并在该基板上定义出一主动区域；
在该基板上形成一第一金属层，并利用一第一道光罩制程图案化该第一金属层；
于该第一金属层之上依序形成一第一绝缘层以及一非晶硅层；
利用一第二道光罩制程图案化该非晶硅层；
利用一第三道光罩制程图案化该第一绝缘层以形成一第一开口，该第一开口是用以暴露出部分的该第一金属层；
在该第一绝缘层或该非晶硅层之上形成一第二金属层，其中该第二金属层是填满该第一开口以与该第一金属层接触；
利用一第四道光罩制程图案化该第二金属层以形成一源极区域以及一漏极区域；
在该第二金属层上形成一第二绝缘层与一平坦层，并利用一第五道光罩制程图案化该第二绝缘层与该平坦层；以及
在该平坦层上形成一第三金属层，并以一第六道光罩制程图案化该第三金属层。
2.根据权利要求1所述的显示装置制造方法，其特征在于，还包含在该基板上定义出一测试电路区域，并使该平坦层所在区域重叠于该测试电路区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置制造方法，其特征在于，还包含在该第三金属层之上设置一前端层压显示面板，以形成一电泳显示装置。
4.根据权利要求1所述的显示装置制造方法，其特征在于，是以树脂、压克力光阻或苯环丁烯聚合物制作该平坦层，并以氮化硅制作该第二绝缘层。
5.一种显示装置制造方法，以制造一电泳显示器面板，其特征在于，该制造方法包含：
提供一基板，并在该基板上定义出一主动区域以及相邻于该主动区域的一静电保护电路区域；
在该基板上形成一第一金属层，并利用一第一道光罩制程图案化该第一金属层；
于该第一金属层之上依序形成一第一绝缘层以及一非晶硅层；
利用一第二道光罩制程图案化该非晶硅层；
利用一第三道光罩制程图案化该第一绝缘层以形成一第一开口，该第一开口是用以暴露出部分的该第一金属层；
在该第一绝缘层或该非晶硅层之上形成一第二金属层，其中该第二金属层是填满该第一开口以与该第一金属层接触；
利用一第四道光罩制程图案化该第二金属层以形成一源极区域以及一漏极区域；
在该第二金属层上形成一第二绝缘层与一平坦层，使该平坦层所在区域重叠于该静电保护电路区域，并利用一第五道光罩制程图案化该第二绝缘层与该平坦层；以及
在该平坦层上形成一第三金属层，并以一第六道光罩制程图案化该第三金属层。
6.根据权利要求5所述的显示装置制造方法，其特征在于，还包含在该基板上定义出一测试电路区域，并使该平坦层所在区域重叠于该测试电路区域。
7.根据权利要求5所述的显示装置制造方法，其特征在于，还包含在该第三金属层之上设置一前端层压显示面板，以形成一电泳显示装置。
8.根据权利要求5所述的显示装置制造方法，其特征在于，是以树脂、压克力光阻，或苯环丁烯聚合物制作该平坦层，并以氮化硅制作该第二绝缘层。
9.一种显示装置制造方法，以制造一电泳显示器面板，其特征在于，该制造方法包含：
提供一基板，并在该基板上定义出一主动区域以及相邻于该主动区域的一数据线扇入区域；
在该基板上形成一第一金属层，并利用一第一道光罩制程图案化该第一金属层；
于该第一金属层之上依序形成一第一绝缘层以及一非晶硅层；
利用一第二道光罩制程图案化该非晶硅层；
利用一第三道光罩制程图案化该第一绝缘层以形成一第一开口，该第一开口是用以暴露出部分的该第一金属层；
在该第一绝缘层或该非晶硅层之上形成一第二金属层，其中该第二金属层是填满该第一开口以与该第一金属层接触；
利用一第四道光罩制程图案化该第二金属层以形成一源极区域以及一漏极区域；
在该第二金属层上形成一第二绝缘层与一平坦层，使该平坦层所在区域重叠于一前端层压显示面板区域覆盖下的该数据线扇入区域，并利用一第五道光罩制程图案化该第二绝缘层与该平坦层；以及
在该平坦层上形成一第三金属层，并以一第六道光罩制程图案化该第三金属层。
10.根据权利要求9所述的显示装置制造方法，其特征在于，还包含在该基板上相邻于该主动区域处定义出的一扫描线扇入区域，并使该平坦层所在区域重叠于该前端层压显示面板区域覆盖下的该扫描线扇入区域。
11.根据权利要求9所述的显示装置制造方法，其特征在于，还包含在该基板上定义出一测试电路区域，并使该平坦层所在区域重叠于该测试电路区域。
12.根据权利要求9所述的显示装置制造方法，其特征在于，还包含在该第三金属层之上设置一前端层压显示面板，以形成一电泳显示装置。
13.根据权利要求9所述的显示装置制造方法，其特征在于，是以树脂、压克力光阻，或苯环丁烯聚合物制作该平坦层，并以氮化硅制作该第二绝缘层。
14.一种显示装置结构，其特征在于，包含：
一基板，具有一主动区域以及相邻于该主动区域的一静电保护电路区域；
一第一金属层，位于该基板之上；
一第一绝缘层，位于该主动区域的该第一金属层之上；
一非晶硅层，位于该第一绝缘层之上；
一第一开口，穿凿该第一绝缘层以及该非晶硅层，以暴露出部分的该第一金属层；
一第二金属层，位于该主动区域内的该第一绝缘层以及该非晶硅层之上，其中该第二金属层是填满该第一开口以与该第一金属层接触；
一第二开口，穿凿该第二金属层以暴露出部分的该非晶硅层；
一第二绝缘层，设置于该第二金属层上并填满该第二开口以接触该非晶硅层；以及
一平坦层，设置于该第二绝缘层之上，其中该平坦层所在区域是重叠于该静电保护电路区域。
15.根据权利要求14所述的显示装置结构，其特征在于，该基板还包含一数据线扇入区域以容置数据线，该平坦层的所在区域则重叠于一前端层压显示面板区域覆盖下的该数据线扇入区域。
16.根据权利要求14所述的显示装置结构，其特征在于，该基板还包含一扫描线扇入区域以容置扫描线，该平坦层的所在区域则重叠于一前端层压显示面板区域覆盖下的该扫描线扇入区域。
17.根据权利要求14所述的显示装置结构，其特征在于，该基板还包含一测试电路区域，该平坦层的所在区域则与该测试电路区域重叠。
18.根据权利要求14所述的显示装置结构，其特征在于，还包含一一前端层压显示面板，设置于该平坦层之上，以形成一电泳显示装置。
19.根据权利要求14所述的显示装置结构，其特征在于，是以树脂、压克力光阻，或苯环丁烯聚合物制作该平坦层及氮化硅制作该第二绝缘层。
20.一种电泳显示器的显示面板结构，其特征在于，包含：
一基板，具有一主动区域以及相邻于该主动区域的一数据线扇入区域；
一第一金属层，位于该基板之上；
一第一绝缘层，位于该主动区域的该第一金属层之上；
一非晶硅层，位于该第一绝缘层之上；
一第二金属层，位于该主动区域内的该第一绝缘层或该非晶硅层之上；
一第二绝缘层，设置于该第二金属层上；
一平坦层，设置于该第二绝缘层之上，其中该平坦层所在区域是重叠于一前端层压显示面板区域覆盖下的该数据线扇入区域；以及
一第三金属层，设置于该平坦层上。
21.根据权利要求20所述的显示面板结构，其特征在于，该基板还包含一扫描线扇入区域以容置扫描线，该平坦层的所在区域则重叠于该前端层压显示面板区域覆盖下的该扫描线扇入区域。
22.根据权利要求20所述的显示面板结构，其特征在于，还包含一前端层压显示面板，设置于该平坦层之上，以形成一电泳显示装置。
23.根据权利要求20所述的显示面板结构，其特征在于，是以树脂、压克力光阻，或苯环丁烯聚合物制作该平坦层及氮化硅制作该第二绝缘层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099144012 | 2010-12-15 | ||
| TW99144012A TWI431388B (zh) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 顯示裝置結構、電泳顯示器之顯示面板結構，以及顯示裝置製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102566188A true CN102566188A (zh) | 2012-07-11 |
| CN102566188B CN102566188B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=46233204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110038271.2A Active CN102566188B (zh) | 2010-12-15 | 2011-02-12 | 显示装置结构、电泳显示器的显示面板结构及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9105528B2 (zh) |
| CN (1) | CN102566188B (zh) |
| TW (1) | TWI431388B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108400101A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及oled显示面板 |
| CN110310921A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| US10707288B2 (en) | 2018-03-12 | 2020-07-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | TFT array substrate and OLED display panel |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9691797B2 (en) * | 2014-04-08 | 2017-06-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| CN107290914B (zh) * | 2016-04-01 | 2022-09-09 | 上海伯乐电子有限公司 | 电子纸显示模组及其制备方法、电子纸显示装置 |
| TWI594163B (zh) * | 2016-06-24 | 2017-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 面板 |
| CN113611689B (zh) * | 2021-08-06 | 2024-03-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072550A (en) * | 1996-06-11 | 2000-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having resistive electrostatic discharge protection devices with resistance no greater than 1 MOHM and method of fabrication |
| US20040027502A1 (en) * | 1999-08-31 | 2004-02-12 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display |
| CN101078845A (zh) * | 2006-05-23 | 2007-11-28 | 卡西欧计算机株式会社 | 显示器件 |
| US20070272983A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Quanta Display Inc. | Active device array substrate |
| CN101221330A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-07-16 | 卡西欧计算机株式会社 | 液晶显示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3564417B2 (ja) | 2000-05-31 | 2004-09-08 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | カラー液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4634673B2 (ja) | 2001-09-26 | 2011-02-16 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3714243B2 (ja) | 2001-12-11 | 2005-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、電気光学装置、および電子機器 |
| JP2003202589A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100616708B1 (ko) | 2004-04-12 | 2006-08-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| JP4205010B2 (ja) | 2004-04-16 | 2009-01-07 | 三菱電機株式会社 | 表示装置とその製造方法 |
| KR100847640B1 (ko) * | 2006-05-23 | 2008-07-21 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 표시장치 |
| JP2008066603A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| KR101772377B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR101408715B1 (ko) | 2008-09-19 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
-
2010
- 2010-12-15 TW TW99144012A patent/TWI431388B/zh active
-
2011
- 2011-02-12 CN CN201110038271.2A patent/CN102566188B/zh active Active
- 2011-05-13 US US13/106,882 patent/US9105528B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072550A (en) * | 1996-06-11 | 2000-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having resistive electrostatic discharge protection devices with resistance no greater than 1 MOHM and method of fabrication |
| US20040027502A1 (en) * | 1999-08-31 | 2004-02-12 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display |
| CN101078845A (zh) * | 2006-05-23 | 2007-11-28 | 卡西欧计算机株式会社 | 显示器件 |
| US20070272983A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Quanta Display Inc. | Active device array substrate |
| CN101221330A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-07-16 | 卡西欧计算机株式会社 | 液晶显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108400101A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及oled显示面板 |
| US10707288B2 (en) | 2018-03-12 | 2020-07-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | TFT array substrate and OLED display panel |
| CN110310921A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| CN110310921B (zh) * | 2019-07-09 | 2021-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102566188B (zh) | 2016-04-13 |
| TWI431388B (zh) | 2014-03-21 |
| US9105528B2 (en) | 2015-08-11 |
| TW201224622A (en) | 2012-06-16 |
| US20120153283A1 (en) | 2012-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102566188A (zh) | 显示装置结构、电泳显示器的显示面板结构及其制造方法 | |
| CN206301112U (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
| CN102967975B (zh) | 一种液晶显示面板及液晶显示装置 | |
| CN105372859B (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN101825821B (zh) | 用于液晶显示设备的母基板及其制造方法 | |
| CN206833100U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US10613694B2 (en) | Touch panel, touch display panel using same, and method for making same | |
| CN205069639U (zh) | 阵列基板及包括该阵列基板的tft显示装置 | |
| CN107077807A (zh) | 显示装置基板、显示装置基板的制造方法及使用其的显示装置 | |
| CN203616554U (zh) | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 | |
| CN104460070A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN103513459A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置及其制备方法 | |
| DE102010042473A1 (de) | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit integrierter berührungsempfindlicher Tafel | |
| CN105428355A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN103454819A (zh) | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 | |
| CN101207138A (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
| CN102915147A (zh) | 触摸感应元件、触摸面板及触摸面板的制造方法 | |
| CN203519954U (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
| KR20160043092A (ko) | 어레이 기판의 대전 방지 구조 | |
| TW201619668A (zh) | 顯示面板及包含其之顯示裝置 | |
| CN104090389B (zh) | 测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法 | |
| CN202771396U (zh) | 一种触摸感应元件及触摸面板 | |
| CN107908306A (zh) | 修复方法 | |
| CN105870136A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN205920740U (zh) | 一种屏模组及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |